RU2011126875A - Способ и устройство для получения электролюминесценции путем испускания электронов из катода с автоэлектронной эмиссией в наноструктурный полупроводниковый материал анода - Google Patents
Способ и устройство для получения электролюминесценции путем испускания электронов из катода с автоэлектронной эмиссией в наноструктурный полупроводниковый материал анода Download PDFInfo
- Publication number
- RU2011126875A RU2011126875A RU2011126875/07A RU2011126875A RU2011126875A RU 2011126875 A RU2011126875 A RU 2011126875A RU 2011126875/07 A RU2011126875/07 A RU 2011126875/07A RU 2011126875 A RU2011126875 A RU 2011126875A RU 2011126875 A RU2011126875 A RU 2011126875A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- nanowires
- semiconductor
- cathode
- anode
- electrons
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract 34
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 title claims abstract 14
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 title 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 claims abstract 39
- 230000004936 stimulating effect Effects 0.000 claims abstract 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 claims abstract 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims 5
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 3
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 241001455273 Tetrapoda Species 0.000 claims 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 claims 1
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J63/00—Cathode-ray or electron-stream lamps
- H01J63/06—Lamps with luminescent screen excited by the ray or stream
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
Landscapes
- Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
1. Устройство для излучения света, содержащее вакуумную оболочку; катод с автоэлектронным испусканием электронов, располагающийся в вакуумной оболочке; и анод, располагающийся в вакуумной оболочке отделенным от указанного катода зазором и устанавливающийся так, чтобы получать электроны от катода, при этом анод содержит испускающие свет полупроводниковые наноструктуры, которые принимают испускаемые катодом электроны и в ответ на получение электронов испускают фотоны.2. Устройство по п.1, дополнительно содержащее наружные контакты электродов для подачи напряжения между анодом и катодом, стимулирующего эмиссию электронов из указанного катода и результирующую эмиссию фотонов из испускающих свет полупроводниковых наноструктур.3. Устройство по п.2, дополнительно содержащее трансформатор для преобразования напряжения.4. Устройство по п.3, дополнительно включает основание, поддерживающее вакуумную оболочку и содержащее указанный трансформатор.5. Устройство по п.1, в котором зазор находится в пределах приблизительно 50-200 мкм.6. Устройство по п.1, в котором зазор равняется приблизительно 110 мкм, а катод с автоэлектронной эмиссией содержит углеродные нанотрубки.7. Устройство по п.1, дополнительно содержащее разделитель, устанавливающий зазор между анодом и катодом.8. Устройство по п.1, в котором испускающие свет наноструктуры содержат полупроводниковые нанопровода.9. Устройство по п.1, в котором указанные полупроводниковые нанопровода представляют собой множество типов нанопроводов, которые испускают фотоны в различных диапазонах длин волн.10. Устройство по п.1, в котором анод и катод представляют собой параллельные �
Claims (35)
1. Устройство для излучения света, содержащее вакуумную оболочку; катод с автоэлектронным испусканием электронов, располагающийся в вакуумной оболочке; и анод, располагающийся в вакуумной оболочке отделенным от указанного катода зазором и устанавливающийся так, чтобы получать электроны от катода, при этом анод содержит испускающие свет полупроводниковые наноструктуры, которые принимают испускаемые катодом электроны и в ответ на получение электронов испускают фотоны.
2. Устройство по п.1, дополнительно содержащее наружные контакты электродов для подачи напряжения между анодом и катодом, стимулирующего эмиссию электронов из указанного катода и результирующую эмиссию фотонов из испускающих свет полупроводниковых наноструктур.
3. Устройство по п.2, дополнительно содержащее трансформатор для преобразования напряжения.
4. Устройство по п.3, дополнительно включает основание, поддерживающее вакуумную оболочку и содержащее указанный трансформатор.
5. Устройство по п.1, в котором зазор находится в пределах приблизительно 50-200 мкм.
6. Устройство по п.1, в котором зазор равняется приблизительно 110 мкм, а катод с автоэлектронной эмиссией содержит углеродные нанотрубки.
7. Устройство по п.1, дополнительно содержащее разделитель, устанавливающий зазор между анодом и катодом.
8. Устройство по п.1, в котором испускающие свет наноструктуры содержат полупроводниковые нанопровода.
9. Устройство по п.1, в котором указанные полупроводниковые нанопровода представляют собой множество типов нанопроводов, которые испускают фотоны в различных диапазонах длин волн.
10. Устройство по п.1, в котором анод и катод представляют собой параллельные пластины, разделенные указанным зазором.
11. Устройство по п.1, в котором анод и катод располагаются концентрически и разделяются указанным зазором.
12. Устройство по п.1, в котором анод содержит прозрачный субстрат, электрод на этом субстрате и испускающие свет полупроводниковые наноструктуры, располагающиеся на указанном электроде.
13. Устройство по п.1, в котором испускающие свет полупроводниковые наноструктуры представляют собой полупроводниковые нанопровода.
14. Устройство по п.13, в котором указанные полупроводниковые нанопровода представляют собой гетероструктурные нанопровода с сердцевиной и оболочкой.
15. Устройство по п.13, в котором указанные полупроводниковые нанопровода представляют собой аксиальные гетероструктурные нанопровода.
16. Устройство по п.13, в котором указанные полупроводниковые нанопровода представляют собой стержневые и разветвленные гетероструктурные нанопровода.
17. Устройство по п.13, в котором указанные полупроводниковые нанопровода представляют собой нанопровода групп III-V.
18. Устройство по п.17, в котором указанные полупроводниковые нанопровода представляют собой нанопровода группы III-нитриды.
19. Устройство по п.17, в котором указанные полупроводниковые нанопровода представляют собой нанопровода группы III-арсениды.
20. Устройство по п.17, в котором указанные полупроводниковые нанопровода представляют собой нанопровода группы III-фосфиды.
21. Устройство по п.13, в котором указанные полупроводниковые нанопровода представляют собой нанопровода групп II-VI.
22. Устройство по п.13, в котором указанные полупроводниковые нанопровода представляют собой нанопровода группы IV.
23. Устройство по п.13, в котором указанные полупроводниковые нанопровода представляют собой полупроводниковые нанопровода с легирующими присадками.
24. Устройство по п.13, в котором указанные полупроводниковые нанопровода представляют собой полупроводниковые нанопровода с добавками.
25. Устройство по п.13, в котором указанные полупроводниковые нанопровода представляют собой матрицу или распределение нанопроводов GaN p-типа с добавкой.
26. Устройство по п.25, в котором указанные нанопровода GaN р-типа получают добавку с Mg.
27. Устройство по п.13, в котором указанные полупроводниковые нанопровода ZnO р-типа получают добавку с одним из металлов Mg, Be и Cd.
28. Устройство по п.13, в котором указанные полупроводниковые нанопровода представляют собой множество различных типов нанопроводов, имеющих различные диапазоны излучаемых длин волн.
29. Устройство по п.1, в котором указанные полупроводниковые излучающие свет наноструктуры представляют собой полупроводниковые нанотрубки.
30. Устройство по п.1, дополнительно содержащее полупроводниковые излучающие свет наноструктуры на обратной стороне анода.
31. Устройство по п.1, содержащее дополнительный анод внутри вакуумного корпуса, отделенный зазором от катода и расположенный с возможностью получать электроны, испускаемые катодом, причем дополнительный анод содержит полупроводниковые излучающие свет наноструктуры, которые принимают электроны от катода и испускают фотоны в ответ на получение электронов.
32. Устройство по п.1, дополнительно содержащее люминофор, нанесенный на внутреннюю поверхность вакуумного корпуса.
33. Способ излучения света, содержащий этапы стимулирования эмиттера электронов испускать электроны в окружающее пространство; получения электронов из окружающего пространства полупроводниковыми излучающими свет наноструктурами для возбуждения электролюминесценции полупроводниковыми излучающими свет наноструктурами.
34. Излучающее свет устройство, содержащее источник света; и наноструктурированные гетеропереходные люминофоры, содержащие нанопровода типа сердечник-оболочка-оболочка, аксиальные наноструктурированные люминофоры, стержневые-разветвленные нанопроводные структуры, квантовые точки, нанотрубки, наноцветы, тетраподы и треножники.
35. Устройство по п.34, в котором источник света содержит матрицу гетеропереходных нанопроводов, а указанные наноструктурные гетеропереходные люминофоры окружают матрицу гетеропереходных нанопроводов.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11993808P | 2008-12-04 | 2008-12-04 | |
| US61/119,938 | 2008-12-04 | ||
| US12133308P | 2008-12-10 | 2008-12-10 | |
| US61/121,333 | 2008-12-10 | ||
| PCT/US2009/066782 WO2010065860A2 (en) | 2008-12-04 | 2009-12-04 | Electron injection nanostructured semiconductor material anode electroluminescence method and device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2011126875A true RU2011126875A (ru) | 2013-01-10 |
Family
ID=42233887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011126875/07A RU2011126875A (ru) | 2008-12-04 | 2009-12-04 | Способ и устройство для получения электролюминесценции путем испускания электронов из катода с автоэлектронной эмиссией в наноструктурный полупроводниковый материал анода |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8847476B2 (ru) |
| EP (1) | EP2371181A4 (ru) |
| JP (1) | JP2012511240A (ru) |
| KR (1) | KR20110096148A (ru) |
| CN (1) | CN102308669A (ru) |
| AU (1) | AU2009322214A1 (ru) |
| IL (1) | IL213306A0 (ru) |
| MX (1) | MX2011005877A (ru) |
| RU (1) | RU2011126875A (ru) |
| SG (1) | SG171893A1 (ru) |
| WO (1) | WO2010065860A2 (ru) |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8610104B2 (en) | 2008-01-24 | 2013-12-17 | Nano-Electronic And Photonic Devices And Circuits, Llc | Nanotube array injection lasers |
| US8624224B2 (en) * | 2008-01-24 | 2014-01-07 | Nano-Electronic And Photonic Devices And Circuits, Llc | Nanotube array bipolar transistors |
| US8610125B2 (en) * | 2008-01-24 | 2013-12-17 | Nano-Electronic And Photonic Devices And Circuits, Llc | Nanotube array light emitting diodes |
| KR20130071423A (ko) * | 2010-04-28 | 2013-06-28 | 각고호우징 게이오기주크 | 탄소나노튜브 발광소자, 광원 및 포토커플러 |
| CN102468402A (zh) * | 2010-11-17 | 2012-05-23 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及其制造方法 |
| US8802461B2 (en) | 2011-03-22 | 2014-08-12 | Micron Technology, Inc. | Vertical light emitting devices with nickel silicide bonding and methods of manufacturing |
| EP2506321B1 (en) * | 2011-03-28 | 2019-01-23 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light-emitting diode chip |
| WO2012162506A1 (en) * | 2011-05-24 | 2012-11-29 | The Regents Of The University Of California | Junctionless semiconductor light emitting devices |
| US8687978B2 (en) | 2011-12-13 | 2014-04-01 | The Boeing Company | Optical nanowire antenna with directional transmission |
| US8744272B1 (en) | 2011-12-13 | 2014-06-03 | The Boeing Company | Scanning optical nanowire antenna |
| US8774636B2 (en) * | 2011-12-13 | 2014-07-08 | The Boeing Company | Nanowire antenna |
| WO2013184203A2 (en) * | 2012-04-23 | 2013-12-12 | Arizona Board Of Regents, A Body Corporate Of The State Of Arizona, Acting For And On Behalf Of Arizona State University | Multi-bandgap semiconductor structures and methods for using them |
| CN103456728B (zh) | 2012-05-29 | 2016-09-21 | 璨圆光电股份有限公司 | 发光组件及其发光装置 |
| US9166116B2 (en) | 2012-05-29 | 2015-10-20 | Formosa Epitaxy Incorporation | Light emitting device |
| DE102013100291B4 (de) * | 2013-01-11 | 2021-08-05 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterchip |
| CN103117205B (zh) * | 2013-01-30 | 2016-03-30 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 显示设备、背光模组及其场发射光源装置和制造方法 |
| CN105734492B (zh) * | 2013-05-22 | 2018-05-29 | 深圳市讯锋科技有限公司 | 有机电致发光器件的基底 |
| CN105755466B (zh) * | 2013-05-22 | 2017-12-19 | 陈居 | 有机电致发光器件的基底的制备方法 |
| CN104175641B (zh) * | 2013-05-22 | 2016-08-10 | 国网山东省电力公司莒县供电公司 | 导电薄膜的制备方法 |
| CN103400919B (zh) * | 2013-06-26 | 2017-05-10 | 电子科技大学 | 一种场电子激励下的紫外光源结构及其制备方法 |
| US9064669B2 (en) * | 2013-07-15 | 2015-06-23 | National Defense University | Field emission cathode and field emission light using the same |
| TWI570350B (zh) * | 2013-08-29 | 2017-02-11 | 晶元光電股份有限公司 | 發光裝置 |
| DE102013221758B4 (de) | 2013-10-25 | 2019-05-23 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtungen zur aussendung und/oder zum empfang elektromagnetischer strahlung und verfahren zur bereitstellung derselben |
| KR101600682B1 (ko) * | 2014-04-17 | 2016-03-07 | 경성대학교 산학협력단 | 산화아연 나노로드 전극을 이용한 전기화학발광 셀 |
| US10828400B2 (en) | 2014-06-10 | 2020-11-10 | The Research Foundation For The State University Of New York | Low temperature, nanostructured ceramic coatings |
| EP3511974B1 (en) * | 2014-12-17 | 2021-02-24 | LightLab Sweden AB | Field emission light source |
| KR101690430B1 (ko) * | 2015-11-04 | 2016-12-27 | 전남대학교산학협력단 | 자외선 발광 소자 |
| US9984846B2 (en) * | 2016-06-30 | 2018-05-29 | Kla-Tencor Corporation | High brightness boron-containing electron beam emitters for use in a vacuum environment |
| US10480719B2 (en) * | 2016-08-16 | 2019-11-19 | King Abdullah University Of Science And Technology | Ultrabroad linewidth orange-emitting nanowires LED for high CRI laser-based white lighting and gigahertz communications |
| MX2020007411A (es) | 2018-01-15 | 2020-09-14 | Prysmian Spa | Una cinta de fibra optica y un metodo y sistema para producir la misma. |
Family Cites Families (50)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4408141A (en) * | 1982-01-04 | 1983-10-04 | Gte Laboratories Incorporated | Dual cathode beam mode fluorescent lamp |
| US5212426A (en) * | 1991-01-24 | 1993-05-18 | Motorola, Inc. | Integrally controlled field emission flat display device |
| US5442254A (en) * | 1993-05-04 | 1995-08-15 | Motorola, Inc. | Fluorescent device with quantum contained particle screen |
| US5455489A (en) * | 1994-04-11 | 1995-10-03 | Bhargava; Rameshwar N. | Displays comprising doped nanocrystal phosphors |
| AU3894595A (en) * | 1994-11-08 | 1996-05-31 | Spectra Science Corporation | Semiconductor nanocrystal display materials and display apparatus employing same |
| SE510412C2 (sv) | 1997-06-13 | 1999-05-25 | Lightlab Ab | En ljuskälla innefattande en fältemissionskatod och en fältemissionskatod för användning i en ljuskälla |
| US6168282B1 (en) | 1997-10-28 | 2001-01-02 | Tseng-Lu Chien | Electro-luminescent lighting arrangement for a lighting apparatus with a lamp holder |
| US7196464B2 (en) * | 1999-08-10 | 2007-03-27 | Delta Optoelectronics, Inc. | Light emitting cell and method for emitting light |
| US20060175601A1 (en) | 2000-08-22 | 2006-08-10 | President And Fellows Of Harvard College | Nanoscale wires and related devices |
| US7301199B2 (en) | 2000-08-22 | 2007-11-27 | President And Fellows Of Harvard College | Nanoscale wires and related devices |
| CA2442985C (en) * | 2001-03-30 | 2016-05-31 | The Regents Of The University Of California | Methods of fabricating nanostructures and nanowires and devices fabricated therefrom |
| AU2003261205A1 (en) * | 2002-07-19 | 2004-02-09 | President And Fellows Of Harvard College | Nanoscale coherent optical components |
| JP2004152591A (ja) * | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Mitsubishi Pencil Co Ltd | 電界放出型ランプ |
| US7118928B2 (en) | 2002-12-02 | 2006-10-10 | University Of Cincinnati | Method of forming a semiconductor phosphor layer by metalorganic chemical vapor deposition for use in light-emitting devices |
| US7265037B2 (en) * | 2003-06-20 | 2007-09-04 | The Regents Of The University Of California | Nanowire array and nanowire solar cells and methods for forming the same |
| SE0400156D0 (sv) | 2004-01-29 | 2004-01-29 | Lightlab Ab | An anode in a field emission light source and a field emission light source comprising the anode |
| KR100593438B1 (ko) * | 2004-02-09 | 2006-06-28 | 학교법인 포항공과대학교 | 나노 형광체/나노소재 이종접합구조체 및 그 제조방법 |
| KR100644166B1 (ko) * | 2004-02-12 | 2006-11-10 | 학교법인 포항공과대학교 | 질화물 반도체의 이종접합 구조체, 이를 포함하는나노소자 또는 이의 어레이 |
| TWI404449B (zh) * | 2004-03-25 | 2013-08-01 | Pureron Japan Co Ltd | Lighting device |
| US20060049425A1 (en) | 2004-05-14 | 2006-03-09 | Cermet, Inc. | Zinc-oxide-based light-emitting diode |
| CN100405524C (zh) * | 2004-06-02 | 2008-07-23 | 清华大学 | 双面场发射显示器 |
| US7528002B2 (en) | 2004-06-25 | 2009-05-05 | Qunano Ab | Formation of nanowhiskers on a substrate of dissimilar material |
| KR100647288B1 (ko) * | 2004-09-13 | 2006-11-23 | 삼성전자주식회사 | 나노와이어 발광소자 및 그 제조방법 |
| US7538403B2 (en) | 2004-09-20 | 2009-05-26 | Emcore Corporation | PIN diode structure with zinc diffusion region |
| JP2006120586A (ja) * | 2004-10-19 | 2006-05-11 | Hideaki Irisawa | 電界電子放出ランプおよびその製造方法およびその使用方法 |
| US7307271B2 (en) | 2004-11-05 | 2007-12-11 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Nanowire interconnection and nano-scale device applications |
| JP2008198614A (ja) * | 2004-11-11 | 2008-08-28 | Sony Corp | 発光素子及びその製造方法、並びに、発光装置 |
| KR20070098842A (ko) | 2004-12-16 | 2007-10-05 | 텔레젠 코퍼레이션 | 발광장치 및 관련 제조 방법 |
| US7600888B1 (en) * | 2005-03-08 | 2009-10-13 | Genlyte Thomas Group Llc | Wide angle display lighting system |
| KR100696362B1 (ko) | 2005-04-01 | 2007-03-19 | 학교법인 포항공과대학교 | 나노막대가 함입된 산화물 박막 구조물 및 그 제조방법 |
| KR100697656B1 (ko) * | 2005-04-28 | 2007-03-22 | 이승호 | 다중 전자 공급원을 구비한 평면 발광 소자 |
| WO2006132659A2 (en) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | President And Fellows Of Harvard College | Nanowire heterostructures |
| DE602005024791D1 (de) * | 2005-06-30 | 2010-12-30 | Lightlab Sweden Ab | Elektronen- und Photonenquelle mit gegenseitiger Verstärkung |
| KR101106134B1 (ko) * | 2005-07-11 | 2012-01-20 | 서울옵토디바이스주식회사 | 나노와이어 형광체를 채택한 발광소자 |
| US7922352B2 (en) * | 2005-07-21 | 2011-04-12 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Device and method for emitting output light using multiple light sources with photoluminescent material |
| KR100719574B1 (ko) * | 2005-11-04 | 2007-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판 디스플레이 장치 및 전자 방출 소자 |
| US7679102B2 (en) * | 2005-12-28 | 2010-03-16 | Group Iv Semiconductor, Inc. | Carbon passivation in solid-state light emitters |
| AU2007216983A1 (en) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Solexant Corp. | Nanostructured electroluminescent device and display |
| MX2008011275A (es) | 2006-03-10 | 2008-11-25 | Stc Unm | Crecimiento pulsado de nanoalambres de gan y aplicaciones en materiales y dispositivos de substrato semiconductor de nitruros del grupo iii. |
| US7569984B2 (en) * | 2006-06-19 | 2009-08-04 | Atomic Energy Council-Institute Of Nuclear Energy Research | White-light fluorescent lamp having luminescence layer with silicon quantum dots |
| CN101558438B (zh) * | 2006-09-06 | 2011-03-23 | 韩华石油化学株式会社 | 场致发射装置及其驱动方法 |
| WO2008140611A2 (en) | 2006-12-18 | 2008-11-20 | The Regents Of The University Of California | Nanowire array-based light emitting diodes and lasers |
| US8183587B2 (en) | 2006-12-22 | 2012-05-22 | Qunano Ab | LED with upstanding nanowire structure and method of producing such |
| US7834553B2 (en) | 2007-02-05 | 2010-11-16 | Vu1 Corporation | System and apparatus for cathodoluminescent lighting |
| US8440997B2 (en) | 2007-02-27 | 2013-05-14 | The Regents Of The University Of California | Nanowire photodetector and image sensor with internal gain |
| TWI348724B (en) * | 2007-06-08 | 2011-09-11 | Tatung Co | An electrode for the source of field emitting electrons and a panel and a lighting apparatus thereof |
| US7687800B1 (en) * | 2007-11-23 | 2010-03-30 | University Of Central Florida Research Foundation, Inc. | Excitation band-gap tuning of dopant based quantum dots with core-inner shell-outer shell |
| KR101033298B1 (ko) | 2008-04-11 | 2011-05-09 | 광주과학기술원 | 산화아연계 발광 다이오드 |
| WO2010062644A2 (en) | 2008-10-28 | 2010-06-03 | The Regents Of The University Of California | Vertical group iii-v nanowires on si, heterostructures, flexible arrays and fabrication |
| JP2013510433A (ja) | 2009-11-03 | 2013-03-21 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | １つ以上の表面上において酸化亜鉛（ＺｎＯ）ナノロッドアレイを利用する発光ダイオード構造、およびそのようなＺｎＯナノロッドアレイを製作するための低コスト方法 |
-
2009
- 2009-12-04 MX MX2011005877A patent/MX2011005877A/es active IP Right Grant
- 2009-12-04 RU RU2011126875/07A patent/RU2011126875A/ru not_active Application Discontinuation
- 2009-12-04 SG SG2011039815A patent/SG171893A1/en unknown
- 2009-12-04 JP JP2011539740A patent/JP2012511240A/ja active Pending
- 2009-12-04 EP EP09831195A patent/EP2371181A4/en not_active Withdrawn
- 2009-12-04 US US13/132,297 patent/US8847476B2/en active Active
- 2009-12-04 CN CN200980156208XA patent/CN102308669A/zh active Pending
- 2009-12-04 KR KR1020117015428A patent/KR20110096148A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-12-04 AU AU2009322214A patent/AU2009322214A1/en not_active Abandoned
- 2009-12-04 WO PCT/US2009/066782 patent/WO2010065860A2/en active Application Filing
-
2011
- 2011-06-02 IL IL213306A patent/IL213306A0/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2010065860A3 (en) | 2010-09-23 |
| SG171893A1 (en) | 2011-07-28 |
| JP2012511240A (ja) | 2012-05-17 |
| EP2371181A4 (en) | 2012-12-19 |
| US20110297846A1 (en) | 2011-12-08 |
| MX2011005877A (es) | 2011-09-06 |
| CN102308669A (zh) | 2012-01-04 |
| EP2371181A2 (en) | 2011-10-05 |
| US8847476B2 (en) | 2014-09-30 |
| KR20110096148A (ko) | 2011-08-29 |
| IL213306A0 (en) | 2011-07-31 |
| AU2009322214A1 (en) | 2011-07-21 |
| WO2010065860A2 (en) | 2010-06-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2011126875A (ru) | Способ и устройство для получения электролюминесценции путем испускания электронов из катода с автоэлектронной эмиссией в наноструктурный полупроводниковый материал анода | |
| CN1794399A (zh) | 光电器件及使用其的灯具和显示装置 | |
| US8162711B2 (en) | Field emission display | |
| TW200705505A (en) | Field emission light-emitting device | |
| EP1739724A1 (en) | Two-way reciprocal amplification electron/photon source | |
| TW201214495A (en) | Field emission cathode | |
| US9793685B2 (en) | Junctionless semiconductor light emitting devices | |
| JP2010086792A (ja) | フィールドエミッションランプ | |
| US10043649B2 (en) | Shaped cathode for a field emission arrangement | |
| CN211743090U (zh) | 一种功率器件 | |
| JP2000311590A5 (ru) | ||
| CN112687520B (zh) | 一种空间电子激发的反射式深紫外光源 | |
| KR20120064866A (ko) | 전계발광형 자외광 발광소자 및 그 제조방법 | |
| CN111477527A (zh) | 一种功率器件及其制备方法 | |
| JP5343531B2 (ja) | 電子放出素子及びその製造方法並びに面発光素子 | |
| EP3524035B1 (en) | Illumination light source and fabricating method thereof | |
| KR20070046606A (ko) | 전자 방출 소자 및 그 제조 방법 | |
| TWI256155B (en) | Side-direction field-emission light-emitting device | |
| JP2004311171A (ja) | 電子増倍素子、及びこれを用いた電子増倍装置 | |
| TWI362674B (en) | Light source device | |
| TWM448782U (zh) | 場發射陰極元件及其場發射燈源 | |
| TW201227787A (en) | Field emission cathode device and field emission display | |
| JP2012248295A (ja) | 電界放出型発光装置 | |
| TWM448783U (zh) | 場發射陽極元件及其場發射燈源 | |
| WO2011056662A3 (en) | Cold cathode lighting device as fluorescent tube replacement |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA93 | Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination) |
Effective date: 20121205 |