RU2001130144A - Нарезание монокристаллических пленок путем внедрения ионов - Google Patents
Нарезание монокристаллических пленок путем внедрения ионовInfo
- Publication number
- RU2001130144A RU2001130144A RU2001130144/15A RU2001130144A RU2001130144A RU 2001130144 A RU2001130144 A RU 2001130144A RU 2001130144/15 A RU2001130144/15 A RU 2001130144/15A RU 2001130144 A RU2001130144 A RU 2001130144A RU 2001130144 A RU2001130144 A RU 2001130144A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- crystalline structure
- bulk
- crystal structure
- temperature
- ions
- Prior art date
Links
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 title claims 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 14
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 12
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims 11
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 7
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims 5
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N Lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000002223 garnet Substances 0.000 claims 4
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 4
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N HF Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 2
Claims (65)
1. Способ отделения монокристаллической пленки от кристаллической структуры, содержащий этапы, на которых внедряют ионы в кристаллическую структуру для формирования в кристаллической структуре слоя повреждения на глубине внедрения под верхней поверхностью кристаллической структуры и производят химическое травление слоя повреждения, чтобы вызвать отделение монокристаллической пленки от кристаллической структуры.
2. Способ по п.1, согласно которому в качестве кристаллической структуры используют кристаллическую структуру эпитаксиальный слой/подложка, содержащую эпитаксиальный слой, выращенный на подложке, совместимой по выращиванию.
3. Способ по п.2, согласно которому на этапе внедрения ионов ионы внедряют в подложку, совместимую по выращиванию, для формирования в подложке, совместимой по выращиванию, слоя повреждения на глубине внедрения под верхней поверхностью кристаллической структуры эпитаксиальный слой/подложка.
4. Способ по п.2, согласно которому на этапе внедрения ионов ионы внедряют в эпитаксиальный слой, для формирования в эпитаксиальном слое слоя повреждения на глубине внедрения под верхней поверхностью кристаллической структуры эпитаксиальный слой/подложка.
5. Способ по п.2, согласно которому в качестве эпитаксиального слоя используют слой магнитного материала на основе граната.
6. Способ по п.2, согласно которому в качестве эпитаксиального слоя используют слой сегнетоэлектрического материала.
7. Способ по п.2, согласно которому в качестве кристаллической структуры используют кристаллическую структуру эпитаксиальный слой/подложка, содержащую несколько эпитаксиальных слоев, сформированных поверх подложки, совместимой по выращиванию.
8. Способ по п.1, согласно которому в качестве кристаллической структуры используют объемный кристалл.
9. Способ по п.8, согласно которому на этапе внедрения ионов ионы внедряют в объемную кристаллическую структуру, для формирования в кристаллической структуре слоя повреждения на глубине внедрения под верхней поверхностью объемной кристаллической структуры.
10. Способ по п.8, согласно которому в качестве материала используют магнитный материал на основе граната.
11. Способ по п.8, согласно которому в качестве материала используют сегнетоэлектрический материал.
12. Способ по п.11, согласно которому в качестве сегнетоэлектрического материала используют ниобат лития.
13. Способ по п.12, согласно которому на этапе травления применяют разбавленную плавиковую кислоту при комнатной температуре.
14. Способ по п.1, согласно которому на этапе внедрения обеспечивают ионы определенной энергии, от которой зависит глубина внедрения.
15. Способ по п.1, согласно которому в качестве ионов используют простые ионы.
16. Способ по п.1, согласно которому в качестве ионов используют химически активные ионы.
17. Способ по п.1, согласно которому на этапе химического травления погружают кристаллическую структуру, содержащую слой повреждения, в травитель, перемешивают травитель и поддерживают травитель при постоянной температуре травления.
18. Способ по п.17, согласно которому для увеличения скорости травления повышают температуру травления выше комнатной температуры.
19. Способ по п.1, согласно которому, для минимизации повреждения монокристаллической пленки на этапе химического травления, дополнительно осуществляют этап инкапсуляции кристаллической структуры, предшествующий этапу химического травления.
20. Способ по п.1, согласно которому дополнительно осуществляют этап ускоренного термического отжига кристаллической структуры, предшествующий этапу химического травления.
21. Способ отделения монокристаллической пленки от кристаллической структуры, содержащий этапы, на которых внедряют ионы в кристаллическую структуру для формирования в кристаллической структуре слоя повреждения на глубине внедрения под верхней поверхностью кристаллической структуры и ускоренно повышают температуру кристаллической структуры, содержащей слой повреждения, чтобы вызвать отделение монокристаллической пленки от кристаллической структуры.
22. Способ по п.21, согласно которому в качестве кристаллической структуры используют кристаллическую структуру эпитаксиальный слой/подложка, содержащую эпитаксиальный слой, выращенный на подложке, совместимой по выращиванию.
23. Способ по п.22, согласно которому в качестве эпитаксиального слоя используют слой магнитного материала на основе граната.
24. Способ по п.22, согласно которому в качестве эпитаксиального слоя используют слой сегнетоэлектрического материала.
25. Способ по п.21, согласно которому в качестве кристаллической структуры используют объемную кристаллическую структуру, содержащую материал на основе оксида металла.
26. Способ по п.21, согласно которому на этапе ускоренного повышения температуры повышают температуру кристаллической структуры от комнатной температуры до температуры, находящейся в первом температурном диапазоне, и поддерживают температуру кристаллической структуры в первом температурном диапазоне, чтобы вызвать отделение монокристаллической пленки от кристаллической структуры.
27. Способ по п.26, согласно которому этап ускоренного повышения температуры осуществляют в течение менее 60 секунд.
28. Способ по п.26, согласно которому этап поддержания температуры осуществляют в течение примерно 30 секунд.
29. Способ по п.26, согласно которому первый температурный диапазон составляет примерно от 750 до 800°С.
30. Способ по п.21, согласно которому, для ускорения отделения монокристаллической пленки от кристаллической структуры, дополнительно осуществляют этап химической обработки слоя повреждения.
31. Способ по п.21, согласно которому на этапе ускоренного повышения температуры осуществляют низкотемпературное плавление слоя повреждения, чтобы вызвать отделение монокристаллической пленки от кристаллической структуры.
32. Способ по п.30, согласно которому этап химической обработки осуществляют для минимизации степени ускоренного повышения температуры, необходимой для того, чтобы вызвать отделение монокристаллической пленки от кристаллической структуры.
33. Способ по п.32, согласно которому на этапе ускоренного повышения температуры осуществляют низкотемпературное плавление слоя повреждения, чтобы вызвать отделение монокристаллической пленки от кристаллической структуры.
34. Способ отделения монокристаллической пленки от кристаллической структуры, содержащий этапы, на которых внедряют ионы в кристаллическую структуру для формирования в кристаллической структуре слоя повреждения на глубине внедрения под поверхностью кристаллической структуры, присоединяют поверхность кристаллической структуры ко второй подложке и ускоренно повышают температуру слоя повреждения, чтобы вызвать отделение монокристаллической пленки от кристаллической структуры.
35. Способ по п.34, согласно которому используют кристаллическую структуру, содержащую магнитный материал на основе граната.
36. Способ по п.34, согласно которому используют кристаллическую структуру, содержащую сегнетоэлектрический материал.
37. Способ по п.34, согласно которому в качестве второй подложки используют материал с низкой температурой плавления.
38. Способ по п.34, согласно которому на этапе ускоренного повышения температуры повышают температуру кристаллической структуры от комнатной температуры до температуры, находящейся в первом температурном диапазоне, и поддерживают температуру кристаллической структуры в первом температурном диапазоне, чтобы вызвать отделение монокристаллической пленки от кристаллической структуры.
39. Способ по п.38, согласно которому этап ускоренного повышения температуры осуществляют в течение менее 60 секунд.
40. Способ по п.38, согласно которому этап поддержания температуры осуществляют в течение примерно 30 секунд.
41. Способ по п.38, согласно которому первый температурный диапазон составляет примерно от 750 до 800°С.
42. Способ по п.34, согласно которому дополнительно применяют связывающий слой между кристаллической структурой и второй подложкой и расплавляют связывающий слой, чтобы вызвать отделение монокристаллической пленки от кристаллической структуры.
43. Способ по п.42, согласно которому в качестве связывающего слоя используют материал с низкой температурой плавления.
44. Способ ускорения отделения монокристаллической пленки от объемной кристаллической структуры, содержащий этапы, на которых внедряют ионы в объемную кристаллическую структуру для формирования слоя повреждения на глубине внедрения под верхней поверхностью объемной кристаллической структуры, подвергают объемную кристаллическую структуру с внедренными ионами ускоренному термическому отжигу и осуществляют химическое травление слоя повреждения отожженной объемной кристаллической структуры, чтобы вызвать отделение монокристаллической пленки от объемной кристаллической структуры.
45. Способ по п.44, согласно которому используют объемную кристаллическую структуру, содержащую материал на основе оксида металла.
46. Способ по п.44, согласно которому используют объемную кристаллическую структуру, содержащую сегнетоэлектрический материал.
47. Способ по п.44, согласно которому используют объемную кристаллическую структуру, содержащую ниобат лития.
48. Способ по п.44, согласно которому используют объемную кристаллическую структуру, содержащую ниобат свинца-цинка.
49. Способ по п.44, согласно которому используют объемную кристаллическую структуру, имеющую ориентацию С-среза.
50. Способ по п.44, согласно которому используют объемную кристаллическую структуру, ориентация которой обеспечивает согласование по фазе для генерации второй гармоники.
51. Способ повышения избирательности травления при отделении монокристаллической пленки от объемной кристаллической структуры, содержащий этапы, на которых внедряют ионы в объемную кристаллическую структуру для формирования слоя повреждения на глубине внедрения под верхней поверхностью объемной кристаллической структуры и подвергают объемную кристаллическую структуру с внедренными ионами ускоренному термическому отжигу.
52. Способ по п.51, согласно которому используют объемную кристаллическую структуру, содержащую материал на основе оксида металла.
53. Способ по п.51, согласно которому используют объемную кристаллическую структуру, содержащую сегнетоэлектрический материал.
54. Способ по п.51, согласно которому используют объемную кристаллическую структуру, содержащую ниобат лития.
55. Способ по п.51, согласно которому используют объемную кристаллическую структуру, содержащую ниобат свинца-цинка.
56. Способ по п.51, согласно которому используют объемную кристаллическую структуру, имеющую ориентацию С-среза.
57. Способ по п.51, согласно которому используют объемную кристаллическую структуру, ориентация которой обеспечивает согласование по фазе для генерации второй гармоники.
58. Способ ускорения отделения монокристаллической пленки от сегнетоэлектрической объемной кристаллической структуры, содержащий этапы, на которых внедряют ионы в объемную кристаллическую структуру для формирования слоя повреждения на глубине внедрения под верхней поверхностью объемной кристаллической структуры, подвергают объемную кристаллическую структуру с внедренными ионами ускоренному термическому отжигу и осуществляют химическое травление слоя повреждения отожженной объемной кристаллической структуры, чтобы вызвать отделение монокристаллической пленки от объемной кристаллической структуры.
59. Способ по п.58, согласно которому используют объемную кристаллическую структуру, содержащую ниобат лития.
60. Способ по п.58, согласно которому используют объемную кристаллическую структуру, содержащую ниобат свинца-цинка.
61. Способ по п.58, согласно которому используют объемную кристаллическую структуру, имеющую ориентацию С-среза.
62. Способ по п.58, согласно которому используют объемную кристаллическую структуру, ориентация которой обеспечивает согласование по фазе для генерации второй гармоники.
63. Способ ускорения отделения монокристаллической пленки от объемной кристаллической структуры на основе оксида металла, содержащий этапы, на которых внедряют ионы в объемную кристаллическую структуру для формирования слоя повреждения на глубине внедрения под верхней поверхностью объемной кристаллической структуры, подвергают объемную кристаллическую структуру с внедренными ионами ускоренному термическому отжигу и осуществляют химическое травление слоя повреждения отожженной объемной кристаллической структуры, чтобы вызвать отделение монокристаллической пленки от объемной кристаллической структуры.
64. Способ изготовления оптоэлектронного устройства, содержащий этапы, на которых внедряют ионы в кристаллическую структуру для формирования слоя повреждения на глубине внедрения под верхней поверхностью кристаллической структуры, подвергают слой повреждения химическому травлению, чтобы вызвать отделение монокристаллической пленки от кристаллической структуры, и присоединяют монокристаллическую пленку к подложке, не совместимой по выращиванию.
65. Способ изготовления оптоэлектронного устройства, содержащий этапы, на которых внедряют ионы в кристаллическую структуру для формирования в кристаллической структуре слоя повреждения на глубине внедрения под верхней поверхностью кристаллической структуры, ускоренно повышают температуру слоя повреждения, чтобы вызвать отделение монокристаллической пленки от кристаллической структуры, и присоединяют монокристаллическую пленку к подложке, не совместимой по выращиванию.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/289,169 | 1999-04-09 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2001130144A true RU2001130144A (ru) | 2003-10-27 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100552448B1 (ko) | 단결정막의 결정 이온-슬라이싱 방법 | |
| US6540827B1 (en) | Slicing of single-crystal films using ion implantation | |
| US6503321B2 (en) | Slicing of single-crystal films using ion implantation | |
| US6323109B1 (en) | Laminated SOI substrate and producing method thereof | |
| US4891329A (en) | Method of forming a nonsilicon semiconductor on insulator structure | |
| EP0553860B1 (en) | Process for preparing a semiconductor substrate | |
| US6352909B1 (en) | Process for lift-off of a layer from a substrate | |
| US7498245B2 (en) | Embrittled substrate and method for making same | |
| CN109979809B (zh) | 一种单晶薄膜的制备方法、单晶薄膜及谐振器装置 | |
| JPS6433936A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPH0637288A (ja) | 高エネルギーでイオン注入し、続いて熱処理することにより製造される、深く、薄い酸化物層を備えたｓｏｉ構造 | |
| CN116669523A (zh) | 一种热释电复合薄膜的制备方法 | |
| Szafraniak et al. | Single-crystalline ferroelectric thin films by ion implantation and direct wafer bonding | |
| RU2001130144A (ru) | Нарезание монокристаллических пленок путем внедрения ионов | |
| USRE41841E1 (en) | Method for making a silicon substrate comprising a buried thin silicon oxide film | |
| CN116613058A (zh) | 一种复合基底、复合薄膜及其制备方法 | |
| JP2010199338A (ja) | 貼り合わせウェーハの製造方法 | |
| RU2000123793A (ru) | Ионная резка кристаллов монокристаллических пленок | |
| MXPA00007997A (en) | Crystal ion-slicing of single-crystal films | |
| EP0371849A1 (en) | Method of forming a thin silicon layer on an insulator | |
| CN118173578A (zh) | 一种改善翘曲的复合薄膜及其制备方法 | |
| CN118265432A (zh) | 具备电极的单晶薄膜的制备方法 | |
| CN117153674A (zh) | 异质集成结构制备方法、异质集成结构及半导体集成器件 | |
| CN117153673A (zh) | 一种异质键合结构、半导体器件及其制备方法 | |
| CN117497477A (zh) | 复合薄膜及其制备方法 |