RU2001118296A - Силовой ключ на МДП-транзисторе - Google Patents
Силовой ключ на МДП-транзистореInfo
- Publication number
- RU2001118296A RU2001118296A RU2001118296/09A RU2001118296A RU2001118296A RU 2001118296 A RU2001118296 A RU 2001118296A RU 2001118296/09 A RU2001118296/09 A RU 2001118296/09A RU 2001118296 A RU2001118296 A RU 2001118296A RU 2001118296 A RU2001118296 A RU 2001118296A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- mos transistor
- power switch
- transistor power
- transistors
- transformer
- Prior art date
Links
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims 1
Claims (1)
- Силовой ключ на МДП-транзисторе, содержащий трансформатор, диоды, транзисторы одинаковой проводимости, между базами которых включен резистор, эмиттеры подключены ко вторичной обмотке трансформатора, а коллекторы к переходу затвор-исток МДП-транзистора, отличающийся тем, что базо-эмиттерные переходы транзисторов зашунтированы диодами в запирающем направлении.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2001118296/09A RU2223596C2 (ru) | 2001-07-02 | 2001-07-02 | Силовой ключ на мдп-транзисторе |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2001118296/09A RU2223596C2 (ru) | 2001-07-02 | 2001-07-02 | Силовой ключ на мдп-транзисторе |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2001118296A true RU2001118296A (ru) | 2003-06-27 |
| RU2223596C2 RU2223596C2 (ru) | 2004-02-10 |
Family
ID=32172007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2001118296/09A RU2223596C2 (ru) | 2001-07-02 | 2001-07-02 | Силовой ключ на мдп-транзисторе |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2223596C2 (ru) |
-
2001
- 2001-07-02 RU RU2001118296/09A patent/RU2223596C2/ru not_active IP Right Cessation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE68923017D1 (de) | Bipolar- und CMOS-Transistoren verwendende integrierte Halbleiterschaltung. | |
| WO2002049116A3 (en) | Vertical junction field effect semiconductor diodes | |
| RU2001118296A (ru) | Силовой ключ на МДП-транзисторе | |
| TW326598B (en) | Output circuit | |
| RU98111842A (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
| RU2004106391A (ru) | Силовой ключ на мдп-транзисторе | |
| CA2046815A1 (en) | Semiconductor integrating circuit | |
| RU96105499A (ru) | Ключевое устройство | |
| RU98109149A (ru) | Устройство управления полевым транзистором | |
| RU2000130725A (ru) | Преобразователь с обратным ходом для работы в непрерывном режиме | |
| RU96115852A (ru) | Транзисторный коммутатор | |
| JPS6254540U (ru) | ||
| JPS62204152U (ru) | ||
| JPH01153739U (ru) | ||
| JPH02112040U (ru) | ||
| JPH0398524U (ru) | ||
| JPH0316358U (ru) | ||
| JPH0390317U (ru) | ||
| JPS6249261U (ru) | ||
| RU1775852C (ru) | Коммутирующее устройство | |
| JPH01104748U (ru) | ||
| DE69618343D1 (de) | Leistungshalbleiterbauelementstruktur mit vertikalem PNP-Transistor | |
| IT210852Z2 (it) | Dispositivo monolitico a semiconduttore contenente transistori bipolari a giunzione, transitori cmos e dmoscomplementari e diodi a bassa perdita. | |
| JPH0397234U (ru) | ||
| JPS61163436U (ru) |