RU1094526C - Матрица на приборах с зар довой св зью - Google Patents

Матрица на приборах с зар довой св зью

Info

Publication number
RU1094526C
RU1094526C SU3544620A RU1094526C RU 1094526 C RU1094526 C RU 1094526C SU 3544620 A SU3544620 A SU 3544620A RU 1094526 C RU1094526 C RU 1094526C
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
matrix
charge
information
section
transfer
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Inventor
А.В. Вето
Ю.А. Кузнецов
А.С. Скрылев
Н.В. Тренева
Original Assignee
Предприятие П/Я А-3562
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Предприятие П/Я А-3562 filed Critical Предприятие П/Я А-3562
Priority to SU3544620 priority Critical patent/RU1094526C/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU1094526C publication Critical patent/RU1094526C/ru

Links

Landscapes

  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Description

Изобретение относитс  к полупроводниковой технике и может быть использовано дл  формировани  сиг-налов изображени , в качестве запоминающего устройства, а также дл  обработки аналог .овой информации.
Известна матрица нз; приборах с зар довой св зью. Эта Матрица конструктивно срДёрлит секцию накоЬл ни , секцию пам ти , выходной сдвиговыйрегистр с устройствамиввод -рывЬДа информации,
Недостатком такой матрицы  вл етс  невозможность выделени  движущихс  обьестов на фоне стационарного изображе НИЯ ; .;.;. ;-:;. - : / , . ., /. Л
Наиболее близким техническим реше1т1Ием Явл етс  матрица на приборах с зар довой св зью. состо ща  из: секции накоп пени , Двух секций пам ти с вы одными Сдвиговыми регистрами, снабжейиыми устройствами ввода-вывода информации.
така  конструкци  матрицы дает возможность выделени  контуров движущихс  объектов нд фоне етационарногбизображе . Ни , но ее быстр0дейс т.0иё и эффективность переноса зар да рпредел ютс  длиной бита в сдвиговыхpervtctpax, равной щиринебита в секции накоплени , и могут достигать неудовл;е творительно:низкогозна«ени .
1(елью изобретени   вл етс  снижение неэффективности переноса зар да и увеличение быстродейртеи  матрицы.
Цель достигаетс  тем, что в матрице на приборах с зар довой св зью, состо щей из секции накоплени  и двух секций пам ти с выходнь1|/1и сдви;гов1)ми регистрами, снабженными ЙТрОй;Ствами ввода-вывода информации , одна секци  пам ти, имеюща  зар довую св зь с секцией накоплени , выполнена в виде трапеции, MeHbufee основанйе которой обращено к выходному сдвиговому регистру, а друга  секци  пам ти выполнена в виде пр моугольника, две Ьтрронь которого имеют зар довую св зь с выходными сдвиговыми, регистрами и разны меньшему основанию секции пам ти, выполненной в виде трапеции. Выполне; нйе секции пам ти в виде трапеции: дает возможность уменьшени  длины электродрв переноса в вь1ходных сдвиговых регистрах .
На чертеже показана предлагаема  матрица. Матрица содержит секцию накоплени  оптической информации 1, имеющую зар довую св зь с секцией пам ти 2, выполнёйной в виде трапеции и св занной с регистром 3. секцию пам ти 4, св занную с регистром 5, регистры устройства вывода информации 6, 7, входные устройства 8. 9, каналы переноса 10.
Быстродействие прибора определ етс  самым медленным процессом, происход щим на завершающей стадии переноса зар да , При достаточно большой длине электродов (краевые пол  отсутствуют) таким процессом  вл етс  теплова  диффузи . Сигнальный зар д, наход щийс  в это врем  под электродами, убывает экспоненциально с посто нной времени
Тдифф
(1)
где L - длина электрода;
D - коэффициент термической диффузии .-. . „ -..-, -I . . ; . .. , ; „
Таким образом, очевидно, что с уме ньшением длинь электррдрв быстродействие матрицы возрастает. При достаточно малой длине электродов переноса возникают краевые пол , которые существенны даже при мапь1х плотност х зар да, т.е. на завершающей стадии переноса информационного зар да , и играют в процессе переноса решающую ррль. Напр женность электрического пол  согласно (I) определ етс  выражением
5xd/L
d и /
6,5
(2)
иГ I 5xd/L + 1
где Екр - напр женность краевого пол ;
d- Толщина бкисла;
L - длина электрода;
X(j-ширина обедненной области;
и-разность напр жени , приложенного к соседним электродам
Таким образрм, дл  повышени  напр женности краевого пол  и, как следствие. Повышени  предельной рабочей частоты матрицы, необходимо уменьшить длину электродов.
.Все сказанное можно отнерти и к неэффективности переноса зар да. Уменьша  длину электродов, мы ускор ем процесс переноса остатка сигнального зар да, что следует из (1) и (2). Это снижает неэффективность переноса зар да при заданной рабочей частоте.приборов.
Матрица на основе приборов с зар довой сё зью: выполнена на полупроводниковой пластине кремни  п-типа проводимости,.ориентации (100). с удельным сопротивлением 20 Омсм по трехслойной поликремниевой технологии. Легирование электродов производитс  примесью р-типа проводимости например бором . Устройство вв:рда и вывода информации представл ет собой диффузионные области, изготовленные лёгиррванием подложки примесью р-типа - бором. Области стоп-диффузий, ограничивающие каналы переноса в матрице, образованы легированием подложки примесью пгтипа мышь ком . Устройство работает следующим образом . Накопление оптической информации происходит в секции накоплени  опдической информации 1, далее накопленна  информаци  сдвигаетс  в секцию пам ти 2 и хранитс  там во врем  накоплени  следующего кадра, далее происходит сдвиг информации из секции пам ти 2 через регистр 3 во вторую секцию пам ти 4 и из секции информации 1 в секцию пам ти 2. Из секций пам ти 2 иЗ информаци  синхронно считываетс  выходными сдвиговыми регистрами . 3,5 и устройствами вывода информации 6,7, вычитание информации двух последовательных кадров осуществл етс  .на в«ещнем дифференциальном усилителе. Таким образом, происходит выделение движущихс  объектов на фоне стационарного изображени . Входные устройства 8. 9 служит дл  введени  фонового зар да. Продвижение информации в секции пам ти 2 происходит по каналам переноса 10, конфигураци  хоФормула изобретени  - МАТРИЦА НА ПРИБОРАХ С ЗАРЯДбВОЙ св зью, состо ща  из секции накоплени , . двух секций пам ти с выходными сдвиговыми регистрами, снабженными устройствами ввода-вывода йн ,формации,.отличающа с  тем, что, с целью Гснижейи  неэффективности переноса зв р да и увеличени  быстродействи  матриторых определ ет необходимый рйзмер  чейки переноса регистров. Путь информационного зар да по матрице обозначен стрелками на чертеже. Таким образом, возможно уменьшение длины  чейкипереноса регистров, по сравнению с шириной- чейку в секции накоплени , чем и достигаетс  уменьшение незффективности перенбса зар да и увеличение быстродействи  матрицы . Использование выполненной в виде трапеции секции пам ти, имеющей зар довуюсв зь с секцией накоплени , и уменьшеН1Ш { змеров секции пам ти позвол ет увеличить рабочую частоту матрицы дл  селекции движущихс  объектов на 50%, не увеличива  при этом неэффективность переноса зар да, что может найти применение вполупроводниковой технике и может быть использовано дл формировател  сигналов изображени  в качестве запоминаю- щего устройства, а также линии задержки аналоговой информации. 6) Приборы с зар довой св зью под ред. М. Хоувза, Д. Моргана, перевод с английского . Энергоиздат М.; 1981, с 45, 46. Авторское свидетельство СССР Мг 786742 кл. И 01 L 27/10 1980. цы, одна секци  пам ти,. имеюща  зар довую Св зь с секцией накоплени , выполнена в виде трапеции, меньшее основание которой обращено к выходному сдвиговому регистру, а друга  секци  па ти выполнена в виде пр моугольника, ве стороны которого имеют зар довую в зь с выходными сдвиговыми регистоаи и равны меньшему основанию ам ти, выполненной в виде трапеции.
SU3544620 1983-01-28 1983-01-28 Матрица на приборах с зар довой св зью RU1094526C (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU3544620 RU1094526C (ru) 1983-01-28 1983-01-28 Матрица на приборах с зар довой св зью

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU3544620 RU1094526C (ru) 1983-01-28 1983-01-28 Матрица на приборах с зар довой св зью

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU1094526C true RU1094526C (ru) 1993-12-15

Family

ID=21046976

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU3544620 RU1094526C (ru) 1983-01-28 1983-01-28 Матрица на приборах с зар довой св зью

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU1094526C (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2949861B2 (ja) Ccdリニアイメージセンサ
IL46895A (en) C c d memory with interlaced storage
US5040071A (en) Image sensor having multiple horizontal shift registers
US4087832A (en) Two-phase charge coupled device structure
US4024514A (en) Multiphase series-parallel-series charge-coupled device registers with simplified input clocking
RU1094526C (ru) Матрица на приборах с зар довой св зью
US5892251A (en) Apparatus for transferring electric charges
US4163239A (en) Second level phase lines for CCD line imager
US4757365A (en) CCD image sensor with substantially identical integration regions
US4649407A (en) Charge coupled device for transferring electric charge
US4162411A (en) Charge transfer analog processing apparatus for serial-to-parallel conversion
US4196389A (en) Test site for a charged coupled device (CCD) array
JPS55157253A (en) Mos semiconductor integrated circuit
CA2173390C (en) Multiple output ccd type charge transfer read register
US5204989A (en) Charge sensing device
JPS56105665A (en) Semiconductor memory device
JPS603717B2 (ja) 電荷転送装置
JPH0258271A (ja) 固体撮像装置
US4379306A (en) Non-coplanar barrier-type charge coupled device with enhanced storage capacity and reduced leakage current
JPH0883901A (ja) Ccdの電荷検出装置
JPS5965470A (ja) 電荷結合素子の出力構造
JPH03116841A (ja) 電荷結合素子
JPH0437628B2 (ru)
JPS59115556A (ja) 電荷転送形シフトレジスタ
JPH06216162A (ja) Hccd