RU2010393C1

RU2010393C1 - Process of removal of plastic coats

Info

Publication number: RU2010393C1
Authority: RU
Inventors: А.Д. Мосеенков
Original assignee: Мосеенков Аркадий Дмитриевич
Priority date: 1990-05-07
Filing date: 1990-05-07
Publication date: 1994-03-30

Abstract

FIELD: semiconductor equipment. SUBSTANCE: for removal of plastic coats of semiconductor device plasma is created by passing of current through gas medium above treated coat. Attack on coat is performed with plasmoids having duration from 10 to 15 μs which are formed with the aid of pulse magnetic field. EFFECT: enhanced efficiency of removal of plastic coats. 1 dwg

Description

Изобретение относится к электронной технике, к механической обработке полупроводниковых приборов в пластмассовых корпусах, где снятие покрытий с изделий производится путем обработки их сыпучими материалами, эжектируемыми воздухом через форсунки [1] . The invention relates to electronic equipment, to the machining of semiconductor devices in plastic cases, where the removal of coatings from products is carried out by treating them with bulk materials ejected by air through nozzles [1].

Наиболее близким к предлагаемому является способ изготовления тонких структур для контактирования полупроводников [2] , где покрытие удаляется путем испарения под действием импульсного излучения эксимерным лазером, получаемого кратковременным включением излучения. Этот способ требует уникальности оборудования при низкой производительности ввиду малых зон обработки и экранирующего действия порошкообразных остатков облоя. Closest to the proposed method is the manufacture of thin structures for contacting semiconductors [2], where the coating is removed by evaporation under the action of pulsed radiation by an excimer laser, obtained by short-term inclusion of radiation. This method requires equipment uniqueness at low productivity due to the small processing zones and the shielding effect of the powdery residues of the flash.

Целью изобретения является повышение эффективности и качества снятии покрытия, которая достигается тем, что при снятии покрытий полупроводниковых приборов, плазму создают путем пропускания тока в газовой среде над обрабатываемым покрытием, а воздействие на покрытие осуществляют сгустками плазмы длительностью 10-15 мкс, которые формируют с помощью импульсного магнитного поля. The aim of the invention is to increase the efficiency and quality of the removal of the coating, which is achieved by the fact that when removing the coatings of semiconductor devices, a plasma is created by passing current in a gaseous medium above the treated coating, and exposure to the coating is carried out by plasma clots with a duration of 10-15 μs, which are formed using pulsed magnetic field.

Для обработки покрытия применяется электродуга постоянного тока косвенного действия. На чертеже 1 - внутренний цилиндрический электрод, 2 - наружный цилиндрический электрод, 3 - электрическая дуга, 4 - изделие, 5 - катушка, 6 - покрытие. An indirect arc electric arc of indirect current is used to process the coating. In the drawing 1 - an inner cylindrical electrode, 2 - an outer cylindrical electrode, 3 - an electric arc, 4 - product, 5 - coil, 6 - coating.

Расстояние электродов от обрабатываемой поверхности зависит от скорости вращения и длины перемещения дуги и от термостойкости покрытия. The distance of the electrodes from the treated surface depends on the speed of rotation and the length of movement of the arc and on the heat resistance of the coating.

Геометрические и электрические параметры дуги, необходимые для разогрева покрытия: напряжение дуги 30 В при токе 100 А, напряжение холостого хода 180 В, длина дуги 1,5-2 мм, ширина дуги 1-1,5 мм. The geometric and electrical parameters of the arc necessary for heating the coating: arc voltage 30 V at a current of 100 A, open circuit voltage 180 V, arc length 1.5-2 mm, arc width 1-1.5 mm.

Например, для снятия пластмассового облоя полупроводниковых приборов, получаемого в виде пленки толщиной до 1 мм, расстояние между электродами и поверхностью равно 3-4 мм при скорости перемещения дуги 20 м/с. Для снятия автомобильной краски расстояние между электродами и поверхностью можно увеличить до 4-5 мм при скорости перемещения дуги 20 м/с. В обоих случаях расход инертного газа равен 1 л/с, а диаметр окружности перемещения дуги - 100 мм. For example, to remove the plastic coating of semiconductor devices, obtained in the form of a film up to 1 mm thick, the distance between the electrodes and the surface is 3-4 mm at an arc velocity of 20 m / s. To remove automotive paint, the distance between the electrodes and the surface can be increased to 4-5 mm at an arc speed of 20 m / s. In both cases, the inert gas flow rate is 1 l / s, and the diameter of the circumference of the arc displacement is 100 mm.

В сравнении с известным техническим решением в предлагаемом способе не только увеличивается производительность снятия покрытия, но обеспечивается снятие с изделий покрытий повышенной толщины, исключается ручная операция дозачистки. (56) 1. Электронная промышленность, 1982, N 1, с. 59-63. In comparison with the known technical solution, the proposed method not only increases the performance of removing the coating, but also provides removal from the products of coatings of increased thickness, eliminates the manual operation of additional cleaning. (56) 1. Electronic Industry, 1982, N 1, p. 59-63.

2. Заявка ФРГ N 3608410, кл. Н 01 L 21/48, 1987. 2. Application of Germany N 3608410, cl. H 01 L 21/48, 1987.

Claims

METHOD FOR REMOVING PLASTIC COATINGS, including exposure to a plasma coating and mechanical removal of a coating, characterized in that, in order to increase efficiency when removing coatings of semiconductor devices, a plasma is created by passing current in a gaseous medium over a coating that is coated with a coating 10 - 15 μs, which are generated using a pulsed magnetic field.