CN112284606B - 一种t型交叉梁十字岛膜压力传感器芯片及制备方法 - Google Patents

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Abstract

一种T型交叉梁十字岛膜压力传感器芯片及制备方法，传感器芯片包括基底中部的薄膜，薄膜上表面连接有T型交叉梁，T型交叉梁由四个相同尺寸T字梁构成，T字梁的窄端尾部相连，T字梁的宽端头部与基底连接；在基底背面刻蚀腔体内薄膜下表面中心附着有十字型质量块，十字型质量块与T型交叉梁上下对应；T字梁的宽端头部上表面分别布置压敏浮雕电阻条；四个压敏浮雕电阻条通过五个P型重掺杂硅浮雕块依次连接成半开环惠斯顿电桥；制备方法是对SOI硅片制作压敏浮雕电阻条和P型重掺杂硅浮雕块以及点电极，然后将硅片与玻璃正面键合,最后刻蚀传感器的背腔十字型质量块；本发明传感器芯片具有耐300℃高温、耐腐蚀、高线性度等特点，便于加工、成本低。

Description

一种T型交叉梁十字岛膜压力传感器芯片及制备方法
技术领域
本发明涉及MEMS压阻式微压传感器技术领域，具体涉及一种T型交叉梁十字岛膜压力传感器芯片及制备方法。
背景技术
微机械电子系统(Microelectromechanicalsystems，简写为MEMS)技术具有尺寸小、重量轻、功耗低、可靠性高及性能优良等特点,其中微型压力传感器是在MEMS器件中开发最成熟的一类，并广泛应用于石油化工、航空航天、能源电力、交通运输、冶金、机械制造、医疗卫生等行业，基于MEMS技术研制微型压力传感器已成为引人瞩目的发展方向。
微型压力传感器种类繁多，主要有电容式、谐振式及压阻式。电容式压力传感器容易受到信号干扰，必须集成特殊的信号处理电路，同时电容易受到污染导致电容极板间短路，因此电容式压力传感器的制作难度大，整体尺寸大，应用环境苛刻。谐振式压力传感器工作于闭环模式，具有较高的测量精度，稳定性和分辨力，但是谐振式传感器制作加工难度较高，并且对作为敏感器件的谐振子的材料品质要求严格，使得加工成本较高及生产周期较长。然而，压阻式压力传感器具有小尺寸、良好的输入输出线性关系、工艺简单成熟等优点，已经被广泛应用于汽车，移动电话及医疗器械等领域。
压阻式压力传感器利用半导体材料的压阻效应制成，当压阻式压力传感器的弹性膜片受到压力作用时，压力传感器内部弹性场发生变化，掺杂硅电阻受到应力作用，掺杂电阻的电阻率将会发生变化，然后利用测量电路将测量压力转化为成一定关系的电压输出。高精度的压力传感器需要较高的灵敏度和较好的线性度。芯片膜厚减小可以提高传感器的灵敏度，但是膜挠度增大会导致压力传感器的线性度急剧变差。目前，市场上高精度的传感器较少。因此，解决灵敏度和线性度之间的矛盾是保障高精度微压压力传感器进行可靠、精确测量而亟待突破的关键技术难点。
目前，传感器多采用充油封装，但是充油封装工作温度不能高于200℃，且波纹片不耐腐蚀，有一定的滞迟。因此，目前市场上缺乏200℃以上的耐腐蚀性传感器研究。
发明内容
为了克服上述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种T型交叉梁十字岛膜压力传感器芯片及制备方法，压力传感器芯片能够对几百kPa量程压力进行测量，耐300℃高温，可应用于300℃腐蚀性的测量环境，具有高灵敏度、线性度好、精度高、动态性能好等优点，并且制作方法简单，易于批量生产。
为了实现上述目的，本发明采取的技术方案如下：
一种T型交叉梁十字岛膜压力传感器芯片，包括基底1，基底1的正面中部设有薄膜2，薄膜2上表面连接有T型交叉梁3，T型交叉梁3由四个相同尺寸T字梁构成，T字梁的窄端尾部相连，且相邻T字梁垂直使T型交叉梁3在薄膜2上呈轴对称分布，四个T字梁的宽端头部与基底1连接；在基底1背面刻蚀腔体内薄膜2下表面中心附着有十字型质量块4，十字型质量块4与T型交叉梁3上下对应，呈轴对称分布；四个T字梁的宽端头部上表面分别布置四个压敏浮雕电阻条5-1、5-2、5-3、5-4，压敏浮雕电阻条5-1、5-2、5-3、5-4的有效长度方向沿着(100)晶面压阻系数最大的晶向；四个压敏浮雕电阻条5-1、5-2、5-3、5-4通过五个P型重掺杂硅浮雕块6-1、6-2、6-3、6-4、6-5依次连接成半开环惠斯顿电桥，P型重掺杂硅浮雕块6-1、6-2、6-3、6-4、6-5和压敏浮雕电阻条5-1、5-2、5-3、5-4上表面平齐,相邻的P型重掺杂硅浮雕块6-1、6-2、6-3、6-4、6-5间隔10um宽的细缝；P型重掺杂硅浮雕块6-1、6-2、6-3、6-4、6-5上表面布置有点电极7-1、7-2、7-3、7-4、7-5；压敏浮雕电阻条5-1、5-2、5-3、5-4、P型重掺杂硅浮雕块6-1、6-2、6-3、6-4、6-5和点电极7-1、7-2、7-3、7-4、7-5构成传感器芯片的敏感电路。
所述的基底1正面四周边缘设有浮雕圈8，浮雕圈8上表面与P型重掺杂硅浮雕块6-1、6-2、6-3、6-4、6-5上表面平齐；浮雕圈8与P型重掺杂硅浮雕块6-1、6-2、6-4、6-5间隔10um宽的细缝，浮雕圈8与P型重掺杂硅浮雕块6-3局部间隔10um宽的细缝。
所述的基底1正面与玻璃9真空键合在一起，使敏感电路密封在基底1与玻璃9组成的真空腔内。
所述的玻璃9上制有五个锥形通孔10-1、10-2、10-3、10-4、10-5，五个锥形通孔10-1、10-2、10-3、10-4、10-5分别同心对准五个点电极7-1、7-2、7-3、7-4、7-5；玻璃9中部设有凹槽11，凹槽11形状为正方形，凹槽11正方形尺寸对应于薄膜2尺寸，凹槽11深度的设计保证传感器在正常工作时，凹槽11底面与T型交叉梁3上表面不产生干涉。
所述的薄膜2选用正方形薄膜。
所述的T型交叉梁3厚度为10～40um，T字梁的窄端尾部的宽度为薄膜2长度的10％～30％，T字梁的宽端头部的宽度为T字梁的窄端尾部宽度的1.5～3倍。
所述的十字型质量块4厚度为基底1厚度的50％～90％，十字型质量块4宽度W为薄膜2长度的10％～40％，十字型质量块4长度L为薄膜2长度的30％～90％。
所述的一种T型交叉梁十字岛膜压力传感器芯片的制备方法，包括以下步骤：
1)基底1采用SOI硅片，将基底1进行标准RCA清洗；所述基底1分为三层，由上向下分别是单晶硅器件层12、二氧化硅埋层13和单晶硅支撑层14，其中单晶硅器件层12为N型硅，单晶硅器件层12上表面为(100)晶面；
2)对基底1进行热氧化，对单晶硅器件层12整个表面进行硼离子重掺杂的离子注入，然后退火实现注入离子的电激活；
3)利用ICP技术刻蚀掉局部单晶硅器件层12厚度的硅，形成压敏浮雕电阻条5-1、5-2、5-3、5-4，以及P型重掺杂硅浮雕块6-1、6-2、6-3、6-4、6-5和浮雕圈8；
4)采用PECVD技术在单晶硅器件层12表面沉积二氧化硅和氮化硅15；
5)采用ICP刻蚀和湿法腐蚀去掉局部的氮化硅和二氧化硅；
6)采用磁控溅射技术溅射金属，剥离得到点电极7-1、7-2、7-3、7-4、7-5；
7)采用ICP技术将基底1正面去除相应深度的硅，形成T型交叉梁3；
8)将基底1正面与玻璃9的下表面真空键合；
9)对单晶硅支撑层14下表面进行光刻，采用刻蚀技术去除相应深度的硅，形成十字型质量块4。
所述的步骤2)离子注入浓度为1.4×1016cm-2。
所述的步骤3)压敏浮雕电阻条5-1、5-2、5-3、5-4晶向一致，沿着[011]或者
Figure BDA0002712430190000041
晶向。
所述的步骤8)将基底1上的点电极7-1、7-2、7-3、7-4、7-5与玻璃9的锥形通孔10-1、10-2、10-3、10-4、10-5同心对准后真空键合。
所述的步骤9)采用深反应离子刻蚀去除硅材料。
本发明的有益效果为：
由正面T型交叉梁3、薄膜2和背面十字型质量块4构成的T字交叉梁十字岛膜应力集中结构作为压阻式压力传感器的芯片结构。T字交叉梁3与十字型质量块4双重增大横纵向应力差值，提高芯片应力集中效果，同时T字梁的宽端头部扩大了应力集中区域，减小了最大等效应力值，使传感器芯片更抗压。通过有限元仿真，将压敏浮雕电阻条5-1、5-2、5-3、5-4布置在应力集中的位置，从而提高惠斯顿电桥输出电压，提高了传感器灵敏度。同时，T字交叉梁3与十字型质量块4能够共同增大传感器的刚度，提高传感器的固有频率，提高传感器的线性度。因此，本发明的传感器结构能够解决高灵敏度与高线性度之间的矛盾。
本发明采用基底1正面与玻璃9真空键合技术，薄膜2上由压敏浮雕电阻条5-1、5-2、5-3、5-4和P型重掺杂硅浮雕块6-1、6-2、6-3、6-4、6-5组成的敏感电路结构被密封保护在由基底1和玻璃9形成的真空腔和硅玻璃键合接触区域内，敏感电路不与测试环境接触，只有基底1背腔与测试环境接触，使传感器芯片更加耐腐蚀。同时，正面键合可以对传感器芯片进行高过载保护。
本发明压力传感器设计了P型重掺杂硅浮雕块6-1、6-2、6-4、6-5和浮雕圈8，有利于提高压力传感器芯片真空键合后的密封性，进一步降低传感器芯片对测试环境中腐蚀性气体和蒸汽的影响。同时该压力传感器既可以用于倒杯封装也可以用于无引线封装。
本发明采用SOI硅片，使压敏浮雕电阻条5-1、5-2、5-3、5-4在300℃高温下不会因PN结而失效。并且，本发明采用硅玻键合，进一步提高传感器芯片耐高温特性。
与现有技术相比，本发明传感器芯片的结构合理，能够耐300℃高温，抗300℃以下的腐蚀，抗高过载，具有高灵敏度、高精度、高线性、高动态特性等特点，便于加工、成本低。
附图说明
图1(a)为本发明传感器芯片的正面轴测示意图；图1(b)为图1(a)中A位置放大图；图1(c)为图1(a)中B位置放大图；图1(d)为图1(a)中E位置放大图。
图2为本发明传感器芯片的背面轴测示意图。
图3为本发明十字型质量块的长度L和宽度W的示意图。
图4为本发明正面键合后的传感器芯片的正面轴测示意图。
图5为本发明传感器芯片的玻璃正面轴测示意图。
图6(a)为本发明传感器芯片的玻璃正面示意图；图6(b)为图6(a)中D-D截面处的剖视示意图。
图7为本发明传感器芯片制备方法示意图；(a)为制备工艺中所使用的SOI硅片示意图；(b)为重掺杂示意图；(c)为干刻压敏浮雕电阻条、P型重掺杂硅浮雕块和浮雕圈示意图；(d)为沉积二氧化硅、氮化硅示意图；(e)为刻蚀局部氮化硅、二氧化硅示意图；(f)为溅射点电极示意图；(g)为干刻正面T型交叉梁示意图；(h)为真空键合示意图；(i)为干刻背面十字型质量块示意图。
图8为本发明传感器芯片在无加载状态时，图4中C-C截面处的剖视示意图。
图9为本发明传感器芯片在正常工作状态时，图4中C-C处截面处的剖视示意图。
图10为本发明传感器芯片在过载状态时，图4中对C-C截面处的剖视示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明做详细描述。
参照图1(a)、图1(b)、图1(c)、图1(d)、图2，一种T型交叉梁十字岛膜压力传感器芯片，包括基底1，基底1的正面中部设有薄膜2，薄膜2上表面连接有T型交叉梁3，T型交叉梁3由四个相同尺寸T字梁构成，T字梁的窄端尾部相连，且相邻T字梁垂直使T型交叉梁3在薄膜2上呈轴对称分布，四个T字梁的宽端头部与基底1连接；在基底1背面刻蚀腔体内薄膜2下表面中心附着十字型质量块4，十字型质量块4与T型交叉梁3上下对应，呈轴对称分布；四个T字梁的宽端头部上表面分别布置四个压敏浮雕电阻条5-1、5-2、5-3、5-4，压敏浮雕电阻条5-1、5-2、5-3、5-4的有效长度方向沿着(100)晶面压阻系数最大的晶向；四个压敏浮雕电阻条5-1、5-2、5-3、5-4通过五个P型重掺杂硅浮雕块6-1、6-2、6-3、6-4、6-5依次连接成半开环惠斯顿电桥，P型重掺杂硅浮雕块6-1、6-2、6-3、6-4、6-5和压敏浮雕电阻条5-1、5-2、5-3、5-4上表面平齐,相邻的P型重掺杂硅浮雕块6-1、6-2、6-3、6-4、6-5间隔10um宽的细缝；P型重掺杂硅浮雕块6-1、6-2、6-3、6-4、6-5上表面布置有点电极7-1、7-2、7-3、7-4、7-5；压敏浮雕电阻条5-1、5-2、5-3、5-4、P型重掺杂硅浮雕块6-1、6-2、6-3、6-4、6-5和点电极7-1、7-2、7-3、7-4、7-5构成传感器芯片的敏感电路。
所述的基底1正面四周边缘设有浮雕圈8，浮雕圈8上表面与P型重掺杂硅浮雕块6-1、6-2、6-3、6-4、6-5上表面平齐；浮雕圈8与P型重掺杂硅浮雕块6-1、6-2、6-4、6-5间隔10um宽的细缝，浮雕圈8与P型重掺杂硅浮雕块6-3局部连接。
参照图2和图3，所述的十字型质量块4厚度为基底1厚度的50％～90％，十字型质量块4宽度W为薄膜2长度的10％～40％，十字型质量块4长度L为薄膜2长度的30％～90％。
参照图4，所述的基底1正面与玻璃9真空键合在一起。
参照图5、图6(a)、图6(b)，所述的玻璃9上制有五个锥形通孔10-1、10-2、10-3、10-4、10-5，五个锥形通孔10-1、10-2、10-3、10-4、10-5分别同心对准五个点电极7-1、7-2、7-3、7-4、7-5；玻璃9中部设有凹槽11，凹槽11形状为正方形，凹槽11正方形尺寸对应于薄膜2尺寸，凹槽11深度的设计保证传感器在正常工作时，凹槽11底面与T型交叉梁3上表面不产生干涉。
所述的薄膜2选用正方形薄膜。
所述的T型交叉梁3厚度为10～40um，T字梁的窄端尾部为薄膜2长度的10％～30％，T字梁的宽端头部宽度为T字梁的窄端尾部的1.5～3倍。
参照图7，所述的一种T型交叉梁十字岛膜压力传感器芯片的制备方法，包括以下步骤：
1)参照图7中的(a)，基底1采用SOI硅片，将基底1进行标准RCA清洗；所述基底1分为三层，由上向下分别是单晶硅器件层12、二氧化硅埋层13和单晶硅支撑层14，其中单晶硅器件层12为N型硅，单晶硅器件层12上表面为(100)晶面；
2)参照图7中的(b)，对基底1进行热氧化，对单晶硅器件层12整个表面进行硼离子重掺杂的离子注入，离子注入浓度为1.4×1016cm-2，然后退火实现注入离子的电激活；
3)参照图7中的(c)，利用ICP技术刻蚀掉单晶硅器件层12厚度的硅，形成压敏浮雕电阻条5-1、5-2、5-3、5-4，以及P型重掺杂硅浮雕块6-1、6-2、6-4、6-5和浮雕圈8，压敏浮雕电阻条5-1、5-2、5-3、5-4晶向一致，沿着[011]或者
Figure BDA0002712430190000081
晶向；
4)参照图7中的(d)，采用PECVD技术在单晶硅器件层12表面沉积二氧化硅和氮化硅15；
5)参照图7中的(e)，采用ICP刻蚀和湿法腐蚀去掉局部的氮化硅和二氧化硅；
6)参照图7中的(f)，采用磁控溅射技术溅射金属，剥离得到点电极7-1、7-2、7-3、7-4、7-5；
7)参照图7中的(g)，采用ICP技术将基底1正面去除相应深度的硅，形成T型交叉梁3；
8)参照图7中的(h)，将基底1正面与玻璃9的下表面真空键合；真空键合时将基底1上的点电极7-1、7-2、7-3、7-4、7-5与玻璃9的锥形通孔10-1、10-2、10-3、10-4、10-5同心对准；
9)参照图7中的(i)，对单晶硅支撑层14下表面进行光刻，采用ICP技术除相应深度的硅，形成十字型质量块4。
本发明压力传感器芯片的工作原理为：
参照图8，压力传感器处于无加载状态。
参照图9，压力传感器处于工作状态，在压强P作用下，薄膜2开始向上凸，T型交叉梁3与十字型质量块4共同作用使布置电阻处应力集中，从而增大四个压敏浮雕电阻条5-1、5-2、5-3、5-4的应力变化量，从而提高了压力传感器的灵敏度，同时T型交叉梁3与十字型质量块4增大了传感器结构刚度，从而提高压力传感器的线性度，提高压力传感器的动态响应特性。
参照图10，压力传感器处于过载状态，玻璃9会对变形的薄膜2和T型交叉梁3进行限位，保护传感器在过载状态下不至失效。
本发明首次提出T型交叉梁、十字型质量块和薄膜相结合的压阻式压力传感器设计，压敏浮雕电阻条分布于T型交叉梁与十字型质量块共同作用的应力集中位置，同时T型交叉梁与十字型质量块更进一步提高压力传感器的刚度，因此在最大化灵敏度的同时也提高了压力传感器的线性度，解决了压力传感器灵敏度与线性度之间的矛盾。
本发明压力传感器芯片采用基底正面和玻璃真空键合，将敏感电路保护在由硅片和玻璃组成的真空腔和硅玻璃键合接触区域内，免于测量环境对压力传感器芯片敏感电路的腐蚀。
本发明压力传感器设计了P型重掺杂硅浮雕块和浮雕圈，有利于提高压力传感器芯片真空键合后的密封性，进一步降低传感器芯片对测试环境中腐蚀性气体和蒸汽的影响。同时该压力传感器既可以用于倒杯封装也可以用于无引线封装。
下面表1是本发明的压阻式压力传感器结构与十字梁膜结构、岛膜结构传感器的仿真性能对比，其中，压强250kPa，电阻布置在各个传感器结构的正方形薄膜四个边缘中心，在各自应力集中区域，VonMises和σ1-σt是布置电阻处的平均应力值。可以看出，本发明的压力传感器结构能够承受较大压力，具有较高的灵敏度、很好的线性度和很高的固有频率。
表格1
Figure BDA0002712430190000101
以上所述仅为本发明的一种实施方式，不是全部或唯一的实施方式，本领域普通技术人员通过阅读本发明说明书而对本发明技术方案采取的任何等效的变换，均为本发明的权利要求所涵盖。

Claims (9)

1.一种T型交叉梁十字岛膜压力传感器芯片的制备方法，其特征在于：一种T型交叉梁十字岛膜压力传感器芯片，包括基底(1)，基底(1)的正面中部设有薄膜(2)，薄膜(2)上表面连接有T型交叉梁(3)，T型交叉梁(3)由四个相同尺寸T字梁构成，T字梁的窄端尾部相连，且相邻T字梁垂直使T型交叉梁(3)在薄膜(2)上呈轴对称分布，四个T字梁的宽端头部与基底(1)连接；在基底(1)背面刻蚀腔体内薄膜(2)下表面中心附着有十字型质量块(4)，十字型质量块(4)与T型交叉梁(3)上下对应，呈轴对称分布；四个T字梁的宽端头部上表面分别布置四个压敏浮雕电阻条(5-1、5-2、5-3、5-4)，压敏浮雕电阻条(5-1、5-2、5-3、5-4)的有效长度方向沿着(100)晶面压阻系数最大的晶向；四个压敏浮雕电阻条(5-1、5-2、5-3、5-4)通过五个P型重掺杂硅浮雕块(6-1、6-2、6-3、6-4、6-5)依次连接成半开环惠斯顿电桥，P型重掺杂硅浮雕块(6-1、6-2、6-3、6-4、6-5)和压敏浮雕电阻条(5-1、5-2、5-3、5-4)上表面平齐,相邻的P型重掺杂硅浮雕块(6-1、6-2、6-3、6-4、6-5)间隔10um宽的细缝；P型重掺杂硅浮雕块(6-1、6-2、6-3、6-4、6-5)上表面布置有点电极(7-1、7-2、7-3、7-4、7-5)；压敏浮雕电阻条(5-1、5-2、5-3、5-4)、P型重掺杂硅浮雕块(6-1、6-2、6-3、6-4、6-5)和点电极(7-1、7-2、7-3、7-4、7-5)构成传感器芯片的敏感电路；
基底(1)正面四周边缘设有浮雕圈(8)，浮雕圈(8)上表面与P型重掺杂硅浮雕块(6-1、6-2、6-3、6-4、6-5)上表面平齐；浮雕圈(8)与第一P型重掺杂硅浮雕块(6-1)、第二P型重掺杂硅浮雕块6-2、第四P型重掺杂硅浮雕块6-4、第五P型重掺杂硅浮雕块(6-5)间隔10um宽的细缝，浮雕圈(8)与第三P型重掺杂硅浮雕块(6-3)局部间隔10um宽的细缝；
所述的基底(1)正面与玻璃(9)真空键合在一起，使敏感电路密封在基底(1)与玻璃(9)组成的真空腔内；
所述的一种T型交叉梁十字岛膜压力传感器芯片的制备方法，包括以下步骤：
1)基底(1)采用SOI硅片，将基底(1)进行标准RCA清洗；所述基底(1)分为三层，由上向下分别是单晶硅器件层(12)、二氧化硅埋层(13)和单晶硅支撑层(14)，其中单晶硅器件层(12)为N型硅，单晶硅器件层(12)上表面为(100)晶面；
2)对基底(1)进行热氧化，对单晶硅器件层(12)整个表面进行硼离子重掺杂的离子注入，然后退火实现注入离子的电激活；
3)利用ICP技术刻蚀掉单晶硅器件层(12)厚度的硅，形成压敏浮雕电阻条(5-1、5-2、5-3、5-4)，以及P型重掺杂硅浮雕块(6-1、6-2、6-3、6-4、6-5)和浮雕圈(8)；
4)采用PECVD技术在单晶硅器件层(12)表面沉积二氧化硅和氮化硅(15)；
5)采用ICP刻蚀和湿法腐蚀去掉局部的氮化硅和二氧化硅；
6)采用磁控溅射技术溅射金属，剥离得到点电极(7-1、7-2、7-3、7-4、7-5)；
7)采用ICP技术将基底(1)正面去除相应深度的硅，形成T型交叉梁(3)；
8)将基底(1)正面与玻璃(9)的下表面真空键合；
9)对单晶硅支撑层(14)下表面进行光刻，采用刻蚀技术去除相应深度的硅，形成十字型质量块(4)。
2.根据权利要求1所述的一种T型交叉梁十字岛膜压力传感器芯片的制备方法，其特征在于：所述的玻璃(9)上制有五个锥形通孔(10-1、10-2、10-3、10-4、10-5)，五个锥形通孔(10-1、10-2、10-3、10-4、10-5)分别同心对准五个点电极(7-1、7-2、7-3、7-4、7-5)；玻璃(9)中部设有凹槽(11)，凹槽(11)形状为正方形，凹槽(11)正方形尺寸对应于薄膜(2)尺寸，凹槽(11)深度的设计保证传感器在正常工作时，凹槽(11)底面与T型交叉梁(3)上表面不产生干涉。
3.根据权利要求1所述的一种T型交叉梁十字岛膜压力传感器芯片的制备方法，其特征在于：所述的薄膜(2)选用正方形薄膜。
4.根据权利要求1所述的一种T型交叉梁十字岛膜压力传感器芯片的制备方法，其特征在于：所述的T型交叉梁(3)厚度为10～40um，T字梁的窄端尾部的宽度为薄膜(2)长度的10％～30％，T字梁的宽端头部的宽度为T字梁的窄端尾部宽度的1.5～3倍。
5.根据权利要求1所述的一种T型交叉梁十字岛膜压力传感器芯片的制备方法，其特征在于：所述的十字型质量块(4)厚度为基底(1)厚度的50％～90％，十字型质量块(4)宽度W为薄膜(2)长度的10％～40％，十字型质量块(4)长度L为薄膜(2)长度的30％～90％。
6.根据权利要求1所述的一种T型交叉梁十字岛膜压力传感器芯片的制备方法，其特征在于：所述的步骤2)离子注入浓度为1.4×1016cm-2。
7.根据权利要求1所述的一种T型交叉梁十字岛膜压力传感器芯片的制备方法，其特征在于：所述的步骤3)四条压敏浮雕电阻条(5-1、5-2、5-3、5-4)的晶向一致，沿着[011]或者
Figure FDA0003159539220000031
晶向。
8.根据权利要求1所述的一种T型交叉梁十字岛膜压力传感器芯片的制备方法，其特征在于：所述的步骤8)将基底(1)上的点电极(7-1、7-2、7-3、7-4、7-5)与玻璃(9)的锥形通孔(10-1、10-2、10-3、10-4、10-5)同心对准后真空键合。
9.根据权利要求1所述的一种T型交叉梁十字岛膜压力传感器芯片的制备方法，其特征在于：所述的步骤9)采用深反应离子刻蚀去除硅材料。
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