RU1753737C - Плазменная установка для обработки поверхностей - Google Patents

Плазменная установка для обработки поверхностей Download PDF

Info

Publication number
RU1753737C
RU1753737C SU4858571A RU1753737C RU 1753737 C RU1753737 C RU 1753737C SU 4858571 A SU4858571 A SU 4858571A RU 1753737 C RU1753737 C RU 1753737C
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
vacuum
compensator
cathode
installation
plasma
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Inventor
А.Н. Нестеренко
Ю.И. Егоров
Л.П. Тимкин
Б.А. Архипов
Original Assignee
Опытное конструкторское бюро "Факел"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Опытное конструкторское бюро "Факел" filed Critical Опытное конструкторское бюро "Факел"
Priority to SU4858571 priority Critical patent/RU1753737C/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU1753737C publication Critical patent/RU1753737C/ru

Links

Images

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Использование: плазменная технология с использованием плазменных ускорителей, очистка поверхностей, травление, нанесение тонких покрытий. В вакуумной камере установлены плазменный ускоритель с замкнутым дрейфом электронов и обрабатываемое изделие. Термоэмиссионный катод-компенсатор ускорителя размещен в полости трубопровода вакуумной откачки камеры перед вакуумным затвором со стороны высоковакуумной системы откачки. Трубопровод системы откачки подстыкован к вакуумной камере. Любая прямая линия, проведенная через выходное отверстие катода-компенсатора, не имеющая общих точек с элементами конструкции установки, не пересекает обрабатываемой поверхности. Данное выполнение исключает попадание продуктов распыления термоэмиттера на обрабатываемую поверхность. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.

Description

Изобретение относится к плазменной технологии с использованием плазменных ускорителей для очистки поверхностей, травления, нанесения тонких покрытий и т.д.
Известны вакуумные плазменные установки, содержащие вакуумную камеру с системой откачки и установленные в камере плазменный ускоритель и технологическое приспособление для закрепления обрабатываемых изделий.
Известна плазменная установка, принятая за прототип, содержащая вакуумную рабочую камеру, внутри которой установлены обрабатываемое изделие с приспособлением для его установки и плазменный ускоритель с замкнутым дрейфом электронов, в состав которого входят коаксиальная разрядная камера с анодом и катод-компенсатор. В вакуумную камеру через трубопровод с вакуумным затвором подключена высоковакуумная система откачки.
Катод-компенсатор, входящий в состав плазменного ускорителя, содержит в своей конструкции эмиттер, который теряет работоспособность при попадании в атмосферный воздух в разогретом состоянии ("отравление"). Поэтому после завершения плазменной обработки поверхностей, катод-компенсатор выдерживается в высоком вакууме для его остывания до уровня температур, исключающих отравление катода при напускании в вакуумную рабочую камеру воздуха, что снижает производительность плазменной установки.
Кроме того, вследствие катодного распыления происходит загрязнение обрабатываемых поверхностей изделия продуктами эрозии, что ухудшает ее чистоту, а следовательно, и качество.
Целью изобретения является повышение производительности плазменной установки за счет исключения технологических потерь времени, в течение которого остывает катод-компенсатор, а также повышение качества обработки за счет исключения попадания продуктов распыления катода-компенсатора на обрабатываемую поверх- ность.
Указанная цель достигается тем, что в известной плазменной установке, содержащей вакуумную рабочую камеру, внутри которой на приспособлении установлено обрабатываемое изделие, а против него плазменный ускоритель с замкнутым дрейфом электронов, и систему высоковакуумной откачки, соединенную с вакуумной камерой через трубопровод с вакуумным затвором, согласно изобретению катод-компенсатор размещен в полости трубопровода перед вакуумным затвором со стороны системы высоковакуумной откачки. Для исключения попадания продуктов распыления катода-компенсатора на обрабатываемую поверхность, последний расположен таким образом, что любая прямая линия, проведенная через его выходное отверстие, не имеющая общих точек с элементами конструкции установки, не пересекает обрабатываемой поверхности.
На фиг. 1-3 изображены варианты расположения узлов установки.
Плазменная установка состоит из вакуумной рабочей камеры 1, вакуумного затвора 2, подключенного через трубопровод 3 к высоковакуумному насосу 4. В вакуумной камере 1 размещены ускоритель 5 с замкнутым дрейфом электронов и обрабатываемое изделие 6, установленное на приспособлении 7. Катод-компенсатор 8 размещается в трубопроводе 3 таким образом, чтобы между выходным отверстием катода и обрабатываемым изделием 6 находились элементы конструкции, например, экран 9.
Технологический цикл плазменной обработки состоит из загрузки обрабатываемого изделия в вакуумную рабочую камеру, непосредственной обработки его поверхностей с помощью плазменного ускорителя с замкнутым дрейфом электронов и выгрузки готового изделия. При плазменной обработке изделия 6 продукты распыления катода-компенсатора 8 осаждаются на стенках трубопровода 3 вакуумной рабочей камеры 1 и экрана 9, исключая тем самым их попадание на обрабатываемую поверхность. После завершения обработки и выключения ускорителя 5 затвор 2 закрывается и в вакуумную камеру 1 подается атмосферный воздух для вскрытия камеры и замены изделия 6. При этом катод-компенсатор 8 находится в условиях высокого вакуума, что исключает его отравление.

Claims (2)

1. ПЛАЗМЕННАЯ УСТАНОВКА ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТЕЙ, содержащая вакуумную рабочую камеру, внутри которой установлены обрабатываемое изделие с приспособлением для его установки и плазменный ускоритель с замкнутым дрейфом электронов, в состав которого входят коаксиальная разрядная камера с анодом и термоэмиссионный катод-компенсатор, и систему высоковакуумной откачки, соединенную с вакуумной рабочей камерой через трубопровод с вакуумным затвором, отличающаяся тем, что, с целью повышения производительности установки за счет исключения технологических потерь времени, в течение которого остывает термоэмиссионный катод-компенсатор, катод-компенсатор размещен в полости трубопровода перед вакуумным затвором со стороны высоковакуумной откачки.
2. Установка по п.1, отличающаяся тем, что, с целью повышения качества обработки за счет исключения попадания продуктов распыления катода-компенсатора на обрабатываемую поверхность, термоэмиссионный катод-компенсатор расположен таким образом, что любая прямая линия, проведенная через выходное отверстие, не имеющая общих точек с элементами конструкции установки, не пересекает обрабатываемой поверхности.
SU4858571 1990-08-08 1990-08-08 Плазменная установка для обработки поверхностей RU1753737C (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4858571 RU1753737C (ru) 1990-08-08 1990-08-08 Плазменная установка для обработки поверхностей

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4858571 RU1753737C (ru) 1990-08-08 1990-08-08 Плазменная установка для обработки поверхностей

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU1753737C true RU1753737C (ru) 1995-05-10

Family

ID=30441911

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU4858571 RU1753737C (ru) 1990-08-08 1990-08-08 Плазменная установка для обработки поверхностей

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU1753737C (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2544961C2 (ru) * 2013-07-12 2015-03-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный университет" Способ обработки металлических деталей и устройство для его осуществления

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Гришин С.Д. и др. Плазменные ускорители. М.: Машиностроение, 1983, с.189, 194. *
Левченко Ю.М. и др. Технологические модели УЗДП. IV Всесоюзная конференция по плазменным ускорителям и ионным инжекторам. М., 1978, с.409, рис.1. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2544961C2 (ru) * 2013-07-12 2015-03-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный университет" Способ обработки металлических деталей и устройство для его осуществления

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100271758B1 (ko) 반도체장치 제조설비 및 이의 구동방법
US4022939A (en) Synchronous shielding in vacuum deposition system
US5294320A (en) Apparatus for cleaning a shield in a physical vapor deposition chamber
US5144147A (en) Ion implantation apparatus and method of cleaning the same
EP0843340A3 (en) Method and apparatus for processing wafers
US11901161B2 (en) Methods and apparatus for symmetrical hollow cathode electrode and discharge mode for remote plasma processes
RU1753737C (ru) Плазменная установка для обработки поверхностей
TW329023B (en) Non-plasma halogenated gas flow
EP0441368B1 (en) Method and device for removing excess material from a sputtering chamber
US20060231207A1 (en) System and method for surface treatment
JP4766821B2 (ja) 基板にコーティングを施すための真空モジュール(及びその変形)とモジュールシステム
JP2010192513A (ja) プラズマ処理装置およびその運転方法
RU2095467C1 (ru) Многопучковая установка для ионно-плазменной обработки поверхности деталей
JP3363040B2 (ja) 高速原子線源
CN216528734U (zh) 一种用于在真空状态下对基材件改性的离子源
TWI722495B (zh) 電漿處理裝置
CN113130285B (zh) 一种陶瓷进气接射频清洗装置
JPH06224097A (ja) 真空排気装置
JP3595508B2 (ja) 半導体製造装置
KR960009551Y1 (ko) 반도체 제조용 스퍼터링 장비
JPS61174634A (ja) ドライエツチング方法
EP0032709A3 (en) Apparatus and method for the (patterned) coating of a substrate by cathodic sputtering and use thereof
JPH07283203A (ja) 表面処理装置
JP2003034857A (ja) スパッタリング装置及び方法
JPS62221116A (ja) プラズマ処理装置