RU2010153648A - Способ измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках - Google Patents
Способ измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках Download PDFInfo
- Publication number
- RU2010153648A RU2010153648A RU2010153648/28A RU2010153648A RU2010153648A RU 2010153648 A RU2010153648 A RU 2010153648A RU 2010153648/28 A RU2010153648/28 A RU 2010153648/28A RU 2010153648 A RU2010153648 A RU 2010153648A RU 2010153648 A RU2010153648 A RU 2010153648A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- quantum yield
- measuring
- photoelectric effect
- mesostructures
- wavelength
- Prior art date
Links
Landscapes
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
1. Способ измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках, включающий подачу электромагнитного излучения с заданными параметрами на поверхность фотоприемника, измерение спектральной чувствительности, определение коэффициента отражения и вычисление квантового выхода, отличающийся тем, что в качестве фотоприемника используются фотоэлектрические мезоструктуры, в которых коэффициент разделения носителей заряда является неизменным в широкой спектральной области длин волн меньших характеристической длины волны структуры, и характеризующиеся теоретической моделью расчета, измеряется одна физическая величина и квантовый выход излучения с длиной волны λ определяется формулой ! ! где λ0=hc/2Eg - длина волны, при которой квантовый выход априорно равен единице, Eg - ширина запрещенной зоны полупроводника, h - постоянная Планка, с - скорость света в вакууме, J(λ) - спектральная чувствительность мезоструктуры на длине волны λ, R(λ) - коэффициент отражения излучения. ! 2. Способ измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках по п.1, отличающийся тем, что дополнительно проводится контроль разброса в измерениях квантового выхода внутреннего фотоэффекта на мезоструктурах с пассивированной частью рабочих поверхностей, свободных от барьеров, разделяющих носители и контактов к ним. ! 3. Способ измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках по п.1, отличающийся тем, что дополнительно определяются зависимости квантового выхода от физико-химических свойств полупроводника и используются фотоэлектрические мезоструктуры с разным химическим составом, разным
Claims (4)
1. Способ измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках, включающий подачу электромагнитного излучения с заданными параметрами на поверхность фотоприемника, измерение спектральной чувствительности, определение коэффициента отражения и вычисление квантового выхода, отличающийся тем, что в качестве фотоприемника используются фотоэлектрические мезоструктуры, в которых коэффициент разделения носителей заряда является неизменным в широкой спектральной области длин волн меньших характеристической длины волны структуры, и характеризующиеся теоретической моделью расчета, измеряется одна физическая величина и квантовый выход излучения с длиной волны λ определяется формулой
где λ0=hc/2Eg - длина волны, при которой квантовый выход априорно равен единице, Eg - ширина запрещенной зоны полупроводника, h - постоянная Планка, с - скорость света в вакууме, J(λ) - спектральная чувствительность мезоструктуры на длине волны λ, R(λ) - коэффициент отражения излучения.
2. Способ измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках по п.1, отличающийся тем, что дополнительно проводится контроль разброса в измерениях квантового выхода внутреннего фотоэффекта на мезоструктурах с пассивированной частью рабочих поверхностей, свободных от барьеров, разделяющих носители и контактов к ним.
3. Способ измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках по п.1, отличающийся тем, что дополнительно определяются зависимости квантового выхода от физико-химических свойств полупроводника и используются фотоэлектрические мезоструктуры с разным химическим составом, разным типом и уровнем легирования.
4. Способ измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках по п.1, отличающийся тем, что используется одна мезоструктура.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2010153648/28A RU2463616C2 (ru) | 2010-12-28 | 2010-12-28 | Способ измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2010153648/28A RU2463616C2 (ru) | 2010-12-28 | 2010-12-28 | Способ измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2010153648A true RU2010153648A (ru) | 2012-07-10 |
| RU2463616C2 RU2463616C2 (ru) | 2012-10-10 |
Family
ID=46848065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2010153648/28A RU2463616C2 (ru) | 2010-12-28 | 2010-12-28 | Способ измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2463616C2 (ru) |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU894821A1 (ru) * | 1979-12-07 | 1981-12-30 | Институт Физики Полупроводников Со Ан Ссср | Устройство дл измерени квантовой эффективности излучени электролюминесцентных структур |
| SU886623A1 (ru) * | 1980-01-10 | 1983-08-30 | Ордена Ленина физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе | Устройство дл электролюминесцентных измерений внешнего квантового выхода излучающих полупроводниковых структур |
| SU1074336A1 (ru) * | 1981-10-20 | 1985-11-23 | Ордена Ленина физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе | Способ определени параметров варизонного полупроводника |
| SU1173359A1 (ru) * | 1982-12-27 | 1985-08-15 | Белорусский Ордена Трудового Красного Знамени Государственный Университет Им.В.И.Ленина | Способ измерени квантовой эффективности фотоприемника |
| SU1562711A1 (ru) * | 1987-12-21 | 1990-05-07 | Черновицкое Отделение Института Проблем Материаловедения Ан Усср | Способ измерени квантовой эффективности фотоприемников |
| SU1780399A1 (ru) * | 1990-08-20 | 1994-04-30 | Всесоюзный научно-исследовательский институт оптико-физических измерений | Абсолютный измеритель квантовой эффективности фотоприемников |
-
2010
- 2010-12-28 RU RU2010153648/28A patent/RU2463616C2/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2463616C2 (ru) | 2012-10-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Yu et al. | Surface modification of β-Ga2O3 layer using pt nanoparticles for improved deep UV photodetector performance | |
| US9389273B2 (en) | Solar cell characteristics determination | |
| Gaubas et al. | Comparative study of carrier lifetime dependence on dopant concentration in silicon and germanium | |
| EP2828628A1 (en) | Methods and apparatus for spectral luminescence measurement | |
| JP6410679B2 (ja) | ガスセンサ | |
| Mitchell et al. | Full spectrum photoluminescence lifetime analyses on silicon bricks | |
| RU2010153648A (ru) | Способ измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта в полупроводниках | |
| Juhl et al. | Relative external quantum efficiency of crystalline silicon wafers from photoluminescence | |
| US9297764B2 (en) | Method for determining characteristics of a photoconverter without contact | |
| JP2013004799A5 (ru) | ||
| Hameiri et al. | Spatially resolved lifetime spectroscopy from temperature-dependent photoluminescence imaging | |
| JP2019012740A (ja) | 光誘起キャリアのバルクキャリアライフタイムの測定方法および測定装置 | |
| Baek et al. | Diffusion length and resistivity distribution characteristics of silicon wafer by photoluminescence | |
| RU2463617C2 (ru) | Фотоэлектрическая структура для измерения квантового выхода внутреннего фотоэффекта и способ ее изготовления | |
| Goldberg et al. | Temperature dependence of the quantum efficiency of silicon pn photodiodes. | |
| Yildirim et al. | Characterization of Al/In: ZnO/p-Si photodiodes for various In doped level to ZnO interfacial layers | |
| Suntao et al. | Measurement and analysis of the characteristic parameters for the porous silicon/silicon using photovoltage spectra | |
| Tang et al. | Measured and 3D modelled quantum efficiency of an oxide-charge induced junction photodiode at room temperature | |
| Trupke et al. | Bulk minority carrier lifetime from luminescence intensity ratios measured on silicon bricks | |
| Baranovskiy et al. | Rapid photoelectric diagnostics of LEDs based on InGaN/GaN heterostructures | |
| Nakagawa et al. | Temperature Dependence of α-Particle Detection Performance of GaN PIN Diode Detector. | |
| Makhniy et al. | Effect of heat treatment on the surface parameters of cadmium-telluride single-crystal substrates | |
| Roller et al. | Assessment of Carrier Lifetimes and Surface Recombination Velocity through Spectral Measurements | |
| JP6785642B2 (ja) | 少数キャリア寿命評価方法および少数キャリア寿命評価装置 | |
| Ivanov et al. | Reflectivity of Porous Silicon Matrix as Analyte ‘Logical’Pattern |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20131229 |