PL98570B3 - Sposob wytwarzania warstw swiatloczulych,zwlaszcza elektrofotograficznych - Google Patents

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarza¬ nia warstw swiatloczulych, zwlaszcza elektrofoto¬ graficznych stanowiacy patent dodatkowy do pa¬ tentu glównego nr 66 466 pt. „Sposób wytwarzania warstw swiatloczulych" polegajacy na nanoszeniu cieklej mieszaniny substancji swiatloczulej w po¬ staci bezpostaciowego trójselenku arsenu, spoiwa organicznego i rozpuszczalników, w którym na 1 cm2 powierzchni podloza nanosi sie 0,02 do 20 mg trójselenku arsenu, a otrzymana warstwe swiatlo¬ czula wygrzewa sie w temperaturze od 80°—180°C.

W wyniku dalszych badan stwierdzono, iz tak wykonane warstwy o grubosciach zawartych w przedziale od 15 do okolo 40 jim, co odpowiada ilosciom od 1 do 2,8 mg trójselenku arsenu na 1 cm2 powierzchni podloza, ulegaja w trakcie pra¬ cy przebiciom elektrycznym, przejawiajacym sie na kopiach w postaci czarnych lub bialych kropek.

Przebicia majace charakter gwaltownego przeply¬ wu ladunku elektrycznego z powierzchni nalado¬ wanej warstwy do przewodzacego podloza, wyste¬ puja w miejscach niewielkich nawet nieciaglosci powloki, takich jak pecherze, drobne mechaniczne zanieczyszczenia czy aglomeracje czastek fotoprze- wodnika w spoiwie, trudnych do unikniecia przy lakierniczych metodach nanoszenia warstw swia¬ tloczulych. Przebicia takie wystepuja, gdy warstwa zostanie naladowana do potencjalu wyzszego niz 500 V. Nie maja one wprawdzie znaczenia przy wykonywaniu kopii z oryginalów kreskowych, ta- 2 kich jak druk lub rysunek, lecz uniemozliwiaja wykonywanie kopii obrazów póltonowych lub za¬ wierajacych duze zaczernione powierzchnie, na któ¬ rych efekt przebic staje sie widoczny.

Podwyzszenie wytrzymalosci dielektrycznej war¬ stwy jest mozliwe, przez zwiekszenie jej grubosci powyzej 40 \im, jednak powoduje to zmniejszenie jej swiatloczulosci i pogorszenie wlasciwosci uzyt¬ kowych. Natomiast ladowanie warstw, w celu u- nikniecia przebic do potencjalu nizszego niz 500 V nie zapewnia dostatecznego kontrastu napieciowe¬ go pomiedzy miejscami naswietlonymi i w efek¬ cie powoduje pogorszenie jakosci kopii.

Celem wynalazku jest unikniecie tych niedogod¬ nosci i takie ulepszenie sposobu wytwarzania warstw swiatloczulych znanego z patentu PRL nr 66 466 umozliwiajacego uzyskanie elementów swia¬ tloczulych o podwyzszonej wytrzymalosci dielek¬ trycznej a-nie wykazujacych wad w postaci przebic elektrycznych.

Cel ten zostal osiagniety w ten sposób, ze po¬ wierzchnie podloza, którego glównym skladnikiem jest aluminium przed naniesieniem mieszaniny za¬ wierajacej trójselenek arsenu pokrywa sie warstwa tlenkowa, zawierajaca tlenki metali, glównie tlen¬ ki aluminium. Warstwe tlenkowa wytwarza sie elektrolitycznie przez utlenianie anodowe. Nanie¬ siona na powierzchnie podloza warstwe tlenkowa uszczelnia sie przez wygrzanie w srodowisku wod¬ nym, korzystnie w temperaturze 80 do 100°C w lf 98 57098 570 ciagu 0,5 do 2 godzin. Grubosc wytworzonej war¬ stwy tlenkowej wynosi 3 do 30 |im, korzystnie 10 do 15 ynn.

Uzyskana w ten sposób warstwa swiatloczula ma zwiekszona wytrzymalosc dielektryczna, przy czym odpowiednio dobrana grubosc warstwy tlen¬ kowej nie zaklóca procesu rozladowania warstwy pod dzialaniem swiatla. Stosowanie sposobu wedlug wynalazku umozliwia uzyskanie warstw swiatlo¬ czulych o dobrych wlasciwosciach elektrofotogra¬ ficznych, przy czym nawet warstwy o grubosci 15 do 40 \\m nie wykazuja przebic i nadaja sie do odtwarzania obrazów póltonowych.

Proces wytwarzania warstw swiatloczulych we¬ dlug wynalazku wyjasniaja ponizsze przyklady.

Przyklad I. Plyte aluminiowa po odtluszcze¬ niu w roztworze lugu poddano utlenianiu anodo¬ wemu w 20% roztworze kwasu siarkowego. Proces prowadzono w temperaturze 20°C w czasie 40 mm. przy gestosci pradu 1 A dcm2. Nastepnie w celu uszczelnienia warstwy tlenkowej plyte wygrzano w wodzie destylowanej o temperaturze 95°C w czasie jednej godziny. Grubosc warstwy tlenkowej wynosila 15 \im. Na tak przygotowane podloze wy¬ lano mieszanine 40 czesci wagowych drobnoziarni¬ stego trójselenku arsenu z 60 czesciami wagowymi zywicy epoksydowo-melaminowej, rozcienczona od¬ powiednio cykloheksanonem w Uosci takiej, aby na jeden cm2 podloza przypadalo 1,2 mg trójselen¬ ku arsenu. Po wygrzaniu w temp. 160°C grubosc swiatloczulej powloki wynosila 18 \im. Na wyko¬ nanej w ten sposób warstwie swiatloczulej, nala¬ dowanej do potencjalu wynoszacego okolo 1000 V uzyskano obraz póltonowy nie wykazujacy zadnych wad. Na warstwie swiatloczulej wykonanej z tej samej mieszaniny i o takiej samej grubosci na aluminiowym podlozu bez warstwy tlenkowej wy¬ stapily liczne przebicia.

Przyklad II. Walec wykonany ze stopu alu¬ minium o symbolu PA6 poddano utlenianiu ano¬ dowemu w roztworze zawierajacym 12°/o kwasu siarkowego i 6d/o kwasu szczawiowego, w tempe¬ raturze 30°C, przy gestosci pradu 0,5 A/dcm*, w ciagu 1 godz. Jako kapiel uszczelniajaca zastoso¬ wano roztwór octanu olowiawego o stezeniu 5 g/l, o temperaturze 95—100°C. Grubosc warstwy tlen¬ kowej wynosila 8 fxm. Powierzchnie walca pokry¬ to nastepnie mieszanina jak w przykladzie I, tak aby uzyskac warstwe swiatloczula o grubosci 32 [.im. Warstwa nie wykazywala przebic chociaz war¬ stwa swiatloczula o takiej samej grubosci wyko¬ nana na zwyklym podlozu ulegala przebiciom w procesie kopiowania.

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób wytwarzania warstw swiatloczulych, zwlaszcza elektrofotograficznych polegajacy na tym, ze na podloze nanosi sie mieszanine bezpo¬ staciowego trójselenku arsenu, spoiwa organiczne¬ go i rozpuszczalników, wedlug patentu glównego nr 66 466 znamienny tym, ze na powierzchnie pod¬ loza, którego glównym skladnikiem jest aluminium przed naniesieniem mieszaniny zawierajacej trój- selenek arsenu nanoszona jest korzystnie elektro¬ litycznie warstwa tlenkowa o grubosci 3—30 \nm korzystnie 10—15 firn a nastepnie warstwe te u- szczelnia sie przez wygrzewanie w srodowisku wodnym, w temperaturze 80—100°C w czasie 0,5— —2 godzin. Bltk 1172/78 r. 95 egz. A4 Cena 45 zl