RU2005103C1 - Способ получени пленок на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников - Google Patents
Способ получени пленок на основе халькогенидных стеклообразных полупроводниковInfo
- Publication number
- RU2005103C1 RU2005103C1 SU4829656A RU2005103C1 RU 2005103 C1 RU2005103 C1 RU 2005103C1 SU 4829656 A SU4829656 A SU 4829656A RU 2005103 C1 RU2005103 C1 RU 2005103C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- films
- semiconductors
- glassy
- films based
- chalcogenide glass
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 title claims description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 claims abstract description 7
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N sulfur monoxide Chemical class S=O XTQHKBHJIVJGKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- IRPLSAGFWHCJIQ-UHFFFAOYSA-N selanylidenecopper Chemical class [Se]=[Cu] IRPLSAGFWHCJIQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIJTYIRGFVHPHZ-UHFFFAOYSA-N selenium oxide(seo) Chemical compound [Se]=O ZIJTYIRGFVHPHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- PGWMQVQLSMAHHO-UHFFFAOYSA-N sulfanylidenesilver Chemical class [Ag]=S PGWMQVQLSMAHHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Использование: в полупроводниковой технологии . Сущность изобретени : пленки на основе стеклообразных полупроводников AsS (Se) получают термическим испарением в вакууме стеклообразного сплава As - S (Se) - Me, где или Agпри температуре 80 - 400° С. Пленки обладают стабильными физико-химическими свойствами . 2таб
Description
Изобретение относитс к полупроводниковой технологии получени слоев и пленок на основе хэлькогенидных стеклообразных материалов и может быть использовано дл изготовлени пленок и слоев методом термического испарени в вакууме .
Известен способ изготовлени слоев и пленок на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников (например, систе- мы As-Se, Ge-Se и др.), согласно которому монолитные образцы, как правило, стехио- метрического состава испар ютс в вакууме тор с определенной скоростью и осаждаютс на подложки из кварцевого стекла, имеющие различные температуры (1),
Наиболее близким способом к за вл емому по технической сущности вл етс способ изготовлени двухкомпонентных полупроводниковых пленок на основе стекло- образных сплавов путем термического испарени при 300-350°С в вакууме предварительно измельченного стеклообразного материала AsxSi-x через слой дополнительного металлического материала - порошка меди м последующего осаждени паров исходного образца на подложку (2). Порошок металла измен ет состав газообразной фазы и в некоторой степени стабилизируют состав пленки и ее параметры, Однако при изготовлении пленок они загр зн ютс оксидными и оксисульфидными соединени ми , которые ухудшают их оптические и другие свойства. Состав пленок не может быть посто нным, поскольку зависит от многих факторов: дисперсности порошка, степени окисленности его поверхности, площади поверхности, времени испарени (активность порошка снижаетс за счет образовани на его поверхности тугоплавких химических соединений меди).
Целью изобретени вл етс обеспечение стабильности физико-химических свойств пленок. ,
Способ осуществл ют следующим об- разом.
При изготовлении двухкомпонентных пленок на основе стеклообразных халькогенидных полупроводников As-x (х S, Se) методом термического испарени исходно- го материала в вакууме с последующим осаждением газовой фазы на подложку в качестве исходного материала берут стекло- образные трехкомпонентные сплавы AsxSyAgz и AsxSeyCuz, и испарение прово- д т при 80-400°С. Металл, который входит а состав исходного стеклообразного материала (значение х,у и z соответствуют област м стеклообразовани сплавов), образует структуры типа тройных химических соединений AgjAsSa, AgAsSa, CuAsSe2, надежно с в зыва легколетучие радикалы. Состав газовой фазы будет определ тьс только AsxSy и AsxSey, т.к. высокие температуры плавлени сульфидов серебра и селенидов меди (свыше 1000°С) преп тствуют их переходу в газовую фазу. Металлы остаютс в исходном материале, не расходу сь.
В таблице приведены конкретные составы исходных сплавов и свойства полученных пленок.
Равномерное распределение атомов металла, наход щегос в исходном стеклообразном материале на уровне размеров молекул рных форм газовой фазы, более надежно и эффективно регулирует состав компонентов паровой фазы, чем порошки серебра и меди в известном способе получени пленок. Наличие в исходном материале химически чистого металла позвол ет получить пленку высокой стенки чистоты и однородности , не содержащую оксидных и оксихалькогенидных соединений, от которых ухудшаютс свойства пленок, полученных по известному техническому решению.
Материалы выполн ют роль своеобразного внутреннего фильтра дл газовой фазы . Улучшение свойств пленки на основе As-S(Se) достигаетс регулированием состава газовой фазы серебром или медью, наход щимис в исходном материале трехкомпонентных сплавов. Дисперсность металла в сплаве не сравнима с дисперсностью частично окисленных порошков меди или серебра извегл ного технического решени , Таким образом, металлы, равномерно диспергированные в сплаве на атомном уровне, св зывают практически все легколетучие ионы и радикалы, обеспечива посто нство состава газовой фазы, из которой формируетс пленка стабильного состава с улучшенными свойствами.
Пример. Предлагаемый способ был применен дл получени пленок на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников As-x (S или Se) с использованием в качестве исходного материала трехкомпонентных сплавов AsxSyAgz и AsxSeyCuz (составы указаны в табл.1). Термическое испарение сплавов с различным содержанием металлов производилось в вакууме тор при 80, 300 и 400°С. Одновременно проводилс масс-спектрометрический анализ газовой фазы. Проводились токже аналогичные опыты с использованием в качестве исходного материала Аз25з с добавкой порошка серебра и Аз23ез с добавкой порошка меди (прототип). В таблице представлены составы исходных материалов , температуры термического испарени .
данные химического, физико-химического и масс-спектрометрического анализов. Неравновесный состав пленок, полученных по известному способу, требовал отжига (термообработки ). Оксидные, оксисульфидные. оксиселенидные и низкомолекул рные- образовани , различного рода кластерные структуры загр зн ют пленку, не обеспечива посто нства ее состава и свойства как по площади, так и по толщине.
(56) В.М.Любин и др. Реверсионнй эффект фотопросветлени в пленках халькогенид- ных стеклообразных полупроводников системы As-S. - Физика твердого тела, 1981, т.23, №8, с.2315-2320.
В.И.Каратаев и др. Способ изготовлени двухкомплектных полупроводниковых пленок на основе стеклообразных сплавов As-S, - Журнал технической физики, 1988, т.58, N29, с. 1767-1770.
Claims (1)
- Формула изобретениСПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК НА ОСНОВЕ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ AsS (Se), включающий термическое, испарение в вакууме исходного материала с последующим осаждением газовой фазы на3540,подложку, отличающийс тем, что, с целью обеспечени стабильности физико-химических свойств пленок, в качестве исходного материала берут стеклообразные сплавыAs - S - (Se)-Me,где Ме-Сио,1-о,9 или Адо,07-1,5о. а испарение ведут при 80 - 400 С.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU4829656 RU2005103C1 (ru) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | Способ получени пленок на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SU4829656 RU2005103C1 (ru) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | Способ получени пленок на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2005103C1 true RU2005103C1 (ru) | 1993-12-30 |
Family
ID=21516647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SU4829656 RU2005103C1 (ru) | 1990-05-28 | 1990-05-28 | Способ получени пленок на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2005103C1 (ru) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2152364C1 (ru) * | 1999-07-27 | 2000-07-10 | Санкт-Петербургский государственный технический университет | Способ получения стекол asxs1-x(x=0,10-0,45), asxse1-x(x=0-0,60) |
| RU2433388C1 (ru) * | 2010-06-30 | 2011-11-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена" | СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ ТОЧНОСТИ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОЛИЧЕСТВЕННОГО СОСТАВА БИНАРНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ ПЛЕНОК ПЕРЕМЕННОГО СОСТАВА А100-хВх (А=Р, As, Sb, Bi И B=S, Se, Те) |
| RU2489707C1 (ru) * | 2012-02-06 | 2013-08-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский государственный педагогический университет имени А.И. Герцена" | ПОВЫШЕНИЕ ТОЧНОСТИ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОЛИЧЕСТВЕННОГО СОСТАВА ТРОЙНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКОЛ И ПЛЕНОК ПЕРЕМЕННОГО СОСТАВА Ax(ByC1-y)1-x |
-
1990
- 1990-05-28 RU SU4829656 patent/RU2005103C1/ru active
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2152364C1 (ru) * | 1999-07-27 | 2000-07-10 | Санкт-Петербургский государственный технический университет | Способ получения стекол asxs1-x(x=0,10-0,45), asxse1-x(x=0-0,60) |
| RU2433388C1 (ru) * | 2010-06-30 | 2011-11-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена" | СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ ТОЧНОСТИ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОЛИЧЕСТВЕННОГО СОСТАВА БИНАРНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ ПЛЕНОК ПЕРЕМЕННОГО СОСТАВА А100-хВх (А=Р, As, Sb, Bi И B=S, Se, Те) |
| RU2489707C1 (ru) * | 2012-02-06 | 2013-08-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский государственный педагогический университет имени А.И. Герцена" | ПОВЫШЕНИЕ ТОЧНОСТИ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОЛИЧЕСТВЕННОГО СОСТАВА ТРОЙНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКОЛ И ПЛЕНОК ПЕРЕМЕННОГО СОСТАВА Ax(ByC1-y)1-x |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4414274A (en) | Thin film electrical resistors and process of producing the same | |
| US4172718A (en) | Ta-containing amorphous alloy layers and process for producing the same | |
| US20040040837A1 (en) | Method of forming chalcogenide sputter target | |
| JP4805648B2 (ja) | 半導体薄膜及びその製造方法 | |
| RU2005103C1 (ru) | Способ получени пленок на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников | |
| KR100842287B1 (ko) | 급격한 금속-절연체 전이를 갖는 ｖ2ｏ3 박막의 제조방법 | |
| US4575464A (en) | Method for producing thin films of rare earth chalcogenides | |
| Watson et al. | Non-crystalline chromium, molybdenum and tungsten phosphate films prepared by metal organic chemical vapour deposition | |
| Arvinte et al. | Preparation and characterization of CrNxOy thin films: The effect of composition and structural features on the electrical behavior | |
| JPS6121311B2 (ru) | ||
| Petkov et al. | On the Evaporation Process of the Ge–Se–Tl System | |
| Wagner et al. | Optically and thermally induced diffusion of silver and its diffusion profiles in amorphous layers of Ge-Se systems | |
| Lukic et al. | Complex non-crystalline chalcogenides: technology of preparation and spectral characteristics | |
| Hamieh et al. | Composition control of lead‐free piezoelectric BNT thin ceramic films deposited by ex situ sputtering | |
| Alamri | Effect of working pressure on the composition of a Cu2ZnSnS4 thin film deposited by RF sputtering of a single target | |
| US4626296A (en) | Synthesis of new amorphous metallic spin glasses | |
| Nath et al. | Electrical resistivity and thermoelectric power of copper-germanium films | |
| KR850004129A (ko) | 광학기록매체 및 그 제조방법 | |
| JP2513338B2 (ja) | 窒化ホウ素薄膜被覆基体の形成方法 | |
| Catalano et al. | A practical MOCVD approach to the growth of Pr1–xCaxMnO3 films on single crystal substrates | |
| Colibaba et al. | Low-Temperature CVT Sintering of In2O3: Sn Ceramics | |
| Sharipov et al. | Technology for obtaining VO2 films from the gas phase during thermal decomposition | |
| Glebovsky et al. | Deposition of cobalt disilicide thin films by laser ablation of cast targets | |
| El-Sayad et al. | Effect of annealing temperature on the structural and optical properties of Sb–Mn–Se thin films | |
| Stoilova et al. | Kinetics of Ge‐Se‐In Film Growth |