RU2004106391A - Силовой ключ на мдп-транзисторе - Google Patents

Силовой ключ на мдп-транзисторе Download PDF

Info

Publication number
RU2004106391A
RU2004106391A RU2004106391/09A RU2004106391A RU2004106391A RU 2004106391 A RU2004106391 A RU 2004106391A RU 2004106391/09 A RU2004106391/09 A RU 2004106391/09A RU 2004106391 A RU2004106391 A RU 2004106391A RU 2004106391 A RU2004106391 A RU 2004106391A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
transformer
transistors
mos transistor
collector
power key
Prior art date
Application number
RU2004106391/09A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2262799C1 (ru
Inventor
Павел Васильевич Михеев (RU)
Павел Васильевич Михеев
Михаил Иванович Соколов (RU)
Михаил Иванович Соколов
Евгений Ильич Крутских (RU)
Евгений Ильич Крутских
Владимир Николаевич Руденко (RU)
Владимир Николаевич Руденко
Original Assignee
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ УНИТАРНОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ "Научно-производственное объединение прикладной механики им. акад. М.Ф. Решетнева" (RU)
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное объединение прикладной механики им. акад. М.Ф. Решетнева"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ УНИТАРНОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ "Научно-производственное объединение прикладной механики им. акад. М.Ф. Решетнева" (RU), Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное объединение прикладной механики им. акад. М.Ф. Решетнева" filed Critical ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ УНИТАРНОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ "Научно-производственное объединение прикладной механики им. акад. М.Ф. Решетнева" (RU)
Priority to RU2004106391/09A priority Critical patent/RU2262799C1/ru
Publication of RU2004106391A publication Critical patent/RU2004106391A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2262799C1 publication Critical patent/RU2262799C1/ru

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Claims (1)

  1. Силовой ключ на МДП-транзисторе, содержащий транзисторы одинаковой проводимости, коллекторно-эмиттерные переходы которых зашунтированы диодами в запирающем направлении, коллектор одного из транзисторов подключен к затвору МДП-транзистора, трансформатор, резистор, отличающийся тем, что в трансформатор введена дополнительная обмотка, крайние выводы которой подключены к базам транзисторов, эмиттеры которых соединены непосредственно, к точке соединения эмиттеров через резистор подключена средняя точка дополнительной обмотки, а ее начало подключено к базе того транзистора, коллектор которого подключен к началу вторичной обмотки трансформатора, конец которой непосредственно подключен к истоку МДП-транзистора.
RU2004106391/09A 2004-03-04 2004-03-04 Силовой ключ на мдп-транзисторе RU2262799C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2004106391/09A RU2262799C1 (ru) 2004-03-04 2004-03-04 Силовой ключ на мдп-транзисторе

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2004106391/09A RU2262799C1 (ru) 2004-03-04 2004-03-04 Силовой ключ на мдп-транзисторе

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2004106391A true RU2004106391A (ru) 2005-08-10
RU2262799C1 RU2262799C1 (ru) 2005-10-20

Family

ID=35844918

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2004106391/09A RU2262799C1 (ru) 2004-03-04 2004-03-04 Силовой ключ на мдп-транзисторе

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2262799C1 (ru)

Also Published As

Publication number Publication date
RU2262799C1 (ru) 2005-10-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2008013724A3 (en) Improved controller for oring field effect transistor
DE60302831D1 (de) Halbleiterschalter mit isolierten MOS-Transistoren
DE60331221D1 (de) Integrierter Leistungs-Schaltkreis mit verteiltem Gattertreiber
KR940019047A (ko) 전원 회로
DE60127696D1 (de) Graben-dmos-transistor mit schwach-dotierter source-struktur
SE0002714D0 (sv) An arrangement in a power mosfelt
KR870009542A (ko) Mosfet의 소오스가 부하에 연결되는 mosfet를 동작시키기 위한 회로배열
GB2433168A (en) Temperature-compensated bias circuit for power amplifier
TW200729697A (en) Power amplifier
RU2004106391A (ru) Силовой ключ на мдп-транзисторе
DE69935024D1 (de) Halbleiterbauelement mit Bipolartransistor
RU2008114639A (ru) Силовой ключ на мдп-транзисторе
TW326598B (en) Output circuit
KR960012466A (ko) 전기 신호 처리 장치
DE69738057D1 (de) Halbleiteranordnung mit einem einen parasitären Transistor beinhaltenden MOS-Leistungstransistor
RU2001118296A (ru) Силовой ключ на МДП-транзисторе
KR850006989A (ko) 달링턴 트랜지스터 장치 및 이를 이용한 푸시풀 증폭기
RU98111842A (ru) Силовой ключ на мдп-транзисторе
IT1309699B1 (it) Dispositivo con transistore bipolare e transistore mosfet integratiin configurazione emitter switching
EP1418665A4 (en) FREQUENCY CONVERTER
RU2340085C1 (ru) Силовой ключ на мдп-транзисторе
JP2002232270A5 (ru)
FR2797362B1 (fr) Echantillonneur-bloqueur
RU2005120346A (ru) Преобразователь напряжения
RU2223596C2 (ru) Силовой ключ на мдп-транзисторе

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20110305