RU1297504C - Способ получения пленок химических соединений - Google Patents
Способ получения пленок химических соединений Download PDFInfo
- Publication number
- RU1297504C RU1297504C SU3914977A RU1297504C RU 1297504 C RU1297504 C RU 1297504C SU 3914977 A SU3914977 A SU 3914977A RU 1297504 C RU1297504 C RU 1297504C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- discharge
- discharge voltage
- flow
- adjusting
- reproducibility
- Prior art date
Links
Abstract
Изобретение относится к области электронной техники и может быть использовано для нанесения защитных покрытий и пленочных элементов интегральных микросхем. Цель изобретения - повышение воспроизводимости свойств пленок. Для осаждения пленок нитрида кремния распыляли мишень из монокристаллического кремния. Магнетронным источником устанавливали ток разряда 1,5 А. В процессе очистки в среде аргона напряжение разряда было 890 - 930 В. Затем напускали в камеру азот, регулируя его поток так, чтобы напряжение разряда достигло 550 В. Общее давление в камере при этом составляет (9-10,5)·10-1Па. Стабилизация тока разряда источником питания, а напряжение разряда - регулировкой потока активного газа при постоянном потоке инертного газа позволяет получать точность воспроизведения толщины пленки и скорости ее осаждения в пределах 10%. Воспроизводимость состава пленок оценивается по времени их травления в плавиковой кислоте (15 ± 10 мин) .
Description
Изобретение относится к области электронной техники и микроэлектроники и может быть использовано для нанесения защитных покрытий и пленочных элементов интегральных микросхем.
Целью изобретения является повышение воспроизводимости свойств пленок за счет повышения устойчивости. Стабилизация потока инертного газа делает его независимым от возмущающих факторов: появления примесных газов (водорода или гелия), изменения температуры подложки. Действия возмущающих факторов компенсируются только небольшими изменениями потока активного газа. В результате сдвиг от исходного режима меньше, чем в способе - прототипе. Стабилизация тока разряда и поддержание постоянной величины напряжения разряда регулировкой потока активного газа позволяет использовать предлагаемый способ для разрядов в магнетронном источнике, имеющем монотонную вольтамперную характеристику (ВАХ), у которой в рабочей точке динамическое сопротивление разряда больше статического, или S-образную ВАХ.
Подджержание постоянным напряжения разряда при заданном токе разряда путем регулирования потока активного газа позволяет поддерживать неизменной скорость осаждения пленки, что основано на сильной зависимости вольт-амперных характеристик магнетронного источника от парциальных давлений активного газа, В зависимости от конкретного газа напряжение разряда при заданном его токе может расти с ростом парциального давления, а может и уменьшаться. Эти изменения достигают нескольких сотен вольт при росте концентрации активного газа до 50%. Такие изменения напряжения легко фиксируются, и соответствующим изменением потока активного газа напряжение можно привести к первоначальному значению. Обеспечив постоянство скорости осаждения, получают высокую воспроизводимость толщины пленки при заданном времени осаждения и концентрации активного газа в пленке, т.е. повышается воспроизводимость свойств пленки.
Эффективность применения способа можно оценить по величине отношения относительных изменений напряжения и тока в рабочей точке ВАХ= т.е. по величине.
: = · = Здесь обозначены Rд= - динамическое сопротивление разряда и Rд= - статическое сопротивление в рабочей точке. Если указанное отношение больше единицы, то целесообразно применение предлагаемого способа, так как величина напряжения разряда изменяется сильнее, чем его ток при воздействии возникающих факторов.
П р и м е р. Проводили осаждение пленок нитрида кремния в вакуумной установке УРМЗ/.279-017, оснащенной магнетронным источником. Мишень источника была изготовлена из монокристаллического кремния толщиной 6 мм. В камеру подавались независимо друг от друга аргон и азот, потоки которых регулировали игольчатыми натекателями. После откачки вакуумной камеры до вакуума 8 ˙10-4 Па, в камеру напускали аргон до давления 6˙ 10-1 Па, в дальнейшем его поток не менялся. Включали магнетронный источник и устанавливали ток разряда 1,5 А. В этом режиме две минуты проводили очистку поверхности мишени, распыляя ее на заслонку. Напряжение разряда в это время было 890-930 В. Затем напускали в камеру азот, регулируя его поток так, чтобы напряжение разряда снизилось до 550 В. Общее давление в вакуумной камере при этом было (9-10,5)˙ 10-1Па. В этом режиме проводили осаждение пленок в течение 12 мин на подложки, установленные на вращающейся карусели. В десяти экспериментах были получены пленки толщиной 0,2±0,02 мкм. Полученная точность воспроизведения толщины пленки и скорости ее осаждения ±10% достаточно высока для технологии современных полупроводниковых приборов и ИС.
Воспроизводимость состава пленок оценивалась по времени травления в плавиковой кислоте (15±10 мин). Это говорит о хорошей воспроизводимости по сравнению с прототипом, в котором разброс по толщине достигал ±20%.
Claims (1)
- СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПЛЕНОК ХИМИЧЕСКИХ СОЕДИНЕНИЙ, включающий распыление металлической или полупроводниковой мишени в смеси инертного и активного газов плазмой разряда, имеющего вольт-амперную характеристику с динамическим сопротивлением, большим статического при стабилизации тока и напряжения разряда в процессе распыления, причем один из параметров стабилизируют источником питания, а другой - посредством регулировки потока активного газа, отличающийся тем, что, с целью повышения воспроизводимости свойств пленок за счет повышения устойчивости режима разряда, источником питания стабилизируют ток разряда, а регулировкой потока активного газа - напряжение разряда, при этом в процессе распыления поток инертного газа поддерживают постоянным.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU3914977 RU1297504C (ru) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | Способ получения пленок химических соединений |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU3914977 RU1297504C (ru) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | Способ получения пленок химических соединений |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU1297504C true RU1297504C (ru) | 1994-07-30 |
Family
ID=30440279
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU3914977 RU1297504C (ru) | 1985-06-21 | 1985-06-21 | Способ получения пленок химических соединений |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU1297504C (ru) |
-
1985
- 1985-06-21 RU SU3914977 patent/RU1297504C/ru active
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
"Электронная техника", сер.3, "Микроэлектроника", вып.7, 1973, с.93-98. * |
Патент Великобритании N 2005309, кл. C 23C 15/00, 1978. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4812712A (en) | Plasma processing apparatus | |
JP2690460B2 (ja) | 半導体材料のプラズマ除去法 | |
US4380489A (en) | Method of producing polysilicon structure in the 1 μm range on substrates containing integrated semiconductor circuits by plasma etching | |
US5939149A (en) | Method of forming hydrogen-free diamond like carbon (DLC) films | |
US4222838A (en) | Method for controlling plasma etching rates | |
KR20170129054A (ko) | 에칭 방법 | |
US4162185A (en) | Utilizing saturated and unsaturated halocarbon gases in plasma etching to increase etch of SiO2 relative to Si | |
US20060051975A1 (en) | Novel deposition of SiON dielectric films | |
US4246296A (en) | Controlling the properties of native films using selective growth chemistry | |
CN110832623A (zh) | 蚀刻方法和等离子体蚀刻材料 | |
US5045346A (en) | Method of depositing fluorinated silicon nitride | |
US20230162972A1 (en) | Plasma etching method using perfluoroisopropyl vinyl ether | |
RU1297504C (ru) | Способ получения пленок химических соединений | |
CN111527591A (zh) | 等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置 | |
Grande et al. | Characterization of etch rate and anisotropy in the temperature‐controlled chemically assisted ion beam etching of GaAs | |
JPH08330278A (ja) | 表面処理方法および表面処理装置 | |
US6465363B1 (en) | Vacuum processing method and vacuum processing apparatus | |
US5053104A (en) | Method of plasma etching a substrate with a gaseous organohalide compound | |
KR20200118761A (ko) | 에칭 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
RU1163656C (ru) | Способ плазменного реактивного нанесения пленок в вакууме | |
SU1093175A1 (ru) | Способ получени структур кремний-двуокись кремни -нитрид кремни | |
US20230178341A1 (en) | Plasma etching method using pentafluoropropanol | |
US5275692A (en) | Method for fabricating integrated circuits | |
RU2118206C1 (ru) | Способ получения легированных алмазоподобных покрытий | |
KR910008977B1 (ko) | 산화막 형성방법 |