RU183909U1 - Малогабаритный радиационно стойкий высокотемпературный тензочувствительный элемент преобразователя давления - Google Patents
Малогабаритный радиационно стойкий высокотемпературный тензочувствительный элемент преобразователя давления Download PDFInfo
- Publication number
- RU183909U1 RU183909U1 RU2018130710U RU2018130710U RU183909U1 RU 183909 U1 RU183909 U1 RU 183909U1 RU 2018130710 U RU2018130710 U RU 2018130710U RU 2018130710 U RU2018130710 U RU 2018130710U RU 183909 U1 RU183909 U1 RU 183909U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- membrane
- silicon
- walls
- aluminum
- pressure transducer
- Prior art date
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 12
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 74
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 48
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 48
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 47
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 34
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 26
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 22
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 5
- 238000009623 Bosch process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/02—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning
- G01L9/04—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in ohmic resistance, e.g. of potentiometers, electric circuits therefor, e.g. bridges, amplifiers or signal conditioning of resistance-strain gauges
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
Полезная модель относится к области измерительной техники, а именно к преобразователям давления, и может быть использована в разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых преобразователей давления, работоспособных в условиях жестких внешних воздействий. У радиационно стойкого высокотемпературного тензочувствительного элемента преобразователя давления величина угла между стенками боковой поверхности мембраны и дном мембраны составляет от 85° до 95°, величина угла между стенками жесткого центра мембраны и дном мембраны составляет от 85° до 95°, величина радиуса скругления стенок боковой поверхности мембраны составляет от 200 до 300 мкм, величина радиуса скругления стенок жесткого центра мембраны составляет от 200 до 300 мкм. Технический результат - уменьшение габаритных размеров преобразователя давления за счет использования практически вертикальных стенок мембраны с жестким центром и, как следствие, увеличение прочности преобразователя давления.4 ил.
Description
Малогабаритный радиационно стойкий высокотемпературный тензочувствительный элемент преобразователя давления
МПК G01L 9/04
Полезная модель относится к области измерительной техники, а именно к преобразователям давления, и может быть использована в разработке и изготовлении малогабаритных полупроводниковых преобразователей давления, работоспособных в условиях жестких внешних воздействий.
Известен полупроводниковый преобразователь давления, содержащий измерительную пластину из кремния, защитную пластину, соединенную с измерительной пластиной и разделительную пластину с центральным отверстием (патент № US 7775119 B1, 17.08.2010). Измерительная пластина состоит из микрообработанного устройства из кремния, содержащего мембрану и основание, на первую поверхность мембраны подается давление, приводящее к перемещению мембраны; диэлектрического слоя, расположенного на второй стороне мембраны, противоположной первой стороне; и кремниевых чувствительных элементов, расположенных на диэлектрическом слое. Коэффициент теплового расширения материала чувствительных элементов практически совпадает с коэффициентом теплового расширения материала измерительной пластины. Защитная пластина соединена с измерительной пластиной и содержит выемку на внутренней поверхности, ограничивающей герметичную опорную полость, которая окружает чувствительные элементы и предотвращает воздействие внешней среды на чувствительные элементы. Разделительная пластина с центральным отверстием выровнена относительно мембраны и соединена с основанием микро обработанного устройства. Описанная конструкция имеет неоптимальную форму мембраны, а также отсутствует концентратор механических напряжений на мембране, что приводит к низкой прочности и малому диапазону линейного преобразования.
Недостатком данного преобразователя давления является высокая погрешность измерений, обусловленная высокой нелинейностью выходного сигнала и низкой прочностью мембраны.
Известен радиационно стойкий высокотемпературный тензочувствительный элемент преобразователя давления, содержащий выполненный из кремния и имеющий лицевую и тыльную стороны полупроводниковый кристалл, с тыльной стороны которого анизотропным травлением сформирована квадратная кремниевая мембрана с жёстким центром, а на лицевой стороне находится мостовая измерительная схема, каждое плечо которой сформировано из тонкоплёночного кремниевого тензорезистора р-типа, соединённого концами с кремниевыми токоведущими дорожками, при этом тензорезисторы на лицевой стороне полупроводникового кристалла располагаются в местах концентрации механических напряжений, первое плечо соединяется со вторым алюминиевой контактной площадкой, третье плечо соединяется с четвертым алюминиевой контактной площадкой, первое плечо соединяется с третьим последовательно соединенными алюминиевой токоведущей дорожкой и контактной площадкой, четвертое плечо соединяется со вторым последовательно соединенными алюминиевой токоведущей дорожкой и контактной площадкой, причем мостовая измерительная схема, содержащая тензорезисторы, кремниевые и алюминиевые токоведущие дорожки и алюминиевые контактные площадки, изолирована от подложки из монокристаллического кремния n-типа слоем термического оксида кремния, а поверхность полупроводникового кристалла с лицевой стороны и мостовая измерительная схема, кроме алюминиевых контактных площадок, покрыты пассивирующим слоем оксида кремния, плечи мостовой измерительной схемы расположены параллельно друг другу, величина угла между стенками тензорезисторов и слоем термического оксида кремния составляет от 85° до 95°, величина угла между стенками кремниевых токоведущих дорожек и слоем термического оксида кремния составляет от 85° до 95°, толщина квадратной кремниевой мембраны составляет от 20 мкм до половины толщины полупроводникового кристалла. Патент на полезную модель RU 167463, МПК G01L 9/04, 10.08.2016. Данное техническое решение принято в качестве прототипа.
Недостатком прототипа являются большие габаритные размеры преобразователя давления, обусловленные наклонными стенками мембраны с жестким центром и, как следствие пониженная прочность преобразователя давления.
Полезная модель устраняет недостаток прототипа.
Техническим результатом полезной модели является уменьшение габаритных размеров преобразователя давления за счет использования практически вертикальных стенок мембраны с жестким центром и, как следствие, увеличение прочности преобразователя давления.
Технический результат достигается тем, что радиационно стойкий высокотемпературный тензочувствительный элемент преобразователя давления, содержащий выполненный из кремния и имеющий лицевую и тыльную стороны полупроводниковый кристалл, с тыльной стороны которого сформирована квадратная кремниевая мембрана с жёстким центром, а на лицевой стороне находится мостовая измерительная схема, каждое плечо которой сформировано из тонкоплёночного кремниевого тензорезистора р-типа, соединённого концами с кремниевыми токоведущими дорожками, при этом тензорезисторы на лицевой стороне полупроводникового кристалла располагаются в местах концентрации механических напряжений, первое плечо соединяется со вторым алюминиевой контактной площадкой, третье плечо соединяется с четвертым алюминиевой контактной площадкой, первое плечо соединяется с третьим последовательно соединенными алюминиевой токоведущей дорожкой и контактной площадкой, четвертое плечо соединяется со вторым последовательно соединенными алюминиевой токоведущей дорожкой и контактной площадкой, причем мостовая измерительная схема, содержащая тензорезисторы, кремниевые и алюминиевые токоведущие дорожки и алюминиевые контактные площадки, изолирована от подложки из монокристаллического кремния n-типа слоем термического оксида кремния, а поверхность полупроводникового кристалла с лицевой стороны и мостовая измерительная схема, кроме алюминиевых контактных площадок, покрыты пассивирующим слоем оксида кремния, плечи мостовой измерительной схемы расположены параллельно друг другу, величина угла между стенками тензорезисторов и слоем термического оксида кремния составляет от 85° до 95°, величина угла между стенками кремниевых токоведущих дорожек и слоем термического оксида кремния составляет от 85° до 95°, толщина квадратной кремниевой мембраны составляет от 20 мкм до половины толщины полупроводникового кристалла, величина угла между стенками боковой поверхности мембраны и дном мембраны составляет от 85° до 95°, величина угла между стенками жесткого центра мембраны и дном мембраны составляет от 85° до 95°, величина радиуса скругления стенок боковой поверхности мембраны составляет от 200 до 300 мкм, величина радиуса скругления стенок жесткого центра мембраны составляет от 200 до 300 мкм.
Сущность полезной модели поясняется чертежами фиг. 1–4.
На фиг. 1 представлена топология малогабаритного радиационно стойкого высокотемпературного тензочувствительного элемента преобразователя давления, где
1 – полупроводниковый кристалл;
2 – алюминиевые токоведущие дорожки;
3 – алюминиевые контактные площадки;
4 – кремниевые токоведущие дорожки;
5 – тонкопленочные кремниевые тензорезисторы р-типа.
На фиг. 2 представлена тыльная сторона малогабаритного радиационно стойкого высокотемпературного тензочувствительного элемента преобразователя давления, где
6 – квадратная кремниевая мембрана с жестким центром;
На фиг. 3 представлен разрез А–А малогабаритного радиационно стойкого высокотемпературного тензочувствительного элемента преобразователя давления, где
7 – слой термического оксида кремния;
8 – подложка из монокристаллического кремния n-типа;
9 – пассивирующий слой оксида кремния.
На фиг. 4 представлен сравнительный расчет паразитных механических напряжений, возникающих на тыльной стороне мембраны в зависимости от давления, для прототипа и предлагаемой конструкции малогабаритного радиационно стойкого высокотемпературного тензочувствительного элемента преобразователя давления.
Устройство содержит полупроводниковый кристалл 1, выполненный из кремния, с тыльной стороны которого находится квадратная кремниевая мембрана 6 с жестким центром, а на лицевой стороне – мостовая измерительная схема.
Исходный полупроводниковый кристалл 1 содержит последовательные слои: подложку 8 из монокристаллического кремния n-типа, слой 7 термического оксида кремния и приборный слой кремния, из которого в процессе изготовления формируются кремниевые токоведущие дорожки 4 и тонкопленочные кремниевые тензорезисторы 5 р-типа. Затем осаждается слой алюминия, из которого изготавливаются алюминиевые токоведущие дорожки 2 и алюминиевые контактные площадки 3. Вся поверхность кристалла и мостовая измерительная схема, кроме алюминиевых контактных площадок 3, покрыта пассивирующим слоем 9 оксида кремния.
Мембрана 6 создается комбинированным травлением, включающим сухое глубинное травление (Bosch-процесс или криогенное травление) и жидкостное изотропное травление кремния. Сначала проводится реактивное ионное травление кремния во фторсодержащей индуктивно-связанной плазме с высокой скоростью травления (15÷19 мкм/мин) для удаления основного слоя кремния. Вследствие неравномерного травления и пассивации на стенках мембраны 6 и жёсткого центра мембраны, а так же на дне мембраны 6 могут появляться шероховатости и микроиглы. Для удаления этих нежелательных дефектов завершающий этап травления на глубину от 10 мкм до 20 мкм проводится в полирующем изотропном растворе, состав которого подбирается исходя из скорости и равномерности травления, а так же требуемой шероховатости стенок мембраны 6, стенок жёсткого центра мембраны и дна мембраны 6.
Мостовая измерительная схема состоит из четырёх тонкопленочных кремниевых тензорезисторов р-типа 5; оба конца каждого тензорезистора соединены с кремниевыми токоведущими дорожками 4, объединенными алюминиевыми токоведущими дорожками 2 и алюминиевыми контактными площадками 3. Тензорезисторы 5 лежат в местах концентрации механических напряжений и при подаче измеряемого давления испытывают максимальные деформации. Мостовая измерительная схема изолирована от подложки 8 из монокристаллического кремния n-типа слоем 7 термического оксида кремния. Тензорезисторы 5 и кремниевые токоведущие дорожки 4 сформированы селективным плазмохимическим травлением, обеспечивающим угол 90°±5° между стенками тонкопленочных кремниевых тензорезисторов 5 и слоем 7 термического оксида кремния, а также угол 90°±5° между стенками кремниевых токоведущих дорожек 4 и слоем 7 термического оксида кремния. Поверхность кристалла 1 и мостовой измерительной схемы, кроме алюминиевых контактных площадок 3, покрыта пассивирующим слоем 9 оксида кремния.
Устройство работает следующим образом.
При подаче измеряемого давления на полупроводниковый кристалл 1, оно воздействует на квадратную кремниевую мембрану 6 с жестким центром, которая, изгибаясь, деформирует тонкопленочные кремниевые тензорезисторы 5, расположенные на лицевой стороне полупроводникового кристалла 1. При этом в тензорезисторах 5 возникает тензоэффект, то есть изменяется их сопротивление, и, соответственно, увеличивается разбаланс мостовой измерительной схемы, в которую объединены тензорезисторы 5, кремниевые токоведущие дорожки 4 и алюминиевые токоведущие дорожки 2. Величина разбаланса снимается в виде выходного сигнала с помощью кремниевых токоведущих дорожек 4, объединенных алюминиевыми токоведущими дорожками 2 и алюминиевыми контактными площадками 3. Слой 7 термического оксида кремния, которым мостовая измерительная схема отделена от подложки 8 из монокристаллического кремния n-типа, и пассивирующий слой 9 оксида кремния, покрывающий поверхность кристалла 1 и мостовую измерительную схему, кроме алюминиевых контактных площадок 3, повышают работоспособность радиационно стойкого высокотемпературного тензочувствительного элемента преобразователя давления в условиях жестких внешних воздействий (радиационных, температурных).
В предлагаемой конструкции устройства мембрана 6 создается с помощью комбинированного травления, включающего сухое глубинное травление (Bosch-процесс или криогенное травление) и жидкостное изотропное травление кремния. Сухое травление полупроводникового материала не зависит от кристаллографических направлений, а определяется лишь параметрами травления (давление в реакторе, частота плазмы, мощность источника и т.д.), и можно формировать мембрану 6 с жестким центром практически любой формы. Такое решение позволяет получить стенки мембраны 6 близкие к вертикальным с отклонением боковой поверхности мембраны 6 и жесткого центра мембраны от дна мембраны 6 не более 5°. Благодаря этому можно уменьшить площадь мембраны 6 в 1,5÷2 раза по сравнению с прототипом в зависимости от толщины мембраны.
У прототипа для достижения необходимой площади мембраны, получаемой анизотропным жидкостным травлением, габаритные размеры преобразователя давления увеличиваются из-за наклонных стенок, угол между стенками боковой поверхности мембраны и дном мембраны составляет 125,3° и угол между стенками жесткого центра и дном мембраны составляет 125,3°, так как травление осуществляется по кристаллографическим плоскостям кремния.
Чувствительность преобразователя давления зависит от площади мембраны, воспринимающей внешнее воздействие, и растет линейно с ее увеличением. И для достижения одинаковой чувствительности прототипа и разрабатываемого устройства с толщиной кристалла 400 мкм, толщиной квадратной мембраны 20 мкм и размером, например, 1 мм2, исходные кристаллы будут иметь различные линейные размеры. У прототипа за счет угла между стенками боковой поверхности мембраны и дном мембраны, между стенками жесткого центра и дном мембраны равному 125,3°, при прочих равных условиях, размер квадратного кристалла будет равен 3 мм. У разрабатываемого устройства, благодаря углу между стенками боковой поверхности мембраны и дном мембраны, углу между стенками жесткого центра мембраны и дном мембраны равному практически 90° размер квадратного кристалла будет равен 2,12 мм, что приведет к уменьшению площади, занимаемой устройством в 2 раза.
Форма мембраны 6 с жестким центром, получаемая при использовании сухого глубинного травления обеспечивает повышенную прочность кристалла 1 за счет отсутствия областей с повышенной концентрацией паразитных механических напряжений. Главным образом такие области располагаются в углах жесткого центра мембраны, причем эти области напряженности не участвуют в формировании полезного тензометрического сигнала и являются слабым местом кристалла 1 при перегрузочном давлении. Основания мембраны 6 и жесткого центра мембраны выполняются квадратными с радиусом скругления R равным от 200 до 300 мкм. Такие значения радиуса скругления обеспечивают создание сглаженных ребер и минимальных паразитных механических напряжений в мембране 6 при подаче давления. При снижении радиуса скругления менее 200 мкм в этих местах концентрируются повышенные паразитные механические напряжения. При увеличении радиуса скругления больше 300 мкм, растет свободная площадь мембраны 6 и снижается ее прочность.
У прототипа присутствуют области с повышенной концентрацией паразитных механических напряжений, расположенные главным образом в углах жесткого центра, и образующиеся при травлении по кристаллографическим плоскостям анизотропным жидкостным травлением, которые наиболее уязвимы для разрушения при перегрузочном давлении. При обработке этих областей в изотропном растворе, можно добиться снижения общей шероховатости в 2 раза и незначительного сглаживания ребер, но углы, образованные пересечением кристаллографических плоскостей, по-прежнему будут являться концентраторами паразитных механических напряжений.
Таким образом, благодаря комбинированному травлению, включающему сухое глубинное травление (Bosch-процесс или криогенное травление) и жидкостное изотропное травление мембраны 6 с жестким центром, достигается заявленный технический результат, а именно, уменьшение габаритных размеров преобразователя давления за счет использования практически вертикальных стенок мембраны 6 с жестким центром. Как следствие появляется возможность для увеличения прочности преобразователя давления.
Claims (1)
- Радиационно стойкий высокотемпературный тензочувствительный элемент преобразователя давления, содержащий выполненный из кремния и имеющий лицевую и тыльную стороны полупроводниковый кристалл, с тыльной стороны которого сформирована квадратная кремниевая мембрана с жёстким центром, а на лицевой стороне находится мостовая измерительная схема, каждое плечо которой сформировано из тонкоплёночного кремниевого тензорезистора р-типа, соединённого концами с кремниевыми токоведущими дорожками, при этом тензорезисторы на лицевой стороне полупроводникового кристалла располагаются в местах концентрации механических напряжений, первое плечо соединяется со вторым алюминиевой контактной площадкой, третье плечо соединяется с четвертым алюминиевой контактной площадкой, первое плечо соединяется с третьим последовательно соединенными алюминиевой токоведущей дорожкой и контактной площадкой, четвертое плечо соединяется со вторым последовательно соединенными алюминиевой токоведущей дорожкой и контактной площадкой, причем мостовая измерительная схема, содержащая тензорезисторы, кремниевые и алюминиевые токоведущие дорожки и алюминиевые контактные площадки, изолирована от подложки из монокристаллического кремния n-типа слоем термического оксида кремния, а поверхность полупроводникового кристалла с лицевой стороны и мостовая измерительная схема, кроме алюминиевых контактных площадок, покрыты пассивирующим слоем оксида кремния, плечи мостовой измерительной схемы расположены параллельно друг другу, величина угла между стенками тензорезисторов и слоем термического оксида кремния составляет от 85° до 95°, величина угла между стенками кремниевых токоведущих дорожек и слоем термического оксида кремния составляет от 85° до 95°, толщина квадратной кремниевой мембраны составляет от 20 мкм до половины толщины полупроводникового кристалла, отличающийся тем, что величина угла между стенками боковой поверхности мембраны и дном мембраны составляет от 85° до 95°, величина угла между стенками жесткого центра мембраны и дном мембраны составляет от 85° до 95°, величина радиуса скругления стенок боковой поверхности мембраны составляет от 200 до 300 мкм, величина радиуса скругления стенок жесткого центра мембраны составляет от 200 до 300 мкм.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018130710U RU183909U1 (ru) | 2018-08-24 | 2018-08-24 | Малогабаритный радиационно стойкий высокотемпературный тензочувствительный элемент преобразователя давления |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018130710U RU183909U1 (ru) | 2018-08-24 | 2018-08-24 | Малогабаритный радиационно стойкий высокотемпературный тензочувствительный элемент преобразователя давления |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU183909U1 true RU183909U1 (ru) | 2018-10-08 |
Family
ID=63794067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018130710U RU183909U1 (ru) | 2018-08-24 | 2018-08-24 | Малогабаритный радиационно стойкий высокотемпературный тензочувствительный элемент преобразователя давления |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU183909U1 (ru) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2284613C1 (ru) * | 2005-04-04 | 2006-09-27 | ФГУП "НИИ физических измерений" | Полупроводниковый преобразователь давления и способ его изготовления |
| RU2293955C1 (ru) * | 2005-09-02 | 2007-02-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Управляющая компания "ВИП" | Тензопреобразователь давления |
| RU2392592C1 (ru) * | 2009-04-30 | 2010-06-20 | Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ЮФУ) | Датчик давления |
| RU167463U1 (ru) * | 2016-08-10 | 2017-01-10 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" | Радиационно стойкий высокотемпературный тензочувствительный элемент преобразователя давления |
-
2018
- 2018-08-24 RU RU2018130710U patent/RU183909U1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2284613C1 (ru) * | 2005-04-04 | 2006-09-27 | ФГУП "НИИ физических измерений" | Полупроводниковый преобразователь давления и способ его изготовления |
| RU2293955C1 (ru) * | 2005-09-02 | 2007-02-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Управляющая компания "ВИП" | Тензопреобразователь давления |
| RU2392592C1 (ru) * | 2009-04-30 | 2010-06-20 | Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ" (ЮФУ) | Датчик давления |
| RU167463U1 (ru) * | 2016-08-10 | 2017-01-10 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" | Радиационно стойкий высокотемпературный тензочувствительный элемент преобразователя давления |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11226251B2 (en) | Method of making a dual-cavity pressure sensor die | |
| CN104729784B (zh) | 一种梁槽结合台阶式岛膜微压传感器芯片及制备方法 | |
| CN104764547B (zh) | 一种浮雕式岛膜应力集中结构微压传感器芯片及制备方法 | |
| WO2017028466A1 (zh) | 一种mems应变计芯片及其制造工艺 | |
| CN104748904B (zh) | 一种分段质量块应力集中结构微压传感器芯片及制备方法 | |
| WO2017148215A1 (zh) | 一种压力计芯片及其制造工艺 | |
| CN112284607B (zh) | 一种十字岛耐高温耐腐蚀压力传感器芯片及制备方法 | |
| RU167463U1 (ru) | Радиационно стойкий высокотемпературный тензочувствительный элемент преобразователя давления | |
| CN105300573B (zh) | 一种梁膜结构压电传感器及其制作方法 | |
| US20040183150A1 (en) | Silicon pressure sensor and the manufacturing method thereof | |
| RU2362236C1 (ru) | Матрица интегральных преобразователей давления | |
| CN113218544B (zh) | 具有应力集中结构的微压传感器芯片及其制备方法 | |
| RU183909U1 (ru) | Малогабаритный радиационно стойкий высокотемпературный тензочувствительный элемент преобразователя давления | |
| CN111521304B (zh) | 一种微压传感器芯片及其制备方法 | |
| CN112284605B (zh) | 一种十字岛梁膜高温微压传感器芯片及制备方法 | |
| CN108545691A (zh) | 新型表压传感器及其制作方法 | |
| RU2284613C1 (ru) | Полупроводниковый преобразователь давления и способ его изготовления | |
| RU2469437C1 (ru) | Интегральный преобразователь давления с одним жестким центром | |
| RU2362132C1 (ru) | Интегральный преобразователь давления | |
| RU210879U1 (ru) | Высокотемпературный преобразователь давления с повышенной прочностью | |
| Guan et al. | A novel 0–3 kPa piezoresistive pressure sensor based on a Shuriken-structured diaphragm | |
| RU2818501C1 (ru) | Интегральный преобразователь давления | |
| RU2329480C2 (ru) | Тензопреобразователь давления | |
| RU2080573C1 (ru) | Полупроводниковый преобразователь давления | |
| CN115790921B (zh) | 一种mems高温压力传感器芯片及其设计方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM9K | Utility model has become invalid (non-payment of fees) |
Effective date: 20200825 |