RU2672033C1 - Method for formation of silica areas in silicon plate - Google Patents
Method for formation of silica areas in silicon plate Download PDFInfo
- Publication number
- RU2672033C1 RU2672033C1 RU2017139363A RU2017139363A RU2672033C1 RU 2672033 C1 RU2672033 C1 RU 2672033C1 RU 2017139363 A RU2017139363 A RU 2017139363A RU 2017139363 A RU2017139363 A RU 2017139363A RU 2672033 C1 RU2672033 C1 RU 2672033C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon
- walls
- grooves
- structures
- silicon wafer
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
Abstract
Description
Изобретение относится к области приборостроения и может применяться при изготовлении кремниевых кристаллов микромеханических приборов, таких как акселерометров, гироскопов, датчиков угловой скорости.The invention relates to the field of instrumentation and can be used in the manufacture of silicon crystals of micromechanical devices, such as accelerometers, gyroscopes, angular velocity sensors.
Известны методы формирования [Галперин В.А. Процессы плазменного травления в микро- и нанотехнологиях: учебное пособие / В.А. Галперин, Е.В. Данилкин, А.И. Мочалов; под ред. С.П. Тимошенкова. - М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010. - 283 с., стр. 108-111, 114-116] канавок в кремнии. Некоторые методы, такие как непрерывный процесс травления, позволяет формировать неглубокие структуры с гладкими стенками и наиболее применим в технологии СБИС, где не требуется формирование структур из кремния толщиной, равной толщине исходной пластины кремния. Поэтому метод неприменим к технологии формирования микромеханических датчиков. Bosch-процесс и криогенный процесс формирования канавок эффективны при формировании микроэлектромеханических изделий, однако обоим методам присущ следующий недостаток - выраженная шероховатость боковых стенок профиля формируемых канавок в виде микронеровностей с острыми гранями, образующаяся после каждого шага травления. Микронеровности являются концентраторами механических напряжений, что снижает чувствительность микроэлектромеханических изделий. Помимо этого, к криогенному процессу предъявляют жесткие требования по необходимости обеспечения тщательной очистки обратной стороны пластины, что делает процесс сложным и дорогостоящим.Known methods of formation [Galperin V.A. The processes of plasma etching in micro- and nanotechnology: a training manual / V.A. Galperin, E.V. Danilkin, A.I. Mochalov; under the editorship of S.P. Timoshenkova. - M .: BINOM. Laboratory of Knowledge, 2010. - 283 p., Pp. 108-111, 114-116] grooves in silicon. Some methods, such as a continuous etching process, allow the formation of shallow structures with smooth walls and is most applicable in the VLSI technology, where the formation of structures from silicon with a thickness equal to the thickness of the initial silicon wafer is not required. Therefore, the method is not applicable to the technology of forming micromechanical sensors. The Bosch process and the cryogenic process of forming grooves are effective in the formation of microelectromechanical products, however, both methods have the following drawback - the pronounced roughness of the side walls of the profile of the formed grooves in the form of microroughnesses with sharp edges formed after each etching step. Microroughnesses are concentrators of mechanical stresses, which reduces the sensitivity of microelectromechanical products. In addition, stringent requirements are imposed on the cryogenic process for the need to ensure thorough cleaning of the back of the plate, which makes the process difficult and expensive.
Известен способ (Патент РФ №2456702, Кл. H01L 21/3065, опубл. 20.07.2012) плазмохимического травления материалов микроэлектроники, в котором материал размещают на подложкодержателе в вакуумной камере, подают рабочий газ в вакуумную камеру, поджигают плазму ВЧ-индукционным разрядом, подают ВЧ-мощность к подложкодержателю. Травление осуществляют с разделением на повторяющиеся циклы. Каждый цикл состоит из двух этапов: травления и пассивации, при этом на этапе травления на подложкодержатель подают ВЧ-мощность в пределах 280-300 Вт в течение 0,1-100 с, на этапе пассивации - в пределах 100-120 Вт в течение 0,1-40 с. Способ позволяет обрабатывать пьезокварц, кремниевые пластины при производстве электронных компонентов для микро- и наносистемной техники. На этапе травления энергия ионов рабочего газа высока и они действуют наравне с химически активными частицами, внося весомый вклад в процесс травления. На втором этапе - пассивации энергия ионов рабочего газа минимальна и ионная бомбардировка материала происходит со значительно меньшей эффективностью, что позволяет сформировать на поверхности материала пассивирующий фторуглеродный полимерный слой, который на этапе травления частично удаляется.The known method (RF Patent No. 2456702, CL. H01L 21/3065, published on July 20, 2012) for plasma-chemical etching of microelectronic materials, in which the material is placed on a substrate holder in a vacuum chamber, the working gas is fed into the vacuum chamber, the plasma is ignited by RF induction discharge, supplying RF power to the substrate holder. Etching is carried out with the division into repeating cycles. Each cycle consists of two stages: etching and passivation, while at the etching stage, the RF power is supplied to the substrate holder within 280-300 W for 0.1-100 s, at the passivation stage - within 100-120 W for 0 , 1-40 s. The method allows to process piezoelectric quartz, silicon wafers in the production of electronic components for micro- and nanosystem technology. At the etching stage, the energy of the working gas ions is high and they act on a par with chemically active particles, making a significant contribution to the etching process. At the second stage, passivation, the energy of the working gas ions is minimal and the ion bombardment of the material occurs with much lower efficiency, which allows the formation of a passivating fluorocarbon polymer layer on the surface of the material, which is partially removed at the etching stage.
Недостатком указанного способа является неизбежное появление на боковых стенках формируемых микроструктур острых микронеровностей, свойственных процессу плазмохимического травления кремния с повторяющимися циклами, что, применительно к кремниевым микромеханическим датчикам, приводит к появлению концентраторов механических напряжений на формируемых структурах, которые вызывают рассеяние механической энергии, приводя к снижению чувствительности датчиков при их работе.The disadvantage of this method is the inevitable appearance on the side walls of the formed microstructures of acute microroughness, characteristic of the process of plasma-chemical etching of silicon with repeated cycles, which, as applied to silicon micromechanical sensors, leads to the appearance of stress concentrators on the formed structures, which cause the dissipation of mechanical energy, leading to a decrease the sensitivity of the sensors during their operation.
Известен способ (Патент РФ №2403647, Кл. H01L 21/283, опубл. 10.11.2010. Прототип) формирования электрически изолированных областей кремния в объеме кремниевой пластины путем выполнения в ней канавок и удаления кремния с обратной стороны кремниевой пластины для вскрытия дна канавок, согласно способа канавки в кремнии выполняют для формирования кремниевых структур, представляющих собой стенки полых ячеек, с последующим окислением стенок на всю их толщину и образованием системы диэлектрических SiO2 - перемычек, удаление кремния с обратной стороны пластины ведут методом глубокого плазменного травления.The known method (RF Patent No. 2403647, CL. H01L 21/283, publ. 10.11.2010. Prototype) the formation of electrically isolated areas of silicon in the volume of the silicon wafer by making grooves in it and removing silicon from the back of the silicon wafer to open the bottom of the grooves method according operate grooves in silicon to form silicon structures representing a walls of the hollow cells, followed by oxidation of the walls of the entire thickness thereof and form a system of dielectric SiO 2 - jumpers removing silicon from the back side layer us lead by deep plasma etching.
Согласно способа технология изготовления включает в себя четыре стандартных процесса контактной фотолитографии для формирования масок для плазменного травления пластины кремния. В первом процессе фотолитографии на лицевой стороне пластины изготавливают резистивную маску с рисунком в виде системы прямоугольных окон. Затем проводят процесс анизотропного плазменного травления. После снятия фоторезиста проводят процесс термического окисления пластины. Во втором и третьем процессе фотолитографии формируют маски резиста в виде прямоугольных окон на лицевой и обратной стороне пластины, после этого на обеих сторонах пластины проводят стандартное жидкостное травление SiO2 - пленки до вскрытия поверхности кремния, удаляют резист. На лицевую поверхность пластины наносят слой металла. В четвертом процессе фотолитографии в резисте на лицевой поверхности пластины формируют изображение элементов и контактных площадок, которое затем переносят в слой металла. Затем проводят плазменные процессы травления кремния: сначала глубокое плазменное травление кремния с обратной стороны пластины до дна изолирующего элемента, формируя при этом приборный слой кремния. Проводят сквозное плазменное травление приборного слоя с лицевой стороны и формируют элементы устройства.According to the method, the manufacturing technology includes four standard contact photolithography processes for forming masks for plasma etching of a silicon wafer. In the first photolithography process, a resistive mask with a pattern in the form of a system of rectangular windows is made on the front side of the plate. Then carry out the process of anisotropic plasma etching. After removing the photoresist, the process of thermal oxidation of the plate is carried out. In the second and third photolithography process, resist masks are formed in the form of rectangular windows on the front and back of the wafer, after which standard liquid etching of SiO 2 is performed on both sides of the wafer — the films before opening the silicon surface, remove the resist. A metal layer is applied to the front surface of the plate. In the fourth photolithography process in a resist, an image of elements and contact pads is formed on the front surface of the plate, which is then transferred to a metal layer. Then, plasma etching processes of silicon are carried out: first, deep plasma etching of silicon from the back of the wafer to the bottom of the insulating element, forming a silicon layer of the device. Through plasma etching of the instrument layer is carried out from the front side and the device elements are formed.
Недостатком способа является наличие на формируемых боковых стенках элементов устройств, представляющих собой травленый приборный слой, микронеровностей, свойственных процессам плазменного травления. Наличие микронеровностей на кремниевых структурах вызывает рассеяние механической энергии, приводя к снижению чувствительности датчиков. Кроме того, наличие сформированных структур в виде диэлектрических SiO2 - перемычек, выполненных термическим окислением кремния, также имеет существенный недостаток. Известно, что термически выращенному слою оксида кремния присуще такое явление, как наличие в нем встроенных зарядов (заряд поверхностных состояний границы раздела кремний - оксид кремния, заряд подвижных ионов, постоянный заряд, связанные с условиями выращивания окисла). Заряды в окисле являются источником шумов в микромеханическом устройстве и могут снижать метрологические характеристики устройств, например, снижать его чувствительность.The disadvantage of this method is the presence on the formed side walls of the elements of the devices, which are an etched instrument layer, micro-irregularities inherent in plasma etching processes. The presence of irregularities on silicon structures causes the dissipation of mechanical energy, leading to a decrease in the sensitivity of the sensors. In addition, the presence of formed structures in the form of dielectric SiO 2 - jumpers made by thermal oxidation of silicon also has a significant drawback. It is known that a thermally grown silicon oxide layer has such a phenomenon as the presence of built-in charges in it (the charge of the surface states of the silicon – silicon oxide interface, the charge of mobile ions, and the constant charge associated with the conditions of oxide growth). Charges in oxide are a source of noise in a micromechanical device and can reduce the metrological characteristics of devices, for example, reduce its sensitivity.
Целью изобретения является повышение чувствительности микромеханических датчиков.The aim of the invention is to increase the sensitivity of micromechanical sensors.
Поставленная цель достигается тем, что в способе формирования областей кремния в объеме кремниевой пластины путем выполнения в ней канавок для формирования кремниевых структур в виде стенок, окисления стенок, удаления кремния с обратной стороны кремниевой пластины для вскрытия дна канавок, согласно способа удаление кремния с обратной стороны кремниевой пластины проводят после выполнения канавок, после чего окисляют стенки кремниевых структур и стравливают оксид кремния полностью, удаление кремния с обратной стороны пластины ведут методом глубокого плазменного травления.This goal is achieved by the fact that in the method of forming silicon regions in the volume of the silicon wafer by making grooves in it to form silicon structures in the form of walls, oxidizing the walls, removing silicon from the back of the silicon wafer to open the bottom of the grooves, according to the method of removing silicon from the back the silicon wafer is carried out after grooves are completed, after which the walls of the silicon structures are oxidized and the silicon oxide is completely etched, silicon is removed from the back by deep plasma etching.
Окисление стенок сформированных кремниевых структур после удаления кремния с обратной стороны кремниевой пластины для вскрытия дна канавок и последующее травление оксида кремния полностью со сформированных структур имеет следующие преимущества перед прототипом. После выполнения методом глубокого плазменного травления канавок в кремнии на боковых стенках формируемых структур неизбежно появляются микронеровности в виде микроострий - «скаллопов» [Галперин В.А. Процессы плазменного травления в микро- и нанотехнологиях: учебное пособие / В.А. Галперин, Е.В. Данилкин, А.И. Мочалов; под ред. С.П. Тимошенкова. - М.: БИНОМ. Лаборатория знаний, 2010. - 283 с., стр. 108-111, 114-116]. Их наличие является фактором, снижающим чувствительность и разрешающую способность микромеханических приборов из-за рассеяния механической энергии при работе микромеханического устройства. Окисление кремниевых структур приводит к повышенной скорости окисления возникших микронеровностей по сравнению с объемом кремниевой пластины, и, как следствие, их полному окислению. Однако при этом конфигурация микронеровностей остается такой же, как и после травления. Дальнейшее травление окисла устраняет возникшие микронеровности, что позволяет значительно снизить шероховатость сформированных структур по сравнению с первоначальной - непосредственно после травления.The oxidation of the walls of the formed silicon structures after removing silicon from the back of the silicon wafer to open the bottom of the grooves and subsequent etching of silicon oxide completely from the formed structures has the following advantages over the prototype. After deep plasma etching by making grooves in silicon on the side walls of the structures formed, microroughnesses in the form of micro-tips - “scallops” inevitably appear [Galperin V.A. The processes of plasma etching in micro- and nanotechnology: a training manual / V.A. Galperin, E.V. Danilkin, A.I. Mochalov; under the editorship of S.P. Timoshenkova. - M .: BINOM. Laboratory of Knowledge, 2010. - 283 p., Pp. 108-111, 114-116]. Their presence is a factor that reduces the sensitivity and resolution of micromechanical devices due to the dispersion of mechanical energy during operation of the micromechanical device. Oxidation of silicon structures leads to an increased rate of oxidation of the resulting microroughness compared with the volume of the silicon wafer, and, as a consequence, their complete oxidation. However, the configuration of microroughness remains the same as after etching. Further etching of the oxide eliminates the arising microroughness, which can significantly reduce the roughness of the formed structures compared with the original - immediately after etching.
Таким образом, окисление кремниевых структур после формирования канавок и травления кремния с обратной стороны и последующее травление оксида кремния позволяют устранить микронеровности (и, соответственно, концентраторы механических напряжений) со стенок формируемых структур, это не будет вызывать дополнительного рассеяния механической энергии микромеханических устройств при их работе, что приведет к повышению чувствительности датчиков.Thus, the oxidation of silicon structures after the formation of grooves and etching of silicon on the back side and subsequent etching of silicon oxide can eliminate microroughness (and, accordingly, stress concentrators) from the walls of the structures formed, this will not cause additional dispersion of the mechanical energy of micromechanical devices during their operation , which will increase the sensitivity of the sensors.
Технический результат - повышение чувствительности за счет устранения концентраторов механических напряжений со стенок формируемых кремниевых структур.EFFECT: increased sensitivity by eliminating stress concentrators from the walls of formed silicon structures.
На чертежах фиг. 1-4 показана последовательность операций, применяемых для реализации предложенного способа.In the drawings of FIG. 1-4 shows the sequence of operations used to implement the proposed method.
На фиг. 1 изображена кремниевая пластина (1) с выполненными канавками (2). На фиг. 2 изображена кремниевая пластина (1), кремниевые структуры в виде стенок (3), область удаленного кремния (5) с обратной стороны кремниевой пластины (1). На фиг. 3 показана кремниевая пластина (1), кремниевые структуры в виде стенок (3) со сформированным на их поверхности оксидом (4). На фиг. 4 показаны окончательные кремниевые структуры в виде стенок (6) после стравливания оксида кремния полностью.In FIG. 1 shows a silicon wafer (1) with grooves (2). In FIG. 2 shows a silicon wafer (1), silicon structures in the form of walls (3), a region of removed silicon (5) on the back of the silicon wafer (1). In FIG. 3 shows a silicon wafer (1), silicon structures in the form of walls (3) with oxide formed on their surface (4). In FIG. 4 shows the final silicon structures in the form of walls (6) after etching of silicon oxide completely.
Пример реализации предложенного способа.An example implementation of the proposed method.
На кремниевой пластине (1) толщиной 300±10 мкм создается защитное покрытие, например из термически выращенного слоя оксида кремния либо тонкой металлической пленки. Известными методами фотолитографии в защитном покрытии с обеих сторон кремниевой пластины (1) формируют необходимый топологический рисунок, затем с планарной стороны кремниевой пластины (1) выполняют канавки (2), например методом плазмохимического травления глубиной 20…100 мкм (фиг. 1). По заранее сформированному топологическому рисунку с обратной стороны кремниевой пластины (1) формируют область удаленного кремния (5) глубиной 280…200 мкм до вскрытия дна канавок и формирования кремниевых структур в виде стенок (3), например методом глубокого плазменного травления (фиг. 2). Затем удаляют защитное покрытие с обеих сторон кремниевой пластины (1) и окисляют кремниевую пластину (1), формируя оксид (4) толщиной 0,4…1,0 мкм на кремниевых структурах в виде стенок (3) (фиг. 3). После этого стравливают оксид кремния с кремниевой пластины (1) полностью, формируя окончательные кремниевые структуры в виде стенок (6) с пониженной шероховатостью (фиг. 4).A protective coating is created on a silicon wafer (1) 300 ± 10 μm thick, for example, from a thermally grown layer of silicon oxide or a thin metal film. Known photolithography methods in the protective coating on both sides of the silicon wafer (1) form the necessary topological pattern, then on the planar side of the silicon wafer (1) grooves (2) are performed, for example, by plasma-chemical etching with a depth of 20 ... 100 μm (Fig. 1). According to a preformed topological pattern on the reverse side of the silicon wafer (1), a region of removed silicon (5) is formed with a depth of 280 ... 200 μm before opening the bottom of the grooves and forming silicon structures in the form of walls (3), for example, by deep plasma etching (Fig. 2) . Then remove the protective coating on both sides of the silicon wafer (1) and oxidize the silicon wafer (1), forming oxide (4) with a thickness of 0.4 ... 1.0 μm on the silicon structures in the form of walls (3) (Fig. 3). After that, the silicon oxide is etched off the silicon wafer (1) completely, forming the final silicon structures in the form of walls (6) with a reduced roughness (Fig. 4).
Таким образом, предложенный способ повышает чувствительность микромеханических датчиков за счет устранения концентраторов механических напряжений со стенок формируемых кремниевых структур.Thus, the proposed method increases the sensitivity of micromechanical sensors by eliminating stress concentrators from the walls of the formed silicon structures.
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017139363A RU2672033C1 (en) | 2017-11-13 | 2017-11-13 | Method for formation of silica areas in silicon plate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2017139363A RU2672033C1 (en) | 2017-11-13 | 2017-11-13 | Method for formation of silica areas in silicon plate |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2672033C1 true RU2672033C1 (en) | 2018-11-08 |
Family
ID=64103394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017139363A RU2672033C1 (en) | 2017-11-13 | 2017-11-13 | Method for formation of silica areas in silicon plate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2672033C1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2794560C1 (en) * | 2022-08-19 | 2023-04-21 | Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы") | Method for forming bulk silicon elements for microsystem technology devices and a production line for implementing the method |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20010020726A1 (en) * | 1995-05-24 | 2001-09-13 | Kurt Peterson | Single crystal silicon sensor with high aspect ratio and curvilinear structures and associated method |
| RU2300158C1 (en) * | 2005-09-29 | 2007-05-27 | Институт микроэлектроники и информатики РАН | Method for producing submicron and nanometric structure |
| RU2403647C1 (en) * | 2009-08-31 | 2010-11-10 | Учреждение Российской академии наук Физико-технологический институт РАН | Method of electrically insulated silicon regions formation in bulk of silicon wafer |
| RU2580910C1 (en) * | 2014-12-15 | 2016-04-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт химии и механики" (ФГУП "ЦНИИХМ") | Method of making elastic element of micromechanical device |
| RU2625248C1 (en) * | 2016-09-28 | 2017-07-12 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" | Method of manufacturing crystals of microelectromechanical systems |
-
2017
- 2017-11-13 RU RU2017139363A patent/RU2672033C1/en active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20010020726A1 (en) * | 1995-05-24 | 2001-09-13 | Kurt Peterson | Single crystal silicon sensor with high aspect ratio and curvilinear structures and associated method |
| RU2300158C1 (en) * | 2005-09-29 | 2007-05-27 | Институт микроэлектроники и информатики РАН | Method for producing submicron and nanometric structure |
| RU2403647C1 (en) * | 2009-08-31 | 2010-11-10 | Учреждение Российской академии наук Физико-технологический институт РАН | Method of electrically insulated silicon regions formation in bulk of silicon wafer |
| RU2580910C1 (en) * | 2014-12-15 | 2016-04-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт химии и механики" (ФГУП "ЦНИИХМ") | Method of making elastic element of micromechanical device |
| RU2625248C1 (en) * | 2016-09-28 | 2017-07-12 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" | Method of manufacturing crystals of microelectromechanical systems |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2794560C1 (en) * | 2022-08-19 | 2023-04-21 | Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы") | Method for forming bulk silicon elements for microsystem technology devices and a production line for implementing the method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4518453B2 (en) | Silicon processing method using etching process | |
| US7361524B2 (en) | Method of manufacturing floating structure | |
| US7476951B2 (en) | Selective isotropic etch for titanium-based materials | |
| Li et al. | Smooth surface glass etching by deep reactive ion etching with SF 6 and Xe gases | |
| KR20040042003A (en) | Fabrication of via hole for glass wafer | |
| JP2002500574A (en) | Method and apparatus for manufacturing micromechanical devices | |
| US20060286767A1 (en) | Novel thinning process for 3 - dimensional integration via wafer bonding | |
| JP2014063866A (en) | Method for processing silicon substrate and method for manufacturing charged particle beam lens | |
| JP2003251598A (en) | Substrate penetration etching method | |
| JP2005335059A (en) | Manufacturing method of vertical step structure | |
| RU2672033C1 (en) | Method for formation of silica areas in silicon plate | |
| JP3178123B2 (en) | Method of manufacturing comb-type actuator | |
| TW201604993A (en) | Etching method of high aspect-ratio structure and manufacturing method of MEMS devices | |
| RU2625248C1 (en) | Method of manufacturing crystals of microelectromechanical systems | |
| Ganji et al. | Deep trenches in silicon structure using DRIE method with aluminum as an etching mask | |
| Subasinghe et al. | High aspect ratio plasma etching of bulk lead zirconate titanate | |
| JP3520831B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor dynamic quantity sensor | |
| CN104261345A (en) | Dry etching method for sacrifice layer of micro-electro-mechanical system | |
| O'Brien et al. | Submicron high-aspect-ratio silicon beam etch | |
| RU2698486C1 (en) | Method for manufacturing of integral converters | |
| CN108172513A (en) | It is etched using with the room of top plate formed by not oxygen-containing material | |
| JP2001308073A (en) | Method for dry etching and dry etching apparatus used therefor | |
| US6960496B2 (en) | Method of damascene process flow | |
| WO2002031600A1 (en) | Deep grayscale etching of silicon | |
| KR100372690B1 (en) | Dry etching method of micro senson structures |