RU2004137139A - Способ получения высокотемпературных сверхпроводников на основе диборида магния - Google Patents

Способ получения высокотемпературных сверхпроводников на основе диборида магния Download PDF

Info

Publication number
RU2004137139A
RU2004137139A RU2004137139/09A RU2004137139A RU2004137139A RU 2004137139 A RU2004137139 A RU 2004137139A RU 2004137139/09 A RU2004137139/09 A RU 2004137139/09A RU 2004137139 A RU2004137139 A RU 2004137139A RU 2004137139 A RU2004137139 A RU 2004137139A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
powder
carried out
temperature
magnesium
ampoule
Prior art date
Application number
RU2004137139/09A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2290708C2 (ru
Inventor
Александр Константинович Шиков (RU)
Александр Константинович Шиков
Игорь Иванович Акимов (RU)
Игорь Иванович Акимов
Олег Валентинович Докман (RU)
Олег Валентинович Докман
Михаил Иванович Медведев (RU)
Михаил Иванович Медведев
Дмитрий Борисович Гусаков (RU)
Дмитрий Борисович Гусаков
Андрей Павлович Чуканов (RU)
Андрей Павлович Чуканов
Борис Владимирович Сафронов (RU)
Борис Владимирович Сафронов
Виктор Никифорович Родин (RU)
Виктор Никифорович Родин
Original Assignee
Федеральное государственное унитарное предпри тие"Всероссийский научно-исследовательский институт неорганических материалов им. акад. А.А. Бочвара" (RU)
Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт неорганических материалов им. акад. А.А. Бочвара"
Федеральное агенство по атомной энергии (RU)
Федеральное агенство по атомной энергии
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное унитарное предпри тие"Всероссийский научно-исследовательский институт неорганических материалов им. акад. А.А. Бочвара" (RU), Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский институт неорганических материалов им. акад. А.А. Бочвара", Федеральное агенство по атомной энергии (RU), Федеральное агенство по атомной энергии filed Critical Федеральное государственное унитарное предпри тие"Всероссийский научно-исследовательский институт неорганических материалов им. акад. А.А. Бочвара" (RU)
Priority to RU2004137139/09A priority Critical patent/RU2290708C2/ru
Publication of RU2004137139A publication Critical patent/RU2004137139A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2290708C2 publication Critical patent/RU2290708C2/ru

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E40/00Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
    • Y02E40/60Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment

Landscapes

  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Claims (6)

1. Способ получения высокотемпературных сверхпроводников на основе диборида магния, включающий формирование полой металлической ампулы, заполнение ампулы порошком, содержащим компоненты сверхпроводящего соединения, деформирование полученного ампульно-порошкового элемента и его термообработку, отличающийся тем, что порошок представляет собой смесь стехиометричного состава, состоящую из порошка гомогенного гранулированного магния с очищенной пассивированной поверхностью и порошка аморфного бора, деформирование ампульно-порошкового элемента проводят экструзией с последующим волочением, термообработку проводят при температуре 800-900°С, в течение 1-10 ч в контролируемой среде.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что порошок гранулированного магния получают центробежным распылением расплава магния, нагретого до температуры 650-850°С, из тигля, вращающегося со скоростью 1000-6000 об/мин, и кристаллизацией распыленного магния в атмосфере гелия.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что экструзию проводят при температуре 450-500°С и величине коэффициента вытяжки 3-6 с последующим волочением со степенью деформации за проход 5-10%.
4. Способ по п.2, отличающийся тем, что экструзию проводят при температуре 450-500°С и величине коэффициента вытяжки 3-6 с последующим волочением со степенью деформации за проход 5-10%.
5. Способ по пп.1, или 2, или 3, или 4, отличающийся тем, что термообработку проводят в вакууме.
6. Способ по пп.1, или 2, или 3, или 4, отличающийся тем, что термообработку проводят в аргоне.
RU2004137139/09A 2004-12-20 2004-12-20 Способ получения высокотемпературных сверхпроводников на основе диборида магния RU2290708C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2004137139/09A RU2290708C2 (ru) 2004-12-20 2004-12-20 Способ получения высокотемпературных сверхпроводников на основе диборида магния

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2004137139/09A RU2290708C2 (ru) 2004-12-20 2004-12-20 Способ получения высокотемпературных сверхпроводников на основе диборида магния

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2004137139A true RU2004137139A (ru) 2006-05-27
RU2290708C2 RU2290708C2 (ru) 2006-12-27

Family

ID=36711213

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2004137139/09A RU2290708C2 (ru) 2004-12-20 2004-12-20 Способ получения высокотемпературных сверхпроводников на основе диборида магния

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2290708C2 (ru)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2442837C1 (ru) * 2010-09-10 2012-02-20 Учреждение Российской академии наук ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА РАН (ИФТТ РАН) Способ получения высокотемпературного сверхпроводника в системе литий-теллурид сурьмы
RU2640813C1 (ru) * 2016-08-09 2018-01-12 Акционерное общество "Высокотехнологический научно-исследовательский институт неорганических материалов имени академика А.А. Бочвара" Способ получения сверхпроводников на основе диборида магния
RU171955U1 (ru) * 2016-08-09 2017-06-22 Акционерное общество "Высокотехнологический научно-исследовательский институт неорганических материалов имени академика А.А. Бочвара" Сверхпроводящий композиционный провод на основе диборида магния
RU2706214C2 (ru) * 2017-11-30 2019-11-15 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, (ФИАН) Способ получения сверхпроводящих изделий

Also Published As

Publication number Publication date
RU2290708C2 (ru) 2006-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110002414B (zh) 一种多孔氮化碳纳米管的制备方法
CN112794328B (zh) 一种制备MXene材料的方法
Zheng et al. Synthesis of boron nitride coatings on quartz fibers: Thickness control and mechanism research
TW200809015A (en) Reusable crucibles and method of manufacturing them
Shimada et al. Preparation and high temperature oxidation of SiC compositionally graded graphite coated with HfO2
Wu et al. Surface characterization and growth mechanism of laminated Ti3SiC2 crystals fabricated by hot isostatic pressing
RU2004137139A (ru) Способ получения высокотемпературных сверхпроводников на основе диборида магния
CN105839056A (zh) 一种铁基化合物超导薄膜的制备方法
CN101844870B (zh) 一种SiC-SiAlCN微晶玻璃的制造方法
CN104909722A (zh) 一种无氟溶胶-凝胶法合成Tl-2212超导薄膜的制备方法
ES2334620B1 (es) Procedimiento de fabricacion de ceramicas porosas y materiales multifasicos a partir de precursores celulosicos.
CN107161960A (zh) 一种高压气相制备氮化硼球形粉体的方法与装置
Lei et al. Preparation of SrMoO4 thin films on Si substrates by chemical solution deposition
CN101709508B (zh) 一种含铋的闪铋矿硅酸铋晶体的制备方法
Xi et al. Effect of nitrogen pressure on preparation of β-Si3N4 whiskers
CN108423647B (zh) 化学气相沉积法制备宏量六方氮化硼粉体的方法
CN100415951C (zh) 一种适合SiC晶须生长的方法
CN109904257A (zh) 一种铯铅碘的制备和纯化方法
CN107640750B (zh) 氮化硼纳米片粉体及其低成本批量制备方法
Guo et al. (0 0 2)-oriented growth and morphologies of ZnO thin films prepared by sol-gel method
CN101220516A (zh) 纳米MgO晶须的低温制备方法
CN109112483B (zh) 一种高速率生长高性能稀土钡铜氧高温超导膜的热处理方法
JPH0662355B2 (ja) 半導体融解装置用黒鉛部材の製造方法
WO2011113338A1 (zh) 一种提纯硅的方法
CN101125652A (zh) 一种碳化铝纳米带的合成方法