RU1836463C - Устройство дл рафинировани полупроводниковых материалов и их соединений - Google Patents

Abstract

Сущность изобретени  заключаетс  в том, что устройство содержит фильтрующую камеру с фильтровальным элементом и материалоприемником, размещенные в контейнере. Фильтрующа  камера, матери- алоприемник и контейнер изготовлены из стеклоуглерода, бокова  поверхность фильтрующей камеры выполнена в виде конуса, фильтрующа  камера размещена над материалоприемником , контейнер помещен в камеру,заполненную инертным газом. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.

Description

Изобретение относитс  к металлургии, в частности к устройствам дл  рафинировани  металлов и сплавов, и может быть использовано дл  очистки полупроводниковых материалов и их соединений, например Те, Se, As, Pb, PbTe, CdTe.

Целью изобретени   вл етс  повышение качества рафинировани  полупроводниковых материалов и их соединений.

На чертеже показано устройство дл  рафинировани  полупроводниковых материалов и их соединений.

Оно содержит фильтрующую камеру 1 с фильтровальным элементом 2, материалоп- риемник 3, контейнер 4, камеру 5.

Устройство работает следующим образом.

В фильтрующую камеру 1, представл ющую собой стеклоуглеродный тигель (объемом 1 дм3, с диаметром дна 70 мм), загружали (2 кг) порошок очищаемого материала (напр. Те - 99,9%, Se - 99,5%).

Фильтрующую камеру устанавливали над материалоприемником 3, представл ющие собой стеклоуглеродный тигель (объемом 0,5 дм3, 0 дна 50 мм). Всю сборку помещали в стеклоуглеродный контейнер, наход щийс  в герметичной камере 5, заполненной инертным газом и нагревали дл  расплавлени  материала. В фильтрующей камере происходил процесс интенсивного плавлени , при котором содержащиес  в материале не металлические включени  и газы интенсивно выдел лись и всплывали на поверхность материала. Расплавленный материал, проход  через фильтровальный элемент 2 интенсивно рафинировалс  и опускалс  на дно металлоприемника 3. В свою очередь продукты реакции рафинировани  (окислы, газы и др. включени ) всплывали на поверхность материала.

По окончании рафинировани  (через 1 ч) осадок, оставшийс  на фильтровальном элементе , удал ли.

Очищенный материал (напр. Те. Se) имел степень чистоты 99,9999%.

I

00

00 О 4 О СО

со

Использование за вл емого устройства обеспечивает по сравнению с известным устройством следующие технические преимущества; повышение качества рафи- нировани  (до 99,9999%); возможность использовани  устройства дл  рафинировани  таких материалов, как теллур, селен, мышь к, свинец и их соединений (PbTe, CdTe).

Claims (2)

1. Общественно-полезные преимущества за вл емого устройства могут быть выражены в снижении стоимости рафинировани , „энергозатрат на 1 кг очищаемого материала, обеспечении экологической чистоты процесса рафинировани , воспроизводимости ч4 стабильности его, улучшении охраны тру- «ВаГ Кроме того, материал устройства предполагает его многоразовое использование (стеклоуглерод - практические нерасходи- мый конструкционный материал), Формула изобретени  1, Устройство дл  рафинировани  полупроводниковых материалов и их соедине0

   5

   0

   ний, содержащее фильтрующую камеру с фильтровальным элементом и материа- лоприемник, помещенные в контейнер, отличающеес  тем, что фильтрующа  камера, материалоприемник и контейнер выполнены из стеклоуглерода, бокова  поверхность фильтрующей камеры выполнена в виде конуса, фильтрующа  камера установлена над материалоприемни- ком, контейнер помещен в камеру, заполненную инертным газом, а фильтровальный элемент выполнен в днище камеры в виде перфорированной поверхности.
2. 2. Устройство по п. 1, о т л и ч а ю щ е е- с   тем, что фильтровальный элемент выполнен в виде щелей размерами; ширина 100-300 мкм, длина 50-200 мм при толщине днища 1-3 мм, расположенные по всей поверхности или в виде отверстий размерами: диаметр 100- 300 мкм, равномерно расположенных по всей поверхности с концентрацией 20-100

   отверстий на 1 см поверхности.