RU2004137139A - Способ получения высокотемпературных сверхпроводников на основе диборида магния - Google Patents
Способ получения высокотемпературных сверхпроводников на основе диборида магния Download PDFInfo
- Publication number
- RU2004137139A RU2004137139A RU2004137139/09A RU2004137139A RU2004137139A RU 2004137139 A RU2004137139 A RU 2004137139A RU 2004137139/09 A RU2004137139/09 A RU 2004137139/09A RU 2004137139 A RU2004137139 A RU 2004137139A RU 2004137139 A RU2004137139 A RU 2004137139A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- powder
- carried out
- temperature
- magnesium
- ampoule
- Prior art date
Links
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Claims (6)
1. Способ получения высокотемпературных сверхпроводников на основе диборида магния, включающий формирование полой металлической ампулы, заполнение ампулы порошком, содержащим компоненты сверхпроводящего соединения, деформирование полученного ампульно-порошкового элемента и его термообработку, отличающийся тем, что порошок представляет собой смесь стехиометричного состава, состоящую из порошка гомогенного гранулированного магния с очищенной пассивированной поверхностью и порошка аморфного бора, деформирование ампульно-порошкового элемента проводят экструзией с последующим волочением, термообработку проводят при температуре 800-900°С, в течение 1-10 ч в контролируемой среде.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что порошок гранулированного магния получают центробежным распылением расплава магния, нагретого до температуры 650-850°С, из тигля, вращающегося со скоростью 1000-6000 об/мин, и кристаллизацией распыленного магния в атмосфере гелия.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что экструзию проводят при температуре 450-500°С и величине коэффициента вытяжки 3-6 с последующим волочением со степенью деформации за проход 5-10%.
4. Способ по п.2, отличающийся тем, что экструзию проводят при температуре 450-500°С и величине коэффициента вытяжки 3-6 с последующим волочением со степенью деформации за проход 5-10%.
5. Способ по пп.1, или 2, или 3, или 4, отличающийся тем, что термообработку проводят в вакууме.
6. Способ по пп.1, или 2, или 3, или 4, отличающийся тем, что термообработку проводят в аргоне.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2004137139/09A RU2290708C2 (ru) | 2004-12-20 | 2004-12-20 | Способ получения высокотемпературных сверхпроводников на основе диборида магния |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2004137139/09A RU2290708C2 (ru) | 2004-12-20 | 2004-12-20 | Способ получения высокотемпературных сверхпроводников на основе диборида магния |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2004137139A true RU2004137139A (ru) | 2006-05-27 |
RU2290708C2 RU2290708C2 (ru) | 2006-12-27 |
Family
ID=36711213
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2004137139/09A RU2290708C2 (ru) | 2004-12-20 | 2004-12-20 | Способ получения высокотемпературных сверхпроводников на основе диборида магния |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2290708C2 (ru) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2442837C1 (ru) * | 2010-09-10 | 2012-02-20 | Учреждение Российской академии наук ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА РАН (ИФТТ РАН) | Способ получения высокотемпературного сверхпроводника в системе литий-теллурид сурьмы |
RU2640813C1 (ru) * | 2016-08-09 | 2018-01-12 | Акционерное общество "Высокотехнологический научно-исследовательский институт неорганических материалов имени академика А.А. Бочвара" | Способ получения сверхпроводников на основе диборида магния |
RU171955U1 (ru) * | 2016-08-09 | 2017-06-22 | Акционерное общество "Высокотехнологический научно-исследовательский институт неорганических материалов имени академика А.А. Бочвара" | Сверхпроводящий композиционный провод на основе диборида магния |
RU2706214C2 (ru) * | 2017-11-30 | 2019-11-15 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, (ФИАН) | Способ получения сверхпроводящих изделий |
-
2004
- 2004-12-20 RU RU2004137139/09A patent/RU2290708C2/ru active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2290708C2 (ru) | 2006-12-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN110002414B (zh) | 一种多孔氮化碳纳米管的制备方法 | |
CN112794328B (zh) | 一种制备MXene材料的方法 | |
Zheng et al. | Synthesis of boron nitride coatings on quartz fibers: Thickness control and mechanism research | |
TW200809015A (en) | Reusable crucibles and method of manufacturing them | |
Shimada et al. | Preparation and high temperature oxidation of SiC compositionally graded graphite coated with HfO2 | |
Wu et al. | Surface characterization and growth mechanism of laminated Ti3SiC2 crystals fabricated by hot isostatic pressing | |
RU2004137139A (ru) | Способ получения высокотемпературных сверхпроводников на основе диборида магния | |
CN105839056A (zh) | 一种铁基化合物超导薄膜的制备方法 | |
CN101844870B (zh) | 一种SiC-SiAlCN微晶玻璃的制造方法 | |
CN104909722A (zh) | 一种无氟溶胶-凝胶法合成Tl-2212超导薄膜的制备方法 | |
ES2334620B1 (es) | Procedimiento de fabricacion de ceramicas porosas y materiales multifasicos a partir de precursores celulosicos. | |
CN107161960A (zh) | 一种高压气相制备氮化硼球形粉体的方法与装置 | |
Lei et al. | Preparation of SrMoO4 thin films on Si substrates by chemical solution deposition | |
CN101709508B (zh) | 一种含铋的闪铋矿硅酸铋晶体的制备方法 | |
Xi et al. | Effect of nitrogen pressure on preparation of β-Si3N4 whiskers | |
CN108423647B (zh) | 化学气相沉积法制备宏量六方氮化硼粉体的方法 | |
CN100415951C (zh) | 一种适合SiC晶须生长的方法 | |
CN109904257A (zh) | 一种铯铅碘的制备和纯化方法 | |
CN107640750B (zh) | 氮化硼纳米片粉体及其低成本批量制备方法 | |
Guo et al. | (0 0 2)-oriented growth and morphologies of ZnO thin films prepared by sol-gel method | |
CN101220516A (zh) | 纳米MgO晶须的低温制备方法 | |
CN109112483B (zh) | 一种高速率生长高性能稀土钡铜氧高温超导膜的热处理方法 | |
JPH0662355B2 (ja) | 半導体融解装置用黒鉛部材の製造方法 | |
WO2011113338A1 (zh) | 一种提纯硅的方法 | |
CN101125652A (zh) | 一种碳化铝纳米带的合成方法 |