RU1603844C - Способ получени монокристаллов германата висмута со структурой эвлитина - Google Patents
Способ получени монокристаллов германата висмута со структурой эвлитинаInfo
- Publication number
- RU1603844C RU1603844C SU884605074A SU4605074A RU1603844C RU 1603844 C RU1603844 C RU 1603844C SU 884605074 A SU884605074 A SU 884605074A SU 4605074 A SU4605074 A SU 4605074A RU 1603844 C RU1603844 C RU 1603844C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- crucible
- melt
- bismuth
- hours
- crystals
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к способу получени монокристаллов германата висмута со структурой эвлитина и позвол ет сократить длительность процесса и уменьшить загр знение расплава и кристаллов и коррозию тигл . Исходные оксиды германи и висмута прокаливают при 965 ± 15°С и 440 ± 10°С соответственно в течение 5-6 ч. .после чего смешивают в тигле и нагревают со скоростью 100-150 град/мин до 940 ± ±10°С, а затем со скоростью 15 -20 град/мин до 1175 ±25°С. Догружают тигель через воронку оставшимис оксидами, охлаждают расплав до 1125 ± 25°С в течение 10-30 мин и в-ыдерживают 2-3 ч. Затем выращивают монокристалл выт гиванием на затравку. Получают кристаллы диаметром 55 мм, длиной 200 мм с содержанием .примеси платины не более 10 мас.%. 1 ил., 1 табл.
Description
Изобретение относитс к технологии получени монокристаллов германата висмута со структурой звлиУина и может быть использовано дл промышленного производства сцинтилл ционных монокристаллов , наход щих все более широкое применение в дерной физике, медицине, геологоразведке и других област х науки и техники.
К расплавам, используемым дл полунени монокристаллов германата висмута со структурой звлитина BiGe30i2, с одной стороны , предъ вл ютс высокие требовани по чистоте, однофазности, с другой стороны , процесс получени расплава должен быть сравнительно простым, быстрым, не приводить к коррозии дорогосто щего платинового тигл и при этом обеспечивать высокое качество м.онокристаллов.
Целью изобретени вл етс сокращение длительности процесса и уменьшение загр знени расплава и кристаллов и коррозии тигл .
На чертеже приведена схема устройства (кристаллизационный узел), используемого дл реализации предлагаемого способа.
П р и м е р. На керамическую подставку 1 устанавливают платиновый тигель 2 со смесью оксидов висмута и германи , помещаемый в индуктор 3. Пассивные тепловые зкраны из керамики 4 со смотровым окном 5, а также новыми крышками 7 располагают над тиглем 2. С их помощью создают необходимые тепловые услови дл роста кристалла; сверху имеетс крышка 8 из керамики,через отверстие которой устанав- ливаетс кварцева воронка 9 дл досыпки
О
о
со
00
Ji
сырь при наплавлении и вводитс затрав- кодержатель с затравкой 10 при выращивании кристалла.
Взвешивают исходные оксиды в стехи- ометрическом соотношении, прокаливают в течение 5 ч при температурах : оксид висмута В120з - 440°С, оксид германи - 965°С, Смешивают прокаленные исходные оксиды во вращающемс барабане в течение 3 ч в количестве, необходимом дл полной загрузки тигл : оксид висмута BiaOs 3145,8 г, оксид германи Ge02 1054,2 г дл получени требуемого соотношени , соответствующего формуле Bi iGe30i2 (масса загрузки смеси на одно выращивание дл тигл диаметром 100 мм и высотой 100 мм составл ет 4200 г).
Собирают нижнюю часть кристаллизационного узла в соответствии с чертежом, засыпают в тигель 2 и уплйтн ют полученную гомогенную смесь - первична загрузка , Затем устанавливают верхнюю часть кристаллизационного узла, включают ростовую установку (КристалЛ-607) и нагревают смесь оксидов со скоростью 100 град/мин до 940°С, далее со скоростью 15 град/мин до 1175°С (температуру контролируют по показани м термопары типа ТПП). Агрегатное состо мие смеси . процессе повышени температуры наблюдаетс через смотровое окно 5 и при получении расплава в тигле производитс й догрузка оставшейс части смеси через кварцевую воронку 9. Затем расплав охлаждают до в течение 10-30 мин. выдерживают при этой температуре 1 ч, вместо кварцевой воронки 9 помещают затравкодержатель с затравкой 10. После выдержки расплава понижают температуру расплава до температуры затравле- ни . опускают затравку в расплав и привод т выращивание монокристалла.
Монокристаллы германата висмута, выращенные из расплава, приготовленного в
соответствии с предлагаемым способом, имели диаметр до 55 мм и длину 180-200 мм.
В таблице представлены другие примеры осуществлени способа и результаты испытаний .
Как следует из таблицы, монокристаллы германата висмута, выращенные из расплава , полученного описанным способом, имели световой выход С 15-17% относительно Nal(Te) и энергетическое разрешение Р 13,7-14,7%.
Рентгеновский фазовый анализ показал отсутствие посторонних фаз в монокристалле германата висмута ВМСез012.
По результатам химического анализа содержание платины в расплаве и кристалле не превышает 10 мас,%. Заметной коррозии тигл не наблюдаетс . Длительность
Claims (1)
- технологического цикла составила 19,5-21 ч. Формула изобретени Способ получени монокристаллов германата висмута со структурой эвлитина. включающий нагрев и выдержку исходныхоксидов германи и висмута, их смешение, загрузку в платиновый тигель, нагрев, гомогенизирующую выдержку в течение 2-3 ч, дозагрузку оксидов и выращивание монокристаллов выт гиванием на затравку, о т личающийс тем, что, с целью сокращени длительности процесса и уменьшени загр знени расплава и кристаллов и коррозии тигл , нагрев оксида германи ведут до 965 ± 15°С, а оксида висмута - до440 ± 10°С, выдержку провод т 5-6 ч, смесь нагревают со скоростью 100-150 град/мин до 940 ± 10°С, а затем со скоростью 15-20 град/мин до 1175 ±25°С, дозагрузку провод т перед выдержкой, после чего охлаждают расплав до 1125 ± 25°С в течение 10-30 мин.JZ)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884605074A RU1603844C (ru) | 1988-11-14 | 1988-11-14 | Способ получени монокристаллов германата висмута со структурой эвлитина |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU884605074A RU1603844C (ru) | 1988-11-14 | 1988-11-14 | Способ получени монокристаллов германата висмута со структурой эвлитина |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU1603844C true RU1603844C (ru) | 1992-11-23 |
Family
ID=21409237
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU884605074A RU1603844C (ru) | 1988-11-14 | 1988-11-14 | Способ получени монокристаллов германата висмута со структурой эвлитина |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU1603844C (ru) |
-
1988
- 1988-11-14 RU SU884605074A patent/RU1603844C/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Отчет по НИР. Исследование процесса формировани примесных фаз при синтезе германоэвлитина. N; гос. per. 01825051788, Красно рск, 1984, с. 42-44. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4761202A (en) | Process for crystal growth of KTiOPO4 from solution | |
CN106283192B (zh) | 化合物铅钡锌硼氧和铅钡锌硼氧非线性光学晶体及制备方法和用途 | |
Yiting et al. | Study on phase diagram of Bi2O3 SiO2 system for Bridgman growth of Bi4Si3O12 single crystal | |
Layden | Polymorphism of BaTa2O6 | |
Bruton et al. | The flux growth of some γ-Bi2O3 crystals by the top seeded technique | |
CN1043479C (zh) | 坩埚下降生长钨酸铅闪烁大单晶的制备方法 | |
US5343827A (en) | Method for crystal growth of beta barium boratean | |
RU1603844C (ru) | Способ получени монокристаллов германата висмута со структурой эвлитина | |
Kozuki et al. | Metastable crystal growth of the low temperature phase of barium metaborate from the melt | |
Changkang et al. | The flux growth of scandium oxide crystals | |
US3939252A (en) | Dilithium heptamolybdotetragadolinate | |
DE2115391A1 (ru) | ||
RU2195520C1 (ru) | СПОСОБ ПРИГОТОВЛЕНИЯ РАСТВОР-РАСПЛАВА ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ β-BAB2O4 | |
KR0166653B1 (ko) | 천연베릴을 이용한 융제용융법에 의한 에메랄드 단결정의 제조방법 및 장치 | |
Gandhi | Single crystal growth by a slow evaporation technique: Concept, mechanisms and applications | |
Isaacs et al. | Crystal growth of Tl3VS4 | |
Palaniappan et al. | The influence of temperature fluctuations on melt growth of antimony sulfoiodide | |
JPH0469599B2 (ru) | ||
JPH04243998A (ja) | β−メタホウ酸バリウム単結晶の製造方法 | |
Changkang et al. | Investigation of the crystal growth of CuO from the CuO-Bi 2 O 3 system | |
JP2881737B2 (ja) | 光学用単結晶の製造方法 | |
RU2103425C1 (ru) | Способ выращивания монокристаллов тетрабората стронция | |
CN1421550A (zh) | 硼磷酸钠晶体的熔体生长方法 | |
JPH02279583A (ja) | 単結晶育成方法 | |
RU1816813C (ru) | Способ получени монокристаллов ортосиликата кали и свинца |