RU2000116757A -
METHOD FOR GETTERING TREATMENT OF SEMICONDUCTOR PLATES
- Google Patents
METHOD FOR GETTERING TREATMENT OF SEMICONDUCTOR PLATES
Info
Publication number
RU2000116757A
RU2000116757ARU2000116757/28ARU2000116757ARU2000116757ARU 2000116757 ARU2000116757 ARU 2000116757ARU 2000116757/28 ARU2000116757/28 ARU 2000116757/28ARU 2000116757 ARU2000116757 ARU 2000116757ARU 2000116757 ARU2000116757 ARU 2000116757A
Способ геттерирующей обработки полупроводниковых пластин, включающий нанесение на рабочую сторону пластин пленки моноокиси германия толщиной 1,0-2,5 мкм, отжиг сформированной структуры в течение 3-5 ч при температуре из интервала 700-800 К и удаление пленки, отличающийся тем, что после осаждения пленки измеряют ее показатель преломления и обрабатывают структуру ультразвуком в химически неактивной жидкости на частоте из интервала 20-40 кГц, чередуя обработку с измерениями показателя преломления, и прекращают обработка при достижении показателем преломления постоянного значения, после чего структуру отжигают и удаляют пленку ионно-плазменным травлением.The method of getter treatment of semiconductor wafers, including applying to the working side of the wafers a film of germanium monoxide 1.0–2.5 μm thick, annealing the formed structure for 3-5 h at a temperature from 700-800 K, and removing the film, characterized in that after deposition of the film, its refractive index is measured and the structure is sonicated in a chemically inactive liquid at a frequency from the interval of 20-40 kHz, alternating processing with measurements of the refractive index, and processing is stopped when the index is reached m of refraction of a constant value, after which the structure is annealed and the film is removed by ion-plasma etching.
RU2000116757/28A2000-06-23
METHOD FOR GETTERING TREATMENT OF SEMICONDUCTOR PLATES
RU2000116757A
(en)
Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" (ФИЦ КНЦ СО РАН, КНЦ СО РАН)
METHOD FOR OBTAINING FILMS WITH Mn5Ge3OX FERROMAGNETIC CLUSTERS ON THE SUBSTRATE IN THE GeO2 MATRIX
Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" (ФИЦ КНЦ СО РАН, КНЦ СО РАН)
METHOD FOR OBTAINING FILMS WITH Mn5Ge3OX FERROMAGNETIC CLUSTERS ON THE SUBSTRATE IN THE GeO2 MATRIX
Methods of reducing the thickness of textured glass, glass-ceramic, and ceramic articles with high concentration alkali hydroxide at elevated temperature