RU1753737C - Плазменная установка для обработки поверхностей - Google Patents
Плазменная установка для обработки поверхностей Download PDFInfo
- Publication number
- RU1753737C RU1753737C SU4858571A RU1753737C RU 1753737 C RU1753737 C RU 1753737C SU 4858571 A SU4858571 A SU 4858571A RU 1753737 C RU1753737 C RU 1753737C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- vacuum
- compensator
- cathode
- installation
- plasma
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Использование: плазменная технология с использованием плазменных ускорителей, очистка поверхностей, травление, нанесение тонких покрытий. В вакуумной камере установлены плазменный ускоритель с замкнутым дрейфом электронов и обрабатываемое изделие. Термоэмиссионный катод-компенсатор ускорителя размещен в полости трубопровода вакуумной откачки камеры перед вакуумным затвором со стороны высоковакуумной системы откачки. Трубопровод системы откачки подстыкован к вакуумной камере. Любая прямая линия, проведенная через выходное отверстие катода-компенсатора, не имеющая общих точек с элементами конструкции установки, не пересекает обрабатываемой поверхности. Данное выполнение исключает попадание продуктов распыления термоэмиттера на обрабатываемую поверхность. 1 з.п. ф-лы, 3 ил.
Description
Изобретение относится к плазменной технологии с использованием плазменных ускорителей для очистки поверхностей, травления, нанесения тонких покрытий и т.д.
Известны вакуумные плазменные установки, содержащие вакуумную камеру с системой откачки и установленные в камере плазменный ускоритель и технологическое приспособление для закрепления обрабатываемых изделий.
Известна плазменная установка, принятая за прототип, содержащая вакуумную рабочую камеру, внутри которой установлены обрабатываемое изделие с приспособлением для его установки и плазменный ускоритель с замкнутым дрейфом электронов, в состав которого входят коаксиальная разрядная камера с анодом и катод-компенсатор. В вакуумную камеру через трубопровод с вакуумным затвором подключена высоковакуумная система откачки.
Катод-компенсатор, входящий в состав плазменного ускорителя, содержит в своей конструкции эмиттер, который теряет работоспособность при попадании в атмосферный воздух в разогретом состоянии ("отравление"). Поэтому после завершения плазменной обработки поверхностей, катод-компенсатор выдерживается в высоком вакууме для его остывания до уровня температур, исключающих отравление катода при напускании в вакуумную рабочую камеру воздуха, что снижает производительность плазменной установки.
Кроме того, вследствие катодного распыления происходит загрязнение обрабатываемых поверхностей изделия продуктами эрозии, что ухудшает ее чистоту, а следовательно, и качество.
Целью изобретения является повышение производительности плазменной установки за счет исключения технологических потерь времени, в течение которого остывает катод-компенсатор, а также повышение качества обработки за счет исключения попадания продуктов распыления катода-компенсатора на обрабатываемую поверх- ность.
Указанная цель достигается тем, что в известной плазменной установке, содержащей вакуумную рабочую камеру, внутри которой на приспособлении установлено обрабатываемое изделие, а против него плазменный ускоритель с замкнутым дрейфом электронов, и систему высоковакуумной откачки, соединенную с вакуумной камерой через трубопровод с вакуумным затвором, согласно изобретению катод-компенсатор размещен в полости трубопровода перед вакуумным затвором со стороны системы высоковакуумной откачки. Для исключения попадания продуктов распыления катода-компенсатора на обрабатываемую поверхность, последний расположен таким образом, что любая прямая линия, проведенная через его выходное отверстие, не имеющая общих точек с элементами конструкции установки, не пересекает обрабатываемой поверхности.
На фиг. 1-3 изображены варианты расположения узлов установки.
Плазменная установка состоит из вакуумной рабочей камеры 1, вакуумного затвора 2, подключенного через трубопровод 3 к высоковакуумному насосу 4. В вакуумной камере 1 размещены ускоритель 5 с замкнутым дрейфом электронов и обрабатываемое изделие 6, установленное на приспособлении 7. Катод-компенсатор 8 размещается в трубопроводе 3 таким образом, чтобы между выходным отверстием катода и обрабатываемым изделием 6 находились элементы конструкции, например, экран 9.
Технологический цикл плазменной обработки состоит из загрузки обрабатываемого изделия в вакуумную рабочую камеру, непосредственной обработки его поверхностей с помощью плазменного ускорителя с замкнутым дрейфом электронов и выгрузки готового изделия. При плазменной обработке изделия 6 продукты распыления катода-компенсатора 8 осаждаются на стенках трубопровода 3 вакуумной рабочей камеры 1 и экрана 9, исключая тем самым их попадание на обрабатываемую поверхность. После завершения обработки и выключения ускорителя 5 затвор 2 закрывается и в вакуумную камеру 1 подается атмосферный воздух для вскрытия камеры и замены изделия 6. При этом катод-компенсатор 8 находится в условиях высокого вакуума, что исключает его отравление.
Claims (2)
1. ПЛАЗМЕННАЯ УСТАНОВКА ДЛЯ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТЕЙ, содержащая вакуумную рабочую камеру, внутри которой установлены обрабатываемое изделие с приспособлением для его установки и плазменный ускоритель с замкнутым дрейфом электронов, в состав которого входят коаксиальная разрядная камера с анодом и термоэмиссионный катод-компенсатор, и систему высоковакуумной откачки, соединенную с вакуумной рабочей камерой через трубопровод с вакуумным затвором, отличающаяся тем, что, с целью повышения производительности установки за счет исключения технологических потерь времени, в течение которого остывает термоэмиссионный катод-компенсатор, катод-компенсатор размещен в полости трубопровода перед вакуумным затвором со стороны высоковакуумной откачки.
2. Установка по п.1, отличающаяся тем, что, с целью повышения качества обработки за счет исключения попадания продуктов распыления катода-компенсатора на обрабатываемую поверхность, термоэмиссионный катод-компенсатор расположен таким образом, что любая прямая линия, проведенная через выходное отверстие, не имеющая общих точек с элементами конструкции установки, не пересекает обрабатываемой поверхности.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4858571 RU1753737C (ru) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | Плазменная установка для обработки поверхностей |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4858571 RU1753737C (ru) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | Плазменная установка для обработки поверхностей |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU1753737C true RU1753737C (ru) | 1995-05-10 |
Family
ID=30441911
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU4858571 RU1753737C (ru) | 1990-08-08 | 1990-08-08 | Плазменная установка для обработки поверхностей |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU1753737C (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2544961C2 (ru) * | 2013-07-12 | 2015-03-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный университет" | Способ обработки металлических деталей и устройство для его осуществления |
-
1990
- 1990-08-08 RU SU4858571 patent/RU1753737C/ru active
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
Гришин С.Д. и др. Плазменные ускорители. М.: Машиностроение, 1983, с.189, 194. * |
Левченко Ю.М. и др. Технологические модели УЗДП. IV Всесоюзная конференция по плазменным ускорителям и ионным инжекторам. М., 1978, с.409, рис.1. * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2544961C2 (ru) * | 2013-07-12 | 2015-03-20 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Самарский государственный университет" | Способ обработки металлических деталей и устройство для его осуществления |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100271758B1 (ko) | 반도체장치 제조설비 및 이의 구동방법 | |
US4022939A (en) | Synchronous shielding in vacuum deposition system | |
US5294320A (en) | Apparatus for cleaning a shield in a physical vapor deposition chamber | |
US5144147A (en) | Ion implantation apparatus and method of cleaning the same | |
EP0843340A3 (en) | Method and apparatus for processing wafers | |
US11901161B2 (en) | Methods and apparatus for symmetrical hollow cathode electrode and discharge mode for remote plasma processes | |
RU1753737C (ru) | Плазменная установка для обработки поверхностей | |
TW329023B (en) | Non-plasma halogenated gas flow | |
EP0441368B1 (en) | Method and device for removing excess material from a sputtering chamber | |
US20060231207A1 (en) | System and method for surface treatment | |
JP4766821B2 (ja) | 基板にコーティングを施すための真空モジュール(及びその変形)とモジュールシステム | |
JP2010192513A (ja) | プラズマ処理装置およびその運転方法 | |
RU2095467C1 (ru) | Многопучковая установка для ионно-плазменной обработки поверхности деталей | |
JP3363040B2 (ja) | 高速原子線源 | |
CN216528734U (zh) | 一种用于在真空状态下对基材件改性的离子源 | |
TWI722495B (zh) | 電漿處理裝置 | |
CN113130285B (zh) | 一种陶瓷进气接射频清洗装置 | |
JPH06224097A (ja) | 真空排気装置 | |
JP3595508B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
KR960009551Y1 (ko) | 반도체 제조용 스퍼터링 장비 | |
JPS61174634A (ja) | ドライエツチング方法 | |
EP0032709A3 (en) | Apparatus and method for the (patterned) coating of a substrate by cathodic sputtering and use thereof | |
JPH07283203A (ja) | 表面処理装置 | |
JP2003034857A (ja) | スパッタリング装置及び方法 | |
JPS62221116A (ja) | プラズマ処理装置 |