RU1824656C - Способ изготовлени МОП-транзистора - Google Patents

Abstract

Использование: микроэлектроника, способ изготовлени  МОП-транзистора в производстве интегральных схем. Сущность изобретени : перед формированием диэлектрической маски формируют подзатвор- ный окисел и нанос т слой поликремни  толщиной hi, после формировани  диэлектрической маски провод т травление сло  поликремни  толщиной hi до подзатворно- го окисла, формируют охранную область и полевой окисел, затем удал ют диэлектрическую маску и формируют слой поликремни  толщиной Н нанесением сло  поликремни  толщиной h2, где ha Н - hi, после чего формируют из поликремни  затвор и разводку. Способ позвол ет увеличить точность воспроизведени  размера поликремниевого затвора и снизить толщину поликремниевой разводки. 7 ил.

Description

Изобретение относитс  к области микроэлектроники и может быть использовано в производстве интегральных схем с высокой плотностью упаковки.

Целью изобретени   вл етс  увеличение точности воспроизведени  размера поликремниевого затвора и снижение толщины поликремниевой разводки.

Предлагаемый способ изготовлени  МОП транзистора иллюстрируетс  фиг. 1-7, на которых приведены сечени  структуры на различных этапах изготовлени  и введены следующие обозначени .

Кремниева  подложка 1, охранна  область 2, слой подзатворного окисла 3. слой поликремни  4. область диэлектрической маски 5, фоторезистивный маскирующий слой 6. слой полевого окисла 7, затвор 8,

стокова , истокова  области 9, 10, контакт к подлджке 11, межсхемные соединени  12.

Пример реализации способа более полно раскрывающий техническую сущность предложени  состоит из следующих операций .

На поверхности кремниевой подложки 1. например из кремни  р-типа проводимости КДБ-10, после химической обработки формируетс  подзатворный окисел кремни  2 термообработкой подложки 1 в окисл ющей и инертной средах при температуре 1000°С в течение 60 мин. При этом формируем

етс  слой оксида кремни  толщиной 500 А. На поверхность сло  2 наноситс  слой поликремни  4 толщиной 0.3 мкм. Поликремний наноситс  методом из газовой азы моно- силана при пониженном давлении равном 40 пА и температуре 620°С.

00

ю

Јь

о ел о

На поверхности сло  поликремни  формируетс  маскирующий слой диэлектрика, состо щий из оксида кремни  толщиной 0,05 мкм и нитрида кремни  толщиной 0,1 мкм. Из этого сло  формируютс  области 5 в местах расположени  активных областей МОП-транзистора (фиг.1). Дл  этого методом фотолитографии формируютс  области фоторезистивного маскирующего сло  и проводитс  травление диэлектрической маски 5. После травлени  маскирующего сло  5 провод т травление сло  поликремни  до подэатворного окисла, затем формируют охранную область 2. Дл  этого формируетс  маскирующа  область 6 и проводитс  имплантаци  ионами легирующей примеси, например , бора с энергией Е 40 кэВ и дозой д 10 мкКл/см2 . После имплантации удал етс  слой 6 и проводитс  термообработка при температуре 1000°С в течение 120 мин в инертной среде дл  активации примеси и разгонки примеси имплантируемой примеси на глубину 1 мкм.

Полевой оксид кремни  формируетс  толщиной 0,8-1,0 мкм термообработкой поверхности кремниевой подложки в окисл ющей среде при температуре 950°С в течение 30 мин и давлении 15 атм (фиг.З). Удал етс  диэлектрическа  маска 5, затем нанос т слой поликремни  толщиной 0.3 мкм. При этом на поверхности полевого окисла толщиной поликремни  равна 0,3 мкм. Методами фотолитографии и травлени ми формируетс  поликремниевый затвор 8 транзистора толщиной 0,6 мкм. Затем формируютс  области истока и стока. Дл  этого формируют маску из фоторезиста 6 и провод т имплантацию ионов легирующей примеси , например фосфора с энергией Е 80 кэВ и дозой д 200 мкКл/см . Последующа  термообработка приводит к активации имплантируемой примеси в области стока, истока и затвора. Термообработка происходит в окисл ющей атмосфере при температуре 950°С до достижени  поверхностного сопротивлени  стока и истока 50 Ом/о , при этом на поверхности кремниевой подложки формируетс  оксид кремни  толщиной 0,2- 0,3 мкм. Операци ми фотолитографии и ионного легировани  бором энергией Е 60 кэВ и дозой д 200 мкКл/см2 формируетс 

контакт к подложке (11). Последующа  термообработка при температуре 950°С обес- печивает активацию примеси с поверхности сопротивлением 60 Ом/о.

Заключительным этапом изготовлени 

транзистора  вл етс  формирование межсхемных соединений. Дл  этого вскрываютс  контактные окна к активным област м структуры МОП-транзистора и формируютс  металлизированные соединени  из алюмини  или его сплавов с кремнием.

Так как толщина поликремни  в местах пересечений металлизации с поликремниевой разводкой уменьшена до 0,3 мкм по

сравнению с прототипом, то это снизит веро тность разрыва металлизированных соединений , что в конечном итоге вместе с таким фактором как защита области канала МОП-транзистора при технологических операци х слоем поликремни  приведет к повышению надежности изготовлени .

Этот способ найдет широкое применение в технологии изготовлени  ИС.

Claims (1)

1. Формула изобретени 

   Способ изготовлени  МОП-транзистора в кремниевой подложке, включающий формирование диэлектрической маски над местом активных областей транзистора,

   формирование охранной области и полевого окисла, удаление диэлектрической маски, формирование подзатворного окисла, сло  поликремни  толщиной Н, затвора и разводки из поликремни , областей стока и истока , изол ции и металлизации, отличающийс  тем, что, с целью увеличени  точности воспроизведени  размера поликремниевого затвора и снижени  толщины поликремниевой разводки, перед формированием диэлектрической маски формируют подзатворный окисел и нанос т слой поликремни  толщиной hi, где hi Н, после формировани  диэлектрической маски провод т травление сло  поликремни  толщиной hi до подзатворного окисла, формируют охранную область и полевой окисел, затем удал ют диэлектрическую маску и формируют слой полкремни  толщиной Н нанесением поликремни  толщиной П2. где

   hz H-h, после чего формируют из поликремни  затвор и разводку.

   Фиг.1

   I

   1 2

   3 S

   V

   Фиг.1

   Фиг Л

   8