PL94503B1 - Piec redukcyjny do wytwarzania pretow polikrystalicznego krzemu - Google Patents

Piec redukcyjny do wytwarzania pretow polikrystalicznego krzemu Download PDF

Info

Publication number
PL94503B1
PL94503B1 PL17683874A PL17683874A PL94503B1 PL 94503 B1 PL94503 B1 PL 94503B1 PL 17683874 A PL17683874 A PL 17683874A PL 17683874 A PL17683874 A PL 17683874A PL 94503 B1 PL94503 B1 PL 94503B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
rods
polycrystalline silicon
production
reduction furnace
axes
Prior art date
Application number
PL17683874A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL17683874A priority Critical patent/PL94503B1/pl
Publication of PL94503B1 publication Critical patent/PL94503B1/pl

Links

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest piec redukcyjny do wytwarzania pretów polikrystalicznego krzemu, z zewnetrznym plaszczem chlodzacym oraz osadzonymi w dnie pieca elektrodami dla pretów osadczych.Znane sa piece redukcyjne do wytwarzania pretów polikrystalicznego krzemu majace postac gazoszczelnej komory wykonanej z metalu lub kwarcu. Piec metalowy otoczony jest plaszczem chlodzacym. W dnie komory pieca umieszczone sa elektrody, w koncówkach których zamocowane sa krzemowe prety osadcze. Prety te grzane oporowo osiagaja temperatury powyzej 1000°C. Przez komore plynie mieszanina wodoru ze zwiazkiem zawierajacym krzem, np. trójchlorosilanem. Na powierzchni pretów osadczych wydziela sie zredukowany krzem.Wedlug opisu patentowego RFN nr 1206261 odleglosc miedzy sasiednimi pretami jest co najmniej dwukrotnie mniejsza od odleglosci miedzy pretami a sciana komory. Rozwiazanie to nie zabezpiecza bardzo istotnej cechy pretów krzemu polikrystalicznego przeznaczonych do beztyglowej metody przetopu, a mianowicie, zachowania dostatecznie malej tolerancji srednicy preta na calej jego dlugosci.Celem wynalazku jest opracowanie budowy pieca redukcyjnego, który zapewnialby dostatecznie równomierny przyrost masy preta, tak aby zachowana byla pozadana tolerancja grubosci preta na calej jego dlugosci. Stwierdzono, ze osiaga sie to, gdy stosunek odleglosci miedzy osiami sasiednich elektrod oraz osiami sasiednich pretów do odleglosci miedzy osiami pretów a sciana reaktora wynosi 2-2,5:1,5. Przy zastosowaniu tej reguly, w piecu czteropretowym uzyskuje sie np. prety polikrystalicznego krzemu o srednicy 60 mm z tolerancja ±1,5 mm.Przedmiot wynalazku pokazany jest na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia pionowy przekrój komory pieca, fig. 2 — poprzeczny przekrój tej komory. Komora 1 pieca otoczona jest plaszczem chlodzacym 2. W dnie komory znajduja sie cztery elektrody 3 z zamocowanymi w nich pretami osadczymi 4.Odstep a miedzy osiami sasiednich elektrod jak równiez miedzy osiami sasiednich pretów osadczych, ma sie do odstepu b osi elektrod oraz pretów od scianki komory, jak 2:1,5. Przez otwór 5 doplywa do komory2 94 503 gazowa mieszanka reakcyjna, z której wydziela sie krzem krystaliczny na powierzchni nagrzanych do temperatury okolo 1100°C pretów. Pozostalosc poreakcyjna mieszanki odplywa przez otwór 6.¦-! —HP— I Fig / _L $ 2 Fig i Prac. Poligraf. UP PRL naklad 120+18 Cena 10 zl PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Piec redukcyjny do wytwarzania pretów polikrystalicznego krzemu, z zewnetrznym plaszczem chlodzacym oraz osadzonymi w dnie pieca elektrodami dla zamocowania pretów osadczych, znamienny tym, ze stosunek odleglosci miedzy osiami sasiednich elektrod oraz osiami sasiednich pretów do odleglosci miedzy osiami pretów a sciana reaktora wynosi 2—2,5:1,5. I a ..__ i""" i -* PL
PL17683874A 1974-12-24 1974-12-24 Piec redukcyjny do wytwarzania pretow polikrystalicznego krzemu PL94503B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL17683874A PL94503B1 (pl) 1974-12-24 1974-12-24 Piec redukcyjny do wytwarzania pretow polikrystalicznego krzemu

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL17683874A PL94503B1 (pl) 1974-12-24 1974-12-24 Piec redukcyjny do wytwarzania pretow polikrystalicznego krzemu

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL94503B1 true PL94503B1 (pl) 1977-08-31

Family

ID=19970304

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL17683874A PL94503B1 (pl) 1974-12-24 1974-12-24 Piec redukcyjny do wytwarzania pretow polikrystalicznego krzemu

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL94503B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU94046037A (ru) Индукционная печь, устройство с использованием этой печи, способ тепловой обработки синтетических кремнийдиоксидных масс и способы получения кремнийдиоксидного стекла
US2908553A (en) Process for the production of silicon carbide
ATE16473T1 (de) Verfahren und oefen zur herstellung von siliziumcarbid.
PL94503B1 (pl) Piec redukcyjny do wytwarzania pretow polikrystalicznego krzemu
US3350166A (en) Synthesis of aluminum borate whiskers
Baddiel et al. Molten thiocyanates: Raman spectra and structure
US2571700A (en) Method of coating thermocouples
US2645060A (en) Method of producing synthetic mica
US3101257A (en) Preparation of high purity silicon by decomposition of silicon nitride powder having a graphite target buried therein
US3723603A (en) Preparation of fluorophosphates
US2589653A (en) Production of silicon sulfide
NO132659B (pl)
KR200455009Y1 (ko) 폴리실리콘 제조장치
US1504685A (en) Process for manufacturing oxide of white antimony
SU152099A1 (ru) Способ изготовлени наконечников из силицированного графита дл защиты термопар погружени
US3431066A (en) Method for producing yttrium aluminum oxide garnet crystals
KR880008409A (ko) 고순도 반도체 규소박판을 이용한 고순도 반도체 재료인 규소의 제조방법 및 장치
SU755756A1 (ru) Устройство для непрерывного производства кварцевых полых профильных изделий1
SU564272A1 (ru) Печь дл наплавлени блока кварцевого стекла
US3149216A (en) Apparatus for the preparation of high purity silicon
PL88179B1 (pl)
US2955023A (en) Process for the production of cyanogen and carbon disulfide
PL63472B1 (pl)
US3169828A (en) Process of producing boron nitride
SU50797A1 (ru) Нагревательное сопротивление дл электрических печей