RU2000132200A - TANTAL-SILICON ALLOY, PRODUCTS CONTAINING THEM, AND METHOD FOR PRODUCING ALLOYS - Google Patents

TANTAL-SILICON ALLOY, PRODUCTS CONTAINING THEM, AND METHOD FOR PRODUCING ALLOYS

Info

Publication number
RU2000132200A
RU2000132200A RU2000132200/02A RU2000132200A RU2000132200A RU 2000132200 A RU2000132200 A RU 2000132200A RU 2000132200/02 A RU2000132200/02 A RU 2000132200/02A RU 2000132200 A RU2000132200 A RU 2000132200A RU 2000132200 A RU2000132200 A RU 2000132200A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
alloy
silicon
tantalum
mixture
melting
Prior art date
Application number
RU2000132200/02A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2228382C2 (en
Inventor
Луис Е. мл. ХЬЮБЕРТ
Кристофер А. МИХАЛЮК
Original Assignee
Кабот Корпорейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Кабот Корпорейшн filed Critical Кабот Корпорейшн
Publication of RU2000132200A publication Critical patent/RU2000132200A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2228382C2 publication Critical patent/RU2228382C2/en

Links

Claims (42)

1. Сплав на основе тантала, отличающийся тем, что он содержит тантал и кремний, в котором тантал является металлом, присутствующим с самым высоким процентным содержанием по массе, причем упомянутый сплав обладает однородностью по прочности на растяжение при переработке его в проволоку, так что максимальное выборочное стандартное отклонение прочности на растяжение в проволоке составляет около 0,460 кг/см2 для неотожженной проволоки на конечном диаметре и около 0,31 кг/см2 для отожженной проволоки на конечном диаметре.1. An alloy based on tantalum, characterized in that it contains tantalum and silicon, in which tantalum is a metal present with the highest percentage by weight, said alloy having uniform tensile strength when processed into wire, so that the maximum the sample standard deviation of the tensile strength in the wire is about 0.460 kg / cm 2 for unannealed wire at a finite diameter and about 0.31 kg / cm 2 for annealed wire at a final diameter. 2. Сплав по п. 1, отличающийся тем, что содержит элементарный кремний в количестве от около 50 частей на миллион до около 5% по массе из расчета на массу упомянутого сплава. 2. The alloy according to claim 1, characterized in that it contains elemental silicon in an amount of from about 50 parts per million to about 5% by weight based on the weight of said alloy. 3. Сплав по п. 2, отличающийся тем, что содержит элементарный кремний в количестве от около 50 частей на миллион до около 1000 частей на миллион из расчета на массу упомянутого сплава. 3. The alloy according to claim 2, characterized in that it contains elemental silicon in an amount of from about 50 parts per million to about 1000 parts per million based on the weight of said alloy. 4. Сплав по п. 2, отличающийся тем, что содержит элементарный кремний в количестве от около 50 частей на миллион до около 300 частей на миллион из расчета на массу упомянутого сплава. 4. The alloy according to claim 2, characterized in that it contains elemental silicon in an amount of from about 50 parts per million to about 300 parts per million based on the weight of said alloy. 5. Сплав по п. 2, отличающийся тем, что содержит менее 1 мас. % элементарного кремния из расчета на массу упомянутого сплава. 5. The alloy according to claim 2, characterized in that it contains less than 1 wt. % elemental silicon based on the weight of said alloy. 6. Сплав по п. 1, дополнительно содержащий иттрий, цирконий, титан или их смеси. 6. The alloy according to claim 1, additionally containing yttrium, zirconium, titanium, or mixtures thereof. 7. Сплав по п. 1, отличающийся тем, что имеет размер зерна от около 75 до около 210 микронов после нагрева при 1800oС в течение 30 мин.7. The alloy according to claim 1, characterized in that it has a grain size of from about 75 to about 210 microns after heating at 1800 ° C. for 30 minutes. 8. Сплав по п. 1, отличающийся тем, что имеет размер зерна от около 19 до около 27 микронов после нагрева при 1530oС в течение 2 ч.8. The alloy according to claim 1, characterized in that it has a grain size of from about 19 to about 27 microns after heating at 1530 o C for 2 hours 9. Сплав по п. 1, отличающийся тем, что максимальное стандартное отклонение составляет около 0,31 кг/см2 для неотожженной проволоки.9. The alloy according to claim 1, characterized in that the maximum standard deviation is about 0.31 kg / cm 2 for unannealed wire. 10. Сплав по п. 1, отличающийся тем, что максимальное стандартное отклонение составляет около 0,15 кг/см2 для неотожженной проволоки.10. The alloy according to claim 1, characterized in that the maximum standard deviation is about 0.15 kg / cm 2 for unannealed wire. 11. Сплав по п. 1, отличающийся тем, что максимальное стандартное отклонение составляет около 0,15 кг/см2 для отожженной проволоки.11. The alloy according to claim 1, characterized in that the maximum standard deviation is about 0.15 kg / cm 2 for annealed wire. 12. Изделие, в частности, труба, лист или полоса, проволока, конденсаторный элемент, отличающийся тем, что оно выполнено из сплава по п. 1. 12. The product, in particular, a pipe, sheet or strip, wire, capacitor element, characterized in that it is made of an alloy according to claim 1. 13. Сплав по п. 1, отличающийся тем, что содержит менее 10 мас. % других металлов, кроме тантала. 13. The alloy according to claim 1, characterized in that it contains less than 10 wt. % of other metals except tantalum. 14. Способ получения сплава, содержащего тантал и кремний, отличающийся тем, что перемешивают первый порошок, содержащий тантал или его оксид, со вторым порошком, содержащим кремний или соединение, содержащее кремний, для образования смеси, переводят смесь в жидкое состояние посредством ее плавления, и образуют твердый сплав из упомянутого жидкого состояния. 14. A method of obtaining an alloy containing tantalum and silicon, characterized in that the first powder containing tantalum or its oxide is mixed with a second powder containing silicon or a compound containing silicon to form a mixture, the mixture is transferred into a liquid state by melting it, and form a hard alloy from said liquid state. 15. Способ по п. 14, отличающийся тем, что упомянутая смесь содержит элементарный кремний в количестве от около 0,01 мас. % до около 25 мас. %. 15. The method according to p. 14, characterized in that the said mixture contains elemental silicon in an amount of from about 0.01 wt. % to about 25 wt. % 16. Способ по п. 14, отличающийся тем, что упомянутая смесь содержит элементарный кремний в количестве от около 0,5 мас. % до около 2,0 мас. %. 16. The method according to p. 14, characterized in that the said mixture contains elemental silicon in an amount of from about 0.5 wt. % to about 2.0 wt. % 17. Способ по п. 14, отличающийся тем, что упомянутая смесь содержит элементарный кремний в количестве от около 0,80 мас. % до около 1,2 мас. %. 17. The method according to p. 14, characterized in that the said mixture contains elemental silicon in an amount of from about 0.80 wt. % to about 1.2 wt. % 18. Способ по п. 14, отличающийся тем, что упомянутая смесь дополнительно содержит иттрий, цирконий, титан или их смеси. 18. The method according to p. 14, characterized in that the said mixture further comprises yttrium, zirconium, titanium, or mixtures thereof. 19. Способ по п. 14, отличающийся тем, что упомянутый перевод в жидкое состояние заключается в плавлении упомянутой смеси. 19. The method according to p. 14, characterized in that said liquid transfer consists in melting said mixture. 20. Способ по п. 14, отличающийся тем, что плавление осуществляют электронно-лучевой плавкой. 20. The method according to p. 14, characterized in that the melting is carried out by electron beam melting. 21. Способ по п. 14, отличающийся тем, что плавление осуществляют плазменной плавкой. 21. The method according to p. 14, characterized in that the melting is carried out by plasma melting. 22. Способ по п. 14, отличающийся тем, что плавление осуществляют вакуумно-дуговым переплавом. 22. The method according to p. 14, characterized in that the melting is carried out by vacuum-arc remelting. 23. Способ по п. 14, отличающийся тем, что упомянутый твердый сплав дополнительно переводят в жидкое состояние и снова превращают его в твердый сплав. 23. The method according to p. 14, characterized in that the said hard alloy is additionally converted to a liquid state and again converted into a hard alloy. 24. Способ по п. 14, отличающийся тем, что упомянутый твердый сплав дополнительно подвергают ковке, вытяжке, прокатке, обжатию, экструзии, трубопрокатке или их комбинациям. 24. The method according to p. 14, characterized in that the said hard alloy is further subjected to forging, drawing, rolling, crimping, extrusion, pipe rolling, or combinations thereof. 25. Способ по п. 14, отличающийся тем, что упомянутый твердый сплав дополнительно подвергают отжигу. 25. The method according to p. 14, characterized in that the said hard alloy is further subjected to annealing. 26. Способ по п. 14, отличающийся тем, что упомянутый твердый сплав содержит элементарный кремний в количестве от около 50 частей на миллион до около 5 мас. %. 26. The method according to p. 14, characterized in that the said hard alloy contains elemental silicon in an amount of from about 50 parts per million to about 5 wt. % 27. Способ получения сплава, содержащего тантал и кремний, отличающийся тем, что переводят в жидкое состояние, отдельно или вместе, содержащее кремний твердое вещество и содержащее тантал твердое вещество для получения содержащего кремний жидкого вещества и содержащего тантал жидкого вещества, перемешивают содержащее кремний жидкое вещество и содержащее тантал жидкое вещество для образования жидкой смеси, и образуют твердый сплав из упомянутой жидкой смеси. 27. A method of obtaining an alloy containing tantalum and silicon, characterized in that it is transferred into a liquid state, separately or together, containing a silicon solid and containing tantalum solid to obtain a silicon-containing liquid substance and tantalum-containing liquid substance, the silicon-containing liquid substance is mixed and a tantalum-containing liquid substance to form a liquid mixture, and a hard alloy is formed from said liquid mixture. 28. Способ по п. 27, отличающийся тем, что смесь содержит элементарный кремний в количестве от около 0,01 мас. % до около 25 мас. %. 28. The method according to p. 27, wherein the mixture contains elemental silicon in an amount of from about 0.01 wt. % to about 25 wt. % 29. Способ по п. 27, отличающийся тем, что смесь содержит элементарный кремний в количестве от около 0,05 мас. % до около 2,0 мас. %. 29. The method according to p. 27, characterized in that the mixture contains elemental silicon in an amount of from about 0.05 wt. % to about 2.0 wt. % 30. Способ по п. 27, отличающийся тем, что смесь содержит элементарный кремний в количестве от около 0,80 мас. % до около 1,2 мас. %. 30. The method according to p. 27, characterized in that the mixture contains elemental silicon in an amount of from about 0.80 wt. % to about 1.2 wt. % 31. Способ по п. 27, отличающийся тем, что смесь дополнительно содержит иттрий, цирконий, титан или их смеси. 31. The method according to p. 27, wherein the mixture further comprises yttrium, zirconium, titanium, or a mixture thereof. 32. Способ по п. 27, отличающийся тем, что перевод смеси в жидкое состояние осуществляют путем плавления смеси. 32. The method according to p. 27, characterized in that the transfer of the mixture into a liquid state is carried out by melting the mixture. 33. Способ по п. 32, отличающийся тем, что плавление осуществляют электронно-лучевой плавкой. 33. The method according to p. 32, characterized in that the melting is carried out by electron beam melting. 34. Способ по п. 32, отличающийся тем, что плавление осуществляют плазменной плавкой. 34. The method according to p. 32, characterized in that the melting is carried out by plasma melting. 35. Способ по п. 32, отличающийся тем, что плавление осуществляют вакуумно-дуговым переплавом. 35. The method according to p. 32, characterized in that the melting is carried out by vacuum-arc remelting. 36. Способ по п. 27, отличающийся тем, что твердый сплав дополнительно переводят в жидкое состояние и снова превращают его в твердый сплав. 36. The method according to p. 27, characterized in that the hard alloy is additionally converted to a liquid state and again converted into a hard alloy. 37. Способ по п. 27, отличающийся тем, что твердый сплав дополнительно подвергают ковке, вытяжке, прокатке, обжатию, экструзии, трубопрокатке или их комбинациям. 37. The method according to p. 27, characterized in that the hard alloy is further subjected to forging, drawing, rolling, crimping, extrusion, pipe rolling, or combinations thereof. 38. Способ по п. 27, отличающийся тем, что твердый сплав дополнительно подвергают отжигу. 38. The method according to p. 27, characterized in that the hard alloy is further subjected to annealing. 39. Способ по п. 27, отличающийся тем, что твердый сплав содержит элементарный кремний в количестве от около 50 частей на миллион до около 5 мас. %. 39. The method according to p. 27, characterized in that the hard alloy contains elemental silicon in an amount of from about 50 parts per million to about 5 wt. % 40. Способ повышения однородности металла на основе тантала по прочности на растяжение, отличающийся тем, что в тантал вводят кремний в количестве, позволяющем повысить однородность по прочности на растяжение. 40. A method of increasing the uniformity of the metal based on tantalum in terms of tensile strength, characterized in that silicon is introduced into tantalum in an amount that allows to increase the uniformity in tensile strength. 41. Способ уменьшения хрупкости металла на основе тантала, отличающийся тем, что в металл на основе тантала вводят кремний в количестве, позволяющем уменьшить хрупкость. 41. A method of reducing the brittleness of a tantalum-based metal, characterized in that silicon is introduced into the tantalum-based metal in an amount that can reduce brittleness. 42. Способ придания металлу на основе тантала контролируемого уровня механической прочности на растяжение, отличающийся тем, что в металл на основе тантала вводят кремний и осуществляют отжиг при температуре, позволяющей придать контролируемую механическую прочность на растяжение. 42. A method of imparting to a tantalum-based metal a controlled level of mechanical tensile strength, characterized in that silicon is introduced into the tantalum-based metal and annealed at a temperature allowing imparting a controlled mechanical tensile strength.
RU2000132200/02A 1998-05-22 1999-05-20 Tantalum-silicon alloy, products containing it, and a method for preparing alloys RU2228382C2 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US8638598P 1998-05-22 1998-05-22
US60/086,385 1998-05-22

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2000132200A true RU2000132200A (en) 2003-01-27
RU2228382C2 RU2228382C2 (en) 2004-05-10

Family

ID=22198232

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2000132200/02A RU2228382C2 (en) 1998-05-22 1999-05-20 Tantalum-silicon alloy, products containing it, and a method for preparing alloys

Country Status (17)

Country Link
US (2) US6576069B1 (en)
EP (1) EP1080242B1 (en)
JP (1) JP5070617B2 (en)
KR (1) KR20010025086A (en)
CN (1) CN1113972C (en)
AT (1) ATE252165T1 (en)
AU (1) AU744454B2 (en)
BR (1) BR9910664A (en)
CZ (1) CZ302590B6 (en)
DE (1) DE69912119T2 (en)
DK (1) DK1080242T3 (en)
ES (1) ES2207946T3 (en)
HU (1) HUP0102315A3 (en)
IL (1) IL139757A (en)
PT (1) PT1080242E (en)
RU (1) RU2228382C2 (en)
WO (1) WO1999061672A1 (en)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6660057B1 (en) * 1999-10-01 2003-12-09 Showa Denko K.K. Powder composition for capacitor, sintered body using the composition and capacitor using the sintered body
AU2002243956B2 (en) * 2001-02-12 2007-08-02 H.C. Starck, Inc. Tantalum-silicon and niobium-silicon substrates for capacitor anodes
US7666243B2 (en) * 2004-10-27 2010-02-23 H.C. Starck Inc. Fine grain niobium sheet via ingot metallurgy
US20070044873A1 (en) * 2005-08-31 2007-03-01 H. C. Starck Inc. Fine grain niobium sheet via ingot metallurgy
DE102006002342A1 (en) * 2006-01-18 2007-07-26 Kompetenzzentrum Neue Materialien Nordbayern Gmbh Metal injection mold with injection channel and cold plug, used for magnesium-based melt, has specified composition avoiding undesired interactions
EP3266892B1 (en) * 2007-04-27 2018-10-24 H. C. Starck Inc Tantalum based alloy that is resistant to aqueous corrosion
US9994929B2 (en) 2013-03-15 2018-06-12 Ati Properties Llc Processes for producing tantalum alloys and niobium alloys
RU2623959C2 (en) * 2015-12-07 2017-06-29 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук (ИФПМ СО РАН) Alloy production method from metal powders with fusing temperatures difference

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA883221A (en) 1971-10-12 E.I. Du Pont De Nemours And Company Metal alloy
GB190806051A (en) 1907-03-26 1908-07-16 Siemens Ag An Improved Process for Hardening Tantalum.
US3166414A (en) 1962-07-09 1965-01-19 Westinghouse Electric Corp Tantalum base alloys
US3597192A (en) 1968-12-05 1971-08-03 Atomic Energy Commission Preparation of tantalum metal
JPS539399B2 (en) 1972-12-09 1978-04-05
US4062679A (en) 1973-03-29 1977-12-13 Fansteel Inc. Embrittlement-resistant tantalum wire
US3790913A (en) 1973-04-02 1974-02-05 F Peters Thin film resistor comprising sputtered alloy of silicon and tantalum
US4073971A (en) 1973-07-31 1978-02-14 Nobuo Yasujima Process of manufacturing terminals of a heat-proof metallic thin film resistor
US3933474A (en) * 1974-03-27 1976-01-20 Norton Company Leech alloying
US4235629A (en) 1977-10-17 1980-11-25 Fansteel Inc. Method for producing an embrittlement-resistant tantalum wire
US4394352A (en) 1980-03-17 1983-07-19 Motorola, Inc. Melt recharge apparatus
US4631560A (en) 1984-12-19 1986-12-23 Eaton Corporation MOMS tunnel emission transistor
JPS61206243A (en) 1985-03-08 1986-09-12 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device using high melting-point metal electrode and wiring film
EP0199078B1 (en) 1985-04-11 1989-06-07 Siemens Aktiengesellschaft Integrated semiconductor circuit having an aluminium or aluminium alloy contact conductor path and an intermediate tantalum silicide layer as a diffusion barrier
JPS62170450A (en) * 1986-01-22 1987-07-27 Nec Corp Ta amorphous alloy and its production
US4859257A (en) 1986-01-29 1989-08-22 Fansteel Inc. Fine grained embrittlement resistant tantalum wire
DE3700659A1 (en) * 1986-01-29 1987-07-30 Fansteel Inc FINE-GRAINED PROBLEM TANTALO WIRE
US5247198A (en) 1988-09-20 1993-09-21 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device with multiplayered wiring
US5286669A (en) 1989-07-06 1994-02-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Solid-state imaging device and method of manufacturing the same
DE69127622T2 (en) * 1990-06-06 1998-02-12 Cabot Corp TANTAL OR NIOB BASE ALLOYS
ES2084138T3 (en) 1990-11-12 1996-05-01 Olle Salvador Plaxats THERMOPLASTIC RESIN MOLDING PROCEDURE BY BLOWING.
JP2962813B2 (en) * 1990-11-20 1999-10-12 三洋電機株式会社 Hydrogen storage alloy electrode
US5289030A (en) 1991-03-06 1994-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with oxide layer
US5171379A (en) 1991-05-15 1992-12-15 Cabot Corporation Tantalum base alloys
US5545571A (en) 1991-08-26 1996-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of making TFT with anodic oxidation process using positive and negative voltages
US5576225A (en) 1992-05-09 1996-11-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of forming electric circuit using anodic oxidation
US5411611A (en) 1993-08-05 1995-05-02 Cabot Corporation Consumable electrode method for forming micro-alloyed products
JPH08165528A (en) * 1994-12-09 1996-06-25 Japan Energy Corp Production of high purity refractory metal or alloy

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9255309B2 (en) Fine grain niobium sheet via ingot metallurgy
JPH0686638B2 (en) High-strength Ti alloy material with excellent workability and method for producing the same
US4886559A (en) High strength titanium material having improved ductility
IL167218A (en) High temperature resistant niobium wire
RU2000132200A (en) TANTAL-SILICON ALLOY, PRODUCTS CONTAINING THEM, AND METHOD FOR PRODUCING ALLOYS
JPH11269621A (en) Method for working high-purity titanium material
KR100611724B1 (en) High strength high toughness Mo alloy worked material and method for production thereof
RU2228382C2 (en) Tantalum-silicon alloy, products containing it, and a method for preparing alloys
JP2728305B2 (en) Hot working method of intermetallic compound TiA ▲ -based alloy
US4507156A (en) Creep resistant dispersion strengthened metals
JP2004277873A (en) Titanium alloy incorporated with boron added
US5940675A (en) T222 production by powder metallurgy
MXPA00011487A (en) Tantalum-silicon alloys and products containing the same and processes of making the same
JPH10273750A (en) Aluminum alloy for high temperature use and its production
JPH0625778A (en) Titanium alloy excellent in corrosion resistance nonoxidizing acid and workability
JP2004359993A (en) Aluminum alloy, extrusion material, machine structural parts and method for forming extrusion material
Katashinskii et al. Effect of heating conditions on contact stresses when rolling granules of metastable aluminum alloys
JPH0686636B2 (en) Method for producing Ti-based shape memory alloy
HU182524B (en) Process for preparing gold alloys and their processing intermediates
JPH11335703A (en) High strength metal solidified body
JPH09137246A (en) Production of oxide dispersion strengthened type alloy product