PL96793B1 - Uklad polprzewodnikowych stopni wzmacniajaco-powielajacych - Google Patents
Uklad polprzewodnikowych stopni wzmacniajaco-powielajacych Download PDFInfo
- Publication number
- PL96793B1 PL96793B1 PL16746173A PL16746173A PL96793B1 PL 96793 B1 PL96793 B1 PL 96793B1 PL 16746173 A PL16746173 A PL 16746173A PL 16746173 A PL16746173 A PL 16746173A PL 96793 B1 PL96793 B1 PL 96793B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- stage
- resistor
- stages
- resistors
- multipliers
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 8
- 230000003321 amplification Effects 0.000 title description 3
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 title description 3
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Networks Using Active Elements (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest uklad pólprzewod¬ nikowych stopni wzmacniajaco-powielajacych prze¬ znaczony do wytwarzania sygnalów wielkiej cze¬ stotliwosci sredniej mocy.W znanych pólprzewodnikowych ukladach wzma¬ cniajaco-powielajacych na zakres wielkich czestot¬ liwosci, gdy szerokosc pasma nie odgrywa zasad¬ niczej roli, poszczególne stopnie wzmacniajaco-po- wielajace laczone sa poprzez dopasowujace ele¬ menty reaktamcyjne lub separowane sa przy pomocy ferrytowych elementów izolujacych, to jest izolatorów i cyrkulatorów posiadajacych ograniczo¬ na szerokosc pasma i znaczne gabaryty.Wada laczenia pólprzewodnikowych stopni wzma¬ cniajaco-powielajacych poprzez dopasowujace ele¬ menty reaktancyjne jest wzajemne oddzialywanie tych obwodów utrudniajace ich zestrojenie. W przypadku natomiast stosowania ferrytowych ele¬ mentów izolacyjnych powiekszaja sie znacznie ga¬ baryty pólprzewodnikowego ukladu wzmacniajaco- powielajacego.Celem wynalazku bylo opracowanie ukladu pól¬ przewodnikowych stopni wzmacniajaco-powielaja¬ cych, który nie mialby wyzej wymienionych wad i niedogodnosci.Cel ten zostal osiagniety w ukladzie, w którym miedzy stopniem sterujacym oraz stopniem stero¬ wanym jest wlaczony tlumik rezystorowy o opor¬ nosci wejsciowej i wyjsciowej lezacej w zakresie 50-=-75 Q.Korzysci techniczne zastosowania wynalazku wy¬ nikaja z powiekszenia szerokosci pasma ukladu wzmacniajaco-powielajacego i jego stabilniejszej pracy,, dzieki wzajemnemu polaczeniu wyzej wy¬ mienionych stopni poprzez tlumik rezystorowy.Uklad pólprzewodnikowych stopni wzmacniajaco- powielajacych wedlug wynalazku jest uwidocznio¬ ny w przykladzie wykonania na rysunku, na któ¬ rym fig. 1 przedstawia schemat blokowo-ideowy jednego rozwiazania tego ukladu z tlumikiem re- zystorowym w konfiguracji „n", natomiast fig 2 — drugie rozwiazanie powyzszego ukladu z tlumi¬ kiem rezystorowym w konfiguracji „T".Jak pokazano na fig. 1 i fig. 2 uklad wedlug wynalazku sklada sie ze stopni 1 i 3 o wspólnym polaczeniu d, z których stopien 1 jest stopniem sterujacym a stopien 3 jest stopniem sterowanym, oraz z tlumika rezystorowego 2, rozdzielajacego te stopnie, utworzonego z rezystorów Rl, R2 i R3.W ukladzie „rc" przedstawionym na fig. 1 punkt a na wyjsciu obwodu dopasowujacego stopnia 1 polaczony jest wspólnie z koncami rezystorów Rl i R2, a punkt c na wejsciu obwodu dopasowujace¬ go stopnia 3 polaczony jest wspólnie z koncami rezystorów Rl i R3, przy wspólnym polaczeniu do masy drugich konców rezystorów R2 i R3. W ukla¬ dzie ,„T" przedstawionym na fig. 2 ten sam punkt a stopnia 1 polaczony jest z rezystorem Rl, punkt c stopnia 3 z rezystorem R2, przy wspólnym po¬ laczeniu ze soba pierwszych konców rezystorów 96 79396 79S 3 Rl, R2, R3, zas drugi koniec rezystora R3 polaczo¬ ny jest z masa.Tlumik rezystorowy 2 w ukladzie wedlug wy¬ nalazku separuje stopnie: sterujacy i sterowany 1 i 3, którymi moga byc wzmacniacze tranzystorowe mocy wielkiej czestotliwosci, powielacze tranzysto¬ rowe, powielacze waraktorowe, powielacz tranzys¬ torowi i waraktorowy, wzmacniacz tranzystorowy mocy i powielacz tranzystorowy lub waraktorowy.Tlumienie tlumika rezystorowego zalezne jest od wartosci rezystorów Rl, R2, R3 dobieranych w za¬ leznosci od dysponowanego poziomu mocy stopnia sterujacego 1 i wymaganego poziomu mocy na wej¬ sciu stopnia sterowanego 3 tak, aby opornosc wej¬ sciowa i wyjsciowa tlumika byla jednakowa w zakresie opornosci od 50 do 75 Q. PL
Claims (2)
- Zastrzezenia patentowe 1. Uklad pólprzewodnikowych stopni wzmacnia- jaco-powielajacych, skladajacy sie ze stopnia ste¬ rujacego oraz ze stopnia sterowanego, z tym, ze w sklad obu tych stopni wchodza wzmacniacze i po¬ wielacze wielkiej czestotliwosci na tranzystorach 5 i waraktorach,, znamienny tym, ze pomiedzy wyj¬ scie sterujacego stopnia (1) i wejscie sterowanego stopnia (3) wlaczony jest rezystorowy tlumik (2) skladajacy sie z rezystorów (Rl, R2, R3) w kon¬ figuracji „n". !0
- 2. Uklad pólprzewodnikowych stopni wzmacnia¬ jaco-powielajacych, skladajacy sie ze stopnia ste¬ rujacego oraz ze stopnia sterowanego, z tym, ze w sklad obu tych stopni wchodza wzmacniacze i powielacze wielkiej czestotliwosci na tranzysto- 15 rach i waraktorach, znamienny tym, ze pomiedzy wyjscie sterujacego stopnia (1) i wejscie sterowa¬ nego stopnia (3) wlaczony jest rezystorowy tlumik (2) skladajacy sie z rezystorów (Rl, R2, R3) w konfiguracji „T". GWP Druk. Zam. 397 — 78 — 115 Cena 45 zl PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL16746173A PL96793B1 (pl) | 1973-12-18 | 1973-12-18 | Uklad polprzewodnikowych stopni wzmacniajaco-powielajacych |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL16746173A PL96793B1 (pl) | 1973-12-18 | 1973-12-18 | Uklad polprzewodnikowych stopni wzmacniajaco-powielajacych |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL96793B1 true PL96793B1 (pl) | 1978-01-31 |
Family
ID=19965314
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL16746173A PL96793B1 (pl) | 1973-12-18 | 1973-12-18 | Uklad polprzewodnikowych stopni wzmacniajaco-powielajacych |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL96793B1 (pl) |
-
1973
- 1973-12-18 PL PL16746173A patent/PL96793B1/pl unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4975604A (en) | Automatic return-loss optimization of a variable fet attenuator | |
| US4025873A (en) | Broadband, microwave, two-stage, stagger-tuned, field effect transistor amplifier | |
| EP0474337A1 (en) | Switched low-loss attenuator | |
| US5912599A (en) | Bandwidth compensated bridged-tee attenuator | |
| US4560963A (en) | Analog RC active filter | |
| US4187476A (en) | SHF band oscillator circuit using FET | |
| JPS6094514A (ja) | 利得制御高周波信号増幅回路 | |
| KR930011384B1 (ko) | 마이크로파 집적회로 | |
| PL96793B1 (pl) | Uklad polprzewodnikowych stopni wzmacniajaco-powielajacych | |
| US4876516A (en) | High gain distributed amplifiers | |
| Lucyszyn et al. | Decade bandwidth MMIC analogue phase shifter | |
| KR960012697A (ko) | 제어가능한 전송 특성을 갖는 회로장치 | |
| US4267520A (en) | Hybrid component for very high frequency amplification | |
| JP2841724B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0572132B2 (pl) | ||
| US2423797A (en) | High-frequency circuit | |
| KR100225472B1 (ko) | Vhf 및 uhf 대역용 소형 가변 감쇄기 | |
| US3586887A (en) | Tetrode fet noise figure by neutralization and tuning | |
| JPS57194613A (en) | Variable gain amplifying circuit | |
| JPS60160201A (ja) | 減衰器 | |
| JPS6478001A (en) | Polarization circuit for dielectric filter | |
| JPH0290713A (ja) | サーキュレータ | |
| RU2020730C1 (ru) | Усилитель свч | |
| Adams et al. | Filtering, frequency multiplexing, and other microwave applications with inverted-common-collector transistor circuits | |
| US3287666A (en) | Transformation network for changing a circuit exhibiting gyrator characteristics to a circuit exhibiting isolator characteristics |