RU2009144821A - Способ получения эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов полупроводников постоянного диаметра - Google Patents

Способ получения эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов полупроводников постоянного диаметра Download PDF

Info

Publication number
RU2009144821A
RU2009144821A RU2009144821/28A RU2009144821A RU2009144821A RU 2009144821 A RU2009144821 A RU 2009144821A RU 2009144821/28 A RU2009144821/28 A RU 2009144821/28A RU 2009144821 A RU2009144821 A RU 2009144821A RU 2009144821 A RU2009144821 A RU 2009144821A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
semiconductors
constant diameter
nanocrystals
crystallizable
producing epitaxial
Prior art date
Application number
RU2009144821/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2456230C2 (ru
Inventor
Валерий Александрович Небольсин (RU)
Валерий Александрович Небольсин
Александр Игоревич Дунаев (RU)
Александр Игоревич Дунаев
Максим Алексеевич Завалишин (RU)
Максим Алексеевич Завалишин
Герман Александрович Сладких (RU)
Герман Александрович Сладких
Александр Федорович Татаренков (RU)
Александр Федорович Татаренков
Original Assignee
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический универси
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический универси, Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" filed Critical Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический универси
Priority to RU2009144821/28A priority Critical patent/RU2456230C2/ru
Publication of RU2009144821A publication Critical patent/RU2009144821A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2456230C2 publication Critical patent/RU2456230C2/ru

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

Способ получения эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов полупроводников постоянного диаметра, заключающийся в нанесении на поверхность полупроводниковой пластины нанодисперсных частиц катализатора с последующим помещением в ростовую печь, нагревом и осаждением кристаллизуемого вещества из газовой фазы по схеме пар→капельная жидкость→кристалл, отличающийся тем, что на пластину наносят катализатор из двухкомпонентного сплава металл-полупроводник эвтектического состава и проводят осаждение кристаллизуемого вещества при температуре, минимально превышающей температуру эвтектики.

Claims (1)

  1. Способ получения эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов полупроводников постоянного диаметра, заключающийся в нанесении на поверхность полупроводниковой пластины нанодисперсных частиц катализатора с последующим помещением в ростовую печь, нагревом и осаждением кристаллизуемого вещества из газовой фазы по схеме пар→капельная жидкость→кристалл, отличающийся тем, что на пластину наносят катализатор из двухкомпонентного сплава металл-полупроводник эвтектического состава и проводят осаждение кристаллизуемого вещества при температуре, минимально превышающей температуру эвтектики.
RU2009144821/28A 2009-12-02 2009-12-02 Способ получения эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов полупроводников постоянного диаметра RU2456230C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2009144821/28A RU2456230C2 (ru) 2009-12-02 2009-12-02 Способ получения эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов полупроводников постоянного диаметра

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2009144821/28A RU2456230C2 (ru) 2009-12-02 2009-12-02 Способ получения эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов полупроводников постоянного диаметра

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2009144821A true RU2009144821A (ru) 2011-06-10
RU2456230C2 RU2456230C2 (ru) 2012-07-20

Family

ID=44736360

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009144821/28A RU2456230C2 (ru) 2009-12-02 2009-12-02 Способ получения эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов полупроводников постоянного диаметра

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2456230C2 (ru)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2526066C1 (ru) * 2013-01-09 2014-08-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" Способ получения нитевидных нанокристаллов полупроводников
RU2540385C2 (ru) * 2013-06-17 2015-02-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет" (ФГБОУ ВПО "ВГУ") Способ получения полупроводниковых коллоидных квантовых точек сульфида кадмия
RU2671325C1 (ru) * 2017-07-05 2018-10-30 Сергей Николаевич Максимовский Способ получения нитевидных нанокристаллов (нановискеров) в теле листового материала
RU2750732C1 (ru) * 2020-06-29 2021-07-01 Федеральное государственное бюджетное образования учреждение высшего образования "Воронежский государственный технический университет" Способ выращивания нитевидных кристаллов кремния

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2117081C1 (ru) * 1996-05-30 1998-08-10 Воронежский государственный технический университет Способ получения регулярных нитевидных кристаллов кремния
JP4269842B2 (ja) * 2003-08-08 2009-05-27 日油株式会社 半導体ナノ微結晶の製造方法
RU2322384C1 (ru) * 2006-10-16 2008-04-20 Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Санкт-Петербургский государственный университет (СПбГУ) Способ получения магнитных нанокомпозитных материалов с упорядоченной структурой
RU2336224C1 (ru) * 2007-01-09 2008-10-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" Способ получения регулярных систем наноразмерных нитевидных кристаллов кремния

Also Published As

Publication number Publication date
RU2456230C2 (ru) 2012-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2009144821A (ru) Способ получения эпитаксиальных нитевидных нанокристаллов полупроводников постоянного диаметра
EP2392547A3 (en) Method of graphene manufacturing
Tomida et al. Enhanced growth rate for ammonothermal gallium nitride crystal growth using ammonium iodide mineralizer
RU2017114129A (ru) Кремниевокарбидные материалы на основе поликарбосилоксана, варианты применения и устройства
WO2012002995A3 (en) Thin films and methods of making them using cyclohexasilane
Lugani et al. Modeling of InAs–InSb nanowires grown by Au-assisted chemical beam epitaxy
SG152980A1 (en) Method for the wet-chemical treatment of a semiconductor wafer
CN105481002B (zh) 自催化生长大尺寸β‑Ga2O3微米线的方法
TW201612337A (en) Device and method for creating a vapor for a CVD-or PVD-device
JP2015528780A5 (ru)
Cai et al. GaN nanowires: CVD synthesis and properties
WO2008067537A3 (en) Method and apparatus for growth of iii-nitride semiconductor epitaxial layers
JP2011032154A5 (ru)
JP2010103514A5 (ru)
Zhuang et al. Growth controlling of diamond and β-SiC microcrystals in the diamond/β-SiC composite films
MD176Y (en) Process for the manufacture of high-voltage diode
RU2013100293A (ru) Способ получения нитевидных нанокристаллов полупроводников
Kolíbal et al. Catalyst–substrate interaction and growth delay in vapor–liquid–solid nanowire growth
Hahn et al. Effect of thermal annealing in ammonia on the properties of InGaN nanowires with different indium concentrations
CN107699863A (zh) 一种MPCVD制备GaN纳米线的方法
Lee et al. Effect of the growth temperature on the properties of AlxGal− xN epilayers grown by HVPE
RU2013100294A (ru) Способ выращивания планарных нитевидных кристаллов полупроводников
Aujol et al. Influence of the partial pressure of GaCl3 in the growth process of GaN by HVPE under nitrogen
Bol’shakov et al. Simulation of growth and shape of nanowires in the absence of a catalyst
WO2012173520A1 (ru) Способ выращивания монокристалла a1n и устройство для его реализации

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20121203