RU1818363C - Способ автоматического управлени процессом выращивани кристаллов методом бестигельной зонной плавки - Google Patents

Abstract

Использование: изобретение относитс  к способам управлени  процессом выращивани  кристаллов и может быть использова- но в области металлургии полупроводниковых материалов. Сущность: устройство, реализующее данный способ, работает следующим образом. В микропроцессорном устройстве в реальном масштабе времени вычисл етс  заданный закон изменени положени  фронта кристаллизации и расчетное значение сравниваетс  с фактическим положением фронта кристаллизации, измеренным с помощью телевизионного устройства. По полученному отклонению высоты вычисл етс  расчетное напр жение, которое через цифроаналоговый преобразователь поступает в высокочастотную установку на регул тор напр жени . Вычисл етс  также расчетный диаметр в соответствии с заданной формой конического перехода в функции от линейной скорости кристаллизации и текущего времени. Определ етс  отклонение расчетного диаметра от измеренного на телевизионной установке. По полученному значению отклонени  вычисл етс  расчетное напр жение, которое через цифрозна- логовый преобразователь подаетс  на регул тор скорости перемещени  верхнего штока. 1 ил. (Л С

Description

Изобретение относитс  к способам управлени  процессом выращивани  кристэл- лов, может примен тьс  в области металлургии полупроводниковых материалов .

Цель - повышение качества выращиваемых кристаллов и повышение точности их геометрических размеров за счет устойчивого ведени  процесса.

На чертеже представлена блок-схема устройства, реализующего данный способ.

У стройство,содержит модуль 1 заданной высоты фронта кристаллизации (переменной при разращивании кристалла), модуль 2 задани  диаметра (переменного в момент раз- ращивани  кристалла), модуль 3 определени  отклонени  фактического положени  фронта кристаллизации от заданной , модуль А определени  отклонени  фактического диаметра от заданного, модуль 5 преобразовани  отклонени  положени  фронта кристаллизации в сигнал

00

00

W

о

ы

управлени  напр жением на индукторе, модуль 6 преобразовани  отклонени  диаметра кристалла от заданного в сигнал управлени  двигателем раст жени -сжати , блок 7 регул тора напр жени , блок 8 регул тора скорости перемещени  под- плавл емого слитка, индукционна  система 9 с переплавл емым слитком, исполнительный двигатель 10, тахогенератор 11, датчик 12 технического зрени , фиксирующий положение фронта кристаллизации и диаметр зоны выше фронта кристаллизации (телевизионна  камера), электронный блок обработки информации.

Использование предлагаемого способа позволит получить следующие преимущества: возможность автоматизировать процесс выращивани  кристаллов кремни  по всей длине слитка при высокой повтор емости формы слитков, что необходимо при многопроходной очистке, снижение трудоемкости , увеличение выхода годного продукта, за счет более точного соблюдени  требований технологии.

0

5

0

5

Claims (1)

1. Формула изобретени  Способ автоматического управлени  процессом выращивани  кристаллов методом бестигельной зонной плавки, включающий измерение диаметра зоны расплава, регулирование скорости перемещени  переплавл емой заготовки и подводимой к индуктору мощности,отличающийс  тем, что, с целью повышени  качества выращиваемых кристаллов и повышени  точности их геометрических размеров за счет устойчивого ведени  процесса, дополнительно измер ют высоту границы фронта кристаллизации от индуктора, а диаметр зоны расплава измер ют на рассто нии 2,0-2,5 мм от границы фронта кристаллизации, корректируют подводимую к индуктору мощность по отклонению измеренной высоты от границы фронта кристаллизации до индуктора от заданной , пропорционально величине и знаку отклонени , корректируют скорость перемещени  переплавл емой заготовки по отклонению измеренного диаметра зоны расплава от заданной пропорционально величине и знаку отклонени .

   микропроцессорное

   устройство