RU111733U1 - Устройство для создания низкотемпературной газоразрядной плазмы - Google Patents
Устройство для создания низкотемпературной газоразрядной плазмы Download PDFInfo
- Publication number
- RU111733U1 RU111733U1 RU2011113259/07U RU2011113259U RU111733U1 RU 111733 U1 RU111733 U1 RU 111733U1 RU 2011113259/07 U RU2011113259/07 U RU 2011113259/07U RU 2011113259 U RU2011113259 U RU 2011113259U RU 111733 U1 RU111733 U1 RU 111733U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- discharge
- plasma
- cathode
- creating
- bulkhead
- Prior art date
Links
Landscapes
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
Устройство для создания однородной низкотемпературной газоразрядной плазмы, содержащее вакуумную камеру - анод устройства, полый катод, помещенный в цилиндрический корпус, расположенный на одной из стенок вакуумной камеры, отличающееся тем, что для создания области повышенного давления полый катод разделен переборкой с отверстием, а со стороны, ограниченной переборкой с отверстием на предыонизатор и основной катод, в предыонизаторе размещен вспомогательный анод.
Description
Полезная модель относится к технике получения однородно-распределенной низкотемпературной плазмы инертных и реакционных газов в больших вакуумных объемах технологических установок и может быть использована в ионно-плазменных технологиях очистки, активации, травления, ионно-плазменного легирования поверхности изделий перед напылением покрытий, плазменно-иммерсионной имплантации, ионно-плазменного ассистирования в процессе напыления покрытий.
Для создания низкотемпературной газоразрядной плазмы в больших объемах наиболее часто используются тлеющий и высокочастотный разряды. Однако в технологиях обработки изделий значительных размеров с использованием рабочих вакуумных камер больших размеров такие разряды имеют ряд недостатков, которые снижают эффективность их применения. Во-первых, повышенное давление существования тлеющего разряда (1-15 Па) приводит к образованию на обрабатываемой поверхности изделий слоя окислов и загрязнений из атмосферы остаточных газов, а вследствие низких значений плотности и температуры заряженных частиц плазмы тлеющего разряда процессы очистки, травления, азотирования и т.д. происходят неэффективно. Во-вторых, использование тлеющего разряда предполагает применение высоких потенциалов (1-2 кВ), что является опасным фактором для жизни обслуживающего персонала и усложняет схемы электропитания установок.
Использование высокочастотного разряда в технологиях ионно-плазменной обработки в больших вакуумных объемах также имеет ограничения, вследствие низкого КПД и высоких энергетических затрат для получения плазмы необходимой плотности, сложности оборудования и техпроцесса, наличия сильных электромагнитных полей, представляющих опасность для жизнедеятельности человека.
Известно устройство несамостоятельного тлеющего разряда с полым катодом для широкоапертурных ионных источников [А.В.Визирь, Е.М.Окс, П.М.Щанин, Г.Ю.Юшков // Несамостоятельный тлеющий разряд с полым катодом для широкоаппертурных ионных источников. Журнал технической физики, 1997, том 67, №6, стр.72-31]. Данное устройство состоит из двух основных узлов: разрядного промежутка основного разряда и плазменного эмиттера электронов. Разрядный промежуток основного разряда состоит из цилиндрического полого катода с размещенным внутри анодом в виде металлического стержня. Дополнительная инжекция электронов осуществляется за счет вспомогательного разряда, зажигаемого между дополнительным полым катодом, электрически изолированным от полого катода основного разрядного промежутка, и анодом основного разрядного промежутка. На боковых стенках катодов сделаны отверстия для обеспечения перепада давления и эффективной эмиссии электронов из плазмы вспомогательного разряда. Авторы статьи утверждают, что в широком диапазоне давлений (5∗10-1-5∗10-3 Па) вспомогательный разряд зажигался при напряжении 1-2 кВ. При давлении 5∗10-3 Па и напряжении зажигания вспомогательного разряда 1-2 кВ, ток разряда составил 50 мА.
Основным недостатком этого устройства является высокое напряжение зажигания вспомогательного разряда, а также, малый диапазон рабочих давлений.
Наиболее близким к предлагаемой полезной модели аналогом, взятому за прототип, является устройство для создания низкотемпературной газоразрядной плазмы [Патент РФ №2116707, публ. 27.07.1998 г.]. В данном устройстве в качестве полого анода большого размера используется внутренняя поверхность вакуумной камеры, а в качестве катода - комбинированный катод, состоящий из термоэмиссионного катода и окружающего его полого цилиндрического катода, электрически соединенного с термоэмиссионным катодом. Вся конструкция комбинированного катода помещена в цилиндрический корпус, расположенный на одной из стенок вакуумной камеры и охваченный соленоидом для создания в области комбинированного катода магнитного поля.
Как заявляют авторы этого изобретения и показали эксперименты по генерации плазмы в вакуумной камере - аноде объемом 0,25 м3 с использованием разработанного устройства при давлении рабочего газа аргона 10-1 Па и токе разряда 100 А была создана плазма со средним значением концентрации 1010 см-3 и неоднородностью распределения по объему всей вакуумной камеры ±20% от среднего значения.
Устройство - прототип имеет очень низкий кпд, поскольку большой разрядный ток 100 А переносится по большей части медленными электронами, не способными ионизировать и даже возбуждать газ. Большие затраты энергии требуются также и для накала термоэмиссионного катода. Реальная же энергия, вкладываемая в плазму очень невелика.
Таким образом, задача разработки эффективного устройства для создания однородной низкотемпературной газоразрядной плазмы в вакуумных камерах больших объемов остается по-прежнему актуальной.
Техническим результатом, достигаемым предлагаемой полезной моделью, является повышение эффективности генерации низкотемпературной газовой плазмы в широком диапазоне давлений от 10-4 Ра до 104 Ра в технологических вакуумных камерах, за счет инициирования тлеющим разрядом объемного разряда между полым катодом и рабочей камерой.
Указанный технический результат достигается тем, в устройстве для создания однородной низкотемпературной газоразрядной плазмы, содержащем как и прототип, вакуумную камеру - анод устройства, полый катод, помещенный в цилиндрический корпус, расположенный на одной из стенок вакуумной камеры, в отличие от прототипа для создания области повышенного давления полый катод разделен переборкой с отверстием, а со стороны, ограниченной переборкой с отверстием, к нему примыкает вспомогательный анод.
В полом катоде предлагаемого устройства создается область повышенного давления, в которой между вспомогательным анодом и катодом зажигается самостоятельный тлеющий разряд, который в свою очередь инициирует объемный разряд между катодом и рабочей камерой.
На фиг. схематично представлен пример конструкции предложенного устройства для создания плазмы.
Устройство содержит вакуумную камеру 1 - анод устройства, полый катод 2, помещенный в расположенный на одной из стенок вакуумной камеры 1 цилиндрический корпус из немагнитного материала. Полый катод 2 разделен переборкой 3 с отверстием на две части: предъионизатор и основной катод. В предионизаторе размещен вспомогательный анод 4. Переборка 3 должна создавать минимально необходимый объем для организации вспомогательного разряда. Диаметр отверстия в переборке 3 должен оптимально подходить для создания перепада давлений и обеспечивать свободную эмиссию электронов в область основного разряда. Рабочий газ (аргон, азот и др.) с расходом 200-1000 см3ат/ч напускается в катодную полость - предъионизатор через отверстие 5. В рабочей камере 1 размещены обрабатываемые детали 6. Электропитание разряда осуществляется от источника 7.
Устройство для создания плазмы работает следующим образом. При подаче питания к катоду 2, постоянного напряжения (около 500 В) к разрядному промежутку и установлении напуска рабочего газа, в область полого катода, ограниченную переборкой 3 с отверстием (диаметром 4 мм) - в предъионизатор (V=3,8·10-6 м3), загорается тлеющий разряд с эффектом полого катода. Источником поля для этой области по большей части является вспомогательный анод 4 и разряд ограничен областью предъионизатора. Зажигание этого разряда при напряжении 500 вольт происходит уже при давлении в камере 10-4 мм.рт.ст. из-за того, что в области предъионизатора, ограниченной переборкой 3, образуется область повышенного давления, при котором загорается самостоятельный тлеющий разряд уже при напряжении ~ 500 В. При дальнейшем увеличении напряжения, количество быстрых электронов, попадающих через отверстие в переборке 3 в основной катод (V=1.6·10-5 м3), становится достаточным для инициирования разряда с полым катодом 2 и рабочей камерой 1. Напряжение падает до значения около 400 вольт из-за эффекта полого катода, и при его последующем увеличении происходит рост тока и концентрации плазмы в камере. В процессе работы плазменного источника не происходит распыление материала катода. Рабочий ток плазменного источника может достигать десятков ампер, причем при повышении тока, происходит линейное увеличение концентрации плазмы ввиду того, что основная часть электронов имеет достаточную энергию для ионизации молекул газа на всем промежутке катод-анод. Концентрация плазмы в камере при давлении 10-3 мм.рт.ст. достигает значений 1010-1011 см-3.
Устройство обеспечивает стабильную работу в диапазоне давлений 10-2 Ра до 104 Ра и высокую однородностью генерируемой плазмы в вакуумных камерах больших объемов. Кроме того, при использовании данного устройства нарабатывается большая концентрация радикалов и атомов, что способствует эффективному протеканию плазмохимических реакций. Все это позволяет использовать устройство, как для модификации поверхности изделий (очистка, активация, травление, ионно-плазменное легирование), так и для осаждения покрытий на поверхность изделий из газовой фазы.
Claims (1)
- Устройство для создания однородной низкотемпературной газоразрядной плазмы, содержащее вакуумную камеру - анод устройства, полый катод, помещенный в цилиндрический корпус, расположенный на одной из стенок вакуумной камеры, отличающееся тем, что для создания области повышенного давления полый катод разделен переборкой с отверстием, а со стороны, ограниченной переборкой с отверстием на предыонизатор и основной катод, в предыонизаторе размещен вспомогательный анод.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011113259/07U RU111733U1 (ru) | 2011-04-06 | 2011-04-06 | Устройство для создания низкотемпературной газоразрядной плазмы |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011113259/07U RU111733U1 (ru) | 2011-04-06 | 2011-04-06 | Устройство для создания низкотемпературной газоразрядной плазмы |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU111733U1 true RU111733U1 (ru) | 2011-12-20 |
Family
ID=45404867
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2011113259/07U RU111733U1 (ru) | 2011-04-06 | 2011-04-06 | Устройство для создания низкотемпературной газоразрядной плазмы |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU111733U1 (ru) |
-
2011
- 2011-04-06 RU RU2011113259/07U patent/RU111733U1/ru active IP Right Revival
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP1554412B1 (en) | Plasma enhanced chemical vapor deposition apparatus | |
US20160027608A1 (en) | Closed drift magnetic field ion source apparatus containing self-cleaning anode and a process for substrate modification therewith | |
US20090032393A1 (en) | Mirror Magnetron Plasma Source | |
Gavrilov et al. | High-current pulse sources of broad beams of gas and metal ions for surface treatment | |
RU87065U1 (ru) | Устройство для создания однородной газоразрядной плазмы в технологических вакуумных камерах больших объемов | |
RU2373603C1 (ru) | Источник быстрых нейтральных атомов | |
Denisov et al. | Low-temperature plasma source based on a cold hollow-cathode arc with increased service life | |
RU111733U1 (ru) | Устройство для создания низкотемпературной газоразрядной плазмы | |
RU116733U1 (ru) | Устройство для создания однородно-распределенной газоразрядной плазмы в больших вакуумных объемах технологических установок | |
Zolotukhin et al. | Effect of a dielectric cavity on the ion etching of dielectrics by electron beam-produced plasma generated by a forevacuum plasma electron source | |
JPH01302645A (ja) | 放電装置 | |
RU165688U1 (ru) | Генератор газоразрядной плазмы с низким давлением зажигания разряда | |
Yukimura | Plasma-based ion implantation and its application to three-dimensional materials | |
Akhmadeev et al. | Plasma sources based on a low-pressure arc discharge | |
RU2799184C1 (ru) | Способ генерации низкотемпературной плазмы в узких протяженных металлических трубках | |
RU2116707C1 (ru) | Устройство для создания низкотемпературной газоразрядной плазмы | |
Udovichenko et al. | Modelling of a high-current magnetron discharge in a plasma electron emitter | |
RU2312932C2 (ru) | Устройство вакуумно-плазменной обработки изделий | |
Khomich et al. | Generator of low pressure volume plasma with plasma electron source | |
RU2620603C2 (ru) | Способ работы плазменного источника ионов и плазменный источник ионов | |
JPH0378954A (ja) | イオン源 | |
Zolotukhin et al. | Generation of electron beam plasma inside the dielectric tube | |
US20210000146A1 (en) | System and method for food sterilization | |
RU2621283C2 (ru) | Способ осуществления тлеющего разряда и устройство для его реализации | |
Kazakov et al. | Influence of accelerating gap configuration on parameters of a forevacuum plasma-cathode source of pulsed electron beam |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM1K | Utility model has become invalid (non-payment of fees) |
Effective date: 20160407 |
|
NF1K | Reinstatement of utility model |
Effective date: 20170919 |