RU2003122259A - Способ получения пьезоэлектрических монокристаллов с полидоменной структурой для устройств точного позиционирования - Google Patents
Способ получения пьезоэлектрических монокристаллов с полидоменной структурой для устройств точного позиционирования Download PDFInfo
- Publication number
- RU2003122259A RU2003122259A RU2003122259/15A RU2003122259A RU2003122259A RU 2003122259 A RU2003122259 A RU 2003122259A RU 2003122259/15 A RU2003122259/15 A RU 2003122259/15A RU 2003122259 A RU2003122259 A RU 2003122259A RU 2003122259 A RU2003122259 A RU 2003122259A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- single crystals
- faces
- curie temperature
- domains
- zone
- Prior art date
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims 2
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 claims 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/04—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure using electric or magnetic fields or particle radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N30/00—Piezoelectric or electrostrictive devices
- H10N30/01—Manufacture or treatment
- H10N30/04—Treatments to modify a piezoelectric or electrostrictive property, e.g. polarisation characteristics, vibration characteristics or mode tuning
- H10N30/045—Treatments to modify a piezoelectric or electrostrictive property, e.g. polarisation characteristics, vibration characteristics or mode tuning by polarising
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Claims (6)
1. Способ получения пьезоэлектрических монокристаллов с полидоменной структурой для устройств точного позиционирования, в котором формируют из сегнетоэлектрических монокристаллов, в которых возможно образование только 180°-ных доменных границ, заготовку, в которой, по крайней мере две грани параллельны друг к другу, а перпендикуляры к этим граням не совпадают с направлением оси спонтанной поляризации, затем перемещают заготовку в тепловом поле из зоны с температурой выше температуры Кюри в зону с температурой ниже температуры Кюри с одновременным приложением периодически изменяющегося знакопеременного электрического поля к параллельным граням заготовки, при этом после охлаждения всего объема заготовки ниже температуры Кюри в ней образуется упорядоченная доменная структура, размеры доменов в которой задаются скоростью перемещения заготовки и периодом изменения полярности приложенного к ней электрического поля, после чего разделяют заготовку на пластины, две грани которых параллельны доменным границам и содержат равное число доменов противоположной полярности.
2. Способ по п.1, в котором ориентировку граней заготовки относительно оси спонтанной поляризации выбирают из условия максимального значения поперечного пьезоэлектрического эффекта в пьезоэлектрическом монокристалле.
3. Способ по п.1, в котором в качестве сегнетоэлектрических монокристаллов используют монокристаллы ниобата или танталата лития.
4. Способ по п.1, в котором для создания теплового поля используют двухзонную трубчатую печь с резким температурным градиентом в области температуры Кюри.
5. Способ по п.1, в котором толщину доменов противоположной полярности формируют одинаковой.
6. Способ по п.1, в котором скорость перемещения заготовки выбирают равной от 0,5 до 5 см/час.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2003122259/15A RU2233354C1 (ru) | 2003-07-22 | 2003-07-22 | Способ получения пьезоэлектрических монокристаллов с полидоменной структурой для устройств точного позиционирования |
| PCT/RU2004/000255 WO2005007934A2 (fr) | 2003-07-22 | 2004-07-05 | Procede de production de monocristaux piezoelectriques a structure polydomaine pour dispositifs de positionnement precis |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2003122259/15A RU2233354C1 (ru) | 2003-07-22 | 2003-07-22 | Способ получения пьезоэлектрических монокристаллов с полидоменной структурой для устройств точного позиционирования |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2233354C1 RU2233354C1 (ru) | 2004-07-27 |
| RU2003122259A true RU2003122259A (ru) | 2005-01-27 |
Family
ID=33414644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2003122259/15A RU2233354C1 (ru) | 2003-07-22 | 2003-07-22 | Способ получения пьезоэлектрических монокристаллов с полидоменной структурой для устройств точного позиционирования |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2233354C1 (ru) |
| WO (1) | WO2005007934A2 (ru) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2284464C2 (ru) * | 2004-12-28 | 2006-09-27 | Алексей Леонидович Максимов | Устройство для прецизионных перемещений |
| RU2485222C1 (ru) * | 2011-11-15 | 2013-06-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Лабфер" | Способ формирования полидоменных сегнетоэлектрических монокристаллов с заряженной доменной стенкой |
| RU2539104C1 (ru) * | 2013-07-24 | 2015-01-10 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" | Способ изготовления безгистерезисного актюатора с линейной пьезоэлектрической характеристикой |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5519002B2 (ru) * | 1973-04-28 | 1980-05-23 |
-
2003
- 2003-07-22 RU RU2003122259/15A patent/RU2233354C1/ru not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-07-05 WO PCT/RU2004/000255 patent/WO2005007934A2/ru active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2005007934A2 (fr) | 2005-01-27 |
| RU2233354C1 (ru) | 2004-07-27 |
| WO2005007934A3 (fr) | 2005-04-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Qi et al. | Collective Coherent Control: Synchronization of Polarization in Ferroelectric PbTiO 3<? format?> by Shaped THz Fields | |
| Nakamura et al. | Ferroelectric domain inversion caused in LiNbO3 plates by heat treatment | |
| Xu | Ferroelectric materials and their applications | |
| Glass et al. | Anomalous dielectric behavior and reversible pyroelectricity in roller‐quenched LiNbO3 and LiTaO3 glass | |
| Bond | The mathematics of the physical properties of crystals | |
| Erhart | Experiments to demonstrate piezoelectric and pyroelectric effects | |
| JP5354501B2 (ja) | 波長変換素子、波長変換方法、位相整合方法、及び光源装置 | |
| Ibrahim et al. | Morphotropic phase boundary in ferroelectric materials | |
| RU2003122259A (ru) | Способ получения пьезоэлектрических монокристаллов с полидоменной структурой для устройств точного позиционирования | |
| CN115626909A (zh) | 一种铁电近晶a相液晶材料及其实现双态极化结构切换保存的方法 | |
| Zhang et al. | Enantiomeric hydrogen-bonded chains driving ferroelectric and nonlinear optical behavior | |
| Newnham et al. | Tailored domain patterns in piezoelectric crystals | |
| Uchino | Ferroelectric devices & Piezoelectric actuators | |
| Cagnon et al. | Positional anchoring of smectic liquid crystals | |
| Chen | APPENDIX A–Landau free-energy coefficients | |
| Li et al. | Domain structures and phase transitions in diisopropylammonium bromide molecular ferroelectric crystal | |
| Sidorov et al. | Microstructural defects and manifestation of the photorefractive effect in the ferroelectric lithium niobate single crystal. | |
| Schmidt et al. | Field‐induced phase transition in lead magnesium niobate | |
| Byer et al. | Growth and application of [01· 4] LiNbO3 | |
| CN101762890A (zh) | 周期性畴反转结构电光开关 | |
| RU2011149970A (ru) | Способ формирования бидоменной структуры в пластинах монокристаллов | |
| Breczko et al. | Thermomagnetic analysis and domain structure in the phase transition region of Ni-Mn-Ga and Co-Ni-Ga shape memory alloys | |
| Li | Nonlinearity of piezoelectric resonator based on Ca3TaGa3Si2O14 and YCa4O (BO3) 3 single crystals under DC bias field | |
| Uchino | Applied Mathematics in Ferroelectricity and Piezoelectricity | |
| Wang et al. | Raman spectral of Ce/Mn co-doped LiNbO3 crystal |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20090723 |
|
| NF4A | Reinstatement of patent |
Effective date: 20120127 |
|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20140723 |