JP2006120586A - 電界電子放出ランプおよびその製造方法およびその使用方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】低抵抗な導電性を備えた蛍光板を供えた電界電子放出ランプおよびその製造方法およびその使用方法を提供する。
【構成】円筒形のカソード電極外面にカーボンナノチューブが配設され、前記円筒形と同軸でかつ外側に略半円筒形金属電極が配設され、前記略半円筒形金属電極の内面に蛍光体が配設されていることを特徴とする電界電子放出ランプ。
【選択図】図1
【構成】円筒形のカソード電極外面にカーボンナノチューブが配設され、前記円筒形と同軸でかつ外側に略半円筒形金属電極が配設され、前記略半円筒形金属電極の内面に蛍光体が配設されていることを特徴とする電界電子放出ランプ。
【選択図】図1
Description
本発明は電界電子放出ランプおよびその製造方法およびその使用方法に関する。
従来、電解電子放出についてはたとえばカーボンナノチューブを用いた三極管構造のアイディアに関しては特開2001−126609にその技術が開示されている。FELすなわちフィールドエミッションライトと呼ばれる電界電子放出ランプと類似した照明技術に関しては、特開2004−220895、特開2004−207066、特開2004−220896、特開2004−288475、特開2001−52652でその技術が開示されている。FELをスキャナーに応用するアイディアについては特開2004−239953にその技術が開示されている。
特開2004−220895、特開2004−207066、特開2004−220896、特開2004−288475、特開2001−52652、特開2004−239953、特開2001−126609
従来のFED(フィールドエミッションディスプレイ)やFELと呼ばれる技術はガラス基板上に塗布された蛍光体に電子を照射発光させて、その発光をガラス基板の反対側からその透明なガラス基板を介して観察させたり対象物に照射する技術である。照明の場合、基板を介して発光を外部に取り出すので、基板は透明でなければならない。蛍光体の多くはそれ自身絶縁物であることが多く、絶縁物の蛍光体が電子照射によってチャージアップして電子を跳ね返して発光輝度が低下したり、チャージアップした電荷を瞬時に放電する際に放電破壊したりする問題を抱えていた。このチャージアップ起因も問題を低減することを目的として透明導電性膜をガラス基板上に配設する対策等が採られているが導電性と透明および低コストを総て見たすことは困難である。
本発明の電界電子放出ランプは、第一に円筒形のカソード電極外面にカーボンナノチューブが配設され、前記円筒形と同軸でかつ外側に略半円筒形金属電極が配設され、前記略半円筒形金属電極の内面に蛍光体が配設されていることを特徴とし、
第2に、前記第1の特徴に加えて、前記略半円筒形金属電極の内面にTi表面が一部露出していることを特徴とし、
本発明の電界電子放出ランプの製造方法は、前記第1または第2の特徴を備える電界電子放出ランプの製造方法において、金属薄板に蛍光体ペーストを塗布、乾燥、焼成後に前記金属薄板を前記蛍光体ペースト塗布面が内面となるように湾曲させることで前記略半円筒形金属電極を形成することを特徴とし、
本発明の電界電子放出ランプの使用方法は、前記第1または第2の特徴を備える電界電子放出ランプにおいて、前記略半円筒形金属電極に対して前記カソード電極に負電位を付与することで前記カソード電極から前記略半円筒形金属電極内面に配設した蛍光体に電子を照射発光させることを特徴とする。
第2に、前記第1の特徴に加えて、前記略半円筒形金属電極の内面にTi表面が一部露出していることを特徴とし、
本発明の電界電子放出ランプの製造方法は、前記第1または第2の特徴を備える電界電子放出ランプの製造方法において、金属薄板に蛍光体ペーストを塗布、乾燥、焼成後に前記金属薄板を前記蛍光体ペースト塗布面が内面となるように湾曲させることで前記略半円筒形金属電極を形成することを特徴とし、
本発明の電界電子放出ランプの使用方法は、前記第1または第2の特徴を備える電界電子放出ランプにおいて、前記略半円筒形金属電極に対して前記カソード電極に負電位を付与することで前記カソード電極から前記略半円筒形金属電極内面に配設した蛍光体に電子を照射発光させることを特徴とする。
本発明の電界電子放出ランプは、円筒形または丸棒形状のカソード電極1の外面にカーボンナノチューブ2をスプレー塗布で付着させたものである。前記円筒形とその中心軸を同じにする略半円筒形金属電極3が前記カーボンナノチューブ表面よりも外側方向に距離を保って配設されている。前記略半円筒形金属電極の内面に蛍光体4が配設されている。前記1から4の記号を付与された部品は5真空容器の内部に保持されて、高圧電源6によって真空状態で電子7を放出して前記蛍光体に照射する。電子に照射された蛍光体はその蛍光体の特性に応じた色で発光する。
第1の特徴に加えて、前記略半円筒形金属電極の内面にTi表面が一部露出していることを特徴とする第2の電界電子放出ランプの場合には、その露出した表面にも電子が照射されて前記Tiの表面を清浄化、活性化させて残留ガスを吸着してくれる。
本発明の電界電子放出ランプの製造方法は、前記第1または第2の特徴を備える電界電子放出ランプの製造方法において、金属薄板に蛍光体ペーストを塗布、乾燥、焼成を行い、その後に前記金属薄板を前記蛍光体ペースト塗布面が内面となるように湾曲させることで前記略半円筒形金属電極を形成することを特徴とする。
本発明の電界電子放出ランプの使用方法は、前記第1または第2の特徴を備える電界電子放出ランプにおいて、前記略半円筒形金属電極に対して前記カソード電極に負電位を付与することで前記カソード電極から前記略半円筒形金属電極内面に配設した蛍光体に電子を照射発光させることを特徴とする。
本発明の実施例1について説明する。図1を用いて説明する。直径0.5mmで長さ320mmのタングステンワイヤー製のカソード電極1の表面にはカーボンナノチューブ2のエタノール懸濁液をスプレー塗布してある。チタン金属製の略半円筒形金属電極3の内面には図に示すように蛍光体4が塗布されている。前記蛍光体は前記内面全てを覆っているのではなく、ところどころ開口がり、チタン(Ti)の表面が露出されている。前記略半円筒形金属電極は厚み0.2mmのチタン金属を用いており、湾曲した筒状形状の直径は1mm、長さが300mmである。前記部品を全て真空容器5の内側に納めて真空引きした後、高圧電源6に3kVを印加するとカーボンナノチューブから放出された電子によって蛍光体が明るく発光する。
本発明の実施例2について説明する。図2を用いて説明する。図2は図1の構造が横3連に並べた構造である。略半円筒形金属電極はもともと連続したアルミの0.2mmの薄板を図2のように波型に折り曲げて製造した。
本発明の実施例3について説明する。電界電子放出ランプの製造方法に関する実施例である。図3において、まず第1の工程として(あ)に示すように金属薄膜7を用意する。この金属薄膜は幅3.2mm、長さ300mm厚み0.2mmのベリリウム銅である。(い)の工程ではスクリーン印刷で幅3mm、長さ295mmの寸法で蛍光体4を塗布する。乾燥、焼成後に(う)の工程で湾曲させて略半円筒形状に整形する。前記焼成は(う)の工程の後に行う場合がある。最後の(え)の工程で、カーボンナノチューブを塗布したカソード電極1を絶縁スペーサを間に挟んでその軸位置に設置する。
本発明の実施例4を説明する。図1と同様の構造である。相違点はず1でカソード電極であった部品が穴あき半円筒カソード電極になっている点である。穴あき半円筒カソード電極表面(外面)にカーボンナノチューブが塗布されている。図4においては穴あき半円筒カソード電極の外形が1mm厚みが0.2mmで穴が0.2mmである。穴のピッチは最近接の穴との互いの中心距離が0.6mmである。略半円筒形金属電極3の内径(直径)は10mmである。高圧電源6に10kVを印加して電子100を放出して蛍光体4を光らせる。蛍光体の発光は前記穴あき半円筒カソード電極からもれて上部を照らす。前記穴は電子放出部分、蛍光体部分での局部真空度が劣化しないための通気口の役目も果たしている。
本発明の電界電子放出ランプを用いると線状の光源を低コストで製造することができる。
1はカソード電極、2はカーボンナノチューブ、3は略半円筒形金属電極、4は蛍光体、5は真空容器、6は高圧電源、7は金属薄膜、8は穴あき半円筒カソード電極、100は電子である。
Claims (4)
- 円筒形のカソード電極外面にカーボンナノチューブが配設され、前記円筒形と同軸でかつ外側に略半円筒形金属電極が配設され、前記略半円筒形金属電極の内面に蛍光体が配設されていることを特徴とする電界電子放出ランプ。
- 請求項1の電界電子放出ランプにおいて、前記略半円筒形金属電極の内面にTi表面が一部露出していることを特徴とする電界電子放出ランプ。
- 請求項1または2の電界電子放出ランプの製造方法において、金属薄板に蛍光体ペーストを塗布、乾燥、焼成後に前記金属薄板を前記蛍光体ペースト塗布面が内面となるように湾曲させることで前記略半円筒形金属電極を形成することを特徴とする電界電子放出ランプの製造方法。
- 請求項1または2の電界電子放出ランプの使用方法において、前記略半円筒形金属電極に対して前記カソード電極に負電位を付与することで前記カソード電極から前記略半円筒形金属電極内面に配設した蛍光体に電子を照射発光させることを特徴とする電界電子放出ランプの使用方法。
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JP2004333746A JP2006120586A (ja) | 2004-10-19 | 2004-10-19 | 電界電子放出ランプおよびその製造方法およびその使用方法 |
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---|---|---|---|---|
JP2008010169A (ja) * | 2006-06-27 | 2008-01-17 | Dialight Japan Co Ltd | 照明装置 |
WO2010065860A3 (en) * | 2008-12-04 | 2010-09-23 | The Regents Of The Univerity Of California | Electron injection nanostructured semiconductor material anode electroluminescence method and device |
WO2012086329A1 (ja) * | 2010-12-22 | 2012-06-28 | 高知Fel株式会社 | 炭素膜つきワイヤ型基板、炭素膜つきワイヤ型基板の製造方法、及び、電界放出型光源 |
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2004
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WO2010065860A3 (en) * | 2008-12-04 | 2010-09-23 | The Regents Of The Univerity Of California | Electron injection nanostructured semiconductor material anode electroluminescence method and device |
US8847476B2 (en) | 2008-12-04 | 2014-09-30 | The Regents Of The University Of California | Electron injection nanostructured semiconductor material anode electroluminescence method and device |
WO2012086329A1 (ja) * | 2010-12-22 | 2012-06-28 | 高知Fel株式会社 | 炭素膜つきワイヤ型基板、炭素膜つきワイヤ型基板の製造方法、及び、電界放出型光源 |
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