RU2002120834A - Способ геттерирующей обработки полупроводниковых пластин - Google Patents

Способ геттерирующей обработки полупроводниковых пластин

Info

Publication number
RU2002120834A
RU2002120834A RU2002120834/28A RU2002120834A RU2002120834A RU 2002120834 A RU2002120834 A RU 2002120834A RU 2002120834/28 A RU2002120834/28 A RU 2002120834/28A RU 2002120834 A RU2002120834 A RU 2002120834A RU 2002120834 A RU2002120834 A RU 2002120834A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
semiconductor plates
gettering treatment
sonication
gettering
treatment
Prior art date
Application number
RU2002120834/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2215344C1 (ru
Inventor
Валентин Константинович Смолин
Владимир Дмитриевич Скупов
Original Assignee
ФГПУ научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ФГПУ научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова filed Critical ФГПУ научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова
Priority to RU2002120834A priority Critical patent/RU2215344C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2215344C1 publication Critical patent/RU2215344C1/ru
Publication of RU2002120834A publication Critical patent/RU2002120834A/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Claims (1)

  1. Способ геттерирующей обработки полупроводниковых пластин, включающий операции изготовления пластин и обработку ультразвуком в химически неактивной жидкости в течение 2,5-3,0 ч, отличающийся тем, что во время обработки ультразвуком к пластинам прикладывают постоянное напряжение V, величину которого определяют по формуле
    Figure 00000001
    где n - концентрация основных носителей заряда в пластине;
    h - глубина зоны геттерирования;
    ∈ - относительная диэлектрическая проницаемость материала пластины.
RU2002120834A 2002-07-30 2002-07-30 Способ геттерирующей обработки полупроводниковых пластин RU2215344C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2002120834A RU2215344C1 (ru) 2002-07-30 2002-07-30 Способ геттерирующей обработки полупроводниковых пластин

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2002120834A RU2215344C1 (ru) 2002-07-30 2002-07-30 Способ геттерирующей обработки полупроводниковых пластин

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2215344C1 RU2215344C1 (ru) 2003-10-27
RU2002120834A true RU2002120834A (ru) 2004-03-20

Family

ID=31989359

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2002120834A RU2215344C1 (ru) 2002-07-30 2002-07-30 Способ геттерирующей обработки полупроводниковых пластин

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2215344C1 (ru)

Also Published As

Publication number Publication date
RU2215344C1 (ru) 2003-10-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200511580A (en) A semiconductor device and a method of manufacturing the same
EP1531496A3 (en) Semiconductor devices having transistors and method for manufacturing the same
EP1022786A3 (en) Semiconductor device and process for production thereof
EP1267415A3 (en) Power semiconductor device having resurf layer
EP1047125A3 (en) Method for rapidly dechucking a semiconductor wafer from an electrostatic chuck utilizing a hysteretic discharge cycle
EP2418682A3 (en) Semiconductor device and fabrication method of the same
EP1515378A3 (en) Method of forming electrodes for field effect transistors
CN1967871A (zh) 半导体装置及其制造方法
EP1487023A3 (en) Semiconductor device comprising a MIS transistor and method for manufacturing the same
TW200616086A (en) Semiconductor-dielectric-semiconductor device structure fabrication by wafer bonding
EP1255302A3 (en) Method for fabricating forward and reverse blocking devices
TW200618121A (en) Method of forming a semiconductor device and structure thereof
EP1830397A3 (en) Surface treatment method of compound semiconductor substrate, fabrication method of compound semiconductor, compound semiconductor substrate, and semiconductor wafer
CN1348219A (zh) 参考电压半导体
KR940007977A (ko) 에피택셜 웨이퍼 및 그 제조방법
EP1953827A3 (en) High voltage transistor and method of manufacturing the same
JP2008199029A5 (ru)
EP2096677A3 (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
RU2002120834A (ru) Способ геттерирующей обработки полупроводниковых пластин
KR102642227B1 (ko) 베타-산화갈륨 트랜지스터의 안정성 개선 방법
TW200501257A (en) Process for the wet-chemical surface treatment of a semiconductor wafer
CN1198018A (zh) 缩短沟道长度的半导体器件
EP1223622A3 (en) Semiconductor device and method for fabrication thereof
WO2007077648A1 (ja) 薄膜電界効果トランジスタ、およびその製造方法
EP1435650A3 (en) Method of forming a transistor

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20130731