CN104729784B

CN104729784B - 一种梁槽结合台阶式岛膜微压传感器芯片及制备方法

Info

Publication number: CN104729784B
Application number: CN201510131706.6A
Authority: CN
Inventors: 蒋庄德; 徐廷中; 赵立波; 彭年才; 王久洪; 郭鑫; 许煜; 苑国英; 赵玉龙
Original assignee: Xian Jiaotong University
Current assignee: Xian Jiaotong University
Priority date: 2015-03-24
Filing date: 2015-03-24
Publication date: 2017-03-29
Anticipated expiration: 2035-03-24
Also published as: CN104729784A

Abstract

一种梁槽结合台阶式岛膜微压传感器芯片及制备方法，芯片包括基底中部的薄膜，四条浅槽沿着薄膜上部边缘分布，四条浮雕梁设置于相邻两条浅槽端部之间且与基底相连，浮雕梁的上表面、薄膜的上表面与浅槽的底面组成了梁槽结合台阶式薄膜结构，四个压敏电阻条布置在四条浮雕梁上，金属引线将压敏电阻条连接成半开环惠斯通电桥，电桥的输出端与焊盘连接；四个凸块沿薄膜下部边缘均匀分布，且与基底相连；四个质量块与凸块间隔有距离，凸块连接在薄膜上，制备方法是将SOI硅片高温氧化制作压敏电阻条，获得欧姆接触区制作金属引线和焊盘；然后制作四条浮雕梁及浅槽，最后将基底背面与防过载玻璃键合，本发明具有灵敏度高、线性度好等特点。

Description

一种梁槽结合台阶式岛膜微压传感器芯片及制备方法

技术领域

本发明涉及MEMS压阻式微压传感器技术领域，具体涉及一种梁槽结合台阶式岛膜微压传感器芯片及制备方法。

背景技术

随着微机械电子系统技术的发展，MEMS微压传感器已被广泛应用于风洞测试、生物医电等领域，尤其在航空航天领域，对传感器的体积、重量有严格要求，并要求传感器具有一定的灵敏度和固有频率。MEMS传感器无疑是十分理想的选择。例如在航空航天领域，对于飞行器深高空高度监测具有重要意义，而压力与高度有一定的比例关系，因而通过压力传感器就可反映出飞行器高度的变化。飞行器从发射到达到预定高度，大气压力从约100kPa变化到几百Pa，因而传感器除了能检测几百Pa的微压能力外，还必须具有高过载能力，以使其在地面大气作用下不会因大气压力造成破坏。又如在生物仪器领域，为了精确的进行移液工作，需要精密地检测液面高度的变化，可通过检测液体高度产生的微压变化来反应液面高度的变化，而毫米级液面高度对应的压力范围仅在几百Pa范围内。

不同敏感原理的压力传感器有着不同的优缺点。比如压电式压力传感器受其敏感原理的限制，不能测量静态压力，且输出的电荷信号需要后续复杂的辅助电路进行处理；电容式压力传感器具有灵敏度高、温漂小，功耗低等优点，但输入阻抗大，易受寄生电容的影响，对于周围环境的干扰较敏感；谐振式压力传感器具有较好的灵敏度以及较低的温漂，但与压阻式压力传感器相比其制作工艺更加复杂，成品率相对较低；压阻式压力传感器虽易受温度影响，但其测量范围广、可测量静态和动态信号，精度高，动态响应好，后处理电路简单。

压阻式压力传感器的关键结构是薄膜结构，四个压敏电阻条布置在薄膜边缘的应力集中位置，形成惠斯通全桥将应力转换为电学信号。随着薄膜结构厚度的减薄，传感器对压力的灵敏度会提高，但传感器的非线性也会增加，从而加大了信号处理的难度。

我国目前的MEMS微压传感器主要还停留在kPa级上，不能满足航天领域对Pa级微压测量的要求，也不能适应诸如对深高空微压精确测量技术、生物医疗器械中的精确微压测量等领域的需求。因此，如何实现Pa级的超低微压测量，解决灵敏度与频响特性、灵敏度与非线性度之间的矛盾，保证微压传感器的高灵敏度、高频响特性以及高过载能力，是保障微压传感器进行可靠、精确测量而亟待突破的关键技术难点。

发明内容

为了克服上述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种梁槽结合台阶式岛膜微压传感器芯片及制备方法，能够对Pa级微压进行测量，具有灵敏度高、线性度好、精度高、动态性能好等特点，同时能够承受相当于满量程若干倍的高过载，该结构制作方法简单，可靠性高，易于批量化生产。

为了实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：

一种梁槽结合台阶式岛膜微压传感器芯片，包括基底1中部设有的薄膜2，四条浅槽3-1、3-2、3-3、3-4沿着薄膜2上部边缘均匀分布，四条浅槽3-1、3-2、3-3、3-4的深度为薄膜2厚度的5％～90％；四条浮雕梁4-1、4-2、4-3、4-4设置于相邻两条浅槽的端部之间且与基底1相连，四条浮雕梁4-1、4-2、4-3、4-4上表面高出薄膜2上表面的高度为薄膜2厚度的5％～90％，浮雕梁4-1、4-2、4-3、4-4的上表面、薄膜2的上表面与浅槽3-1、3-2、3-3、3-4的底面组成了梁槽结合台阶式薄膜结构，四个压敏电阻条7-1、7-2、7-3、7-4分别按应力分布规律均匀布置在四条浮雕梁4-1、4-2、4-3、4-4上，且压敏电阻条7-1、7-2、7-3、7-4的有效长度方向沿着压阻系数最大的晶向；焊盘9布置在基底1上表面；金属引线8将四个压敏电阻条7-1、7-2、7-3、7-4相互连接成半开环惠斯通电桥，并且将电桥的输出端与焊盘9连接；

四个凸块6-1、6-2、6-3、6-4沿薄膜2下部边缘均匀分布，且与基底1相连；四个质量块5-1、5-2、5-3、5-4与凸块6-1、6-2、6-3、6-4图形的对称轴相重合且与凸块6-1、6-2、6-3、6-4在沿对称轴方向上间隔有距离，凸块6-1、6-2、6-3、6-4连接在薄膜2上；

基底1背面与防过载玻璃10键合在一起。

所述的薄膜2的膜宽厚比为70～700：1。

所述的防过载玻璃10上制作有台阶结构；台阶结构由顶面13、底面11和两者之间设有的台阶面12组成，底面11与台阶面12的深度以及尺寸的设计保证传感器在正常工作情况下，质量块5-1、5-2、5-3、5-4与顶面13、台阶面12、底面11之间不发生干涉，在过载状态下,台阶面12与底面11能够将质量块5-1、5-2、5-3、5-4进行限位，当基底1和防过载玻璃10之间形成的腔体为真空时，则实现绝对微压测量；当防过载玻璃结构10带有孔时，则实现相对微压测量。

所述的薄膜2选用正四边形薄膜，四条浅槽3-1、3-2、3-3、3-4均成L形，四个质量块5-1、5-2、5-3、5-4采用中空楔形结构。

所述的压敏电阻条7-1、7-3为四折或多折电阻条结构；压敏电阻条7-2、7-4为单根或多折电阻条结构，压敏电阻条7-1、7-3与7-2、7-4的初始总电阻值相同，并且其有效长度方向均沿着压阻系数最大的晶向。

所述的一种浮雕式岛膜应力集中结构微压传感器芯片的制备方法，包括以下步骤：

1)使用HF溶液清洗的SOI硅片，SOI硅片为N型(100)晶面；所述SOI硅片从上到下分为三层，分别是：上层单晶硅14、二氧化硅埋层15和下层单晶硅16；

2)对SOI硅片进行高温氧化，在上层单晶硅14正面形成二氧化硅层17，然后用P-压敏电阻版，对上层单晶硅14表面形成的二氧化硅层17光刻出压敏电阻区域，去除压敏电阻区域的二氧化硅层17，裸露出上层单晶硅14，对上层单晶硅14顶部的压敏电阻区域注入硼离子，获得压敏电阻条7-1、7-2、7-3、7-4；

3)利用P+欧姆接触版，去除部分的二氧化硅层17后，在上层单晶硅14表面光刻形成硼离子重掺杂区18，获得低阻的P型重掺杂硅作为欧姆接触区，保证压敏电阻条7-1、7-2、7-3、7-4的欧姆连接；

4)在欧姆接触区，利用金属引线版，光刻出金属引线的形状，溅射金属层或者其他复合结构金属层，形成传感器芯片的金属引线8和焊盘9；

5)利用浮雕梁结构版，对上层单晶硅14正面进行光刻，将薄膜2正面去除相应深度的硅,形成四条浮雕梁4-1、4-2、4-3、4-4；

6)利用浅槽结构版，继续将薄膜2正面去除相应深度的硅,形成浅槽3-1、3-2、3-3、3-4；

7)利用背腔刻蚀版，对下层单晶硅16背面进行光刻，以二氧化硅层15作为刻蚀停止层去除背腔的硅材料，形成传感器的背腔结构层；

8)将基底1背面与防过载玻璃10顶面13键合。

所述步骤5)、步骤6)、步骤7)均采用深反应离子刻蚀去除硅材料，从而保证了刻蚀边沿的垂直度和深宽比。

本发明采用由浮雕梁4-1、4-2、4-3、4-4与浅槽3-1、3-2、3-3、3-4以及质量块5-1、5-2、5-3、5-4与凸块6-1、6-2、6-3、6-4构成梁槽结合台阶式岛膜结构作为MEMS微压传感器的芯片结构，并与防过载玻璃10键合制成微压传感器芯片，可以承受由大气压带来的相当于几百倍满量程的高过载。四个压敏电阻条7-1、7-2、7-3、7-4的分布位置是根据有限元计算结果确定的，通过充分利用了梁槽结合台阶式岛膜结构所产生的应力集中效果来提高惠斯通电桥的输出电压，提高了传感器的灵敏度。质量块5-1、5-2、5-3、5-4以及凸块6-1、6-2、6-3、6-4提高了薄膜2的刚度。因此，可以有效提高传感器芯片的固有频率，并保证传感器的非线性指标。

与现有技术相比，本发明传感器芯片的结构合理，能够抗高过载，同时又具备高可靠性、高精度、高线性度、高动态特性等特点，且便于加工、成本低，有利于实现批量化生产。

附图说明

图1(a)为本发明传感器芯片的正面轴测示意图；图1(b)为图1(a)中A位置放大图；图1(c)为图1(a)中B位置放大图。

图2为本发明传感器芯片正面示意图。

图3为本发明传感器芯片背腔轴测示意图。

图4为本发明传感器芯片的防过载玻璃10轴测示意图。

图5本发明传感器芯片的带孔防过载玻璃10轴测示意图。

图6(a)为本发明传感器芯片的防过载玻璃10正面示意图；图6(b)为图6(a)中C-C截面处的剖视示意图。

图7(a)为本发明传感器芯片的带孔防过载玻璃10正面示意图；7(b)为图7(a)中D-D截面处的剖视示意图。

图8为本发明在微压作用下薄膜表面的等效应力图。

图9为本发明一阶固有频率振型图。

图10为本发明传感器芯片制备方法示意图；图10(a)为制备工艺中所使用SOI片结构示意图；图10(b)为压敏电阻条制作示意图；图10(c)为欧姆接触区域制作示意图；图10(d)为金属引线制作示意图；图10(e)为正面浮雕梁刻蚀示意图；图10(f)为正面浅槽刻蚀示意图；图10(g)为背腔刻蚀示意图；图10(h)为防过载玻璃片键合示意图。

图11本发明传感器芯片在无加载状态时，图2中B-B截面处的剖视示意图。

图12本发明传感器芯片在正常工作状态时，图2中B-B截面处的剖视示意图。

图13本发明传感器芯片在过载状态时，图2中B-B截面处的剖视示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明做详细描述。

一种梁槽结合台阶式岛膜微压传感器芯片，包括基底1中部设有的薄膜2，参照图1(a)、图1(b)、图1(c)、图2，四条浅槽3-1、3-2、3-3、3-4沿着薄膜2上部边缘均匀分布，四条浅槽3-1、3-2、3-3、3-4的深度为薄膜2厚度的5％～90％；四条浮雕梁4-1、4-2、4-3、4-4设置于相邻两条浅槽的端部之间且与基底1相连，四条浮雕梁4-1、4-2、4-3、4-4上表面高出薄膜2上表面的高度为薄膜2厚度的5％～90％，浮雕梁4-1、4-2、4-3、4-4的上表面、薄膜2的上表面与浅槽3-1、3-2、3-3、3-4的底面组成了梁槽结合台阶式薄膜结构，四个压敏电阻条7-1、7-2、7-3、7-4分别按应力分布规律均匀布置在四条浮雕梁4-1、4-2、4-3、4-4上，且压敏电阻条7-1、7-2、7-3、7-4的有效长度方向沿着压阻系数最大的晶向；焊盘9布置在基底1上表面；金属引线8将四个压敏电阻条7-1、7-2、7-3、7-4相互连接成半开环惠斯通电桥，并且将电桥的输出端与焊盘9连接。

参照图3，四个凸块6-1、6-2、6-3、6-4沿薄膜2下部边缘均匀分布，且与基底1相连；四个质量块5-1、5-2、5-3、5-4与凸块6-1、6-2、6-3、6-4图形的对称轴相重合且与凸块6-1、6-2、6-3、6-4在沿对称轴方向上间隔有距离，凸块6-1、6-2、6-3、6-4连接在薄膜2上；

基底1背面与防过载玻璃10键合在一起。

所述的薄膜2的膜宽厚比为70～700：1。

如图4、图5、图6(a)、图6(b)、图7(a)、图7(b)所示，所述的防过载玻璃10上制作有台阶结构；台阶结构由顶面13、底面11和两者之间设有的台阶面12组成，底面11与台阶面12的深度以及尺寸的设计保证传感器在正常工作情况下，质量块5-1、5-2、5-3、5-4与顶面13、台阶面12、底面11之间不发生干涉，在过载状态下,台阶面12与底面11能够将质量块5-1、5-2、5-3、5-4进行限位，当基底1和防过载玻璃10之间形成的腔体为真空时，则实现绝对微压测量；当防过载玻璃结构10带有孔时，则实现相对微压测量。

以量程为500Pa、芯片最长边尺寸小于6000μm为例，其结构尺寸如下：浅槽3-1、3-2、3-3、3-4的宽度为100μm、深度为5μm；浮雕梁4-1、4-2、4-3、4-4的宽度为160μm、长度为700μm且浮雕梁4-1、4-2、4-3、4-4的上表面比薄膜2的上表面高出3μm；薄膜2厚度为10μm，薄膜2的长宽均为3500μm；基底1厚度为200μm，凸块6-1、6-2、6-3、6-4的端部距离基底1距离为190μm；质量块5-1、5-2、5-3、5-4上相距最远的两个端点的距离为1000μm，质量块5-1、5-2、5-3、5-4与凸块6-1、6-2、6-3、6-4之间的间距为35μm，在承受500Pa载荷作用下，薄膜表面等效应力情况如图8所示，可见布置压敏电阻条7-1、7-2、7-3、7-4处的等效应力约为65MPa，约为500个微应变，从而使传感器具有最高灵敏度的线性输出，传感器一阶固有频率以及振型图如图9所示，其一阶段固有频率为14.02kHz。

参照图10所示，一种梁槽结合台阶式岛膜结构微压传感器芯片的制备方法，包括以下步骤：

1)参照图10(a)，使用HF溶液清洗的SOI硅片，SOI硅片为N型(100)晶面；所述SOI硅片从上到下分为三层，分别是：上层单晶硅14、二氧化硅埋层15和下层单晶硅16；

2)参照图10(b)，在900℃-1200℃下进行高温氧化，在上层单晶硅14表面形成二氧化硅层17，然后用P-压敏电阻版，对上层单晶硅14表面形成的二氧化硅层17光刻压敏电阻区域，去除压敏电阻区域的二氧化硅层17，裸露出上层单晶硅14，对上层单晶硅14顶部的压敏电阻区域注入硼离子，获得压敏电阻条7-1、7-2、7-3、7-4；

3)参照图10(c)，利用P+欧姆接触版，去除部分的二氧化硅层17后，在上层单晶硅14表面光刻形成硼离子重掺杂区18，进行硼离子重掺杂时的硼离子注入剂量为1.5×10¹⁶cm^-2，获得低阻的P型重掺杂硅作为欧姆接触区，保证压敏电阻条7-1、7-2、7-3、7-4的欧姆连接；

4)参照图10(d)，在欧姆接触区，利用金属引线版，光刻形成金属引线的形状，溅射一定厚度的Au金属层或其他结构的金属层，形成传感器芯片的金属引线8和焊盘9；

5)参照图10(e)，利用浮雕梁结构版，对SOI硅片的上层单晶硅14进行光刻，采用深反应离子刻蚀薄膜2上表面，刻蚀形成浮雕梁4-1、4-2、4-3、4-4；

6)参照图10(f)，利用浅槽结构版，对SOI硅片的上层单晶硅14进行光刻，采用深反应离子刻蚀薄膜2上表面，刻蚀形成浅槽3-1、3-2、3-3、3-4；

7)参照图10(g)，利用背腔刻蚀版，对下层单晶硅16背面进行光刻，为保证凸块6-1、6-2、6-3、6-4和质量块5-1、5-2、5-3、5-4边沿垂直度和深宽比，采用深反应离子刻蚀形成位于薄膜2下部的结构；

8)参照图10(h)，最后，将基底1背面与防过载玻璃10的顶面13键合。

本发明工作原理为：

图11为在无加载状态时，本发明的截面结构关系示意图。参照图12，传感器在微压P₁作用下，薄膜2开始向下凹，浮雕梁4-1、4-2、4-3、4-4上表面使应力进行二次集中，从而增大了四个压敏电阻条7-1、7-2、7-3、7-4的应力变化量，有利于提高传感器的灵敏度，同时质量块5-1、5-2、5-3、5-4和凸块6-1、6-2、6-3、6-4增大了结构整体的刚度，明显改善了传感器的线性度，并有利于提高传感器的动态响应特性。

参照图13，当传感器封装为绝压传感器时，要承受大气压力P₀的作用，在承受大气压力的作用，对于500Pa量程的传感器而言，需承受相当于200倍满量程的高过载压力，质量块5-1、5-2、5-3、5-4已压在防过载玻璃10上了，起到了限位保护的作用，防止薄膜2因挠度过大而破坏，过载保护时，防过载玻璃10的台阶面12、底面11形成的台阶减小了质量块5-1、5-2、5-3、5-4与防过载玻璃10之间的接触面积，从而解决了质量块5-1、5-2、5-3、5-4的防吸附问题，当芯片由过载状态转入工作模式时，质量块5-1、5-2、5-3、5-4能够顺利弹起，而不会被底面10吸附，从而保证传感器稳定可靠地工作。

本发明的梁槽结合台阶式岛膜微压传感器芯片，相对于传统的C型平膜和E型岛膜结构，由于四个质量块5-1、5-2、5-3、5-4与四个凸块6-1、6-2、6-3、6-4提高了薄膜2整体刚度。浮雕梁4-1、4-2、4-3、4-4上表面使应力进行二次集中,以及具有台阶结构的防过载玻璃10有效解决了传感器在过载状态下的防吸附问题。因此，该结构具有线性好、灵敏度高、动态频响特性好，过载能力强等特点。

本发明的主要性能技术指标如下：

1、测量范围：0～500Pa

2、测量精度：优于0.5％FS

3、灵敏度：≥25mV/V

4、工作温度：-50℃～120℃

5、一阶固有频率：≥14kHz

6、过载能力：100kPa

7、芯片外形：4.1mm×4.1mm

以上所述仅为本发明的一种实施方式，不是全部或唯一的实施方式，本领域普通技术人员通过阅读本发明说明书而对本发明技术方案采取的任何等效的变换，均为本发明的权利要求所涵盖。

Claims

1.一种梁槽结合台阶式岛膜微压传感器芯片，包括基底(1)中部设有的薄膜(2)，其特征在于：四条浅槽(3-1、3-2、3-3、3-4)沿着薄膜(2)上部边缘均匀分布，四条浅槽(3-1、3-2、3-3、3-4)的深度为薄膜(2)厚度的5％～90％；四条浮雕梁(4-1、4-2、4-3、4-4)设置于相邻两条浅槽的端部之间且与基底(1)相连，四条浮雕梁(4-1、4-2、4-3、4-4)上表面高出薄膜(2)上表面的高度为薄膜(2)厚度的5％～90％，浮雕梁(4-1、4-2、4-3、4-4)的上表面、薄膜(2)的上表面与浅槽(3-1、3-2、3-3、3-4)的底面组成了梁槽结合台阶式薄膜结构，第一压敏电阻条(7-1)、第二压敏电阻条(7-2)、第三压敏电阻条(7-3)、第四压敏电阻条(7-4)分别按应力分布规律均匀布置在四条浮雕梁(4-1、4-2、4-3、4-4)上，且第一压敏电阻条(7-1)、第二压敏电阻条(7-2)、第三压敏电阻条(7-3)、第四压敏电阻条(7-4)的有效长度方向沿着压阻系数最大的晶向；焊盘(9)布置在基底(1)上表面；金属引线(8)将第一压敏电阻条(7-1)、第二压敏电阻条(7-2)、第三压敏电阻条(7-3)、第四压敏电阻条(7-4)相互连接成半开环惠斯通电桥，并且将电桥的输出端与焊盘(9)连接；

四个凸块(6-1、6-2、6-3、6-4)沿薄膜(2)下部边缘均匀分布，且与基底(1)相连；四个质量块(5-1、5-2、5-3、5-4)与凸块(6-1、6-2、6-3、6-4)图形的对称轴相重合且与凸块(6-1、6-2、6-3、6-4)在沿对称轴方向上间隔有距离，凸块(6-1、6-2、6-3、6-4)连接在薄膜(2)上；

基底(1)背面与防过载玻璃(10)键合在一起。

2.根据权利要求1所述的一种梁槽结合台阶式岛膜微压传感器芯片，其特征在于：所述的薄膜(2)的膜宽厚比为70～700：1。

3.根据权利要求1所述的一种梁槽结合台阶式岛膜微压传感器芯片，其特征在于：所述的防过载玻璃(10)上制作有台阶结构；台阶结构由顶面(13)、底面(11)和两者之间设有的台阶面(12)组成，底面(11)与台阶面(12)的深度以及尺寸的设计保证传感器在正常工作情况下，质量块(5-1、5-2、5-3、5-4)与顶面(13)、台阶面(12)、底面(11)之间不发生干涉，在过载状态下,台阶面(12)与底面(11)能够将质量块(5-1、5-2、5-3、5-4)进行限位，当基底(1)和防过载玻璃(10)之间形成的腔体为真空时，则实现绝对微压测量；当防过载玻璃(10)带有孔时，则实现相对微压测量。

4.根据权利要求1所述的一种梁槽结合台阶式岛膜微压传感器芯片，其特征在于：所述的薄膜(2)选用正四边形薄膜，四条浅槽(3-1、3-2、3-3、3-4)均成L形。

5.根据权利要求1所述的一种梁槽结合台阶式岛膜微压传感器芯片，其特征在于：所述的第一压敏电阻条(7-1)、第三压敏电阻条(7-3)为四折或多折电阻条结构；第二压敏电阻条(7-2)、第四压敏电阻条(7-4)为单根或多折电阻条结构，第一压敏电阻条(7-1)、第三压敏电阻条(7-3)与第二压敏电阻条(7-2)、第四压敏电阻条(7-4)的初始总电阻值相同，并且其有效长度方向均沿着压阻系数最大的晶向。

6.根据权利要求1所述的一种梁槽结合台阶式岛膜微压传感器芯片的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)使用HF溶液清洗的SOI硅片，SOI硅片为N型(100)晶面；所述SOI硅片从上到下分为三层，分别是：上层单晶硅(14)、第一二氧化硅层(15)和下层单晶硅(16)；

2)对SOI硅片进行高温氧化，在上层单晶硅(14)正面形成第二二氧化硅层(17)，然后用P-压敏电阻版，对上层单晶硅(14)表面形成的第二二氧化硅层(17)光刻出压敏电阻区域，去除压敏电阻区域的第二二氧化硅层(17)，裸露出上层单晶硅(14)，对上层单晶硅(14)顶部的压敏电阻区域注入硼离子，获得压敏电阻条(7-1、7-2、7-3、7-4)；

3)利用P+欧姆接触版，去除部分的第二二氧化硅层(17)后，在上层单晶硅(14)表面光刻形成硼离子重掺杂区(18)，获得低阻的P型重掺杂硅作为欧姆接触区，保证压敏电阻条(7-1、7-2、7-3、7-4)的欧姆连接；

4)在欧姆接触区，利用金属引线版，光刻出金属引线的形状，溅射金属层或者其他复合结构金属层，形成传感器芯片的金属引线(8)和焊盘(9)；

5)利用浮雕梁结构版，对上层单晶硅(14)正面进行光刻，将薄膜(2)正面去除相应深度的硅,形成四条浮雕梁(4-1、4-2、4-3、4-4)；

6)利用浅槽结构版，继续将薄膜(2)正面去除相应深度的硅,形成浅槽(3-1、3-2、3-3、3-4)；

7)利用背腔刻蚀版，对下层单晶硅(16)背面进行光刻，以第一二氧化硅层(15)作为刻蚀停止层去除背腔的硅材料，形成传感器的背腔结构层；

8)将基底(1)背面与防过载玻璃(10)顶面(13)键合。

7.根据权利要求6所述的一种梁槽结合台阶式岛膜微压传感器芯片的制备方法，其特征在于：所述步骤5)、步骤6)、步骤7)均采用深反应离子刻蚀去除硅材料，从而保证了刻蚀边沿的垂直度和深宽比。