RU2005106208A - Способ формирования высокоградиентного магнитного поля и устройство для разделения веществ на его основе - Google Patents

Claims (9)

1. Способ формирования зоны высокоградиентного магнитного поля в открытой доменной структуре Киттеля над свободными кромками сопрягаемых граней магнитов с противоположным направлением полярности магнитного поля и магнитной анизотропией, существенно превышающей магнитную индукцию материала магнитов, отличающийся тем, что размеры зоны задают тонкими пластинами из магнитомягкого материала, которые располагают на свободных гранях магнитов так, что они формируют узкий зазор, расположенный непосредственно над верхними кромками сопрягаемых граней магнитов.

2. Устройство для разделения веществ в высокоградиентном магнитном поле, которое выполнено на основе магнитной системы типа открытой доменной структуры в виде двух сопряженных по боковым граням постоянных магнитов преимущественно прямоугольной формы с противоположным направлением полярности магнитного поля и магнитной анизотропией, существенно превышающей магнитную индукцию материала магнитов, которые смонтированы на общей основе, включающей сопряженную с нижними гранями магнитов пластину из магнитомягкого материала, на верхних гранях магнитов размещены тонкие пластины из магнитомягкого материала, которые формируют узкий зазор, расположенный непосредственно над верхними кромками сопрягаемых граней магнитов, непосредственно над зазором размещена подложка для сепарируемого материала, изготовленная из немагнитного материала.

3. Устройство по п.2, отличающееся тем, что тонкие пластины выполнены из магнитомягкого материала, например из ванадиевого пермендюра.

4. Устройство по п.2 или 3, отличающееся тем, что пластины выполнены толщиной от 0,01 до 1,0 мм.

5. Устройство по п.2 или 3, отличающееся тем, что пластины снабжены средством для регулирования в пределах от 0,01 до 1,0 мм ширины зазора, расположенного симметрично относительно плоскости сопряжения боковых граней магнитов.

6. Устройство по п.2, отличающееся тем, что подложка выполнена в виде тонкой ленты, снабженной средством для ее перемещения в направлении, перпендикулярном продольной оси зазора.

7. Устройство по п.2, отличающееся тем, что подложка выполнена в виде горизонтальной пластины, подсоединенной к источнику механических колебаний.

8. Устройство по п.2, отличающееся тем, что магниты выполнены из неодим-железо-бора, самарий-кобальта или железо-платины.

9. Устройство по п.2, отличающееся тем, что оно сформировано на основе двух и более магнитных систем в виде последовательного попарного сопряжения боковых граней трех и более магнитов.