RU2001118296A - Силовой ключ на МДП-транзисторе - Google Patents
Силовой ключ на МДП-транзистореInfo
- Publication number
- RU2001118296A RU2001118296A RU2001118296/09A RU2001118296A RU2001118296A RU 2001118296 A RU2001118296 A RU 2001118296A RU 2001118296/09 A RU2001118296/09 A RU 2001118296/09A RU 2001118296 A RU2001118296 A RU 2001118296A RU 2001118296 A RU2001118296 A RU 2001118296A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- mos transistor
- power switch
- transistor power
- transistors
- transformer
- Prior art date
Links
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims 1
Claims (1)
- Силовой ключ на МДП-транзисторе, содержащий трансформатор, диоды, транзисторы одинаковой проводимости, между базами которых включен резистор, эмиттеры подключены ко вторичной обмотке трансформатора, а коллекторы к переходу затвор-исток МДП-транзистора, отличающийся тем, что базо-эмиттерные переходы транзисторов зашунтированы диодами в запирающем направлении.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2001118296/09A RU2223596C2 (ru) | 2001-07-02 | 2001-07-02 | Силовой ключ на мдп-транзисторе |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2001118296/09A RU2223596C2 (ru) | 2001-07-02 | 2001-07-02 | Силовой ключ на мдп-транзисторе |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2001118296A true RU2001118296A (ru) | 2003-06-27 |
RU2223596C2 RU2223596C2 (ru) | 2004-02-10 |
Family
ID=32172007
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2001118296/09A RU2223596C2 (ru) | 2001-07-02 | 2001-07-02 | Силовой ключ на мдп-транзисторе |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2223596C2 (ru) |
-
2001
- 2001-07-02 RU RU2001118296/09A patent/RU2223596C2/ru not_active IP Right Cessation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE68923017T2 (de) | Bipolar- und CMOS-Transistoren verwendende integrierte Halbleiterschaltung. | |
WO2002049116A3 (en) | Vertical junction field effect semiconductor diodes | |
RU2001118296A (ru) | Силовой ключ на МДП-транзисторе | |
TW326598B (en) | Output circuit | |
DE69032255T2 (de) | Monolithische Halbleiteranordnung mit CCD-, bipolaren und MOS-Strukturen | |
RU98111842A (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
ATE77180T1 (de) | Geschaltete stromquelle. | |
RU2004106391A (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
CA2046815A1 (en) | Semiconductor integrating circuit | |
JPH0344915U (ru) | ||
IT8619231A0 (it) | Transistori bipolari a giunzione, procedimento per la fabbricazione transistori cmos e dmosdi dispositivi monolitici a complementari e diodi a bassa semiconduttore contenenti perdita. | |
RU98109149A (ru) | Устройство управления полевым транзистором | |
RU2000130725A (ru) | Преобразователь с обратным ходом для работы в непрерывном режиме | |
RU96115852A (ru) | Транзисторный коммутатор | |
JPS62204152U (ru) | ||
JPH0398524U (ru) | ||
JPS61149429U (ru) | ||
JPH0390317U (ru) | ||
JPS63101544U (ru) | ||
JPS6249261U (ru) | ||
JPH01104748U (ru) | ||
JPS62181025U (ru) | ||
JPH0262835U (ru) | ||
DE69618343D1 (de) | Leistungshalbleiterbauelementstruktur mit vertikalem PNP-Transistor | |
JPH0397234U (ru) |