EA032620B1 - Способ формирования бидоменной структуры в пластинах монокристаллов сегнетоэлектриков - Google Patents
Способ формирования бидоменной структуры в пластинах монокристаллов сегнетоэлектриков Download PDFInfo
- Publication number
- EA032620B1 EA032620B1 EA201600460A EA201600460A EA032620B1 EA 032620 B1 EA032620 B1 EA 032620B1 EA 201600460 A EA201600460 A EA 201600460A EA 201600460 A EA201600460 A EA 201600460A EA 032620 B1 EA032620 B1 EA 032620B1
- Authority
- EA
- Eurasian Patent Office
- Prior art keywords
- ferroelectric
- single crystal
- plate
- light
- bidomain
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/30—Niobates; Vanadates; Tantalates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/02—Heat treatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
Изобретение относится к информации о монокристаллах сегнетоэлектриков с бидоменной структурой и может быть использовано в нанотехнологии и микромеханике при создании и работе приборов точного позиционирования, таких как зондовые микроскопы, лазерные резонаторы, при юстировке оптически и т.д. Достигаемый технический результат заключается в обеспечении формирования бидоменной структуры при обеспечении повышения эффективности и стабильности преобразования электрического сигнала в механические упругие деформации, чувствительности, точности за счет отсутствия механического гистерезиса, ползучести и остаточных деформаций в широком интервале рабочих температур при высокой линейности характеристики "электрическое напряжение - механическая деформация".
Description
Изобретение относится к информации о монокристаллах сегнетоэлектриков с бидоменной структурой и может быть использовано в нанотехнологии и микромеханике при создании и работе приборов точного позиционирования, таких как зондовые микроскопы, лазерные резонаторы, при юстировке оптически и т.д. Достигаемый технический результат заключается в обеспечении формирования бидоменной структуры при обеспечении повышения эффективности и стабильности преобразования электрического сигнала в механические упругие деформации, чувствительности, точности за счет отсутствия механического гистерезиса, ползучести и остаточных деформаций в широком интервале рабочих температур при высокой линейности характеристики электрическое напряжение - механическая деформация.
Область техники, к которой относится изобретение
Изобретение относится к области получения монокристаллов сегнето-электриков с бидоменной структурой и может быть использовано в нанотехнологии и микромеханике при создании и работе приборов точного позиционирования, в частности зондовых микроскопов, лазерных резонаторов, а также при юстировке оптических систем.
Основным конструктивным элементом таких приборов любой модификации является электромеханическое устройство, которое преобразовывает электрическую энергию в управляемое движение, т.е. микроактюатор. К перспективным методам активации следует отнести пьезоэлектрические биморфные элементы на основе бидоменных структур в монокристаллах сегнетоэлектриков.
Сведения о предшествующем уровне техники
Известен способ формирования доменной структуры в монокристаллической пластине нелинейнооптического сегнетоэлектрика, например ниобата лития, (КИ 2371746, опублик. 27.10.2009) путем воздействия на нее высоким напряжением, приложенным между металлическими электродами, расположенными на противоположных полярных гранях пластины, причем один из них выполнен в виде структуры, состоящей из полос определенной конфигурации (полосовой электрод), для формирования доменной структуры соответствующей конфигурации. В способе на поверхность пластины с полосовым электродом воздействуют импульсным лазерным излучением, обеспечивающим неоднородный нагрев поверхностного слоя пластины и образование под полосовым электродом приповерхностных доменов при последующем охлаждении после окончания импульса лазерного излучения. Высокое напряжение прикладывают между электродами одновременно или после воздействия импульса лазерного излучения, в результате чего формируется доменная структура, состоящая из сквозных доменов в точном соответствии с рисунком полосового электрода.
Недостатком этого способа является невозможность создания бидоменной структуры с противоположно направленными векторами поляризации.
Известен способ формирования доменной структуры в монокристаллической пластине нелинейнооптического сегнетоэлектрика, например ниобата лития (КС 2439636, опублик. 10.01.2012), путем воздействия на нее высокого напряжения, приложенного между металлическими электродами, расположенными на противоположных полярных гранях пластины. Один из электродов выполнен в виде структуры, состоящей из полос определенной конфигурации (полосовой электрод) для формирования доменной структуры соответствующей конфигурации. Перед нанесением электрода на полярную грань, противоположную полосовому электроду, дополнительно наносят слой диэлектрического покрытия.
Недостатком этого способа является возможность формирования только регулярной доменной структуры, состоящей из чередующихся доменов разных знаков. Такая структура не может быть использована в качестве рабочих элементов электромеханической деформации.
Известен способ формирования доменной структуры в монокристаллической пластине нелинейнооптического сегнетоэлектрика, например ниобата лития, с помощью приложения электрического поля к полярным поверхностям пластины, на одну из которых нанесен диэлектрический слой, выполненный определенным рисунком (И8 5756263, опублик. 26.05.1998). Согласно этому способу на одну из полярных поверхностей наносят диэлектрический слой, в котором с помощью известных технологий фотолитографии формируется рисунок. К полярным поверхностям пластины прикладывают электроды (например, в виде жидкого электролита) и воздействуют электрическим полем определенной величины и длительности, достаточным для того, чтобы осуществить переключение спонтанной поляризации.
Недостатком этого способа также является возможность формирования только регулярной доменной структуры, состоящей из чередующихся доменов разных знаков. Такая структура не может быть использована в качестве рабочих элементов электромеханической деформации.
Прототипом предложенного изобретения является способ получения монокристаллов ниобата лития с бидоменной структурой (КС 2492283, опублик. 10.09.2013) для устройств нанотехнологии и микромеханики путем наложения электродов на две грани кристалла при нагреве до температуры фазового перехода - температуры Кюри - под действием неоднородного электрического поля. Грани кристалла являются плоскопараллельными, кристалл ориентируют под углом ζ+36° к полярной оси, а электроды выполнены в виде системы параллельных струн. Согласно данному способу электроды изготавливают из палладиевой пасты и наносят на пластины сапфира.
Недостатком этого способа является обеспечение формирования бидоменной структуры, толщина которой не может превышать 600 мкм. Это происходит вследствие того, что при высоких температурах глубина проникновения электрического поля в объем образца ограничена 200-300 мкм благодаря возникновению при таких температурах свободных носителей заряда, экранирующих внешнее поле.
Сущность изобретения
В изобретении достигается технический результат, заключающийся в обеспечении формирования бидоменной структуры толщиной более 0,4 мм с заданным положением и формой границы в пластинах из монокристаллических сегнетоэлектриков, при этом сформированные пластины из монокристаллических сегнетоэлектриков с бидоменной структурой обеспечивают повышение эффективности и стабильности преобразования электрического сигнала в механические упругие деформации, чувствительности,
- 1 032620 точности за счет отсутствия механического гистерезиса, ползучести и остаточных деформаций в широком интервале рабочих температур при высокой линейности характеристики электрическое напряжение - механическая деформация.
Указанный технический результат достигается следующим образом.
Способ формирования бидоменной структуры в пластинах монокристаллов сегнетоэлектриков, заключающийся в образовании в пластине монокристалла сегнетоэлектрика двух монодоменных областей с противоположным направлением векторов поляризации доменов и бидоменной границей, включает бесконтактное размещение пластины монокристалла сегнетоэлектрика с плоскопараллельными гранями в бескислородной среде рабочего пространства камеры установки фотонного отжига между двумя светопоглощающими экранами. При этом большие грани пластины монокристалла сегнетоэлектрика расположены параллельно продольным осям светопоглощающих экранов.
Далее в камере установки фотонного отжига формируют два встречных параллельных световых потока, направленных перпендикулярно большим граням пластины монокристалла сегнетоэлектрика и продольным осям светопоглощающих экранов. При этом мощность каждого светового потока задают из условий обеспечения полного прогрева пластины монокристалла сегнетоэлектрика в диапазоне температур не менее температуры Кюри и не более температуры плавления сегнетоэлектрика.
Затем происходит дальнейший прогрев пластины монокристалла сегнетоэлектрика при заданных условиях и ее охлаждение.
В частном случае пластину монокристалла сегнетоэлектрика охлаждают с заданным градиентом температуры, меняющейся от минимального значения на противоположных больших гранях пластины монокристалла сегнетоэлектрика до максимального значения в области формирования бидоменной границы, например с градиентом температуры 10°С/мм.
Также пластину монокристалла сегнетоэлектрика можно охлаждать с заданным градиентом температуры, меняющейся от максимального значения на противоположных больших гранях пластины монокристалла сегнетоэлектрика до минимального значения в области формирования бидоменной границы, например с градиентом температуры 3°С/мм.
В частном случае пластина монокристалла сегнетоэлектрика выполнена из монокристалла ниобата лития Ы№03.
Кроме того, бесконтактное размещение пластины монокристалла сегнетоэлектрика обеспечивается путем помещения брусков, выполненных из сапфира.
При этом светопоглощающие экраны выполнены в виде пластин из кристаллического кремния.
Также месторасположение и форма границы бидоменной структуры формируется за счет изменения интенсивности и мощности светового потока.
Перечень чертежей
Изобретение поясняется чертежом, где на фиг. 1 изображена схема нагрева пластины монокристалла сегнетоэлектрика, на фиг. 2 и фиг. 3 изображено рабочее пространство камеры установки фотонного отжига.
Сведения, подтверждающие возможность осуществления изобретения
На фиг. 1 показаны пластина 1 монокристалла сегнетоэлектрика, например ниобата лития ЫНЬ03, светопоглощающие кремниевые экраны 2, сапфировые бруски 3, световые потоки 4, тепловые потоки 5, 6 выходящие из пластины через боковые грани 7.
Предложенное изобретение осуществляется следующим образом.
Пластину 1, имеющую плоскопараллельные грани, размещают в бескислородной среде рабочего пространства камеры установки фотонного отжига 9 на держателе 8.
Неточности ориентировки пластины 1 относительно центра камеры установки фотонного отжига могут приводить к искажению плоской формы междоменной границы и ухудшению эксплуатационных характеристик бидоменного элемента деформации.
Ориентировка граней пластины относительно полярных осей монокристалла сегнетоэлектрика выбирается из условия обеспечения заданной величины поперечной упругой деформации пластины.
В камеру установки фотонного отжига пластину 1 помещают между двумя светопоглощающими кремниевыми экранами 2, располагая большие грани пластины 1 параллельно продольным осям экранов
2. Контакт между пластиной 1 и экранами 2 предотвращают посредством сапфировых брусков 3.
В камере установки фотонного отжига формируют два встречных параллельных световых потока 4, направленных перпендикулярно большим граням пластины 1 и продольным осям экранов 2.
Большие грани пластины 1 подвергают фотонному нагреву, облучая световыми потоками 4. Мощность каждого светового потока задают из условий обеспечения полного прогрева пластины 1. Диапазон температур, обеспечивающий полный прогрев пластины 1, ограничивают нижним пределом (не менее температуры Кюри) и верхним пределом (не более температуры плавления сегнетоэлектрика).
За счет создания однородных световых потоков 4 лампами с параболическими отражателями распределение температуры по объему экранов 2 является равномерным. Через торцевые грани пластины 1 отводятся тепловые потоки 7. Экраны 2 создают в объеме пластины 1 неоднородное температурное поле, симметричное относительно центра пластины 1. Тем самым создаются условия, при которых пластину 1
- 2 032620 можно представить в виде двух слоев, в которых градиент температуры направлен от поверхности к центру. Величина градиента температуры меняется по толщине пластины 1, и величина его максимальна на гранях пластины 1 и равна нулю в области формирования бидоменной границы.
Обеспечив полный прогрев пластины 1 при заданных условиях, проводят ее охлаждение. Охлаждение можно осуществлять с заданным градиентом температуры, меняющейся от минимального значения на противоположных больших гранях пластины монокристалла сегнетоэлектрика до максимального значения в области формирования бидоменной границы, например с градиентом температуры 10°С/мм.
Также охлаждение можно осуществлять с заданным градиентом температуры, меняющейся от максимального значения на противоположных больших гранях пластины монокристалла сегнетоэлектрика до минимального значения в области формирования бидоменной границы, например с градиентом температуры 3°С/мм.
В обоих случаях при охлаждении пластины 1 от температуры Кюри происходит формирование двух доменов с противоположными направлениями векторов поляризации и плоской междоменной границей. Направление векторов поляризации задаются распределением и ориентацией тепловых полей в пластине 1.
Поляризация монокристалла сегнетоэлектрика происходит благодаря тому, что при температуре фазового перехода коэрцитивная сила в монокристалле сегнетоэлектрика становится близкой к нулю и ионы металлов, например лития в ниобате или танталате лития, приобретают возможность смещаться в соседний кислородный октаэдр элементарной ячейки. После уменьшения температуры ниже температуры фазового перехода их положение становится фиксированным.
Расположение и форма бидоменной границы в объеме пластины 1 задается режимами нагрева и охлаждения, в частности за счет изменения интенсивности и мощности световых потоков 4. Их также можно задавать при изменении положения пластины 1 в рабочем пространстве камеры установки фотонного отжига, толщины и геометрической формы светопоглощающих кремниевых экранов 2.
Конкретный пример осуществления способа.
Для изготовления экранов из пластин кристаллического кремния диаметром 100 мм и толщиной 500 мкм были вырезаны два экрана размерами 75x45 мм, соответствующие размеру держателя.
Образец в виде прямоугольной пластины монокристалла ниобата лития с размерами 70 мм (срез Ζ+36°) на 20 мм (срез X) и толщиной 1,6 мм помещался между кремниевыми экранами через сапфировые бруски. Затем собранная конструкция помещалась в установку фотонного отжига.
В установке пластину монокристалла ниобата лития нагревали до температуры плавления ниобата лития конгруэнтного состава - 1150°С в течение 40 мин, пластину выдерживали 5 мин, затем охлаждали до температуры 100-150°С в течение 90 мин. Во время отжига происходило зарождение доменов в центре монокристалла, прорастание доменных границ по его объему и формирование одной доменной границы в середине пластины.
Исследования морфологии и визуализация полученной доменной структуры в кристалле ниобата лития методами селективного травления, рентгеновской топографии и сканирующей зондовой микроскопии подтвердили, что в процессе отжига сформировалась устойчивая бидоменная структура.
Эффективность и стабильность преобразования электрического сигнала в механические упругие деформации на экспериментальном макете биморфного элемента, которым является пластина из монокристаллического сегнетоэлектрика, размерами 70x20x1,6 мм при консольном закреплении характеризуется следующими параметрами: изменение деформации в интервале напряжений ±300 В составила 50 мкм, остаточная деформация элементов не превышает 0,3%, линейность деформации не хуже 0,01% в диапазоне рабочих температур от комнатной до 850°С.
В предложенном изобретении изгибные деформации полученных бидоменных кристаллических структур характеризуются отсутствием механического гистерезиса, ползучести и остаточных деформаций в широком интервале рабочих температур при высокой линейности величины электрическое напряжение - механическая деформация.
Claims (6)
- ФОРМУЛА ИЗОБРЕТЕНИЯ1. Способ формирования бидоменной структуры в пластинах монокристаллов сегнетоэлектриков, заключающийся в образовании в пластине монокристалла сегнетоэлектрика двух монодоменных областей с противоположным направлением векторов поляризации доменов и бидоменной границей, который включает бесконтактное размещение пластины монокристалла сегнетоэлектрика с плоскопараллельными гранями в бескислородной среде рабочего пространства камеры установки фотонного отжига между двумя светопоглощающими экранами, при этом большие грани пластины монокристалла сегнетоэлектрика расположены параллельно продольным осям светопоглощающих экранов, последующее формирование в камере установки фотонного отжига двух встречных параллельных световых потоков, направленных перпендикулярно большим граням пластины монокристалла сегнетоэлектрика и продольным осям светопоглощающих экранов, причем мощность каждого светового потока задают из условий обеспечения полного прогрева пластины монокристалла сегнетоэлектрика в диапазоне температур не менее температуры Кюри и не более температуры плавления сегнетоэлектрика, дальнейший прогрев пластины- 3 032620 монокристалла сегнетоэлектрика при заданных условиях и ее охлаждение с заданным градиентом температуры, меняющейся от минимального значения на противоположных больших гранях пластины монокристалла сегнетоэлектрика до максимального значения в области формирования бидоменной границы, причем между пластиной сегнетоэлектрика и светопоглощающими экранами размещены бруски, выполненные из сапфира.
- 2. Способ по п.1, в котором пластину монокристалла сегнетоэлектрика охлаждают с градиентом температуры 10°С/мм.
- 3. Способ по п.1, в котором пластину монокристалла сегнетоэлектрика охлаждают с градиентом температуры 3°С/мм.
- 4. Способ по п.1, в котором пластина монокристалла сегнетоэлектрика выполнена из монокристалла ниобата лития ΕΐΝΒΟ3.
- 5. Способ по п.1, в котором светопоглощающие экраны выполнены в виде пластин из кристаллического кремния.
- 6. Способ по п.1, в котором месторасположение и форма границы бидоменной структуры формируется за счет изменения интенсивности и мощности светового потока.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/RU2013/001115 WO2015088371A1 (en) | 2013-12-12 | 2013-12-12 | Method of synthesizing a bi-domain structure in ferroelectric single crystal wafers |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| EA201600460A1 EA201600460A1 (ru) | 2017-01-30 |
| EA032620B1 true EA032620B1 (ru) | 2019-06-28 |
Family
ID=53371540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| EA201600460A EA032620B1 (ru) | 2013-12-12 | 2013-12-12 | Способ формирования бидоменной структуры в пластинах монокристаллов сегнетоэлектриков |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EA (1) | EA032620B1 (ru) |
| RU (1) | RU2566142C2 (ru) |
| WO (1) | WO2015088371A1 (ru) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110670134B (zh) * | 2019-09-20 | 2021-04-23 | 南开大学 | 一种p型和n型导电铌酸锂纳米线的制备方法 |
| RU196011U1 (ru) * | 2019-12-13 | 2020-02-13 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" | Трехкоординатное устройство позиционирования |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5756263A (en) * | 1995-05-30 | 1998-05-26 | Eastman Kodak Company | Method of inverting ferroelectric domains by application of controlled electric field |
| WO2009015474A1 (en) * | 2007-07-31 | 2009-02-05 | Ye Hu | Method of ferroelectronic domain inversion and its applications |
| RU2492283C2 (ru) * | 2011-12-08 | 2013-09-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" | Способ формирования бидоменной структуры в пластинах монокристаллов |
-
2013
- 2013-12-12 RU RU2014105877/05A patent/RU2566142C2/ru active
- 2013-12-12 WO PCT/RU2013/001115 patent/WO2015088371A1/en active Application Filing
- 2013-12-12 EA EA201600460A patent/EA032620B1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5756263A (en) * | 1995-05-30 | 1998-05-26 | Eastman Kodak Company | Method of inverting ferroelectric domains by application of controlled electric field |
| WO2009015474A1 (en) * | 2007-07-31 | 2009-02-05 | Ye Hu | Method of ferroelectronic domain inversion and its applications |
| RU2492283C2 (ru) * | 2011-12-08 | 2013-09-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" | Способ формирования бидоменной структуры в пластинах монокристаллов |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2566142C2 (ru) | 2015-10-20 |
| RU2014105877A (ru) | 2015-08-27 |
| EA201600460A1 (ru) | 2017-01-30 |
| WO2015088371A1 (en) | 2015-06-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Bykov et al. | Formation of bidomain structure in lithium niobate plates by the stationary external heating method | |
| Rao et al. | A brief survey on basic properties of thin films for device application | |
| CN107244669B (zh) | 一种激光诱导石墨烯微纳结构的加工方法及其系统 | |
| WO2013016528A1 (en) | Electron emission device | |
| US3851174A (en) | Light detector for the nanosecond-dc pulse width range | |
| RU2566142C2 (ru) | Способ формирования бидоменной структуры в пластинах монокристаллов сегнетоэлектриков | |
| CN102483555A (zh) | 光学元件的制造方法 | |
| Andrushchak et al. | Development of Crystalline Nanocomposites with KDP crystals as Nanofiller | |
| Kislyuk et al. | Tailoring of stable induced domains near a charged domain wall in lithium niobate by probe microscopy | |
| Kokhanchik et al. | Surface periodic domain structures for waveguide applications | |
| RU2492283C2 (ru) | Способ формирования бидоменной структуры в пластинах монокристаллов | |
| CN105591275A (zh) | 基于MgO:PPLN晶畴占空比可控的电场调谐光参量振荡器 | |
| Andrushchak et al. | Nanoengineering of anisotropic materials for creating the active optical cells with increased energy efficiency | |
| RU2371746C1 (ru) | Способ формирования доменной структуры в монокристаллической пластине нелинейно-оптического сегнетоэлектрика | |
| JP5984498B2 (ja) | 分極反転素子の製造方法、導波路型波長変換素子の製造方法および導波路型波長変換素子 | |
| US10248004B2 (en) | Method for the inscription of second-order nonlinear optical properties into an amorphous or vitreous material | |
| RU2411561C1 (ru) | Способ формирования доменной структуры в монокристаллической пластине нелинейно-оптического сегнетоэлектрика | |
| Buryy et al. | Simulation, making and testing of the actuator of precise positioning based on the bimorph plate of lithium niobate | |
| Masuno et al. | Giant second harmonic generation from metastable BaTi2O5 | |
| CN108681181B (zh) | 显微二阶非线性极化率光学元件的激光辅助热极化设备及方法 | |
| RU2439636C1 (ru) | Способ формирования доменной структуры в монокристаллической пластине нелинейно-оптического сегнетоэлектрика | |
| RU2233354C1 (ru) | Способ получения пьезоэлектрических монокристаллов с полидоменной структурой для устройств точного позиционирования | |
| Nishigaki et al. | Measurement of piezoelectric properties of pulsed laser deposited hydroxyapatite thin films on platinum or titanium substrate | |
| CN108534945A (zh) | 一种调制薄膜激光感生电压的方法 | |
| Trioux et al. | Fabrication of bilayer plate for a micro thermal energy harvester |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Lapse of a eurasian patent due to non-payment of renewal fees within the time limit in the following designated state(s) |
Designated state(s): AZ KG TJ TM RU |