Claims (10)
1. Способ ионно-плазменного нанесения покрытий на подложку в вакуумированной среде инертного газа, включающий очистку поверхности подложки ионным потоком за счет создания разности электрических потенциалов между подложкой и катодом, нанесения покрытия при заданной выдержке после снижения разности потенциалов между ними с последующим повышением разности потенциалов с целью отжига покрытия, отличающийся тем, что при очистке поверхности подложки ионный поток и поток испаряющегося материала от катода к подложке экранируют, очищают поверхность подложки ионами инертного газа, а нанесение покрытия с последующим отжигом осуществляют неоднократно до получения слоя требуемой толщины.1. The method of ion-plasma coating on a substrate in a vacuum inert gas medium, comprising cleaning the surface of the substrate with an ion stream by creating a difference in electric potentials between the substrate and the cathode, coating at a given exposure after reducing the potential difference between them, followed by increasing the potential difference with the purpose of coating annealing, characterized in that when cleaning the surface of the substrate, the ion stream and the stream of evaporating material from the cathode to the substrate are shielded, cleaned more ited substrate by ions of an inert gas, and applying a coating, followed by annealing is performed repeatedly until the desired layer thickness.
2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что экранирование ионного потока и потока испаряющегося материала прекращают после завершения процесса очистки поверхности подложки. 2. The method according to p. 1, characterized in that the screening of the ion flow and the flow of the evaporating material is stopped after completion of the cleaning process of the surface of the substrate.
3. Способ по пп. 1-2, отличающийся тем, что подложка выполнена из высоколегированного сплава на никелевой основе. 3. The method according to PP. 1-2, characterized in that the substrate is made of a high alloy nickel-base alloy.
4. Способ по пп. 1-3, отличающийся тем, что в качестве материала катода используют никель. 4. The method according to PP. 1-3, characterized in that nickel is used as the cathode material.
5. Способ по пп. 1-4, отличающийся тем, что в качестве инертного газа используют аргон. 5. The method according to PP. 1-4, characterized in that the inert gas using argon.
6. Способ по пп. 1-5, отличающийся тем, что процессы очистки поверхности подложки, имеющей сложную конфигурацию, нанесение на нее покрытия, а также проведение отжигов осуществляют при ее вращении. 6. The method according to PP. 1-5, characterized in that the processes of cleaning the surface of the substrate having a complex configuration, coating on it, as well as annealing is carried out during its rotation.
7. Способ по пп. 1-6, отличающийся тем, что очистку поверхности подложки проводят при напряжении между катодом и подложкой 1000-1500 В при разрежении в камере 5•10-3-1•10-4 мм рт. ст.7. The method according to PP. 1-6, characterized in that the cleaning of the surface of the substrate is carried out at a voltage between the cathode and the substrate of 1000-1500 V with a vacuum in the chamber of 5 • 10 -3 -1 • 10 -4 mm RT. Art.
8. Способ по пп. 1-7, отличающийся тем, что нанесение покрытия на подложку проводят при напряжении 100-200 В между ней и катодом. 8. The method according to PP. 1-7, characterized in that the coating on the substrate is carried out at a voltage of 100-200 V between it and the cathode.
9. Способ по пп. 1-8, отличающийся тем, что отжиги слоев покрытия проводят при напряжении 1250-1500 В между подложкой и катодом. 9. The method according to PP. 1-8, characterized in that the annealing of the coating layers is carried out at a voltage of 1250-1500 V between the substrate and the cathode.
10. Способ по пп. 1-9, отличающийся тем, что после удаления из камеры подложки с нанесенным покрытием ее подвергают диффузионному отжигу при температуре 1000±50oС в вакууме не ниже 1•10-3 мм рт. ст.10. The method according to PP. 1-9, characterized in that after removing the coated substrate from the chamber, it is subjected to diffusion annealing at a temperature of 1000 ± 50 o C in a vacuum of at least 1 • 10 -3 mm RT. Art.