RU2010121444A - Полупроводниковый преобразователь бета-излучения в электроэнергию - Google Patents

Полупроводниковый преобразователь бета-излучения в электроэнергию Download PDF

Info

Publication number
RU2010121444A
RU2010121444A RU2010121444/28A RU2010121444A RU2010121444A RU 2010121444 A RU2010121444 A RU 2010121444A RU 2010121444/28 A RU2010121444/28 A RU 2010121444/28A RU 2010121444 A RU2010121444 A RU 2010121444A RU 2010121444 A RU2010121444 A RU 2010121444A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
semiconductor
beta radiation
semiconductor wafer
beta
textured surface
Prior art date
Application number
RU2010121444/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2452060C2 (ru
Inventor
Виталий Викторович Заддэ (RU)
Виталий Викторович Заддэ
Алексей Антонович Пустовалов (RU)
Алексей Антонович Пустовалов
Сергей Алексеевич Пустовалов (RU)
Сергей Алексеевич Пустовалов
Лев Алексеевич Цветков (RU)
Лев Алексеевич Цветков
Сергей Львович Цветков (RU)
Сергей Львович Цветков
Original Assignee
Виталий Викторович Заддэ (RU)
Виталий Викторович Заддэ
Алексей Антонович Пустовалов (RU)
Алексей Антонович Пустовалов
Сергей Алексеевич Пустовалов (RU)
Сергей Алексеевич Пустовалов
Лев Алексеевич Цветков (RU)
Лев Алексеевич Цветков
Сергей Львович Цветков (RU)
Сергей Львович Цветков
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Виталий Викторович Заддэ (RU), Виталий Викторович Заддэ, Алексей Антонович Пустовалов (RU), Алексей Антонович Пустовалов, Сергей Алексеевич Пустовалов (RU), Сергей Алексеевич Пустовалов, Лев Алексеевич Цветков (RU), Лев Алексеевич Цветков, Сергей Львович Цветков (RU), Сергей Львович Цветков filed Critical Виталий Викторович Заддэ (RU)
Priority to RU2010121444/28A priority Critical patent/RU2452060C2/ru
Publication of RU2010121444A publication Critical patent/RU2010121444A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2452060C2 publication Critical patent/RU2452060C2/ru

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

1. Полупроводниковый преобразователь бета-излучения в электроэнергию, содержащий пластину полупроводника с текстурированной поверхностью, диодную структуру вдоль текстурированной поверхности и слой радиоактивного бета-излучающего вещества на текстурированной поверхности, отличающийся тем, что текстурированная поверхность пластины полупроводника выполнена в виде множества сквозных каналов, имеющих форму круга, овала, прямоугольника или другую произвольную форму, а радиоактивное вещество покрывает стенки каналов и большую часть остальной поверхности пластины полупроводника. ! 2. Полупроводниковый преобразователь бета-излучения в электроэнергию по п.1, отличающийся тем, что стенки каналов и поверхность полупроводниковой пластины имеют микрорельеф. ! 3. Полупроводниковый преобразователь бета-излучения в электроэнергию по п.1, отличающийся тем, что расстояние между каналами соизмеримо с шириной каналов и предпочтительно не превышает 100 мкм. ! 4. Полупроводниковый преобразователь бета-излучения в электроэнергию по п.1, отличающийся тем, что в качестве бета-излучателя используются радионуклиды никель-63, тритий или оба вместе.

Claims (4)

1. Полупроводниковый преобразователь бета-излучения в электроэнергию, содержащий пластину полупроводника с текстурированной поверхностью, диодную структуру вдоль текстурированной поверхности и слой радиоактивного бета-излучающего вещества на текстурированной поверхности, отличающийся тем, что текстурированная поверхность пластины полупроводника выполнена в виде множества сквозных каналов, имеющих форму круга, овала, прямоугольника или другую произвольную форму, а радиоактивное вещество покрывает стенки каналов и большую часть остальной поверхности пластины полупроводника.
2. Полупроводниковый преобразователь бета-излучения в электроэнергию по п.1, отличающийся тем, что стенки каналов и поверхность полупроводниковой пластины имеют микрорельеф.
3. Полупроводниковый преобразователь бета-излучения в электроэнергию по п.1, отличающийся тем, что расстояние между каналами соизмеримо с шириной каналов и предпочтительно не превышает 100 мкм.
4. Полупроводниковый преобразователь бета-излучения в электроэнергию по п.1, отличающийся тем, что в качестве бета-излучателя используются радионуклиды никель-63, тритий или оба вместе.
RU2010121444/28A 2010-05-27 2010-05-27 Полупроводниковый преобразователь бета-излучения в электроэнергию RU2452060C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010121444/28A RU2452060C2 (ru) 2010-05-27 2010-05-27 Полупроводниковый преобразователь бета-излучения в электроэнергию

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010121444/28A RU2452060C2 (ru) 2010-05-27 2010-05-27 Полупроводниковый преобразователь бета-излучения в электроэнергию

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010121444A true RU2010121444A (ru) 2011-12-10
RU2452060C2 RU2452060C2 (ru) 2012-05-27

Family

ID=45404967

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010121444/28A RU2452060C2 (ru) 2010-05-27 2010-05-27 Полупроводниковый преобразователь бета-излучения в электроэнергию

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2452060C2 (ru)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2568958C1 (ru) * 2014-07-08 2015-11-20 Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России) Способ преобразования энергии ионизирующего излучения в электрическую энергию
RU2608311C2 (ru) * 2015-05-14 2017-01-17 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" Преобразователь оптических и радиационных излучений и способ его изготовления
RU2608058C1 (ru) * 2015-07-14 2017-01-12 Андрей Александрович Мандругин Бета-вольтаический полупроводниковый генератор электроэнергии
RU2607835C1 (ru) * 2015-07-14 2017-01-20 Андрей Александрович Мандругин Бета-вольтаический полупроводниковый генератор электроэнергии и способ его изготовления
RU2610037C2 (ru) * 2015-07-14 2017-02-07 Андрей Александрович Мандругин Бета-вольтаический генератор электроэнергии и способ повышения его эффективности
RU2605783C1 (ru) * 2015-08-10 2016-12-27 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Тольяттинский государственный университет Планарный высоковольтный фото- и бетавольтаический преобразователь и способ его изготовления
RU2605784C1 (ru) * 2015-08-10 2016-12-27 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Тольяттинский государственный университет Комбинированный накопительный элемент фото- и бетавольтаики на микроканальном кремнии
RU2605758C1 (ru) * 2015-09-17 2016-12-27 Российская Федерация, от имени которой выступает Госкорпорация "Росатом" Источник электрического питания
RU2659618C1 (ru) * 2017-01-31 2018-07-03 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" Преобразователь ионизирующих излучений с сетчатой объемной структурой и способ его изготовления
RU179476U1 (ru) * 2017-11-01 2018-05-16 Акционерное общество "Радиевый институт им. В.Г. Хлопина" Устройство для преобразования энергии бета-излучения в электроэнергию
RU2670710C9 (ru) * 2017-12-25 2018-11-29 Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт Научно-производственное объединение "ЛУЧ" (ФГУП "НИИ НПО "ЛУЧ") Радиоизотопный элемент электрического питания с полупроводниковым преобразователем, совмещенным с источником излучения
RU2714783C2 (ru) * 2019-05-29 2020-02-19 Общество с ограниченной ответственностью "БетаВольтаика" Способ формирования полупроводниковых структур для преобразования энергии радиохимического распада с-14 в электрическую
RU2714690C2 (ru) * 2019-09-02 2020-02-19 Общество с ограниченной ответственностью "БетаВольтаика" Устройство генерирования электрического тока посредством преобразования энергии радиохимического бета-распада с-14

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2120295C (en) * 1993-04-21 1998-09-15 Nazir P. Kherani Nuclear batteries
US6100169A (en) * 1998-06-08 2000-08-08 Cree, Inc. Methods of fabricating silicon carbide power devices by controlled annealing
US20080006891A1 (en) * 2004-10-25 2008-01-10 Gadeken Larry L Direct energy conversion devices with a substantially continuous depletion region and methods thereof
RU90612U1 (ru) * 2009-07-31 2010-01-10 Александров Михаил Тимофеевич Источник электрического тока

Also Published As

Publication number Publication date
RU2452060C2 (ru) 2012-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2010121444A (ru) Полупроводниковый преобразователь бета-излучения в электроэнергию
MX2016005597A (es) Sistema y metodo de pre-equilibrio usando dispositivos en estado solido como convertidores de energia que usan materiales de red porosa nanodiseñados.
WO2015013658A3 (en) Building management and appliance control system
EP2802068A3 (en) Synchronous rectification in three-level inverter/converter topologies
WO2014152893A3 (en) Micro-grid pv system
GB2509652A (en) Power converters with integrated capacitors
EA200601011A1 (ru) Ядерный вольтаический элемент
GB2533063A (en) Structures and methods with reduced sensitivity to surface charge
EP2725629A3 (en) Light emitting element
EP2421057A3 (en) Solar cell
EA201690366A1 (ru) НАНОПРОВОЛОЧНЫЕ СОЛНЕЧНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ С РАДИАЛЬНЫМИ p-n-ПЕРЕХОДАМИ
EA201001707A1 (ru) Преобразователь электромагнитного излучения и батарея
GB2520870A (en) Apparatus and method for determining the number of execution cores to keep active in a processor
EP2851965A3 (en) Multi-junction solar cell
EP2706576A3 (en) Diode and power conversion system
CN104485501B (zh) 石墨烯三输出端口结构的可调太赫兹波耦合器
EA201370226A1 (ru) Корпус соединительной коробки
WO2014202983A3 (en) Light receiving device
EA200970511A1 (ru) Устройство для преобразования энергии и оборудование для преобразования энергии
WO2015057913A3 (en) Improving photovoltaic (pv) efficiency using high frequency electric pulses
RU2013146771A (ru) Солнечный коллектор с концентратором для гелиоводоподогрева
FIU20100207U0 (fi) Järjestely teholähteen yhteydessä ja järjestelyn sisältävä taajuusmuuttaja
CN207460088U (zh) 高利用率的太阳能电池组件
FR3070200B1 (fr) Capteur solaire a air a haut rendement, d'epaisseur reduite et a surchausse interne limitee
WO2015038815A3 (en) Capturing reflected solar emr energy

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20150528