RU2698486C1 - Method for manufacturing of integral converters - Google Patents
Method for manufacturing of integral converters Download PDFInfo
- Publication number
- RU2698486C1 RU2698486C1 RU2018141010A RU2018141010A RU2698486C1 RU 2698486 C1 RU2698486 C1 RU 2698486C1 RU 2018141010 A RU2018141010 A RU 2018141010A RU 2018141010 A RU2018141010 A RU 2018141010A RU 2698486 C1 RU2698486 C1 RU 2698486C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- plate
- silicon
- photolithography
- elastic elements
- windows
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 31
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 11
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 11
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 8
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 abstract 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
Abstract
Description
Изобретение относится к области приборостроения и применяется при изготовлении упругих элементов в конструкциях кремниевых чувствительных элементов микромеханических датчиков - акселерометров, резонаторов, датчиков угловой скорости.The invention relates to the field of instrumentation and is used in the manufacture of elastic elements in the construction of silicon sensitive elements of micromechanical sensors - accelerometers, resonators, angular velocity sensors.
Известен способ изготовления чувствительных элементов микромеханических систем [Патент Российской Федерации №2439741, H01L 21/308, 2010]. Способ изготовления чувствительных элементов микроэлектромеханических систем (МЭМС) включает нанесение защитных покрытий на лицевую и обратную сторону пластины, фотолитографию по защитным слоям с лицевой и обратной стороны, глубокое высокопрецизионное травление кремния с лицевой и обратной стороны пластины на заданную глубину и с заданным профилем, удаление остатков маскирующих покрытий с лицевой и обратной стороны пластины. На кремниевую пластину после травления канавок с лицевой стороны и удаления остатков защитного покрытия производится операция нанесения слоя диоксида кремния для защиты лицевой стороны пластины и профиля вытравленных канавок от растрава при последующем травлении с обратной стороны пластины и механической фиксации выпадающих фрагментов конструкции.A known method of manufacturing sensitive elements of micromechanical systems [Patent of the Russian Federation No. 2439741, H01L 21/308, 2010]. A method of manufacturing sensitive elements of microelectromechanical systems (MEMS) includes applying protective coatings to the front and back of the plate, photolithography of the protective layers from the front and back, deep high-precision etching of silicon from the front and back of the plate to a predetermined depth and with a given profile, removing residues masking coatings on the front and back of the plate. On the silicon wafer after etching the grooves on the front side and removing the remnants of the protective coating, a silicon dioxide layer is applied to protect the front side of the wafer and the profile of the etched grooves from raster during subsequent etching on the back of the wafer and mechanical fixation of falling fragments of the structure.
Недостатком указанного способа является низкий процент выхода годных изделий, обусловленный рассовмещением защитных слоев схемы при проведении нескольких операций фотолитографии по различным защитным слоям.The disadvantage of this method is the low percentage of suitable products due to the misregistration of the protective layers of the circuit during several photolithography operations on various protective layers.
Известен способ (Патент РФ №2403647, Кл. Н01L 21/283, опубл. 10.11.2010) формирования электрически изолированных областей кремния в объеме кремниевой пластины путем выполнения в ней канавок и удаления кремния с обратной стороны кремниевой пластины для вскрытия дна канавок, согласно способа канавки в кремнии выполняют для формирования кремниевых структур, представляющих собой стенки полых ячеек, с последующим окислением стенок на всю их толщину и образованием системы диэлектрических SiO2 - перемычек, удаление кремния с обратной стороны пластины ведут методом глубокого плазменного травления. Согласно способа технология изготовления включает в себя четыре стандартных процесса контактной фотолитографии для формирования масок для плазменного травления пластины кремния. В первом процессе фотолитографии на лицевой стороне пластины изготавливают резистивную маску с рисунком в виде системы прямоугольных окон. Затем проводят процесс анизотропного плазменного травления. После снятия фоторезиста проводят процесс термического окисления пластины. Пленку SiO2, полученную на обеих сторонах пластины, используют в качестве маски в последующих процессах плазменного травления.The known method (RF Patent No. 2403647, CL. H01L 21/283, publ. 10.11.2010) the formation of electrically isolated areas of silicon in the volume of the silicon wafer by making grooves in it and removing silicon from the back of the silicon wafer to open the bottom of the grooves, according to the method grooves in silicon are performed to form silicon structures representing the walls of hollow cells, followed by oxidation of the walls to their entire thickness and the formation of a system of dielectric SiO 2 - jumpers, silicon is removed from the back of the plate by deep plasma etching. According to the method, the manufacturing technology includes four standard contact photolithography processes for forming masks for plasma etching of a silicon wafer. In the first photolithography process, a resistive mask with a pattern in the form of a system of rectangular windows is made on the front side of the plate. Then carry out the process of anisotropic plasma etching. After removing the photoresist, the process of thermal oxidation of the plate is carried out. The SiO 2 film obtained on both sides of the wafer is used as a mask in subsequent plasma etching processes.
Недостатком указанного способа является низкий процент выхода годных изделий, обусловленный наличием системы канавок на лицевой стороне пластины, отрицательно влияющих на воспроизведение геометрии формируемых элементов при проведении процесса фотолитографии.The disadvantage of this method is the low percentage of suitable products due to the presence of a groove system on the front side of the plate, which negatively affects the reproduction of the geometry of the formed elements during the photolithography process.
Известен способ изготовления способ изготовления интегральных тензопреобразователей [Патент Российской Федерации №2076395, H01L 29/84, 1997. Прототип]. Способ включает формирование на обеих поверхностях кремниевой пластины первого типа проводимости диэлектрического слоя, фотолитографию, вскрытие окон и сквозное анизотропное травление реперных знаков в периферийной части пластины с рабочей ее стороны, формирование диффузионных тензорезисторов второго типа проводимости на рабочей стороне пластины, вскрытие контактных окон к тензорезисторам и создание металлизации, глубокое анизотропное травление для формирования упругих элементов, согласно способа, после формирования диэлектрического слоя на рабочую сторону пластины наносят слой тугоплавкого металла, а после вскрытия окон в периферийной части пластины проводят анизотропное травление на глубину, равную толщине упругих элементов, затем проводят фотолитографию, вскрывают окна для формирования упругих элементов и проводят глубокое анизотропное травление, дотравливая при этом кремний в реперных знаках на всю толщину пластины, удаляют все защитные слои, отмывают поверхность пластины, после чего формируют диффузионные резисторы. В качестве диэлектрической маски используют слой нитрида кремния с подслоем окисла кремния, первое анизотропное травление проводят в органическом травителе, а второе в щелочи, в качестве тугоплавкого металла используют титан, вольфрам, тантал или их сплавы.A known method of manufacturing a method of manufacturing integrated strain gauges [Patent of the Russian Federation No. 2076395, H01L 29/84, 1997. Prototype]. The method includes forming on the two surfaces of the silicon wafer the first type of conductivity of the dielectric layer, photolithography, opening the windows and through anisotropic etching of the reference marks in the peripheral part of the wafer from its working side, forming diffusion strain gages of the second conductivity type on the working side of the wafer, opening contact windows to the strain gauges and the creation of metallization, deep anisotropic etching for the formation of elastic elements, according to the method, after the formation of the dielectric A layer of refractory metal is applied to the working side of the wafer, and after opening the windows in the peripheral part of the wafer, anisotropic etching is carried out to a depth equal to the thickness of the elastic elements, then photolithography is performed, windows are opened to form elastic elements and deep anisotropic etching is carried out, etching silicon in reference marks for the entire thickness of the plate, remove all protective layers, wash the surface of the plate, and then form diffusion resistors. As a dielectric mask, a silicon nitride layer with a silicon oxide sublayer is used, the first anisotropic etching is carried out in an organic etchant, and the second in alkali, titanium, tungsten, tantalum or their alloys are used as a refractory metal.
Недостатком указанного способа является низкий процент выхода годных изделий из-за некачественной топологии формируемых упругих элементов, обусловленной необходимостью проведения операций фотолитографии по рельефной поверхности обратной стороны кремниевой пластины.The disadvantage of this method is the low percentage of suitable products due to the poor topology of the formed elastic elements, due to the need for photolithography operations on the relief surface of the back side of the silicon wafer.
Целью изобретения является повышение процента выхода годных изделий за счет проведения операций фотолитографии по плоским поверхностям, не содержащим рельефа.The aim of the invention is to increase the percentage of suitable products due to the operations of photolithography on flat surfaces that do not contain relief.
Поставленная цель достигается тем, что в способе формирования интегральных преобразователей, включающем формирование на обеих поверхностях кремниевой пластины диэлектрического слоя нитрида кремния с подслоем окисла кремния, фотолитографию по вскрытию окон и анизотропное травление с рабочей ее стороны на глубину, равную толщине упругих элементов, вскрытие контактных окон и создание металлизации, нанесение слоя металла, проведение фотолитографии, вскрытие окон для формирования упругих элементов и проведение глубокого анизотропного травления, дотравливание при этом кремния на всю толщину пластины, удаление защитных слоев, отмывку поверхности пластины, согласно способа, после формирования диэлектрического слоя вскрывают контактные окна и создают металлизацию, наносят слой металла на обе стороны кремниевой пластины, после чего проводят вскрытие окон и анизотропно травят пластину с рабочей ее стороны на глубину, равную толщине упругих элементов с последующим проведением фотолитографии и вскрытием окон для формирования упругих элементов, после чего проводят глубокое анизотропное травление с дотравливанием кремния на всю толщину пластины, а защитные слои удаляют только с нерабочей стороны пластины.This goal is achieved by the fact that in the method of forming integrated converters, including the formation on both surfaces of a silicon wafer of a dielectric layer of silicon nitride with a layer of silicon oxide, photolithography for opening windows and anisotropic etching from its working side to a depth equal to the thickness of the elastic elements, opening contact windows and the creation of metallization, the deposition of a metal layer, photolithography, opening windows for the formation of elastic elements and deep anisotropic contact, etching silicon over the entire thickness of the plate, removing the protective layers, washing the surface of the plate, according to the method, after the formation of the dielectric layer, the contact windows are opened and metallization is created, a metal layer is applied on both sides of the silicon wafer, after which the windows are opened and anisotropically etched a plate from its working side to a depth equal to the thickness of the elastic elements, followed by photolithography and opening the windows to form elastic elements, after which they are carried out deeply f anisotropic etching with etching of silicon over the entire thickness of the plate, and the protective layers are removed only from the non-working side of the plate.
Фотолитографию по вскрытию окон под контакт с металлизацией с рабочей стороны пластины и фотолитографию по вскрытию окон для формирования упругих элементов с нерабочей стороны пластины проводят только по плоской, планарной, не содержащей рельефов поверхности, что значительно улучшает качество формируемого методами фотолитографии топологического рисунка структур упругих элементов интегрального преобразователя, приводя к повышению процента выхода годных изделий.Opening photolithography for contact with metallization on the working side of the plate and opening photolithography for forming elastic elements on the non-working side of the plate is carried out only on a flat, planar surface that does not contain reliefs, which significantly improves the quality of the topological pattern of structures of elastic elements formed by photolithography Converter, leading to an increase in the percentage of yield.
На чертежах фиг. 1,а-1,е показана последовательность операций, применяемых для реализации предложенного способаIn the drawings of FIG. 1, a-1, e shows the sequence of operations used to implement the proposed method
На фиг. 1,а изображена кремниевая пластина 1 с подслоем окисла кремния 2, слоем нитрида кремния 3, образующими диэлектрический слой.In FIG. 1a shows a
На фиг. 1,б показаны контактные окна 4 к кремниевой пластине 1.In FIG. 1, b shows contact windows 4 to the
На фиг. 1,в показана металлизация 5, контактирующая с кремниевой пластиной 1, металлизация 6 на поверхности диэлектрического слоя нитрида кремния 3 с подслоем окисла кремния 2.In FIG. 1, c shows
На фиг. 1,г изображен слой металла 7 с обеих сторон кремниевой пластины 1, вскрытые окна 8 под анизотропное травление с рабочей стороны пластины 1.In FIG. 1d shows a
На фиг. 1,д показаны вскрытые окна 9 в слое металла 7 с нерабочей стороны кремниевой пластины 1 под глубокое анизотропное травление.In FIG. 1, e shows the opened
На фиг. 1,е изображен упругий элемент 10, пластина 1 с удаленными защитными слоями с нерабочей стороны, готовая структура интегрального преобразователя 11In FIG. 1e shows the
Пример реализации предложенного способа:An example of the implementation of the proposed method:
На кремниевой пластине 1 толщиной 300-400 мкм с ориентацией базовой поверхности в плоскости с низкими индексами Миллера ((100), (110), (111)) известными методами создают подслой окисла кремния 2 с обеих сторон пластины толщиной 0,2-2,0 мкм, наносят слой из нитрида кремния 3 толщиной 0,2-2,0 мкм вместе образующими диэлектрический слой (фиг. 1, а), проводят фотолитографию по вскрытию окон 4 в диэлектрическом слое под контакт с металлизацией с рабочей стороны пластины 1, причем рабочая сторона пластины 1 не содержит рельефа, являясь плоской (фиг. 1, б). Известными методами в едином технологическом цикле формируют на рабочей стороне пластины 1 металлизацию 5, например, из пленки алюминия толщиной 1,2-2,0 мкм, контактирующую с кремниевой пластиной 1, металлизацию 6 на поверхности диэлектрического слоя нитрида кремния 3 с подслоем окисла кремния 2 (фиг. 1, в). Далее формируют слой металла 7 с обеих сторон кремниевой пластины 1, служащий в качестве защитного при анизотропном травлении, проводят фотолитографию под анизотропное травление с рабочей стороны пластины 1, поочередно удаляя в открытых окнах слои металла 7, слой нитрида кремния 3 и подслой окисла кремния 2, после чего травят пластину на глубину (например, методом плазмохимического анизотропного травления), равную толщине упругих элементов, при этом слой металла 7 может представлять собой композицию из слоев ванадия и слоев напыленной и гальванически осажденной меди общей толщиной 5,0…14,0 мкм (фиг. 1, г). После этого с нерабочей стороны пластины 1 проводят фотолитографию по слою металла 7 под анизотропное травление, поочередно удаляя в открытых окнах слои металла 7, слой нитрида кремния 3 и подслой окисла кремния 2, причем фотолитография проводится по плоской поверхности нерабочей стороны пластины 1 (фиг. 1, д), проводят глубокое анизотропное травление на определенную глубину до достижения нужной толщины упругих элементов 10, удаляют защитные слои с нерабочей стороны пластины 1, получая готовую структуру интегрального преобразователя 11.On a
Таким образом, предложенный способ повышает процент выхода годных изделий за счет выполнения операций фотолитографии по плоским поверхностям, не содержащим рельефа.Thus, the proposed method increases the percentage of yield by performing photolithography operations on flat surfaces that do not contain relief.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018141010A RU2698486C1 (en) | 2018-11-21 | 2018-11-21 | Method for manufacturing of integral converters |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018141010A RU2698486C1 (en) | 2018-11-21 | 2018-11-21 | Method for manufacturing of integral converters |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2698486C1 true RU2698486C1 (en) | 2019-08-28 |
Family
ID=67851355
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018141010A RU2698486C1 (en) | 2018-11-21 | 2018-11-21 | Method for manufacturing of integral converters |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2698486C1 (en) |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2076395C1 (en) * | 1994-09-29 | 1997-03-27 | Московский государственный институт электронной техники (технический университет) | Strain-gage transducer manufacturing process |
| US7052623B1 (en) * | 1998-10-15 | 2006-05-30 | Robert Bosch Gmbh | Method for processing silicon using etching processes |
| RU2439741C1 (en) * | 2010-11-09 | 2012-01-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет МИЭТ" (МИЭТ) | Method of making sensitive elements of micromechanical systems |
| RU2539767C1 (en) * | 2013-10-03 | 2015-01-27 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" | Method of manufacturing deeply profiled silicon structures |
| RU2580910C1 (en) * | 2014-12-15 | 2016-04-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт химии и механики" (ФГУП "ЦНИИХМ") | Method of making elastic element of micromechanical device |
| RU2628732C1 (en) * | 2016-05-20 | 2017-08-21 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" | Method for forming monocrystalline element of micromechanical device |
| RU2648287C1 (en) * | 2016-12-27 | 2018-03-23 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" | Method of manufacture of elastic elements of micromechanical sensors |
-
2018
- 2018-11-21 RU RU2018141010A patent/RU2698486C1/en active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2076395C1 (en) * | 1994-09-29 | 1997-03-27 | Московский государственный институт электронной техники (технический университет) | Strain-gage transducer manufacturing process |
| US7052623B1 (en) * | 1998-10-15 | 2006-05-30 | Robert Bosch Gmbh | Method for processing silicon using etching processes |
| RU2439741C1 (en) * | 2010-11-09 | 2012-01-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет МИЭТ" (МИЭТ) | Method of making sensitive elements of micromechanical systems |
| RU2539767C1 (en) * | 2013-10-03 | 2015-01-27 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "МИЭТ" | Method of manufacturing deeply profiled silicon structures |
| RU2580910C1 (en) * | 2014-12-15 | 2016-04-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Центральный научно-исследовательский институт химии и механики" (ФГУП "ЦНИИХМ") | Method of making elastic element of micromechanical device |
| RU2628732C1 (en) * | 2016-05-20 | 2017-08-21 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" | Method for forming monocrystalline element of micromechanical device |
| RU2648287C1 (en) * | 2016-12-27 | 2018-03-23 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт физических измерений" | Method of manufacture of elastic elements of micromechanical sensors |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7361524B2 (en) | Method of manufacturing floating structure | |
| US7785481B2 (en) | Method for fabricating micromachined structures | |
| US20020055253A1 (en) | Method for producing a micromechanical structure and a micromechanical structure | |
| TW200806567A (en) | Method of deep etching | |
| JPH0255507B2 (en) | ||
| JP5353101B2 (en) | Microstructure formation method | |
| JP6235023B2 (en) | Silicon etching method | |
| US20040248376A1 (en) | Method for forming a cavity structure on soi substrate and cavity structure formed on soi substrate | |
| RU2698486C1 (en) | Method for manufacturing of integral converters | |
| Agarwal et al. | Fabrication of vertical mirrors using plasma etch and KOH: IPA polishing | |
| EP3409639B1 (en) | Method for recess etching in micromechanical devices | |
| EP3210936B1 (en) | A method of manufacturing a plurality of through-holes in a layer | |
| CN112624031A (en) | MEMS structure with over-etching barrier layer and preparation method thereof | |
| Pal et al. | A novel process for perfect convex corner realization in bulk micromachining | |
| US7160751B2 (en) | Method of making a SOI silicon structure | |
| US6867061B2 (en) | Method for producing surface micromechanical structures, and sensor | |
| US7682956B2 (en) | Three-dimensional metal microfabrication process and devices produced thereby | |
| RU2625248C1 (en) | Method of manufacturing crystals of microelectromechanical systems | |
| JP5382937B2 (en) | Etching method with improved control of feature critical dimension at the bottom of thick film | |
| RU2691162C1 (en) | Method of forming deeply profiled silicon structures | |
| RU2692112C1 (en) | Method of producing through microholes in a silicon substrate | |
| RU2672033C1 (en) | Method for formation of silica areas in silicon plate | |
| RU2687299C1 (en) | Method of producing relief in dielectric substrate | |
| EP2199252A1 (en) | Method of making a micro electro mechanical system (MEMS) device | |
| RU2672034C1 (en) | Method of obtaining relief in dielectric substrate |