RU2003137773A - Лазер поверхностного излучения с вертикальным резонатором с перестройкой длины волны и способ его изготовления - Google Patents

Лазер поверхностного излучения с вертикальным резонатором с перестройкой длины волны и способ его изготовления Download PDF

Info

Publication number
RU2003137773A
RU2003137773A RU2003137773/28A RU2003137773A RU2003137773A RU 2003137773 A RU2003137773 A RU 2003137773A RU 2003137773/28 A RU2003137773/28 A RU 2003137773/28A RU 2003137773 A RU2003137773 A RU 2003137773A RU 2003137773 A RU2003137773 A RU 2003137773A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
semiconductor laser
bias voltage
control device
phase adjustment
region
Prior art date
Application number
RU2003137773/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Николай Николаевич ЛЕДЕНЦОВ (DE)
Николай Николаевич ЛЕДЕНЦОВ
Виталий Александрович ЩУКИН (DE)
Виталий Александрович ЩУКИН
Original Assignee
Николай Николаевич ЛЕДЕНЦОВ (DE)
Николай Николаевич ЛЕДЕНЦОВ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Николай Николаевич ЛЕДЕНЦОВ (DE), Николай Николаевич ЛЕДЕНЦОВ filed Critical Николай Николаевич ЛЕДЕНЦОВ (DE)
Publication of RU2003137773A publication Critical patent/RU2003137773A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18302—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] comprising an integrated optical modulator
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
    • H01S5/0264—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices for monitoring the laser-output
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
    • H01S5/06203—Transistor-type lasers
    • H01S5/06206—Controlling the frequency of the radiation, e.g. tunable twin-guide lasers [TTG]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
    • H01S5/18322—Position of the structure
    • H01S5/1833—Position of the structure with more than one structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H01S5/18341—Intra-cavity contacts

Claims (54)

1. Полупроводниковый лазер поверхностного излучения с вертикальным резонатором с перестройкой длины волны, содержащий
a) подложку;
b) нижнее зеркало, сформированное над подложкой отражателем Брегга;
c) активный элемент, который содержит
i) слой генерирования света, излучающий свет при воздействии на него инжекционного тока при приложении прямого смещения,
ii) первую легированную n-область растекания тока над подложкой и под слоем генерирования света,
iii) первую легированную p-область растекания тока над слоем генерирования света,
iv) токовые апертуры, расположенные между каждой соседней областью, и
v) устройство управления активным элементом посредством напряжения смещения, прикладываемого между легированной n-областью растекания тока и легированной p-областью растекания тока с возможностью инжектирования тока в слой, генерирующий свет, для генерирования света;
d) элемент регулировки фазы, который содержит
i) слой модуляции, расположенный над первой легированной p–областью растекания тока, который модулирует длину волны света под воздействием электрического поля, в случае прикладывания обратного смещения, или инжекционного тока, в случае прикладывания прямого смещения, за счет оптоэлектронного эффекта, зависящего от положения,
ii) вторую легированную n-область растекания тока над слоем модуляции,
iii) токовые апертуры, расположенные между каждой соседней областью, и
iv) устройство управления элементом регулировки фазы посредством напряжения смещения, прикладываемого между второй легированной n-областью растекания тока и первой легированной p-областью растекания тока с возможностью формирования электрического поля, которое вызывает модуляцию длины волны света слоем модуляции, и
e) верхнее зеркало, сформированное отражателем Брегга над второй легированной n-областью растекания тока.
2. Полупроводниковый лазер по п.1, дополнительно содержащий фотоприемный элемент, выполненный с возможностью измерения светового сигнала на выходе лазера.
3. Полупроводниковый лазер по п.2, в котором фотоприемный элемент является оперативно связанным с устройством управления активным элементом посредством напряжения смещения таким образом, что сигнал выхода активного элемента зависит от измерения светового сигнала на выходе лазера.
4. Полупроводниковый лазер по п.2, в котором фотоприемный элемент является оперативно связанным с устройством управления элементом регулировки фазы посредством напряжения смещения таким образом, что модуляция в элементе регулировки фазы зависит от измерения светового сигнала на выходе лазера.
5. Полупроводниковый лазер по п.3, в котором фотоприемный элемент является оперативно связанным с устройством управления элементом регулировки фазы посредством напряжения смещения таким образом, что модуляция в элементе регулировки фазы зависит от измерения светового сигнала на выходе лазера.
6. Полупроводниковый лазер по п.1, в котором устройство управления активным элементом посредством напряжения смещения выполнено с возможностью прикладывания прямого смещения.
7. Полупроводниковый лазер по п.1, в котором устройство управления элементом регулировки фазы посредством напряжения смещения выполнено с возможностью прикладывания обратного смещения.
8. Полупроводниковый лазер по п.1, в котором устройство управления элементом регулировки фазы посредством напряжения смещения выполнено с возможностью прикладывания прямого смещения.
9. Полупроводниковый лазер по п.7, в котором элемент регулировки фазы настроен для смещения длины волны излучаемого света в направлении более длинных волн.
10. Полупроводниковый лазер по п.7, в котором элемент регулировки фазы установлен для смещения длины волны излучаемого света в направлении более коротких волн.
11. Полупроводниковый лазер по п.8, в котором элемент регулировки фазы установлен для смещения длины волны излучаемого света в направлении более длинных волн.
12. Полупроводниковый лазер по п.8, в котором элемент регулировки фазы установлен для смещения длины волны излучаемого света в направлении более коротких волн.
13. Полупроводниковый лазер по п.1, дополнительно содержащий
f) элемент корректора, который содержит
i) слой поглощения света, расположенный над второй легированной n–областью растекания тока,
ii) вторую легированную p-область растекания тока над слоем поглощения,
iii) токовые апертуры, расположенные между каждой соседней областью, и
iv) устройство управления элементом корректора напряжением смещения между второй легированной n-областью растекания тока и второй легированной p-областью растекания тока с возможностью формирования электрического поля при прикладывании обратного смещения, или с возможностью инжекции тока при прикладывании прямого смещения, и с обеспечением слоем поглощения изменений коэффициента поглощения в результате воздействия электрического поля или тока.
14. Полупроводниковый лазер по п.13, в котором устройство управления элементом корректора посредством напряжения смещения выполнено с возможностью прикладывания обратного смещения.
15. Полупроводниковый лазер по п.13, в котором устройство управления элементом корректора посредством напряжения смещения выполнено с возможностью прикладывания прямого смещения.
16. Полупроводниковый лазер по п.13, дополнительно содержащий фотоприемный элемент, выполненный с возможностью измерения выходного светового сигнала лазера.
17. Полупроводниковый лазер по п.16, в котором фотоприемный элемент является оперативно связанным с устройством управления активным элементом посредством напряжения смещения таким образом, что выходной сигнал активного элемента зависит от измерения выходного светового сигнала лазера.
18. Полупроводниковый лазер по п.16, в котором фотоприемный элемент является оперативно связанным с устройством управления элементом регулировки фазы посредством напряжения смещения таким образом, что модуляция в элементе регулировки фазы зависит от измерения выходного светового сигнала лазера.
19. Полупроводниковый лазер по п.17, в котором фотоприемный элемент является оперативно связанным с устройством управления элементом регулировки фазы посредством напряжения смещения так, что модуляция в элементе регулировки фазы зависит от измерения выходного светового сигнала лазера.
20. Полупроводниковый лазер по п.16, в котором фотоприемный элемент является оперативно связанным с управляющим устройством смещения элемента коррекции так, что модуляция в элементе коррекции зависит от измерения выходного светового сигнала лазера.
21. Полупроводниковый лазер по п.17, в котором фотоприемный элемент является оперативно связанным с управляющим устройством смещения элемента коррекции так, что модуляция в элементе коррекции зависит от измерения выходного светового сигнала лазера.
22. Полупроводниковый лазер по п.18, в котором фотоприемный элемент является оперативно связанным с управляющим устройством смещения элемента коррекции так, что модуляция в элементе коррекции зависит от измерения выходного светового сигнала лазера.
23. Полупроводниковый лазер по п.19, в котором фотоприемный элемент является оперативно связанным с управляющим устройством смещения элемента коррекции так, что модуляция в элементе коррекции зависит от измерения выходного светового сигнала лазера.
24. Полупроводниковый лазер поверхностного излучения с вертикальным резонатором с перестройкой длины волны, содержащий
a) подложку;
b) нижнее зеркало, сформированное над подложкой отражателем Брегга;
c) активный элемент, который содержит
i) слой генерирования света, излучающий свет, когда осуществляется инжекция тока,
ii) первую легированную n-область растекания тока над подложкой и под слоем генерации света,
iii) первую легированную p-область растекания тока над слоем генерирования света,
iv) токовые апертуры, расположенные между каждой соседней областью, и
v) устройство управления активным элементом посредством подачи напряжения смещения между легированной n-областью растекания тока и легированной p-областью растекания тока с возможностью инжекции тока в слой генерирования света для генерирования света;
d) первый элемент регулировки фазы, который содержит
i) первый слой модуляции, расположенный над первой легированной p–областью растекания тока, который модулирует длину волны света под воздействием электрического поля, при прикладывании обратного смещения, или инжекционного тока, при прикладывании прямого смещения, за счет оптоэлектронного эффекта, зависящего от положения,
ii) вторую легированную n-область растекания тока над слоем модуляции,
iii) токовые апертуры, расположенные между каждой соседней областью, и
iv) устройство управления первым элементом регулировки фазы посредством подачи напряжения смещения между второй легированной n-областью растекания тока и первой легированной p-областью растекания тока с возможностью формирования электрического поля, которое вызывает модуляцию длины волны света первым слоем модуляции, и
e) второй элемент регулировки фазы, который содержит
i) второй слой модуляции, расположенный над второй легированной n–областью растекания тока, который модулирует длину волны света под воздействием электрического поля, при прикладывании обратного смещения, или инжекционного тока, при прикладывании прямого смещения, за счет оптоэлектронного эффекта, зависящего от положения, при этом второй слой модуляции настроен на формирование смещения длины волны излучаемого света в спектре в направлении, противоположном относительно первого слоя модуляции,
ii) вторую легированную p-область растекания тока над слоем модуляции,
iii) токовые апертуры, расположенные между каждой соседней областью, и
iv) устройство управления вторым элементом регулировки фазы посредством подачи напряжения смещения между второй легированной n-областью растекания тока и второй легированной p-областью растекания тока с возможностью формирования электрического поля, которое вызывает модуляцию длины волны света вторым слоем модуляции, и
e) верхнее зеркало, сформированное областью отражателя Брегга над второй легированной p-областью растекания тока.
25. Полупроводниковый лазер по п.24, дополнительно содержащий фотоприемный элемент, выполненный с возможностью измерения выходного светового сигнала лазера.
26. Полупроводниковый лазер по п.25, в котором фотоприемный элемент является оперативно связанным с устройством управления активным элементом посредством напряжения смещения так, что выходной сигнал активного элемента зависит от измерения выходного светового сигнала лазера.
27. Полупроводниковый лазер по п.25, в котором фотоприемный элемент является оперативно связанным с устройством управления первым элементом регулировки фазы посредством напряжения смещения так, что модуляция первого элемента регулировки фазы зависит от измерения выходного светового сигнала лазера.
28. Полупроводниковый лазер по п.26, в котором фотоприемный элемент является оперативно связанным с устройством
управления первым элементом регулировки фазы посредством напряжения смещения так, что модуляция первого элемента регулировки фазы зависит от измерения выходного светового сигнала лазера.
29. Полупроводниковый лазер по п.25, в котором фотоприемный элемент является оперативно связанным с устройством управления вторым элементом регулировки фазы посредством напряжения смещения так, что модуляция второго элемента регулировки фазы зависит от измерения выходного светового сигнала лазера.
30. Полупроводниковый лазер по п.26, в котором фотоприемный элемент является оперативно связанным с устройством управления вторым элементом регулировки фазы посредством напряжения смещения так, что модуляция второго элемента регулировки фазы зависит от измерения выходного светового сигнала лазера.
31. Полупроводниковый лазер по п.24, в котором устройство управления активным элементом посредством напряжения смещения выполнено с возможностью прикладывания прямого смещения.
32. Полупроводниковый лазер по п.24, в котором устройство управления первым элементом регулировки фазы посредством напряжения смещения выполнено с возможностью прикладывания обратного смещения.
33. Полупроводниковый лазер по п.24, в котором устройство управления первым элементом регулировки фазы посредством напряжения смещения выполнено с возможностью прикладывания прямого смещения.
34. Полупроводниковый лазер по п.24, в котором устройство управления вторым элементом регулировки фазы посредством напряжения смещения выполнено с возможностью прикладывания обратного смещения.
35. Полупроводниковый лазер по п.24, в котором устройство управления вторым элементом регулировки фазы посредством напряжения смещения выполнено с возможностью прикладывания прямого смещения.
36. Полупроводниковый лазер по п.24, дополнительно содержащий
g) элемент корректора, который содержит
i) слой поглощения света при воздействии на него электрического поля, расположенный над второй легированной p–областью растекания тока,
ii) третью легированную n-область растекания тока над слоем поглощения,
iii) токовые апертуры, расположенные между каждой соседней областью, и
iv) устройство управления элементом корректора посредством подачи напряжения смещения между второй легированной p-областью растекания тока и третьей легированной n-областью растекания тока с возможностью формирования электрического поля, сопровождаемой поглощением света слоем поглощения в результате воздействия электрического поля.
37. Полупроводниковый лазер по п.36, в котором устройство управления элементом корректора посредством напряжения смещения прикладывает обратное смещение.
38. Полупроводниковый лазер по п.36, в котором устройство управления элементом корректора посредством напряжения смещения прикладывает прямое смещение.
39. Полупроводниковый лазер по п.36, дополнительно содержащий фотоприемный элемент, выполненный с возможностью измерения выходного светового сигнала лазера.
40. Полупроводниковый лазер по п.39, в котором фотоприемный элемент является оперативно связанным с устройством управления активным элементом посредством напряжения смещения так, что выходной сигнал активного элемента зависит от измерения выходного светового сигнала лазера.
41. Полупроводниковый лазер по п.39, в котором фотоприемный элемент является оперативно связанным с устройством управления первым элементом регулировки фазы посредством напряжения смещения так, что модуляция первого элемента регулировки фазы зависит от измерения выходного светового сигнала лазера.
42. Полупроводниковый лазер по п.40, в котором фотоприемный элемент является оперативно связанным с устройством управления первым элементом регулировки фазы посредством напряжения смещения так, что модуляция первого элемента регулировки фазы зависит от измерения выходного светового сигнала лазера.
43. Полупроводниковый лазер по п.39, в котором фотоприемный элемент является оперативно связанным с устройством управления вторым элементом регулировки фазы посредством напряжения смещения так, что модуляция второго элемента
регулировки фазы зависит от измерения выходного светового сигнала лазера.
44. Полупроводниковый лазер по п.40, в котором фотоприемный элемент является оперативно связанным с устройством управления вторым элементом регулировки фазы посредством напряжения смещения так, что модуляция второго элемента регулировки фазы зависит от измерения выходного светового сигнала лазера.
45. Полупроводниковый лазер по п.39, в котором фотоприемный элемент является оперативно связанным с устройством управления элементом коррекции посредством напряжения смещения так, что модуляция в элементе коррекции зависит от измерения выходного светового сигнала лазера.
46. Полупроводниковый лазер по п.40, в котором фотоприемный элемент является оперативно связанным с устройством управления элементом коррекции посредством напряжения смещения так, что модуляция в элементе коррекции зависит от измерения выходного светового сигнала лазера.
47. Полупроводниковый лазер по п.41, в котором фотоприемный элемент является оперативно связанным с устройством управления элементом коррекции посредством напряжения смещения так, что модуляция в элементе коррекции зависит от измерения выходного светового сигнала лазера.
48. Полупроводниковый лазер по п.42, в котором фотоприемный элемент является оперативно связанным с устройством управления элементом коррекции посредством напряжения смещения так, что модуляция в элементе коррекции зависит от измерения
выходного светового сигнала лазера.
49. Полупроводниковый лазер по п.43, в котором фотоприемный элемент является оперативно связанным с устройством управления элементом коррекции посредством напряжения смещения так, что модуляция в элементе коррекции зависит от измерения выходного светового сигнала лазера.
50. Полупроводниковый лазер по п.44, в котором фотоприемный элемент является оперативно связанным с устройством управления элементом коррекции посредством напряжения смещения так, что модуляция в элементе коррекции зависит от измерения выходного светового сигнала лазера.
51. Полупроводниковый лазер по п.14, в котором напряжение смещения элемента регулировки фазы установлено для смещения длины волны излучаемого света в направлении более длинных волн.
52. Полупроводниковый лазер по п.14, в котором напряжение смещения элемента регулировки фазы установлено для смещения длины волны излучаемого света в направлении более коротких волн.
53. Полупроводниковый лазер по п.15, в котором напряжение смещения элемента регулировки фазы установлено для смещения длины волны излучаемого света в направлении более длинных волн.
54. Полупроводниковый лазер по п.15, в котором напряжение смещения элемента регулировки фазы установлено для смещения длины волны излучаемого света в направлении более коротких волн.
RU2003137773/28A 2001-05-29 2002-05-28 Лазер поверхностного излучения с вертикальным резонатором с перестройкой длины волны и способ его изготовления RU2003137773A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/867,167 US6611539B2 (en) 2001-05-29 2001-05-29 Wavelength-tunable vertical cavity surface emitting laser and method of making same
US09/867,167 2001-05-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2003137773A true RU2003137773A (ru) 2005-04-10

Family

ID=25349257

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2003137773/28A RU2003137773A (ru) 2001-05-29 2002-05-28 Лазер поверхностного излучения с вертикальным резонатором с перестройкой длины волны и способ его изготовления

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6611539B2 (ru)
EP (1) EP1391019A2 (ru)
JP (1) JP2004529501A (ru)
KR (1) KR20040010657A (ru)
CN (1) CN1531769A (ru)
AU (1) AU2002312952A1 (ru)
RU (1) RU2003137773A (ru)
WO (1) WO2002097934A2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2452067C2 (ru) * 2006-06-16 2012-05-27 Российское общество с ограниченной ответственностью "Коннектор Оптикс" Оптоэлектронное устройство для высокоскоростной передачи данных, основанное на сдвиге края стоп-зоны распределенного брэгговского отражателя за счет электрооптического эффекта

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7075954B2 (en) * 2001-05-29 2006-07-11 Nl Nanosemiconductor Gmbh Intelligent wavelength division multiplexing systems based on arrays of wavelength tunable lasers and wavelength tunable resonant photodetectors
US6697413B2 (en) * 2001-10-31 2004-02-24 Applied Optoelectronics, Inc. Tunable vertical-cavity surface-emitting laser with tuning junction
US20050040410A1 (en) * 2002-02-12 2005-02-24 Nl-Nanosemiconductor Gmbh Tilted cavity semiconductor optoelectronic device and method of making same
US7031360B2 (en) * 2002-02-12 2006-04-18 Nl Nanosemiconductor Gmbh Tilted cavity semiconductor laser (TCSL) and method of making same
US6953702B2 (en) * 2002-05-16 2005-10-11 Agilent Technologies, Inc. Fixed wavelength vertical cavity optical devices and method of manufacture therefor
KR20040013569A (ko) * 2002-08-07 2004-02-14 삼성전자주식회사 파장 가변형 면방출 반도체 레이저
US6771680B2 (en) * 2002-10-22 2004-08-03 Agilent Technologies, Inc Electrically-pumped, multiple active region vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL)
US6912079B2 (en) * 2003-02-14 2005-06-28 Intel Corporation Method and apparatus for phase shifting an optical beam in an optical device
US7295589B2 (en) * 2003-02-15 2007-11-13 Avago Technologies Fiber (Singapore) Pte Ltd Frequency modulated vertical cavity laser
TW200524236A (en) * 2003-12-01 2005-07-16 Nl Nanosemiconductor Gmbh Optoelectronic device incorporating an interference filter
TW200603401A (en) * 2004-04-07 2006-01-16 Nl Nanosemiconductor Gmbh Optoelectronic device based on an antiwaveguiding cavity
WO2005122349A1 (en) * 2004-06-07 2005-12-22 Nl Nanosemiconductor Gmbh Electrooptically wavelength-tunable resonant cavity optoelectronic device for high-speed data transfer
WO2006039341A2 (en) * 2004-10-01 2006-04-13 Finisar Corporation Vertical cavity surface emitting laser having multiple top-side contacts
US7609376B2 (en) * 2005-01-05 2009-10-27 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method and apparatus for pixel display and SERS analysis
KR100668329B1 (ko) 2005-02-16 2007-01-12 삼성전자주식회사 변조기 내장형 광펌핑 반도체 레이저 장치
JP4650631B2 (ja) * 2005-11-30 2011-03-16 ソニー株式会社 半導体発光装置
FR2898434B1 (fr) * 2006-03-13 2008-05-23 Centre Nat Rech Scient Diode electroluminescente blanche monolithique
US7773646B2 (en) * 2006-05-31 2010-08-10 Panasonic Corporation Semiconductor light source and light-emitting device drive circuit
US7593436B2 (en) * 2006-06-16 2009-09-22 Vi Systems Gmbh Electrooptically Bragg-reflector stopband-tunable optoelectronic device for high-speed data transfer
US8194682B2 (en) * 2006-08-07 2012-06-05 Pine Valley Investments, Inc. Multiple protocol land mobile radio system
US7830926B1 (en) * 2006-11-13 2010-11-09 Kim Matthew H Tunable device, method of manufacture, and method of tuning a laser
EP2094064A4 (en) * 2006-12-08 2011-11-09 Sharp Kk LIGHT SOURCE, LIGHT SOURCE SYSTEM AND LIGHTING DEVICE
EP1944842B1 (en) * 2007-01-13 2017-05-03 Technische Universität Berlin Data transmission optoelectronic device
US7772615B2 (en) * 2007-08-10 2010-08-10 Connector Optics Anti stark electrooptic medium and electrooptically modulated optoelectronic device based thereupon
US7580595B1 (en) 2008-05-09 2009-08-25 Technische Universitaet Berlin Data transmission optoelectric device
US9190810B2 (en) * 2008-07-28 2015-11-17 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Three-terminal vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) and a method for operating a three-terminal VCSEL
WO2010096781A1 (en) * 2009-02-20 2010-08-26 Brenner Mary K Direct modulated modified vertical cavity surface emitting lasers
US8406266B2 (en) * 2011-08-31 2013-03-26 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd Three-terminal vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) and a method for operating a three-terminal VCSEL
US8761213B2 (en) 2012-10-01 2014-06-24 Coherent Gmbh Wavelength-stabilized frequency-converted optically pumped semiconductor laser
JP2016021484A (ja) * 2014-07-14 2016-02-04 株式会社リコー 化合物半導体装置及び面発光レーザ
KR102420016B1 (ko) * 2015-08-28 2022-07-12 삼성전자주식회사 반사층을 가지는 광변조기
EP3419123A1 (en) 2017-06-22 2018-12-26 Koninklijke Philips N.V. Vertical cavity surface emitting laser (vcsel) with improved gain-switching behavior
GB201722292D0 (en) * 2017-12-29 2018-02-14 Oclaro Tech Ltd Negative bias to improve phase noise
CN109524878B (zh) * 2018-12-05 2019-08-09 深亮智能技术（中山）有限公司 一种垂直腔面发射激光器
US11728623B2 (en) * 2019-12-13 2023-08-15 Mellanox Technologies, Ltd. Vertical-cavity surface-emitting laser (VCSEL) with cascaded active region
CN111599899B (zh) * 2020-05-27 2021-10-01 京东方科技集团股份有限公司 一种发光二极管及其驱动方法、光源装置及电子设备
CN111613966B (zh) * 2020-06-22 2021-07-06 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 激光相位分布可控的垂直腔面发射激光器及其制作方法
DE102020123559B4 (de) * 2020-09-09 2023-08-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches halbleiterbauelement, optoelektronische halbleitervorrichtung, verfahren zum betreiben eines optoelektronischen halbleiterbauelements und biosensor
DE102021122386A1 (de) * 2021-08-30 2023-03-02 Trumpf Photonic Components Gmbh Vertikaler oberflächenemittierender Hohlraumlaser (VCSEL), Lasersensor und Verfahren zur Herstellung eines VCSEL
CN116799618B (zh) * 2023-08-24 2023-10-31 武汉鑫威源电子科技有限公司 一种电调节垂直面发射氮化镓激光器

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5606572A (en) * 1994-03-24 1997-02-25 Vixel Corporation Integration of laser with photodiode for feedback control
DE69505064T4 (de) 1994-07-15 2000-02-24 Nec Corp Wellenlängenabstimmbarer Halbleiterlaser
US5903590A (en) * 1996-05-20 1999-05-11 Sandia Corporation Vertical-cavity surface-emitting laser device
US5812581A (en) * 1996-07-26 1998-09-22 Honeywell Inc. Lens for a semiconductive device with a laser and a photodetector in a common container
FR2753577B1 (fr) * 1996-09-13 1999-01-08 Alsthom Cge Alcatel Procede de fabrication d'un composant optoelectronique a semiconducteur et composant et matrice de composants fabriques selon ce procede
US6031243A (en) * 1996-10-16 2000-02-29 Geoff W. Taylor Grating coupled vertical cavity optoelectronic devices
US6026108A (en) * 1996-10-16 2000-02-15 The Regents Of The University Of California Vertical-cavity surface-emitting laser with an intracavity quantum-well optical absorber
US6064683A (en) * 1997-12-12 2000-05-16 Honeywell Inc. Bandgap isolated light emitter
US6088376A (en) * 1998-03-16 2000-07-11 California Institute Of Technology Vertical-cavity-surface-emitting semiconductor devices with fiber-coupled optical cavity
US5949801A (en) 1998-07-22 1999-09-07 Coretek, Inc. Tunable laser and method for operating the same
US6411638B1 (en) * 1999-08-31 2002-06-25 Honeywell Inc. Coupled cavity anti-guided vertical-cavity surface-emitting laser

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2452067C2 (ru) * 2006-06-16 2012-05-27 Российское общество с ограниченной ответственностью "Коннектор Оптикс" Оптоэлектронное устройство для высокоскоростной передачи данных, основанное на сдвиге края стоп-зоны распределенного брэгговского отражателя за счет электрооптического эффекта

Also Published As

Publication number Publication date
EP1391019A2 (en) 2004-02-25
WO2002097934A2 (en) 2002-12-05
JP2004529501A (ja) 2004-09-24
US6611539B2 (en) 2003-08-26
AU2002312952A1 (en) 2002-12-09
WO2002097934A3 (en) 2003-10-23
KR20040010657A (ko) 2004-01-31
CN1531769A (zh) 2004-09-22
US20020186726A1 (en) 2002-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2003137773A (ru) Лазер поверхностного излучения с вертикальным резонатором с перестройкой длины волны и способ его изготовления
Pillet et al. Dual-frequency laser at 1.5 µm for optical distribution and generation of high-purity microwave signals
US7620078B2 (en) Tunable semiconductor laser device, manufacturing method therefor, and gas detector using therewith
US7330490B2 (en) Optical wavelength converter and image forming apparatus using the same
RU2014109793A (ru) Способ изготовления и эксплуатации оптического модулятора
JP2005506686A5 (ru)
US20020064353A1 (en) Mode locking semiconductor laser system including external cavity
EP2062335A1 (en) Thermal compensation in semiconductor lasers
RU2009101115A (ru) Оптоэлектронное устройство для высокоскоростной передачи данных
US5987041A (en) Laser apparatus and method for emission of laser beam using same
US20220037855A1 (en) Laser side mode suppression ratio control
US20040086012A1 (en) Coherent light source and method for driving the same
Reinhart et al. Integrated electro‐optic intracavity frequency modulation of double‐heterostructure injection laser
US9438005B1 (en) Calibration of a tunable DBR laser
KR100249788B1 (ko) 피아이엔 다이오드를 이용한 광-유기 전기-광학 오실레이터
EP2288968A1 (en) Atomic frequency acquisition device based on self-mixing interference
RU2004121153A (ru) Лазерные структуры с распределенной обратной связью и с выводом излучения через поверхность со сдвигом фазы с усилительными или поглощательными дифракционными решетками
JPS60500838A (ja) 複数空洞光デバイスおよびその応用
US9819149B2 (en) Optical transmitter implementing wavelength tunable diode
RU2540233C1 (ru) Инжекционный лазер с многоволновым модулированным излучением
AU2020102048A4 (en) A tunable injection-locked organic semiconductor laser amplifier
Hoshida et al. Extremely low-amplitude modulation in a subharmonically hybrid mode-locked monolithic semiconductor laser
Oberg et al. Wide continuous wavelength tuning of a narrow linewidth DBR laser
Hasler et al. Improving the modulation efficiency of high-power distributed Bragg reflector tapered diode lasers
JP4036256B2 (ja) 半導体パルス光源装置

Legal Events

Date Code Title Description
FA94 Acknowledgement of application withdrawn (non-payment of fees)

Effective date: 20070124