RU2006131577A - Устройство азотирования детали из алюминиевого сплава путем ионной имплантации и способ, в котором используется такое устройство - Google Patents

Устройство азотирования детали из алюминиевого сплава путем ионной имплантации и способ, в котором используется такое устройство Download PDF

Info

Publication number
RU2006131577A
RU2006131577A RU2006131577/02A RU2006131577A RU2006131577A RU 2006131577 A RU2006131577 A RU 2006131577A RU 2006131577/02 A RU2006131577/02 A RU 2006131577/02A RU 2006131577 A RU2006131577 A RU 2006131577A RU 2006131577 A RU2006131577 A RU 2006131577A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
ions
source
polyenergetic
ion
controlling
Prior art date
Application number
RU2006131577/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2372418C2 (ru
Inventor
Фредерик ГЕРНАЛЕК (FR)
Фредерик ГЕРНАЛЕК
Дени БЮЗАРДО (FR)
Дени БЮЗАРДО
Original Assignee
Сосьете Кертек Энженьери (Кэ) (Fr)
Сосьете Кертек Энженьери (Кэ)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from FR0401047A external-priority patent/FR2876390A1/fr
Application filed by Сосьете Кертек Энженьери (Кэ) (Fr), Сосьете Кертек Энженьери (Кэ) filed Critical Сосьете Кертек Энженьери (Кэ) (Fr)
Publication of RU2006131577A publication Critical patent/RU2006131577A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2372418C2 publication Critical patent/RU2372418C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/48—Ion implantation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)
  • Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)

Claims (16)

1. Устройство имплантации ионов в деталь (5) из алюминиевого сплава, содержащее источник (6), поставляющий ионы, ускоряемые вытягивающим напряжением, и первые средства (7-11) управления начальным пучком (f1') ионов, испускаемых упомянутым источником (6), с формированием имплантирующего пучка (f1), отличающееся тем, что упомянутый источник (6) является источником на основе электронного циклотронного резонанса, производящим полиэнергетические ионы, которые имплантируются в деталь (5) при температуре менее 120°C, причем имплантация полиэнергетических ионов имплантирующего пучка (f1) осуществляется одновременно на глубину, регулируемую вытягивающим напряжением источника.
2. Устройство по п.1, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит вторые средства (1, 4, 12) управления относительным положением детали (5) и источника (6) ионов.
3. Устройство по п.2, отличающееся тем, что вторые средства (1, 4, 12) управления содержат приспособление (12) для закрепления обрабатываемой детали, которое является подвижным и предназначено для перемещения детали (5) в ходе ее обработки.
4. Устройство по п.3, отличающееся тем, что приспособление (12) для закрепления обрабатываемой детали снабжено средствами (13) охлаждения для отвода тепла, выделившегося в детали (5) при имплантации полиэнергетических ионов.
5. Устройство по любому из пп.1-4, отличающееся тем, что первые средства (7-11) управления пучком ионов содержат масс-спектрометр (7) для сортировки ионов, произведенных источником (6), в зависимости от их заряда и их массы.
6. Устройство по любому из пп.1-4, отличающееся тем, что средства (7-11) управления начальным пучком (f1') ионов также содержат оптические средства (8) фокусировки, профилеровщик (9), трансформатор (10) тока и затвор (11).
7. Устройство по п.5, отличающееся тем, что средства (7-11) управления начальным пучком (f1') ионов также содержат оптические средства (8) фокусировки, профилеровщик (9), трансформатор (10) тока и затвор (11).
8. Устройство по любому из пп.1-4, отличающееся тем, что оно заключено в корпус (3), оборудованный вакуумным насосом (2).
9. Устройство по п.5, отличающееся тем, что оно заключено в корпус (3), оборудованный вакуумным насосом (2).
10. Устройство по п.6, отличающееся тем, что оно заключено в корпус (3), оборудованный вакуумным насосом (2).
11. Устройство по п.7, отличающееся тем, что оно заключено в корпус (3), оборудованный вакуумным насосом (2).
12. Устройство по п.3, отличающееся тем, что вторые средства (1, 4, 12) управления относительным положением детали (5) и источника (6) ионов содержат средства (1) расчета этого положения исходя из информации о природе пучка ионов, геометрии детали (5), скорости перемещения приспособления (12) для закрепления обрабатываемой детали относительно источника (6) и числе реализованных ранее проходов.
13. Способ обработки алюминиевого сплава путем ионной имплантации, в котором используется устройство по любому из пп.1-12, отличающийся тем, что пучок полиэнергетических ионов перемещают относительно детали (5) с постоянной скоростью.
14. Способ обработки алюминиевого сплава путем ионной имплантации, в котором используется устройство по любому из пп.1-12, отличающийся тем, что пучок полиэнергетических ионов перемещают относительно детали (5) с переменной скоростью, учитывающей угол падения пучка полиэнергетических ионов по отношению к поверхности детали (5).
15. Способ обработки по любому из пп.13 и 14, отличающийся тем, что пучок полиэнергетических ионов испускается с постоянными интенсивностью и энергиями испускания.
16. Способ обработки по любому из пп.13 и 14, отличающийся тем, что пучок полиэнергетических ионов испускается с переменными интенсивностью и энергиями испускания, регулируемыми источником (6) ионов.
RU2006131577/02A 2004-02-04 2005-02-02 Устройство азотирования детали из алюминиевого сплава путем ионной имплантации и способ, в котором используется такое устройство RU2372418C2 (ru)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0401047A FR2876390A1 (fr) 2004-02-04 2004-02-04 Procede de nitruration par implantation ionique d'une piece metallique et dispositif de mise en oeuvre du procede
FR0401047 2004-02-04
FR0401749A FR2876391B1 (fr) 2004-02-04 2004-02-21 Procede de nitruration pour implantation ionique d'une piece metallique et dispositif de mise en oeuvre du procede
FR0401749 2004-02-21
FR0500963 2005-01-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2006131577A true RU2006131577A (ru) 2008-03-10
RU2372418C2 RU2372418C2 (ru) 2009-11-10

Family

ID=34953697

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2006131577/02A RU2372418C2 (ru) 2004-02-04 2005-02-02 Устройство азотирования детали из алюминиевого сплава путем ионной имплантации и способ, в котором используется такое устройство

Country Status (2)

Country Link
FR (1) FR2876391B1 (ru)
RU (1) RU2372418C2 (ru)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2949236B1 (fr) 2009-08-19 2011-10-28 Aircelle Sa Procede d'implantation ionique pour la realisation d'une surface hydrophobe
RU170203U1 (ru) * 2016-02-24 2017-04-18 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Волгоградский государственный аграрный университет" (ФГБОУ ВО Волгоградский ГАУ) Установка для корпускулярного легирования

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60211061A (ja) * 1984-04-05 1985-10-23 Toyota Central Res & Dev Lab Inc アルミニウム材のイオン窒化方法
JPS61295371A (ja) * 1985-06-24 1986-12-26 Nippon Light Metal Co Ltd 窒化アルミニウム層を有するアルミニウム材の製法
FR2718568B1 (fr) * 1994-04-06 1996-07-05 France Telecom Procédé d'implantation haute énergie à partir d'un implanteur de type faible ou moyen courant et dispositifs correspondants.
JP3284886B2 (ja) * 1996-06-20 2002-05-20 株式会社日立製作所 イオン源及びイオン注入装置
WO2000026431A1 (en) * 1998-11-03 2000-05-11 Epion Corporation Gas cluster ion beams for formation of nitride films
EP1288329A1 (de) * 2001-09-03 2003-03-05 C C R GmbH Beschichtungstechnologie Verfahren zur Herstellung dünner Oxid- oder Nitridschichten

Also Published As

Publication number Publication date
FR2876391A1 (fr) 2006-04-14
FR2876391B1 (fr) 2007-05-18
RU2372418C2 (ru) 2009-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Hidding et al. Generation of quasimonoenergetic electron bunches with 80-fs laser pulses
US8008207B2 (en) Use of ion implantation in chemical etching
EP2360711A3 (en) Ion source and methods for maldi mass spectrometry
WO2005085491A3 (fr) Dispositif et procede d'implantation ionique d'une piece en alliage d'aluminium
US9538628B1 (en) Method for EUV power improvement with fuel droplet trajectory stabilization
EP0942453A2 (en) Monitoring of plasma constituents using optical emission spectroscopy
Anderson et al. Short-pulse, high-brightness X-ray production with the PLEIADES Thomson-scattering source
RU2006131577A (ru) Устройство азотирования детали из алюминиевого сплава путем ионной имплантации и способ, в котором используется такое устройство
JP2010517211A (ja) イオンを冷却する装置および方法
EP1309234A3 (en) Method and apparatus for elimination of high energy ions from EUV radiating device
Caridi et al. Al 2 O 3 plasma production during pulsed laser deposition
Collier et al. Laser ion source development at CERN
US6933511B2 (en) Ion implanting apparatus
Petukh et al. The spectral intensity of the plasma of single and double laser pulses
JP2005353537A (ja) イオン注入装置
Monchinsky et al. Laser ion source of Synchrophasotron and Nuclotron in Dubna
Bahari et al. Laser acceleration of electrons in vacuum up to energies of∼ 109 eV
JPH08104980A (ja) クラスターイオンビームスパッター装置
JPH0473847A (ja) 電子照射装置
Gigl et al. Positronbeam for μm resolved coincident Doppler broadening spectroscopy at NEPOMUC
Belloni et al. Laser ion source for Ge implantation of silicon surfaces
Khaydarov et al. Effect of light gas atom inclusions on the characteristics of laser-produced plasma ions
JP2023029981A (ja) 基板に粒子を注入するための方法
Kashiwagi et al. Ti beam extraction from a laser plasma focused by a magnetic field of a solenoid
Giuffrida et al. Laser-Driven Ion Sources Generated by Ns Laser Pulses at the Intensity Range of 1013–1015 W/cm2

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20140203