RU180600U1 - Многоэлементный кремниевый фотодиод - Google Patents
Многоэлементный кремниевый фотодиод Download PDFInfo
- Publication number
- RU180600U1 RU180600U1 RU2018108564U RU2018108564U RU180600U1 RU 180600 U1 RU180600 U1 RU 180600U1 RU 2018108564 U RU2018108564 U RU 2018108564U RU 2018108564 U RU2018108564 U RU 2018108564U RU 180600 U1 RU180600 U1 RU 180600U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- photosensitive elements
- spherical
- holder
- illumination
- directions
- Prior art date
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims abstract description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 13
- 238000005286 illumination Methods 0.000 abstract description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Многоэлементный кремниевый фотодиод относится к области полупроводниковых приборов, чувствительных к излучению с длиной волны от 0,4 мкм до 1,1 мкм, и предназначен для применения в качестве приемников и датчиков инфракрасного излучения в составе оптических датчиков в системах фотоэлектрической автоматики, в устройствах бесконтактного измерения температуры, вычислительной и измерительной техники, программно-управляемом оборудовании. Задачей, решаемой предлагаемой полезной моделью, является измерение освещенности в заданной точке. Техническим результатом является создание фотодиода, принимающего инфракрасное излучение одновременно со всех направлений, что позволяет определить степень освещенности в любой точке с конкретного направления. Новым в предлагаемой полезной модели является конструкция держателя сферической формы с множеством граней, на которых размещены фоточувствительные элементы, залитые прозрачной в заданном спектральном диапазоне сферической оболочкой. За счет применения держателя сферической формы фоточувствительные элементы размещаются по всей поверхности сферы, и инфракрасное излучение принимается одновременно со всех направлений, при этом не требуется перемещение и сканирование конструкции. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Description
Предлагаемый многоэлементный кремниевый фотодиод (ФД) относится к области полупроводниковых приборов, чувствительных к излучению с длиной волны от 0,4 мкм до 1,1 мкм, и предназначен для применения в качестве приемников и датчиков инфракрасного излучения в составе оптических датчиков в системах фотоэлектрической автоматики, в устройствах бесконтактного измерения температуры, вычислительной и измерительной техники, программно управляемом оборудовании.
Существуют одноэлементные и многоэлементные кремниевые фотодиоды, чувствительные к излучению с длиной волны от 0,4 мкм до 1,1 мкм, предназначенные для применения в качестве приемников инфракрасного излучения. Не зависимо от количества в них фоточувствительных элементов все фоточувствительные элементы располагаются в одной плоскости, что затрудняет получение информации одновременно со всех направлений и определить степень освещенности в любой точке с конкретного направления.
Известен кремниевый фотодиод ФД-439, разработанный нашим предприятием, содержащий два фоточувствительных элемента, область спектральной чувствительности которого составляет диапазон от 0,4 мкм до 1,1 мкм, а также 96-площадочный кольцевой кремниевый pin-фотодиод.
Также известен 16-элементный кремниевый фотодиод ФД-321М, выпускаемый ОАО «ЦКБ «РИТМ» (г. Черновцы, Украина).
Недостатком приведенных аналогов является то, что у всех устройств фоточувствительные элементы расположены в одной плоскости и считывание поверхности излучения происходит в одном направлении, для получения информации со сферической поверхности излучения необходимо перемещение ФД для сканирования по сферической поверхности.
Наиболее близким к заявляемой полезной модели и принятым за прототип является кремниевый фотодиод, описанный в заявке JP 2016009699 (МПК Н01L 31/12, опубл. 18.01.2016 г.), в котором считывание информации проходит равномерно в любом направлении просмотра. Такой результат достигается за счет применения светочувствительного датчика содержащего фильтр в форме полусферической оболочки, собранного в держатель. Недостатком заявленного технического решения является то, что по-прежнему невозможно определить положение источника и величину освещенности в любом направлении.
Задачей, решаемой предлагаемой полезной моделью, являются измерение освещенности в заданной точке.
Техническим результатом является создание фотодиода принимающего инфракрасное излучение одновременно со всех направлений, что позволяет определить суммарную степень освещенности в любой точке с конкретного направления.
Указанный технический результат достигается за счет того, что многоэлементный кремниевый фотодиод, содержащий держатель с фоточувствительными элементами, которые являются светочувствительными датчиками, от каждого фоточувствительного элемента идут проводники, соединенные в жгут и распаянные на разъем, отличающийся тем, что держатель имеет форму сферы с множеством граней, на которых размещены кристаллы с фоточувствительными элементами, залитые прозрачной, в заданном спектральном диапазоне, сферической оболочкой, что позволяет принимать инфракрасное излучение одновременно со всех направлений и сторон без перемещения самой конструкции.
Новым в предлагаемой полезной модели является конструкция держателя сферической формы с множеством граней, на которых размещены фоточувствительные элементы, залитые прозрачной, в заданном спектральном диапазоне, сферической оболочкой.
За счет применения держателя сферической формы фоточувствительные элементы размещаются по всей поверхности сферы, и инфракрасное излучение принимается одновременно со всех направлений, при этом не требуется перемещение и сканирование конструкции.
Сущность полезной модели поясняется чертежом фиг. 1, на котором изображен сферический держатель, на гранях которого расположены фоточувствительные элементы.
Согласно фиг. 1 и формуле полезной модели, многоэлементный кремниевый фотодиод содержит «сферический» держатель 1, например, диаметром 5 мм, на гранях которого размещены 20 фоточувствительных элементов 2, от каждого фоточувствительного элемента 2 идут проводники 3, соединенные в жгут 4 и распаянные на разъем 5, все фоточувствительные элементы 2 залиты прозрачной в заданном спектральном диапазоне сферической оболочкой 6.
В условиях эксплуатации многоэлементный кремниевый фотодиод фиксирует величину излучения в заданном спектральном диапазоне в угле 4π сферорадиан в конкретной точке пространства, где установлен многоэлементный фотодиод.
Предложенная конструкция была разработана для обеспечения оптимальной освещенности в заданной точке помещения (например, для помещений, изготовленных по технологии «сэндвич», для выращивания сельскохозяйственных культур или хранения сельскохозяйственной продукции).
Таким образом, предлагаемый многоэлементный кремниевый фотодиод, позволяет измерять освещенность в заданной точке и принимать инфракрасное излучение одновременно со всех направлений в угле 4π сферорадиан без перемещения самой конструкции фотодиода, что достигается за счет применения держателя «сферической» формы, на гранях которого расположены фоточувствительные элементы, залитые прозрачной, в заданном спектральном диапазоне, сферической оболочкой.
Claims (2)
1. Многоэлементный кремниевый фотодиод, содержащий держатель с фоточувствительными элементами, которые являются светочувствительными датчиками, от каждого фоточувствительного элемента идут проводники, соединенные в жгут и распаянные на разъем, отличающийся тем, что держатель имеет форму сферы с множеством граней, на которых размещены кристаллы с фоточувствительными элементами.
2. Многоэлементный кремниевый фотодиод по п. 1, отличающийся тем, что фоточувствительные элементы залиты прозрачной в заданном спектральном диапазоне сферической оболочкой.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2018108564U RU180600U1 (ru) | 2018-03-12 | 2018-03-12 | Многоэлементный кремниевый фотодиод |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2018108564U RU180600U1 (ru) | 2018-03-12 | 2018-03-12 | Многоэлементный кремниевый фотодиод |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU180600U1 true RU180600U1 (ru) | 2018-06-19 |
Family
ID=62619698
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2018108564U RU180600U1 (ru) | 2018-03-12 | 2018-03-12 | Многоэлементный кремниевый фотодиод |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU180600U1 (ru) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59193077A (ja) * | 1983-04-18 | 1984-11-01 | Clarion Co Ltd | 無指向性フオトダイオ−ド |
US6372979B1 (en) * | 2000-06-30 | 2002-04-16 | Foy Streetman | Apparatus and method for converting artificially generated radiant energy to electrical energy |
US20090126795A1 (en) * | 2009-01-10 | 2009-05-21 | Williams Charles J | 3-D energy cell w/t reflector |
US20100084004A1 (en) * | 2002-05-17 | 2010-04-08 | Ugur Ortabasi | Integrating sphere photovoltaic receiver employing multi-junction cells |
KR20100096765A (ko) * | 2009-02-25 | 2010-09-02 | 호서대학교 산학협력단 | 구형 이미지 센서 |
JP2016009699A (ja) * | 2014-06-23 | 2016-01-18 | 株式会社デンソー | ライトセンサ |
RU2632677C2 (ru) * | 2015-12-07 | 2017-10-09 | Илья Валерьевич Молохин | Солнечная батарея космического аппарата |
-
2018
- 2018-03-12 RU RU2018108564U patent/RU180600U1/ru active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59193077A (ja) * | 1983-04-18 | 1984-11-01 | Clarion Co Ltd | 無指向性フオトダイオ−ド |
US6372979B1 (en) * | 2000-06-30 | 2002-04-16 | Foy Streetman | Apparatus and method for converting artificially generated radiant energy to electrical energy |
US20100084004A1 (en) * | 2002-05-17 | 2010-04-08 | Ugur Ortabasi | Integrating sphere photovoltaic receiver employing multi-junction cells |
US20090126795A1 (en) * | 2009-01-10 | 2009-05-21 | Williams Charles J | 3-D energy cell w/t reflector |
KR20100096765A (ko) * | 2009-02-25 | 2010-09-02 | 호서대학교 산학협력단 | 구형 이미지 센서 |
JP2016009699A (ja) * | 2014-06-23 | 2016-01-18 | 株式会社デンソー | ライトセンサ |
RU2632677C2 (ru) * | 2015-12-07 | 2017-10-09 | Илья Валерьевич Молохин | Солнечная батарея космического аппарата |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102534670B1 (ko) | 필드 내에서 거리 정보를 수집하기 위한 광학 시스템 | |
CN102162752B (zh) | 阵列式红外测温仪 | |
CN208520336U (zh) | 激光基准桥梁多点挠度视觉检测装置 | |
US10393851B2 (en) | Polyhedral sensor arrangement and method for operating a polyhedral sensor arrangement | |
KR101000267B1 (ko) | 태양광을 센싱하는 태양센서장치 | |
CN109827907A (zh) | 光学信号处理方法和装置 | |
KR102105138B1 (ko) | 광센서 모듈 | |
CN103207016A (zh) | 光谱型太阳辐射照度测量仪 | |
ES2308936A1 (es) | Sensor de radiacion solar. | |
RU180600U1 (ru) | Многоэлементный кремниевый фотодиод | |
Pericet-Camara et al. | An artificial elementary eye with optic flow detection and compositional properties | |
ES2628597T3 (es) | Reflectómetro portátil y método de caracterización de espejos de centrales termosolares | |
CN102128686B (zh) | 红外显微测温仪 | |
CN108449967A (zh) | 用于表面反射系数的光学测量的装置和系统 | |
ES2579208B1 (es) | Sistema y método de detección de radiación incidente sobre un receptor solar | |
RU2692934C2 (ru) | Двухканальный матричный инфракрасный приемник излучения фасеточного типа | |
CN105209868B (zh) | 用于启用宽视场偏振测量的装置 | |
US12050031B2 (en) | Detector and tracker | |
RU2526218C1 (ru) | Устройство глазкова определения углового положения источника света и способ глазкова его работы | |
RU2509290C2 (ru) | Способ определения двух угловых координат светящегося ориентира и многоэлементный фотоприемник для его реализации | |
CN109506778B (zh) | 一种用于多光谱偏振成像的检测阵列结构及成像装置 | |
RU2573245C2 (ru) | Способ бесконтактного управления с помощью поляризационного маркера и комплекс его реализующий | |
Jamaludin et al. | Introducing an application of a charged coupled device (CCD) in an optical tomography system | |
RU2555216C2 (ru) | Способ измерения угловых координат солнца и реализующее его устройство | |
Wijesinghe et al. | Integrated circuit angular displacement sensor with on-chip pinhole aperture |