RU1094526C - Матрица на приборах с зар довой св зью - Google Patents
Матрица на приборах с зар довой св зьюInfo
- Publication number
- RU1094526C RU1094526C SU3544620A RU1094526C RU 1094526 C RU1094526 C RU 1094526C SU 3544620 A SU3544620 A SU 3544620A RU 1094526 C RU1094526 C RU 1094526C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- matrix
- charge
- information
- section
- transfer
- Prior art date
Links
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Description
Изобретение относитс к полупроводниковой технике и может быть использовано дл формировани сиг-налов изображени , в качестве запоминающего устройства, а также дл обработки аналог .овой информации.
Известна матрица нз; приборах с зар довой св зью. Эта Матрица конструктивно срДёрлит секцию накоЬл ни , секцию пам ти , выходной сдвиговыйрегистр с устройствамиввод -рывЬДа информации,
Недостатком такой матрицы вл етс невозможность выделени движущихс обьестов на фоне стационарного изображе НИЯ ; .;.;. ;-:;. - : / , . ., /. Л
Наиболее близким техническим реше1т1Ием Явл етс матрица на приборах с зар довой св зью. состо ща из: секции накоп пени , Двух секций пам ти с вы одными Сдвиговыми регистрами, снабжейиыми устройствами ввода-вывода информации.
така конструкци матрицы дает возможность выделени контуров движущихс объектов нд фоне етационарногбизображе . Ни , но ее быстр0дейс т.0иё и эффективность переноса зар да рпредел ютс длиной бита в сдвиговыхpervtctpax, равной щиринебита в секции накоплени , и могут достигать неудовл;е творительно:низкогозна«ени .
1(елью изобретени вл етс снижение неэффективности переноса зар да и увеличение быстродейртеи матрицы.
Цель достигаетс тем, что в матрице на приборах с зар довой св зью, состо щей из секции накоплени и двух секций пам ти с выходнь1|/1и сдви;гов1)ми регистрами, снабженными ЙТрОй;Ствами ввода-вывода информации , одна секци пам ти, имеюща зар довую св зь с секцией накоплени , выполнена в виде трапеции, MeHbufee основанйе которой обращено к выходному сдвиговому регистру, а друга секци пам ти выполнена в виде пр моугольника, две Ьтрронь которого имеют зар довую св зь с выходными сдвиговыми, регистрами и разны меньшему основанию секции пам ти, выполненной в виде трапеции. Выполне; нйе секции пам ти в виде трапеции: дает возможность уменьшени длины электродрв переноса в вь1ходных сдвиговых регистрах .
На чертеже показана предлагаема матрица. Матрица содержит секцию накоплени оптической информации 1, имеющую зар довую св зь с секцией пам ти 2, выполнёйной в виде трапеции и св занной с регистром 3. секцию пам ти 4, св занную с регистром 5, регистры устройства вывода информации 6, 7, входные устройства 8. 9, каналы переноса 10.
Быстродействие прибора определ етс самым медленным процессом, происход щим на завершающей стадии переноса зар да , При достаточно большой длине электродов (краевые пол отсутствуют) таким процессом вл етс теплова диффузи . Сигнальный зар д, наход щийс в это врем под электродами, убывает экспоненциально с посто нной времени
Тдифф
(1)
где L - длина электрода;
D - коэффициент термической диффузии .-. . „ -..-, -I . . ; . .. , ; „
Таким образом, очевидно, что с уме ньшением длинь электррдрв быстродействие матрицы возрастает. При достаточно малой длине электродов переноса возникают краевые пол , которые существенны даже при мапь1х плотност х зар да, т.е. на завершающей стадии переноса информационного зар да , и играют в процессе переноса решающую ррль. Напр женность электрического пол согласно (I) определ етс выражением
5xd/L
d и /
6,5
(2)
иГ I 5xd/L + 1
где Екр - напр женность краевого пол ;
d- Толщина бкисла;
L - длина электрода;
X(j-ширина обедненной области;
и-разность напр жени , приложенного к соседним электродам
Таким образрм, дл повышени напр женности краевого пол и, как следствие. Повышени предельной рабочей частоты матрицы, необходимо уменьшить длину электродов.
.Все сказанное можно отнерти и к неэффективности переноса зар да. Уменьша длину электродов, мы ускор ем процесс переноса остатка сигнального зар да, что следует из (1) и (2). Это снижает неэффективность переноса зар да при заданной рабочей частоте.приборов.
Матрица на основе приборов с зар довой сё зью: выполнена на полупроводниковой пластине кремни п-типа проводимости,.ориентации (100). с удельным сопротивлением 20 Омсм по трехслойной поликремниевой технологии. Легирование электродов производитс примесью р-типа проводимости например бором . Устройство вв:рда и вывода информации представл ет собой диффузионные области, изготовленные лёгиррванием подложки примесью р-типа - бором. Области стоп-диффузий, ограничивающие каналы переноса в матрице, образованы легированием подложки примесью пгтипа мышь ком . Устройство работает следующим образом . Накопление оптической информации происходит в секции накоплени опдической информации 1, далее накопленна информаци сдвигаетс в секцию пам ти 2 и хранитс там во врем накоплени следующего кадра, далее происходит сдвиг информации из секции пам ти 2 через регистр 3 во вторую секцию пам ти 4 и из секции информации 1 в секцию пам ти 2. Из секций пам ти 2 иЗ информаци синхронно считываетс выходными сдвиговыми регистрами . 3,5 и устройствами вывода информации 6,7, вычитание информации двух последовательных кадров осуществл етс .на в«ещнем дифференциальном усилителе. Таким образом, происходит выделение движущихс объектов на фоне стационарного изображени . Входные устройства 8. 9 служит дл введени фонового зар да. Продвижение информации в секции пам ти 2 происходит по каналам переноса 10, конфигураци хоФормула изобретени - МАТРИЦА НА ПРИБОРАХ С ЗАРЯДбВОЙ св зью, состо ща из секции накоплени , . двух секций пам ти с выходными сдвиговыми регистрами, снабженными устройствами ввода-вывода йн ,формации,.отличающа с тем, что, с целью Гснижейи неэффективности переноса зв р да и увеличени быстродействи матриторых определ ет необходимый рйзмер чейки переноса регистров. Путь информационного зар да по матрице обозначен стрелками на чертеже. Таким образом, возможно уменьшение длины чейкипереноса регистров, по сравнению с шириной- чейку в секции накоплени , чем и достигаетс уменьшение незффективности перенбса зар да и увеличение быстродействи матрицы . Использование выполненной в виде трапеции секции пам ти, имеющей зар довуюсв зь с секцией накоплени , и уменьшеН1Ш { змеров секции пам ти позвол ет увеличить рабочую частоту матрицы дл селекции движущихс объектов на 50%, не увеличива при этом неэффективность переноса зар да, что может найти применение вполупроводниковой технике и может быть использовано дл формировател сигналов изображени в качестве запоминаю- щего устройства, а также линии задержки аналоговой информации. 6) Приборы с зар довой св зью под ред. М. Хоувза, Д. Моргана, перевод с английского . Энергоиздат М.; 1981, с 45, 46. Авторское свидетельство СССР Мг 786742 кл. И 01 L 27/10 1980. цы, одна секци пам ти,. имеюща зар довую Св зь с секцией накоплени , выполнена в виде трапеции, меньшее основание которой обращено к выходному сдвиговому регистру, а друга секци па ти выполнена в виде пр моугольника, ве стороны которого имеют зар довую в зь с выходными сдвиговыми регистоаи и равны меньшему основанию ам ти, выполненной в виде трапеции.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU3544620 RU1094526C (ru) | 1983-01-28 | 1983-01-28 | Матрица на приборах с зар довой св зью |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU3544620 RU1094526C (ru) | 1983-01-28 | 1983-01-28 | Матрица на приборах с зар довой св зью |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU1094526C true RU1094526C (ru) | 1993-12-15 |
Family
ID=21046976
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU3544620 RU1094526C (ru) | 1983-01-28 | 1983-01-28 | Матрица на приборах с зар довой св зью |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU1094526C (ru) |
-
1983
- 1983-01-28 RU SU3544620 patent/RU1094526C/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2949861B2 (ja) | Ccdリニアイメージセンサ | |
IL46895A (en) | C c d memory with interlaced storage | |
US5040071A (en) | Image sensor having multiple horizontal shift registers | |
US4087832A (en) | Two-phase charge coupled device structure | |
US4024514A (en) | Multiphase series-parallel-series charge-coupled device registers with simplified input clocking | |
RU1094526C (ru) | Матрица на приборах с зар довой св зью | |
US5892251A (en) | Apparatus for transferring electric charges | |
US4163239A (en) | Second level phase lines for CCD line imager | |
US4757365A (en) | CCD image sensor with substantially identical integration regions | |
US4649407A (en) | Charge coupled device for transferring electric charge | |
US4162411A (en) | Charge transfer analog processing apparatus for serial-to-parallel conversion | |
US4196389A (en) | Test site for a charged coupled device (CCD) array | |
JPS55157253A (en) | Mos semiconductor integrated circuit | |
CA2173390C (en) | Multiple output ccd type charge transfer read register | |
US5204989A (en) | Charge sensing device | |
JPS56105665A (en) | Semiconductor memory device | |
JPS603717B2 (ja) | 電荷転送装置 | |
JPH0258271A (ja) | 固体撮像装置 | |
US4379306A (en) | Non-coplanar barrier-type charge coupled device with enhanced storage capacity and reduced leakage current | |
JPH0883901A (ja) | Ccdの電荷検出装置 | |
JPS5965470A (ja) | 電荷結合素子の出力構造 | |
JPH03116841A (ja) | 電荷結合素子 | |
JPH0437628B2 (ru) | ||
JPS59115556A (ja) | 電荷転送形シフトレジスタ | |
JPH06216162A (ja) | Hccd |