RU168496U1 - Лазерная установка с перестраиваемой длиной волны для исследования радиационной стойкости интегральных схем на основе Si, GaAs, SiGe к воздействию отдельных заряженных частиц - Google Patents
Лазерная установка с перестраиваемой длиной волны для исследования радиационной стойкости интегральных схем на основе Si, GaAs, SiGe к воздействию отдельных заряженных частиц Download PDFInfo
- Publication number
- RU168496U1 RU168496U1 RU2016136457U RU2016136457U RU168496U1 RU 168496 U1 RU168496 U1 RU 168496U1 RU 2016136457 U RU2016136457 U RU 2016136457U RU 2016136457 U RU2016136457 U RU 2016136457U RU 168496 U1 RU168496 U1 RU 168496U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- laser
- module
- radiation
- wavelength
- charged particles
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/308—Contactless testing using non-ionising electromagnetic radiation, e.g. optical radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
- H01L22/24—Optical enhancement of defects or not directly visible states, e.g. selective electrolytic deposition, bubbles in liquids, light emission, colour change
Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Лазерная установка для исследования радиационной стойкости интегральных микросхем к воздействию отдельных заряженных частиц состоит из лазерного источника пикосекундных импульсов с блоком перестройки длины волны, модуля селектора длины волны, модуля фокусировки лазерного излучения, модуля ослабления лазерного излучения, модуля видеокамер для визуализации и регистрации фрагментов топологии микросхемы, модуля позиционирования, модуля функционального контроля и системы управления. Технический результат заключается в обеспечении возможности проведения испытаний на радиационную стойкость микросхем на основе некремниевых материалов (GaAs, SiGe и др.) к воздействию отдельных заряженных частиц лазерными методами. 2 ил.
Description
Полезная модель относится к измерительной технике, в частности к устройствам для проведения испытаний полупроводниковых элементов на стойкость к воздействию отдельных заряженных частиц лазерными методами.
Широкое применение больших и сверхбольших интегральных схем (ИС), а также силовых и высоковольтных транзисторов в качестве электронной компонентной базы космической аппаратуры и авионики требует проведения работ по оценке их чувствительности к одиночным радиационным эффектам воздействия отдельных заряженных частиц - ионов и протонов космического пространства. К наиболее важным одиночным радиационным эффектам относятся одиночные сбои и тиристорные эффекты.
Традиционные методы оценки параметров чувствительности ИС к воздействию отдельных заряженных частиц основываются на результатах испытаний на ускорителях ионов и протонов, которые являются достаточно трудоемкими и дорогостоящими. К тому же, в силу статистического характера взаимодействия излучения с веществом, данные методы являются неэффективными при сравнении различных схемно-технологических методов обеспечения радиационной стойкости ИС.
В настоящее время развиваются альтернативные методы, основанные на использовании сфокусированного лазерного излучения ультракороткой длительности. Было показано, что эффекты, вызываемые в полупроводниковых приборах сфокусированными ультракороткими лазерными импульсами пикосекундной длительности, идентичны по электрической реакции ИС эффектам от воздействия отдельных заряженных частиц. Моделирование электрических эффектов от воздействий отельных заряженных частиц с помощью лазерных импульсов имеет ряд преимуществ перед традиционными методами, предполагающими использование пучка заряженных частиц (ионов):
- возможность локализовать чувствительные элементы с микронной точностью;
- возможность изучать динамическую чувствительность к одиночным сбоям в различных режимах работы ИС;
- высокая воспроизводимость лазерного импульсного возбуждения;
- возможность многократно воздействовать на элемент ИС, не вызывая накопления необратимых изменений;
- лазерные установки для исследования радиационной стойкости ИС могут быть достаточно компактны;
- не требуется помещение исследуемого прибора в вакуумную камеру;
- возможность расположения приборов функционального контроля в непосредственной близости к исследуемому объекту снижает уровень помех, что имеет особое значение при проведении испытаний на одиночные сбои устройств с высоким быстродействием;
- лазеры имеют меньшую стоимость, чем источники пучков частиц, более радиационно безопасны, экологичны, легко поддаются автоматизации, удобны в обращении и управлении.
Описанные особенности позволяют утверждать, что сфокусированное излучение пикосекундных лазеров может успешно применяться для имитации эффектов, возникающих в полупроводниковых приборах под действием космических лучей. В настоящее время лазерное излучение применяется для имитации:
- одиночных сбоев, представляющих собой изменение логического состояния ячейки памяти (или триггера), возникающего вследствие перехода закрытого транзистора в проводящее состояние при воздействии на него отдельных заряженных частиц;
- одиночных переходных процессов, проявляющихся как короткие всплески тока, способные приводить к аномальному поведению других компонент, практически всегда присутствующих в бортовой аппаратуре, таких как логические элементы, функционально зависимые от возбуждаемого элемента;
- тиристорного эффекта, возникающего при активации так называемых паразитных транзисторных структур, не участвующими в формировании целевых логических элементов ИС.
Применение методов тестирования ИС пикосекундными лазерными импульсами позволяет, сканируя поверхность ИС, прецизионно локализовать чувствительные к описанным эффектам области и найти пороги их возникновения.
Так, например, известно устройство для исследования радиационной стойкости ИС (патент на полезную модель RU 110488 U1) к воздействию отдельных заряженных частиц, содержащее лазерный источник для излучения ультракоротких лазерных импульсов длительностью 70 пc, блок ослабления излучения, фокусирующее устройство, предметный столик для размещения исследуемой ИС, выполненный с возможностью перемещения в трех направлениях, блок измерения энергии лазерного импульса, блок визуального контроля в виде ПЗС-камеры, а также систему компьютерного управления и функционального контроля.
К недостаткам известного устройства относится невозможность осуществления исследований ИС при облучении со стороны активного слоя, над активной областью которых находится несколько слоев металлизации, а также микросхем, выполненных по технологии «Flip-Chip», то есть микросхем с перевернутым кристаллом и приборным слоем, обращенным к подложке. Для преодоления указанной проблемы был предложен способ облучения исследуемой микросхемы со стороны подложки, что оказалось возможным, благодаря прозрачности чистого кремния для длин волн больше 1100 нм. Однако визуализация и регистрация изображения топологии исследуемой микросхемы сквозь подложку на этом устройстве невозможны, так как в канале наблюдения используется камера видимого диапазона, в котором кремний непрозрачен.
Еще одним ограничением применимости известного устройства является использование фиксированной рабочей длины волны, а именно 1064 нм, оптимизированной под исследования КМОП-структур на основе кремния. Для некремниевых ИС на основе таких полупроводниковых материалов, как GaAs, SiGe и др., набор оптимальных длин волн лежит в диапазоне от 700 до 1000 нм. Осуществление плавной перестройки длины волны в указанном диапазоне позволяет подобрать необходимую длину волны для указанных выше полупроводниковых материалов.
Технический результат предложенной полезной модели заключается в обеспечении возможности проведения испытаний на радиационную стойкость микросхем на основе некремниевых материалов (GaAs, SiGe и др.) к воздействию отдельных заряженных частиц лазерными методами.
Он реализуется за счет перестройки в необходимом диапазоне длины волны лазерного излучения, сфокусированного на активном слое исследуемой микросхемы при облучении со стороны подложки, с возможностью визуализации и регистрации изображения топологии микросхемы сквозь подложку с помощью дополнительного канала наблюдения с камерой инфракрасного диапазона.
Указанный технический результат достигается в практической реализации заявленной модели лазерной установки с перестраиваемой длиной волны для исследования радиационной стойкости ИС на основе Si, GaAs, SiGe и др. к воздействию отдельных заряженных частиц, содержащей следующие основные модули: лазерный источник пикосекундных импульсов, состоящий из пикосекундного лазера с длинами волн 1064 нм и 532 нм и длительностью импульсов 25 пс, работающего в режиме повторяющихся импульсов с частотой, регулируемой в пределах от 1 до 1000 Гц, и блока перестройки длины волны на основе оптического параметрического генератора (ОПГ), преобразующего лазерное излучение с длиной волны 532 нм в перестраиваемое излучение сигнальной (диапазон от 700 до 1000 нм) и холостой (диапазон от 1150 до 2200 нм) волн; модуль фокусировки лазерного излучения, состоящий из оснащенного лазерным портом широкоапертурного микроскопа c телецентрическим осветителем, обеспечивающих работу в видимой и ближней инфракрасной области спектра; модуль селектора длины волны и согласования параметров пучков с длинами волн от 700 до 1000 нм, 1064 нм и от 1150 до 2200 нм, вводимых в микроскоп через лазерный порт; модуль плавного ослабления лазерного излучения с программно регулируемым коэффициентом ослабления от 1 до 105 на основе трех соосных лазерных поляризационных призм Глана; модуль видеокамер для визуализации и регистрации фрагментов топологии исследуемых микросхем, состоящий из камер видимого и инфракрасного диапазона, а также установленных в канале наблюдения спектральных светофильтров; модуль позиционирования исследуемой ИС на основе трех прецизионных линейных шаговых приводов, позволяющих осуществлять перемещение ИС в трех направлениях относительно точки фокусировки лазерного пучка; модуль функционального контроля ИС и систему управления всеми модулями имитатора на базе ПК с пакетом специализированного программного обеспечения.
Указанные признаки являются существенными, а их совокупность является достаточной для достижения указанного технического результата.
Настоящая полезная модель поясняется конкретным примером исполнения, который, однако, не является единственно возможным, но наглядно демонстрирует возможность достижения требуемого технического результата.
Сущность устройства поясняется чертежами.
На фиг. 1 представлена блок-схема предложенного лазерного имитатора для исследования радиационной стойкости ИС к воздействию отдельных заряженных частиц. Упрощенная оптическая схема модуля фокусировки совместно с модулем видеокамер показана на фиг. 2.
На чертежах введены следующие обозначения:
1. Пикосекундный лазер
2. Оптический параметрический генератор
3. Модуль селектора длины волны
4. Модуль плавного ослабления лазерного излучения
5. Лазерный порт
6. Модуль фокусировки (микроскоп)
7. Модуль видеокамер
8. Система управления
9. Модуль функционального контроля ИС
10. Исследуемая ИС
11. Модуль позиционирования
12. Тубусная линза
13. Камера ИК диапазона
14. Полосовой и коротковолновый светофильтры
15. Цветная камера (видимого диапазона)
16. Галогенный источник света
17. Волоконный жгут
18. Телецентрический осветитель
19. Делительная пластина
20. Объектив микроскопа
Лазерный импульс пикосекундного источника излучения 1 и 2 с перестраиваемой длиной волны, пройдя через модуль селектора длины волны 3 и модуль ослабления 4, фокусируется с помощью объектива 20 на кристалл исследуемой ИС 10 в пятно с минимальным диаметром. Модуль позиционирования 11 обеспечивает прецизионное перемещение образца ИС в объектной плоскости XY и совмещение положения поверхности исследуемой ИС по оси Z с плоскостью острой фокусировки лазерного пучка.
Визуальное наблюдение и/или регистрация топологии участка ИС осуществляется с помощью модуля видеокамер 7, состоящего из камеры видимого диапазона 15 - при облучении со стороны активного слоя, и инфракрасного диапазона 13 - при облучении со стороны подложки. Сигнал с выбранной камеры обрабатывается ПК и выводится на монитор. Задание параметров импульса излучения, подачу функциональных команд и синхронизацию работы всех модулей установки осуществляет единая система управления 8 на базе ПК.
Лазерный имитатор разработан и практически реализован АО «ЭНПО СПЭЛС» и НИЯУ МИФИ. В качестве источника лазерных импульсов использован твердотельный Nd3+:YAG пикосекундный лазер 1 с диодной накачкой серии PL2210А (EKSPLA, Литва). Он генерирует импульсы длительностью 25 пс на основной длине волны λлаз.=1064 нм с энергией 0.94 мДж и 0.65 мДж на второй гармонике 532 нм.
Перестройка длины волны излучения осуществляется с помощью ОПГ модели PG503 (EKSPLA, Литва) 2, преобразующего излучение с длиной волны 532 нм, выходящее из лазера 1, в излучение сигнальной волны λсигн. (диапазон от 700 до1000 нм) и холостой волны λхол. (от 1150 до 2200 нм). Одним из достоинств оптической схемы PG503 является отсутствие поперечного смещения пучков сигнальной и холостой волн в процессе перестройки длины волн и возможность корректировать пространственное распределение преобразованных пучков, вводя и сохраняя в памяти прибора соответствующие корректировки при каждом заданном значении длины волны.
Модуль селектора длины волны 3 служит для оперативного выбора сигнальной длины волны λсигн из диапазона перестройки от 700 до 1000 нм, холостой длины волны λхол. из диапазона от 1150 до 2200 нм или фиксированной длины волны λлаз.=1064 нм непосредственно с выхода пикосекундного лазера. В нем осуществляется дополнительное согласование диаметров и расходимости указанных пучков с помощью телескопов и зеркал для оптимального ввода в лазерный порт 5 модуля фокусировки 6.
Фокусировка лазерного пучка на исследуемом кристалле ИС осуществляется с помощью модуля фокусировки 6, базовым элементом которого является микроскоп Mic301LP фирмы OMEK (Израиль) с лазерным портом 5. Отличительной особенностью микроскопов серии Mic300 является широкая апертура канала наблюдения, включая все оптические элементы, что позволяет обеспечивать поле зрения примерно 1600 мкм и достигать разрешения до 0.06 мкм/пиксель на камере с размером матрицы до 1''. Оптическая схема микроскопа скорректирована на бесконечность тубусной линзой 12 с фокусным расстоянием 160 мм. Это облегчает ввод лазерного излучения в оптический канал микроскопа.
В разработанном модуле используются лазерно-стойкие объективы 20 фирмы Mitutoyo (Япония) с увеличенным рабочим расстоянием (ELWD - Extra-Large Working Distance) с кратностями 5×, 20× и 100×. Помимо рабочего расстояния, позволяющего исследовать практически любые ИС, в том числе с кристаллами, расположенными в глубине корпуса, еще одним их преимуществом является апохроматичность в видимой и ближней ИК области спектра (Plan APO NIR). Объектив 5× удобен для наблюдения больших площадей или получения панорамных снимков объекта. Объективы 20× и 100× - для острой фокусировки лазерного пучка.
Для обеспечения оптимального бестеневого освещения микроскоп оснащен телецентрическим осветителем 18, световой поток которого совмещается с каналом наблюдения с помощью светоделительного элемента 19. В зависимости от диапазона длин волн регистрируемого видеокамерой канала наблюдения, осветитель должен иметь соответствующий спектральный диапазон. В предложенном устройстве в составе телецентрического осветителя применен широкополосный (длины волн в диапазоне от 400 до 1800 нм) галогенный источник света 16 SCHOTT-MORITEX мощностью 100 Вт, особенностью которого является использование специальной технологии защиты оптических элементов от перегрева, а также термостойкого оптоволоконного жгута 17 для подачи света в сам телецентрический осветитель 18.
Наблюдение исследуемой ИС с возможностью регистрации получаемых изображений участков топологии осуществляется с помощью камеры видимого диапазона 15 при изучении поверхности ИС со стороны активного слоя и камеры инфракрасного диапазона 13 - при проведения исследований ИС со стороны подложки. Необходимое для лазерных испытаний ИС на радиационную стойкость качество изображения достигается при использовании видеокамер фирмы AVT (Allied Vision Technologies, Германия) Guppy F-146C для видимого диапазона и Goldeye P-032 для ближнего инфракрасного диапазона. Обе камеры подключаются через стандартные интерфейсы непосредственно к управляющему ПК.
Перед видеокамерами для их защиты от повреждения отраженным от объекта лазерным излучением устанавливаются спектральные светофильтры 14, диапазоны пропускания или отсечки которых подбираются в зависимости от используемых длин волн.
Для обеспечения возможности оперативного изменения энергии импульсов лазерного излучения, падающего на исследуемый объект при экспериментальном определении энергетических порогов одиночных радиационных эффектов в ИС, используется разработанный авторами модуль плавного ослабления лазерного излучения 4 на основе трех соосных поляризационных призм Глана, одна из которых оснащена прецизионным шаговым приводом вращения. Конструкция позволяет управлять ослабителем программно и вручную. Модуль обеспечивает плавную регулировку коэффициента ослабления энергии лазерного излучения от 1 до 105 во всем рабочем диапазоне длин волн лазерного излучения.
Модуль позиционирования объекта 11 предназначен для обеспечения координатного сканирования исследуемой ИС лазерным лучом с высокой точностью поддержания параметров фокусировки. Он выполнен в виде предметного столика с тремя прецизионными шаговыми приводами с минимальным шагом перемещения 0,125 мкм в плоскости сканирования XY и 0.16 мкм в направлении вдоль лазерного пучка Z. Диапазон перемещений составляет 100, 100 и 25 мм по направлениям X, Y и Z, соответственно. Максимальная скорость сканирования составляет 625 мкм/с. Управление модулем позиционирования осуществляется программно через многоканальный контроллер шаговых двигателей, подсоединенный к ПК. Кроме управления упомянутыми выше приводами, программное обеспечение позволяет автоматически поддерживать заданное расстояние между объективом и облучаемой поверхностью (автоматическая подстройка координаты Z) при сканировании желаемой области исследуемого объекта как синхронно, так и асинхронно с облучением лазерными импульсами.
Модуль функционального контроля ИС 9 предназначен для задания режимов работы, управления питанием и проверки работоспособности ИС путем выполнения тестов, а также формирования сигналов «обратной связи» для системы управления. В предложенном устройстве система функционального контроля ИС построена на базе стандартных аппаратно-программных модулей National Instruments под управлением среды разработки программ Lab View и упомянутого выше или другого сетевого ПК.
Для работы заявленной установки необходимо определенное пространственное расположение ее модулей друг относительно друга. Для этого на единой оптической плите все модули конструктивно объединяются в единый испытательный комплекс. Таким образом, заявленная установка может быть признана устройством, несмотря на то, что элементы (плита), обеспечивающие указанное взаимное расположение, не включены в формулу полезной модели.
Основные характеристики предложенной установки для проведения испытаний полупроводниковых элементов на стойкость к воздействию отдельных заряженных частиц лазерными методами представлены в таблице 1.
Таблица 1.
| Параметр | Значения |
| Источник излучения (лазер) | Nd3+:YAG с ОПГ |
| Длины волн, нм | От 700 до 1000; 1064; от 1150 до 2200 |
| Макс. энергия импульса на объекте, мкДж | 11.5 |
| Длительность лазерного импульса (FWHM), пс | 25 |
| Стабильность энергии импульса, % | ±5 |
| Частота повторения импульсов, Гц | От 0 до 1000 |
| Коэффициент ослабления энергии импульса | От 1 до 105, управляется ПК |
| Видеокамеры VIS (NIR): Тип Разрешение, пикс Пространственное разрешение, мкм/пикс |
Цветная ПЗС (InGaAs матрица) Guppy F-146C (Goldeye P-032) 1392×1040 (636×508) 0.3 (1.6) |
| Объективы: Кратность |
Mitutoyo Plan APO NIR 5×, 20×и 100× |
| Минимальный размер пятна (1/e2) для 20×, мкм | 3.0 |
| XYZ позиционирование объекта: Минимальный шаг, мкм Диапазон перемещения X/Y/Z, мм Максимальная линейная скорость X/Y, мкм/с |
Моторизированное, управляемое ПК 0.125/0.125/0.156 100/100/25 625/625 |
| Ограничения по габаритам объекта: Максимальный размер объекта, мм Рабочее расстояние до объектива 20×, мм |
400 20 |
| Габаритные размеры комплекса, Д/Ш/В, мм | 1200/1000/800 |
Разработанная лазерная экспериментальная установка позволяет проводить научные исследования и испытания широкого класса перспективных изделий кремниевой и некремниевой полупроводниковой микро- и наноэлектроники на стойкость к воздействию высокоэнергетичных отдельных заряженных частиц. Предложенное устройство обладает высокими технико-эксплуатационными характеристиками и является оригинальной разработкой, не имеющей аналогов в России.
Claims (1)
- Лазерная установка с перестраиваемой длиной волны для исследования радиационной стойкости интегральных схем на основе Si, GaAs, SiGe к воздействию отдельных заряженных частиц, содержащая следующие основные модули: лазерный источник пикосекундных импульсов, состоящий из пикосекундного лазера с длинами волн 1064 нм и 532 нм и длительностью импульсов 25 пс, работающего в режиме повторяющихся импульсов с частотой, регулируемой в пределах от 1 до 1000 Гц, и блока перестройки длины волны на основе оптического параметрического генератора, преобразующего лазерное излучение с длиной волны 532 нм в излучение сигнальной, диапазон от 700 до 1000 нм, и холостой, диапазон от 1150 до 2200 нм, волн и состоящего из двухпроходного оптического параметрического осциллятора и оптического параметрического усилителя; модуль фокусировки лазерного излучения, состоящий из оснащенного лазерным портом широкоапертурного микроскопа c телецентрическим осветителем, обеспечивающих работу в видимой и ближней инфракрасной области спектра; модуль селектора длины волны и согласования параметров пучков с длинами волн от 700 до 1000 нм, 1064 нм, от 1150 до 2200 нм, вводимых в микроскоп через лазерный порт; модуль плавного ослабления лазерного излучения с программно регулируемым коэффициентом ослабления от 1 до 105 на основе трех соосных лазерных поляризационных призм Глана; модуль видеокамер для визуализации и регистрации фрагментов топологии исследуемых микросхем, состоящий из камер видимого и инфракрасного диапазона, а также установленных в канале наблюдения спектральных светофильтров; модуль прецизионного позиционирования исследуемой микросхемы на основе трех линейных шаговых приводов, позволяющих осуществлять перемещение интегральной схемы в трех направлениях относительно точки фокусировки лазерного пучка; модуль функционального контроля микросхемы и систему управления всеми модулями установки на базе персонального компьютера с пакетом специализированного программного обеспечения.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016136457U RU168496U1 (ru) | 2016-09-12 | 2016-09-12 | Лазерная установка с перестраиваемой длиной волны для исследования радиационной стойкости интегральных схем на основе Si, GaAs, SiGe к воздействию отдельных заряженных частиц |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2016136457U RU168496U1 (ru) | 2016-09-12 | 2016-09-12 | Лазерная установка с перестраиваемой длиной волны для исследования радиационной стойкости интегральных схем на основе Si, GaAs, SiGe к воздействию отдельных заряженных частиц |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU168496U1 true RU168496U1 (ru) | 2017-02-06 |
Family
ID=58450670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2016136457U RU168496U1 (ru) | 2016-09-12 | 2016-09-12 | Лазерная установка с перестраиваемой длиной волны для исследования радиационной стойкости интегральных схем на основе Si, GaAs, SiGe к воздействию отдельных заряженных частиц |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU168496U1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2759252C1 (ru) * | 2021-04-22 | 2021-11-11 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | Комплекс для испытания радиационной стойкости изделий электронно-компонентной базы в высокоинтенсивных полях тормозного излучения |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7019311B1 (en) * | 2004-03-25 | 2006-03-28 | Sandia Corporation | Laser-based irradiation apparatus and methods for monitoring the dose-rate response of semiconductor devices |
| RU2371731C1 (ru) * | 2008-04-07 | 2009-10-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова" | Способ разбраковки микросхем оперативного запоминающего устройства по уровню бессбойной работы |
| RU110488U1 (ru) * | 2011-05-30 | 2011-11-20 | Открытое акционерное общество "Экспериментальное научно-производственное объединение СПЕЦИАЛИЗИРОВАННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ СИСТЕМЫ" ("ОАО ЭНПО СПЭЛС") | Лазерный имитатор для исследования радиационной стойкости интегральных схем к воздействию отдельных заряженных частиц |
| US8289038B2 (en) * | 2006-04-19 | 2012-10-16 | European Aeronautic Defence and Space Compai | Method and device for characterising sensitivity to energy interactions in an electronic component |
-
2016
- 2016-09-12 RU RU2016136457U patent/RU168496U1/ru active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7019311B1 (en) * | 2004-03-25 | 2006-03-28 | Sandia Corporation | Laser-based irradiation apparatus and methods for monitoring the dose-rate response of semiconductor devices |
| US8289038B2 (en) * | 2006-04-19 | 2012-10-16 | European Aeronautic Defence and Space Compai | Method and device for characterising sensitivity to energy interactions in an electronic component |
| RU2371731C1 (ru) * | 2008-04-07 | 2009-10-27 | Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова" | Способ разбраковки микросхем оперативного запоминающего устройства по уровню бессбойной работы |
| RU110488U1 (ru) * | 2011-05-30 | 2011-11-20 | Открытое акционерное общество "Экспериментальное научно-производственное объединение СПЕЦИАЛИЗИРОВАННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ СИСТЕМЫ" ("ОАО ЭНПО СПЭЛС") | Лазерный имитатор для исследования радиационной стойкости интегральных схем к воздействию отдельных заряженных частиц |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2759252C1 (ru) * | 2021-04-22 | 2021-11-11 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | Комплекс для испытания радиационной стойкости изделий электронно-компонентной базы в высокоинтенсивных полях тормозного излучения |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3026362B2 (ja) | プローブステーションおよびレーザ切断のための多波長レーザ光学システム | |
| TWI590549B (zh) | １９３奈米雷射及檢測系統 | |
| JP5140049B2 (ja) | 時間分解非侵入性判断システム | |
| US6944204B2 (en) | Laser-induced breakdown spectroscopy with second harmonic guide light | |
| US6798498B2 (en) | Apparatus for evaluating polysilicon film | |
| KR20070092430A (ko) | 표시 장치의 픽셀 수리 장치 | |
| KR20040106240A (ko) | 결정화 장치, 결정화 방법, 박막 트랜지스터의 제조 방법,박막 트랜지스터 및 표시 장치 | |
| CN113008849B (zh) | 紫外-近红外宽波段微区光致发光光谱测试装置 | |
| TW201738026A (zh) | 雷射光照射裝置 | |
| US11300524B1 (en) | Pupil-plane beam scanning for metrology | |
| CN105510809B (zh) | 脉冲激光模拟单粒子试验系统及方法 | |
| CN105195468A (zh) | 一种在线清洗和检测聚变装置第一镜的方法与装置 | |
| RU169301U1 (ru) | Аппаратно-программный комплекс для исследования радиационной стойкости быстродействующих интегральных схем на основе Si и GaAs к воздействию отдельных заряженных частиц на основе лазерного источника фемтосекундных импульсов | |
| RU168496U1 (ru) | Лазерная установка с перестраиваемой длиной волны для исследования радиационной стойкости интегральных схем на основе Si, GaAs, SiGe к воздействию отдельных заряженных частиц | |
| US20120032687A1 (en) | Detection apparatus for detecting electric field distribution or carrier distribution based on the intensity of high-order harmonics | |
| Sterba et al. | Basic laser tweezers | |
| JP2001284281A (ja) | レーザ加工装置及び方法 | |
| RU110488U1 (ru) | Лазерный имитатор для исследования радиационной стойкости интегральных схем к воздействию отдельных заряженных частиц | |
| JP2016103506A (ja) | 透過レーザービームの検出方法 | |
| Mann et al. | Monitoring and shaping of excimer laser beam profiles | |
| JP7475211B2 (ja) | レーザー加工装置の検査方法 | |
| KR102213923B1 (ko) | 레이저 가공 시스템 및 그 방법 | |
| RU2671150C1 (ru) | Способ формирования дефектов в объеме образца диэлектрика лазерным излучением | |
| KR20220022325A (ko) | 마이크로 엘이디 검사 시스템 | |
| TW202009081A (zh) | 鐳射加工裝置 |