RU2002116735A - ENERGY INDEPENDENT MEMORY CELL - Google Patents

ENERGY INDEPENDENT MEMORY CELL

Info

Publication number
RU2002116735A
RU2002116735A RU2002116735/09A RU2002116735A RU2002116735A RU 2002116735 A RU2002116735 A RU 2002116735A RU 2002116735/09 A RU2002116735/09 A RU 2002116735/09A RU 2002116735 A RU2002116735 A RU 2002116735A RU 2002116735 A RU2002116735 A RU 2002116735A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
output
hysteresis loop
resistor
winding
core
Prior art date
Application number
RU2002116735/09A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2230427C2 (en
Inventor
Олег Александрович Островский
Геннадий Иванович Шишкин
Original Assignee
Российский федеральный дерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики
Российский Федеральный Ядерный Центр - Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Экспериментальной Физики
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Российский федеральный дерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, Российский Федеральный Ядерный Центр - Всероссийский Научно-Исследовательский Институт Экспериментальной Физики filed Critical Российский федеральный дерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики
Priority to RU2002116735/09A priority Critical patent/RU2230427C2/en
Publication of RU2002116735A publication Critical patent/RU2002116735A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2230427C2 publication Critical patent/RU2230427C2/en

Links

Landscapes

  • Read Only Memory (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)

Claims (1)

Энергонезависимая ячейка памяти, содержащая три логических элемента, шины установки в "1" и в "0", общую шину, два сердечника с прямоугольной петлей гистерезиса и двумя обмотками каждый, первые обмотки которых соединены между собой, и два резистора, первый вывод первого резистора соединен с началом первой обмотки второго сердечника с прямоугольной петлей гистерезиса, а конец первой обмотки первого сердечника с прямоугольной петлей гистерезиса соединен с выходом третьего логического элемента, выход второго логического элемента соединен с первым выводом второго резистора, отличающаяся тем, что первый логический элемент выполнен в виде триггера Шмитта, второй логический элемент выполнен в виде мажоритарного элемента, а третий логический элемент выполнен в виде инвертора, дополнительно введены два диода и конденсатор, первый вывод которого соединен с общей шиной, а второй вывод конденсатора соединен со вторым выводом второго резистора и входом триггера Шмитта, инверсный выход которого подключен ко второму выводу первого резистора и ко входу инвертора, выход которого соединен с первым входом мажоритарного элемента и анодом первого диода, катод которого соединен с началом первой обмотки первого сердечника с прямоугольной петлей гистерезиса и с катодом второго диода, анод которого соединен с первым выводом первого резистора, второй вход мажоритарного элемента соединен с началом второй обмотки первого сердечника с прямоугольной петлей гистерезиса, конец которой соединен с шиной установки в "1", а шина установки в "0" соединена с концом второй обмотки второго сердечника с прямоугольной петлей гистерезиса, начало которой соединено с третьим входом мажоритарного элемента.A non-volatile memory cell containing three logic elements, installation buses in "1" and "0", a common bus, two cores with a rectangular hysteresis loop and two windings each, the first windings of which are connected together, and two resistors, the first output of the first resistor connected to the beginning of the first winding of the second core with a rectangular hysteresis loop, and the end of the first winding of the first core with a rectangular hysteresis loop is connected to the output of the third logic element, the output of the second logic element is connected to the first output of the second resistor, characterized in that the first logic element is made in the form of a Schmitt trigger, the second logic element is made in the form of a majority element, and the third logic element is made in the form of an inverter, two diodes and a capacitor are additionally introduced, the first output of which is connected to a common bus and the second output of the capacitor is connected to the second output of the second resistor and the input of the Schmitt trigger, the inverse output of which is connected to the second output of the first resistor and to the input of the inverter, the output of which is connected connected to the first input of the majority element and the anode of the first diode, the cathode of which is connected to the beginning of the first winding of the first core with a rectangular hysteresis loop and to the cathode of the second diode, the anode of which is connected to the first output of the first resistor, the second input of the majority element is connected to the beginning of the second winding of the first core with a rectangular hysteresis loop, the end of which is connected to the installation bus at "1", and the installation bus at "0" is connected to the end of the second winding of the second core with a rectangular hysteresis loop, beginning which is connected to the third input of the majority element.
RU2002116735/09A 2002-06-21 2002-06-21 Nonvolatile memory location RU2230427C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2002116735/09A RU2230427C2 (en) 2002-06-21 2002-06-21 Nonvolatile memory location

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2002116735/09A RU2230427C2 (en) 2002-06-21 2002-06-21 Nonvolatile memory location

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2002116735A true RU2002116735A (en) 2004-02-10
RU2230427C2 RU2230427C2 (en) 2004-06-10

Family

ID=32845769

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2002116735/09A RU2230427C2 (en) 2002-06-21 2002-06-21 Nonvolatile memory location

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2230427C2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
RU2230427C2 (en) 2004-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20080225560A1 (en) Switching controller for parallel power converters
RU2002116735A (en) ENERGY INDEPENDENT MEMORY CELL
RU2003119008A (en) TRIGGER DEVICE
RU92010395A (en) ENERGY-DEPENDABLE MEMORY CELL
RU99124922A (en) ENERGY INDEPENDENT MEMORY CELL
CN217333818U (en) High-efficiency transformer and quasi-resonant flyback switching power supply
KR960701503A (en) DC / DC converter
RU99116822A (en) TRIGGER DEVICE
RU2003101495A (en) PULSE GENERATOR
RU2002127694A (en) TRIGGER DEVICE
RU2003119009A (en) TRIGGER DEVICE
SU1474817A1 (en) Push-pull transistor inverter
JPH0253232U (en)
JPS60940U (en) Molded semiconductor rectifier stack
RU2001129623A (en) PULSE GENERATOR
RU2000118997A (en) MULTI-PHASE AC VOLTAGE REGULATOR
JPH0230289U (en)
RU2002125611A (en) DEVICE FORCED CONTROL OF ELECTROMAGNET
JPH02122536U (en)
JPH02142980U (en)
RU2002110497A (en) Single Phase Bridge Transistor Inverter
RU99126232A (en) SOURCE OF POWER
JPS5929058U (en) solar battery group
JPS5981291U (en) Self-excited switching power supply
JPH03101184U (en)

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20050622