RO133512A2 - Procedeu de sinteză a filmelor subţiri monocristaline de carbură de titan - Google Patents
Procedeu de sinteză a filmelor subţiri monocristaline de carbură de titan Download PDFInfo
- Publication number
- RO133512A2 RO133512A2 ROA201701093A RO201701093A RO133512A2 RO 133512 A2 RO133512 A2 RO 133512A2 RO A201701093 A ROA201701093 A RO A201701093A RO 201701093 A RO201701093 A RO 201701093A RO 133512 A2 RO133512 A2 RO 133512A2
- Authority
- RO
- Romania
- Prior art keywords
- films
- tic
- magnetron
- growth
- deposition
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 11
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims description 7
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 title claims description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 20
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 40
- 230000012010 growth Effects 0.000 claims description 28
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 17
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 8
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 claims description 6
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 6
- 229910010069 TiCo Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 claims description 4
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 4
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical group [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 2
- 238000004630 atomic force microscopy Methods 0.000 claims description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 2
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 2
- 230000003292 diminished effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 2
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 claims description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 2
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 claims description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 2
- 238000005289 physical deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 claims description 2
- 241000894007 species Species 0.000 claims description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 2
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 2
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Invenţia se referă la un procedeu de obţinere a filmelor subţiri epitaxiale de carbură de titan TiCcu x ≤ 1, crescute pe substraturi monocristaline de MgO(001). Procedeul conform invenţiei constă în pulverizarea simultană a unei ţinte de Ti prin metoda pulverizării în regim magnetron în curent continuu, şi a unei ţinte de C prin metoda pulverizării în regim magnetron în impuls de mare putere, asistată de o descărcare în curent continuu cu rol de preionizare, obţinându-se, la temperaturi de creştere mai mari de 500°C, filme de TiCcu rezistivitate mică, comparabilă cu cea a monocristalelor macroscopice de TiC.
Description
Invenția se referă la un procedeu de obținere a filmelor subțiri monocristaline de carbură de titan (TiCx, x < 1) crescute pe substraturi monocristaline de MgO(OOl) folosind o metodă de pulverivare simultană a țintelor de Ti și C într-o plasmă ce conține atomi și ioni de argon.
Straturile TiCx crescute hetero-epitaxial sunt vizate pentru diverse aplicații precum contacte rezistive pentru dispozitive electronice pe bază pe SiC [1], substrat pentru creșterea indusă a fazei cubice a SiC [2] sau suport pentru creșterea fazelor MAX bazate pe Ti [3].
Pană în prezent filmele subțiri monocristaline de TiC au fost crescute prin tehnici de depunere chimică și fizică din faza de vapori (CVD, PVD), care necesită în general temperaturi de creștere ridicate. De exemplu, temperaturi de până la 1300-1400 °C sunt necesare pentru creșterea CVD a filmelor epitaxiale de TiC. Reducerea temperaturii de creștere a TiC s-a realizat folosind C60 ca sursă de carbon evaporat simultan cu evaporarea sau pulverizarea titanului [4], utilizând pulverizarea în regim magnetron DC simultană a țintelor de Ti și C [5.] și prin pulverizare magnetron DC reactivă [6, 7]. în cazul pulverizării DC a țintelor de C, calitatea filmelor este afectată de activarea deficitară a atomilor de C în plasma de proces, datorita energiei de ionizare mari a carbonului. De asemenea, la temperaturi de creștere scăzute calitatea rețelei cristaline precum și conductivitatea electrică a filmelor sunt cu mult diminuate [7],
Problema tehnică pe care o rezolvă prezenta invenție constă în dezvoltarea unui procedeu de creștere hetero-epitaxială a filmelor de TiCx în vederea creșterii calității cristaline a filmelor TiC depuse la temperaturi joase concomitent cu scăderea rezistivității electrice a filmelor.
Procedeul de creștere hetero-epitaxială a filmelor de TiCx, conform invenției, constă în utilizarea unei metode de pulverizare simultană a doua ținte de titan si carbon/grafit independente, ținta de Ti fiind pulverizata prin metoda pulverizării în regim magnetron în curent continuu, iar ținta de carbon prin metoda pulverizării în regim magnetron în impuls de mare putere (HiPIMS) asistată de o descărcare în curent continuu cu rol de preionizare.
pagina 1 / 6 a 2017 01093
11/12/2017
HiPIMS este o metodă nouă de depunere a filmelor subțiri bazată pe tehnica convențională de pulverizare catodică în regim magnetron, în care impulsuri de înaltă putere, de ordinul 1.0 - 3.0 kW/cm2/puls cu o durată de 10-500 ps și frecvență de 1Hz - 2 kHz sunt aplicate catodului (ținta de pulverizare) generând plasme dense cu un grad de ionizare de peste 70 % [8]. Metoda HiPIMS este folosită cu precădere pentru tratamentul ionic al suprafețelor si/sau pentru asistarea procesului de depunere, în vederea creșterii aderenței și densității filmelor. Până în prezent metoda HiPIMS nu a mai fost folosită în procesele de sinteză a filmelor epitaxiale ale carburilor metalelor tranziționale.
Procedeul de sinteză a filmelor hetero-epitaxiale de TiC, conform invenției, prezintă următoarele avantaje:
- Favorizează creșteri ale filmelor subțiri de calitate cristalină superioară chiar și la temperaturi de depunere scăzute datorită faptului că HiPIMS este o metodă de depunere în condiții de neechilibru termodinamic accentuat;
- Pulverizarea țintei de C în regim HiPIMS furnizează suprafeței de creștere a filmului specii de C cu un grad de ionizare mai mare decât în cazul pulverizării în regim magnetron DC;
- Utilizarea descărcării DC de preionizare conduce la stabilizarea descărcării HiPIMS și deci a procesului de depunere;
- Pulverizarea de tip magnetron corespunde condițiilor de depunere simultană, fiind posibilă obținerea filmelor cu concentrațiile elementale dorite;
In continuare, este prezentat un exemplu concret de realizare a invenției.
Se utilizează o incintă tehnologică cu două dispozitive de pulverizare de tip magnetron, dispuse confocal, orientate spre suprafața port-substratului, la o distanță de 15 cm de acesta. Dispozitivele de pulverizare sunt de tip plan-circular. Țintele magnetron au formă de disc cu grosimea de 6 mm și diametrul de 5.08 cm, confecționate din Ti și respectiv C. Dispozitivul de pulverizare cu catod de Ti este conectat la o sursă ce polarizare DC, iar cel cu catod de C la o sursă de polarizare DC (de preionizare) conectată în serie cu o sursă de putere pulsată (HiPIMS).
Incinta tehnologică este depresurizată pană la o presiune a gazului de fond mai mică de 1·10'7 torr. Substratul MgO(OOl) este spălat și degresat în baie de ultrasunete cu solvenți organici, apoi este introdus în incinta tehnologică pe un port-substrat ce poate fi încălzit și polarizat. Substraturile se degazează timp de 60 min. la temperatura de 300 °C.
pagina 2/6 a 2017 01093
11/12/2017
Parametrii de proces sunt: presiunea gazului de pulverizare (Ar):0.67 Pa, temperatura de depunere: 600°C, tensiunea de polarizare RF a substratului: -100 V, intensitatea curentului descărcării magnetron DC cu catod de Ti: 250 mA, tensiunea descărcării de preionizare cu catod de C: -320 V, amplitudinea pulsului de tensiune: -500V, frecvența pulsului de tensiune: 90 Hz, durata pulsului de tensiune: 115 ps.
In aceste condiții s-au obținut filme epitaxiale de TiCo.94 cu grosimea de 60.3 nm, rugozitatea suprafei de 0.4 nm, lărgimea distribuției orientării planelor (002) de 0.13° (ceea ce demonstrează o calitate foarte bună a rețelei cristaline) și rezistivitate electrică de 154 μΩ-cm. Valoarea rezistivității filmelor se suprapun perfect peste valoarea de 155 pD*cm corespunzătoare rezistivității monocristalelor macroscopice de TiCo.95 [9].
Determinarea compoziției elementale și chimice s-a făcut prin metoda spectroscopiei de emisie fotoelectronică a suprafeței filmelor iradiate cu raze X (XPS). Proprietățile structurale au fost studiate prin metode de difracție cu raze X (XRD), proprietățile electrice au fost investigate prin măsurători ale efectului Hali folosind metoda de măsură în patru puncte, iar cele morfologice prin metoda microscopiei cu forță atomică.’
Bibliografie [1] S.-K. Lee, C.-M. Zetterling, M. Ostling, B.-M. Moon, Characterization of Titanium-Based Ohmic Contacts to 4H-Silicon Carbide for High-Power and High-Temperature Operation, J. Korean Phys. Soc. 40 (2002) 572-576 [2] US brevet nr.5043773A, W. Precht, R. Koba, D. Kupp, D. Cummings, Wafer base for silicon carbide semiconductor devices [3] O. Wilhelmsson, J.-P. Palmquist, E. Lewin, J. Emmerlich, P. Eklund, P.O.A. Persson, H. Hogberg, S. Li, R. Ahuja, O. Eriksson, L. Hultman, U. Jansson, Deposition and characterization of temary thin films within the Ti-Al-C system by DC magnetron sputtering, J. of Cryst. Growth 291(2006)290-300 [4] U. Jansson, H. Hogberg, J.-P. Palmqvist, L. Norin, J.O. Malm, L. Hultman, J. Birch, Low temperature epitaxial growth of metal carbides using fullerenes, Surface and Coatings Technology, 142-144 (2001) 817-822 pagina 3/6 a 2017 01093
11/12/2017 [5] Q. Qi, W.Z. Zhang, L.Q. Shi, W.Y. Zhang, W. Zhang, B. Zhang, Preparation of single-crystal TiC (111) by radio frequency magnetron sputtering at low temperature, Thin Solid Films 520 (2012) 6882-6887 [6] N.C. Zoita, V. Braic, M. Danila, A.M. Vlaicu, C. Logofatu, C.E.A. Grigorescu, M. Braic, Influence of film thickness on the morphological and electrical properties of epitaxial TiC films deposited by reactive magnetron sputtering on MgO substrates, J. Cryst. Growth, 389 (2014) 9298 [7] M. Braic, N.C. Zoita, M. Danila, C.E.A. Grigorescu, C. Logofatu, Hetero-epitaxial growth of TiC films on MgO(OOl) at 100°C by DC reactive magnetron sputtering, Thin Solid Films 589 (2015) 590-596 [8] S. Konstantinidis, J. P. Dauchot, M. Ganciu, M. Hecq, Transport of ionized metal atoms în high-power pulsed magnetron discharges assisted by inductively coupled plasma, Appl. Phys. Lett. 88,021501 (2006) [9] S. Otani, T. Tanaka, Y. Ishizawa, Electrical resistivities in single crystals of TiCx and VCX, J. Mat. Sci. 21 (1986) 1011-1014
pagina 4/6 a 2017 01093
11/12/2017
Λ £
PROCEDEU DE SINTEZĂ A FILMELOR SUBȚIRI MONOCRISTALINE DE CARBURĂ DE TITAN
Claims (1)
1. Procedeu de obținere a filmelor subțiri monocristaline de carbură de titan caracterizat prin aceea că utilizează o metodă de pulverizare simultană a unei ținte de Ti prin metoda pulverizării în regim magnetron în curent continuu și a unei ținte de carbon/grafit prin metoda pulverizării în regim magnetron în impuls de mare putere asistată de o descărcare în curent continuu cu rol de preionizare.
pagina 5/6 a2017 01093 I O.S.I.M. I 28/06/2019
I FILĂ HEFORMULATÂ I
PROCEDEU DE SINTEZĂ A FILMELOR SUBȚIRI MONOCRISTALINE DE CARBURĂ DE TITAN
DESCRIERE
Invenția se referă la un procedeu de obținere a filmelor subțiri monocristaline de carbură de titan (TiCx, x < 1) crescute pe substraturi monocristaline de MgO(OOl) folosind o metodă de pulverivare simultană a țintelor de Ti și C într-o plasmă ce conține atomi și ioni de argon.
Straturile TiCx crescute hetero-epitaxial sunt vizate pentru diverse aplicații precum contacte rezistive pentru dispozitive electronice pe bază pe SiC [1], substrat pentru creșterea indusă a fazei cubice a SiC [2] sau suport pentru creșterea fazelor MAX bazate pe Ti [3],
Pană în prezent filmele subțiri monocristaline de TiC au fost crescute prin tehnici de depunere chimică și fizică din faza de vapori (CVD, PVD), care necesită în general temperaturi de creștere ridicate. De exemplu, temperaturi de până la 1300-1400 °C sunt necesare pentru creșterea CVD a filmelor epitaxiale de TiC. Reducerea temperaturii de creștere a TiC s-a realizat folosind C60 ca sursă de carbon evaporat simultan cu evaporarea sau pulverizarea titanului [4], utilizând pulverizarea în regim magnetron în curent continuu (DC) simultană a țintelor de Ti și C [5.] și prin pulverizare magnetron DC reactivă [6, 7]. în cazul pulverizării DC a țintelor de C, calitatea filmelor este afectată de activarea deficitară a atomilor de C în plasma de proces, datorită energiei de ionizare mari a carbonului. De asemenea, la temperaturi de creștere scăzute calitatea rețelei cristaline precum și conductivitatea electrică a filmelor sunt cu mult diminuate [7],
Problema tehnică pe care o rezolvă prezenta invenție constă în dezvoltarea unui procedeu de creștere hetero-epitaxială a filmelor de TiCx în vederea creșterii calității cristaline a filmelor TiC depuse la temperaturi joase concomitent cu scăderea rezistivității electrice a filmelor.
Procedeul de creștere hetero-epitaxială a filmelor de TiCx, conform invenției, constă în utilizarea unei metode de pulverizare simultană a doua ținte de titan si carbon/grafit independente, ținta de Ti fiind pulverizată prin metoda pulverizării în regim magnetron în curent continuu, iar ținta de carbon prin metoda pulverizării în regim magnetron în impuls de mare putere (HiPIMS) asistată de o descărcare în curent continuu cu rol de preionizare.
HiPIMS este o metodă nouă de depunere a filmelor subțiri bazată pe tehnica convențională de pulverizare catodică în regim magnetron, în care impulsuri de înaltă putere, de ordinul 1.0-3.0 pagina 1/6 a 2017 01093 1 O.S.I.M. I 28/06/2019
I FILA WBFORMULăTA I kW/cm2/puls cu o durată de 10-500 ps și frecvență de 1Hz - 2 kHz sunt aplicate catodului (ținta de pulverizare) generând plasme dense cu un grad de ionizare de peste 70 % [8]. Metoda HiPIMS este folosită cu precădere pentru tratamentul ionic al suprafețelor și/sau pentru asistarea procesului de depunere, în vederea creșterii aderenței și densității filmelor. Până în prezent metoda HiPIMS nu a mai fost folosită în procesele de sinteză a filmelor epitaxiale ale carburilor metalelor tranziționale.
Procedeul de sinteză a filmelor hetero-epitaxiale de TiC, conform invenției, prezintă următoarele avantaje:
- Favorizează creșteri ale filmelor subțiri de calitate cristalină superioară chiar și la temperaturi de depunere scăzute datorită faptului că HiPIMS este o metodă de depunere în condiții de neechilibru termodinamic accentuat;
- Pulverizarea țintei de C în regim HiPIMS furnizează suprafeței de creștere a filmului specii de C cu un grad de ionizare mai mare decât în cazul pulverizării în regim magnetron DC;
- Utilizarea descărcării DC de preionizare conduce la stabilizarea descărcării HiPIMS și deci a procesului de depunere;
- Pulverizarea de tip magnetron corespunde condițiilor de depunere simultană, fiind posibilă obținerea filmelor cu concentrațiile elementale dorite;
In continuare, este prezentat un exemplu concret de realizare a invenției.
Se utilizează o incintă tehnologică cu două dispozitive de pulverizare de tip magnetron, dispuse confocal, orientate spre suprafața port-substratului, la o distanță de 15 cm de acesta. Dispozitivele de pulverizare sunt de tip plan-circular. Țintele magnetron au formă de disc cu grosimea de 6 mm și diametrul de 5.08 cm, confecționate din Ti și respectiv C. Dispozitivul de pulverizare cu catod de Ti este conectat la o sursă de polarizare DC, iar cel cu catod de C la o sursă de polarizare DC (de preionizare) conectată în serie cu o sursă de putere pulsată (HiPIMS).
Incinta tehnologică este depresurizată pană la o presiune a gazului de fond mai mică de 1·10’7 torr. Substratul MgO(OOl) este spălat și degresat în baie de ultrasunete cu solvenți organici, apoi este introdus în incinta tehnologică pe un port-substrat ce poate fi încălzit și polarizat. Substraturile se degazează timp de 60 min. la temperatura de 300 °C.
Parametrii de proces sunt: presiunea gazului de pulverizare (Ar):0.67 Pa, temperatura de depunere: 600°C, tensiunea de polarizare RF a substratului: -100 V, intensitatea curentului descărcării magnetron DC cu catod de Ti: 250 mA, tensiunea descărcării de preionizare cu catod pagina 2/6 a 2017 01093
28/06/2019 de C: -320 V, amplitudinea pulsului de tensiune: -500V, frecvența pulsului de tensiune: 90 Hz, durata pulsului de tensiune: 115 ps.
In aceste condiții s-au obținut filme epitaxiale de TiCo.94 cu grosimea de 60.3 nm, rugozitatea suprafeței de 0.4 nm, lărgimea distribuției orientării planelor TiC(002) de 0.13° (ceea ce demonstrează o calitate foarte bună a rețelei cristaline) și rezistivitate electrică de 154 ρΩ-cm. Valoarea rezistivității filmelor se suprapune perfect peste valoarea de 155 ρΩ·ατι corespunzătoare rezistivității monocristalelor macroscopice de TiCo.95 [9].
Determinarea compoziției elementale și chimice s-a făcut prin metoda spectroscopiei de emisie fotoelectronică a suprafeței filmelor iradiate cu raze X (XPS). Proprietățile structurale au fost studiate prin metode de difracție cu raze X (XRD), proprietățile electrice au fost investigate prin măsurători ale efectului Hali folosind metoda de măsură în patru puncte, iar cele morfologice prin metoda microscopiei cu forță atomică.
Bibliografie [1] S.-K. Lee, C.-M. Zetterling, M. Ostling, B.-M. Moon, Characterization of Titanium-Based Ohmic Contacts to 4H-Silicon Carbide for High-Power and High-Temperature Operation, J. Korean Phys. Soc. 40 (2002) 572-576 [2] US brevet nr.5043773A, W. Precht, R. Koba, D. Kupp, D. Cummings, Wafer base for silicon carbide semiconductor devices [3] O. Wilhelmsson, J.-P. Palmquist, E. Lewin, J. Emmerlich, P. Eklund, P.O.A. Persson, H. Hogberg, S. Li, R. Ahuja, O. Eriksson, L. Hultman, U. Jansson, Deposition and characterization of temary thin films within the Ti-Al-C system by DC magnetron sputtering, J. of Cryst. Growth 291 (2006) 290-300 [4] U. Jansson, H. Hogberg, J.-P. Palmqvist, L. Norin, J.O. Malm, L. Hultman, J. Birch, Low temperatura epitaxial growth of metal carbides using fullerenes, Surface and Coatings Technology, 142-144 (2001) 817-822 [5] Q. Qi, W.Z. Zhang, L.Q. Shi, W.Y. Zhang, W. Zhang, B. Zhang, Preparation of single-crystal TiC (111) by radio frequency magnetron sputtering at low temperatura, Thin Solid Films 520 (2012) 6882-6887 [6] N.C. Zoita, V. Braic, M. Danila, A.M. Vlaicu, C. Logofatu, C.E.A. Grigorescu, M. Braic, Influence of film thickness on the morphological and electrical properties of epitaxial TiC films pagina 3/6 a 2017 01093 I O.S.I.M. | 28/06/2019
I FILA REFMMULATĂ I deposited by reactive magnetron sputtering on MgO substrates, J. Cryst. Growth, 389 (2014) 9298 [7] M. Braic, N.C. Zoita, M. Danila, C.E.A. Grigorescu, C. Logofatu, Hetero-epitaxial growth of TiC films on MgO(OOl) at 100°C by DC reactive magnetron sputtering, Thin Solid Films 589 (2015) 590-596 [8] S. Konstantinidis, J. P. Dauchot, M. Ganciu, M. Hecq, Transport of ionized metal atoms în high-power pulsed magnetron discharges assisted by inductively coupled plasma, Appl. Phys. Lett. 88, 021501 (2006) [9] S. Otani, T. Tanaka, Y. Ishizawa, Electrical resistivities in single crystals of TiCx and VCX, J. Mat. Sci. 21 (1986) 1011-1014 pagina 4/6 a 2017 01093
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ROA201701093A RO133512A2 (ro) | 2017-12-11 | 2017-12-11 | Procedeu de sinteză a filmelor subţiri monocristaline de carbură de titan |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ROA201701093A RO133512A2 (ro) | 2017-12-11 | 2017-12-11 | Procedeu de sinteză a filmelor subţiri monocristaline de carbură de titan |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RO133512A2 true RO133512A2 (ro) | 2019-07-30 |
Family
ID=67386031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| ROA201701093A RO133512A2 (ro) | 2017-12-11 | 2017-12-11 | Procedeu de sinteză a filmelor subţiri monocristaline de carbură de titan |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RO (1) | RO133512A2 (ro) |
-
2017
- 2017-12-11 RO ROA201701093A patent/RO133512A2/ro unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Andersson et al. | Microstructure of α-alumina thin films deposited at low temperatures on chromia template layers | |
| US11180865B2 (en) | Foundation substrate for producing diamond film and method for producing diamond substrate using same | |
| Zhou et al. | Deposition of nanostructured crystalline alumina thin film by twin targets reactive high power impulse magnetron sputtering | |
| WO2007116600A1 (ja) | エピタキシャルダイヤモンド膜下地基板およびその製造方法並びにこのエピタキシャルダイヤモンド膜下地基板により製造されるエピタキシャルダイヤモンド膜およびその製造方法 | |
| Lin et al. | C-axis orientated AlN films deposited using deep oscillation magnetron sputtering | |
| KR101130630B1 (ko) | 적층기판, 적층기판의 제조방법 및 디바이스 | |
| Ikeda | Cubic boron nitride films synthesized by low‐energy ion‐beam‐enhanced vapor deposition | |
| CN103160928A (zh) | 一种生长高质量SiC单晶的籽晶处理方法 | |
| Ma et al. | Structure and stress of Cu films prepared by high power pulsed magnetron sputtering | |
| Alizadeh et al. | Plasma-assisted hot filament chemical vapor deposition of AlN thin films on ZnO buffer layer: toward highly c-axis-oriented, uniform, insulative films | |
| Monteiro et al. | Deposition of mullite and mullite-like coatings on silicon carbide by dual-source metal plasma immersion | |
| Wang et al. | Heteroepitaxial diamond film deposition on KTaO3 substrates via single-crystal iridium buffer layers | |
| Okimura et al. | Preparation of VO2 films with metal–insulator transition on sapphire and silicon substrates by inductively coupled plasma-assisted sputtering | |
| Xu et al. | Preparation, characterization and property of high-quality LaB6 single crystal grown by the optical floating zone melting technique | |
| Murayama et al. | Structure of a silicon carbide film synthesized by rf reactive ion plating | |
| Wu et al. | Modulate the deposition rate through changing the combination of frequency and pulse width at constant duty cycle | |
| JP2017506206A (ja) | マルチゾーン可変電力密度ヒーター、そのヒーターを含む装置及びそのヒーターを使用する方法 | |
| Zhuang et al. | Highly selective diamond and β-SiC crystal formation at increased atomic hydrogen concentration: a route for synthesis of high-quality and patterned hybrid diamond/β-SiC composite film | |
| Otaño-Rivera et al. | Cubic boron nitride thin film deposition by unbalanced magnetron sputtering and dc pulsed substrate biasing | |
| Linnik et al. | Diamond film synthesis in high-alternating-current glow discharge | |
| JPH10167888A (ja) | ダイヤモンド合成方法 | |
| JP2010095408A (ja) | エピタキシャルダイヤモンド膜および自立したエピタキシャルダイヤモンド基板の製造方法 | |
| US20140255286A1 (en) | Method for manufacturing cubic boron nitride thin film with reduced compressive residual stress and cubic boron nitride thin film manufactured using the same | |
| Audronis et al. | Pulsed-bias magnetron sputtering of non-conductive crystalline chromia films at low substrate temperature | |
| Farha et al. | Effects of substrate temperature on properties of NbNx films grown on Nb by pulsed laser deposition |