RU2004129703A - Способ изготовления полупроводниковых приборов - Google Patents

Способ изготовления полупроводниковых приборов Download PDF

Info

Publication number
RU2004129703A
RU2004129703A RU2004129703/28A RU2004129703A RU2004129703A RU 2004129703 A RU2004129703 A RU 2004129703A RU 2004129703/28 A RU2004129703/28 A RU 2004129703/28A RU 2004129703 A RU2004129703 A RU 2004129703A RU 2004129703 A RU2004129703 A RU 2004129703A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
semiconductor devices
wafers
wafer
crystals
topology
Prior art date
Application number
RU2004129703/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2302684C2 (ru
Inventor
Петр Борисович Константинов (RU)
Петр Борисович Константинов
Юлий Абрамович Концевой (RU)
Юлий Абрамович Концевой
Олег Вениаминович Сопов (RU)
Олег Вениаминович Сопов
Original Assignee
Закрытое акционерное общество "ИНТСЭТ" (RU)
Закрытое акционерное общество "ИНТСЭТ"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Закрытое акционерное общество "ИНТСЭТ" (RU), Закрытое акционерное общество "ИНТСЭТ" filed Critical Закрытое акционерное общество "ИНТСЭТ" (RU)
Priority to RU2004129703/28A priority Critical patent/RU2302684C2/ru
Publication of RU2004129703A publication Critical patent/RU2004129703A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2302684C2 publication Critical patent/RU2302684C2/ru

Links

Landscapes

  • Weting (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Claims (2)

1. Способ изготовления полупроводниковых приборов на кремниевых пластинах с кристаллографической ориентацией {100}, включающий создание на одной из сторон кремниевой пластины областей с элементами топологии полупроводниковых приборов и разделением пластины на кристаллы, отличающийся тем, что дополнительно перед разделением пластины на кристаллы проводят ее утонение путем химического травления в селективном для кристаллографической ориентации {100} травителе, причем в процессе изготовления перед травлением на обратной стороне пластины формируют защитную маску, обеспечивающую защиту периферийных областей пластины таким образом, что внутренняя конфигурация периферии площади маски совпадает с наружной конфигурацией периферии площади структур на лицевой стороне пластины.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что перед утонением полупроводниковые пластины склеивают попарно сторонами, содержащими элементы топологии полупроводниковых приборов, с последующим перед разделением пластин на кристаллы разъединением пластин.
RU2004129703/28A 2004-10-15 2004-10-15 Способ изготовления полупроводниковых приборов RU2302684C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2004129703/28A RU2302684C2 (ru) 2004-10-15 2004-10-15 Способ изготовления полупроводниковых приборов

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2004129703/28A RU2302684C2 (ru) 2004-10-15 2004-10-15 Способ изготовления полупроводниковых приборов

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2004129703A true RU2004129703A (ru) 2006-03-20
RU2302684C2 RU2302684C2 (ru) 2007-07-10

Family

ID=36117002

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2004129703/28A RU2302684C2 (ru) 2004-10-15 2004-10-15 Способ изготовления полупроводниковых приборов

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2302684C2 (ru)

Also Published As

Publication number Publication date
RU2302684C2 (ru) 2007-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9899432B2 (en) Printable device wafers with sacrificial layers gaps
US10460971B2 (en) Multi-chip package assembly
WO2007002426A3 (en) Semiconductor device structures and methods of forming semiconductor structures
JP2005340423A5 (ru)
TW200620460A (en) Method of manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor substrate
JP2008270775A5 (ru)
JP2010251632A5 (ru)
JP2006019429A5 (ru)
JP2009043811A (ja) 半導体ウェハの個片化方法
US20200118879A1 (en) Semiconductor Device and Method
JP2017535960A5 (ru)
TW201205689A (en) Method of etching and singulating a cap wafer
RU2004129703A (ru) Способ изготовления полупроводниковых приборов
JP2006093678A5 (ru)
JP2006012914A (ja) 集積回路チップの製造方法及び半導体装置
TW201138010A (en) Substrate fixing jigs for packaging and fabrication methods for semiconductor chip packages
JPS59220947A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS6015155B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2004349550A (ja) 半導体デバイス及びその製造方法
JP2011249564A5 (ru)
JP2004014658A5 (ru)
JP2005142319A5 (ru)
TW201405817A (zh) 半導體構造及形成半導體構造之方法
JP3028799B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2003007931A (ja) 半導体装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees