PL94503B1 - Piec redukcyjny do wytwarzania pretow polikrystalicznego krzemu - Google Patents
Piec redukcyjny do wytwarzania pretow polikrystalicznego krzemu Download PDFInfo
- Publication number
- PL94503B1 PL94503B1 PL17683874A PL17683874A PL94503B1 PL 94503 B1 PL94503 B1 PL 94503B1 PL 17683874 A PL17683874 A PL 17683874A PL 17683874 A PL17683874 A PL 17683874A PL 94503 B1 PL94503 B1 PL 94503B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- rods
- polycrystalline silicon
- production
- reduction furnace
- axes
- Prior art date
Links
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 trichlorosilane Chemical compound 0.000 description 1
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest piec redukcyjny do wytwarzania pretów polikrystalicznego krzemu, z zewnetrznym plaszczem chlodzacym oraz osadzonymi w dnie pieca elektrodami dla pretów osadczych.Znane sa piece redukcyjne do wytwarzania pretów polikrystalicznego krzemu majace postac gazoszczelnej komory wykonanej z metalu lub kwarcu. Piec metalowy otoczony jest plaszczem chlodzacym. W dnie komory pieca umieszczone sa elektrody, w koncówkach których zamocowane sa krzemowe prety osadcze. Prety te grzane oporowo osiagaja temperatury powyzej 1000°C. Przez komore plynie mieszanina wodoru ze zwiazkiem zawierajacym krzem, np. trójchlorosilanem. Na powierzchni pretów osadczych wydziela sie zredukowany krzem.Wedlug opisu patentowego RFN nr 1206261 odleglosc miedzy sasiednimi pretami jest co najmniej dwukrotnie mniejsza od odleglosci miedzy pretami a sciana komory. Rozwiazanie to nie zabezpiecza bardzo istotnej cechy pretów krzemu polikrystalicznego przeznaczonych do beztyglowej metody przetopu, a mianowicie, zachowania dostatecznie malej tolerancji srednicy preta na calej jego dlugosci.Celem wynalazku jest opracowanie budowy pieca redukcyjnego, który zapewnialby dostatecznie równomierny przyrost masy preta, tak aby zachowana byla pozadana tolerancja grubosci preta na calej jego dlugosci. Stwierdzono, ze osiaga sie to, gdy stosunek odleglosci miedzy osiami sasiednich elektrod oraz osiami sasiednich pretów do odleglosci miedzy osiami pretów a sciana reaktora wynosi 2-2,5:1,5. Przy zastosowaniu tej reguly, w piecu czteropretowym uzyskuje sie np. prety polikrystalicznego krzemu o srednicy 60 mm z tolerancja ±1,5 mm.Przedmiot wynalazku pokazany jest na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia pionowy przekrój komory pieca, fig. 2 — poprzeczny przekrój tej komory. Komora 1 pieca otoczona jest plaszczem chlodzacym 2. W dnie komory znajduja sie cztery elektrody 3 z zamocowanymi w nich pretami osadczymi 4.Odstep a miedzy osiami sasiednich elektrod jak równiez miedzy osiami sasiednich pretów osadczych, ma sie do odstepu b osi elektrod oraz pretów od scianki komory, jak 2:1,5. Przez otwór 5 doplywa do komory2 94 503 gazowa mieszanka reakcyjna, z której wydziela sie krzem krystaliczny na powierzchni nagrzanych do temperatury okolo 1100°C pretów. Pozostalosc poreakcyjna mieszanki odplywa przez otwór 6.¦-! —HP— I Fig / _L $ 2 Fig i Prac. Poligraf. UP PRL naklad 120+18 Cena 10 zl PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Piec redukcyjny do wytwarzania pretów polikrystalicznego krzemu, z zewnetrznym plaszczem chlodzacym oraz osadzonymi w dnie pieca elektrodami dla zamocowania pretów osadczych, znamienny tym, ze stosunek odleglosci miedzy osiami sasiednich elektrod oraz osiami sasiednich pretów do odleglosci miedzy osiami pretów a sciana reaktora wynosi 2—2,5:1,5. I a ..__ i""" i -* PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL17683874A PL94503B1 (pl) | 1974-12-24 | 1974-12-24 | Piec redukcyjny do wytwarzania pretow polikrystalicznego krzemu |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL17683874A PL94503B1 (pl) | 1974-12-24 | 1974-12-24 | Piec redukcyjny do wytwarzania pretow polikrystalicznego krzemu |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL94503B1 true PL94503B1 (pl) | 1977-08-31 |
Family
ID=19970304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL17683874A PL94503B1 (pl) | 1974-12-24 | 1974-12-24 | Piec redukcyjny do wytwarzania pretow polikrystalicznego krzemu |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL94503B1 (pl) |
-
1974
- 1974-12-24 PL PL17683874A patent/PL94503B1/pl unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU94046037A (ru) | Индукционная печь, устройство с использованием этой печи, способ тепловой обработки синтетических кремнийдиоксидных масс и способы получения кремнийдиоксидного стекла | |
| US2908553A (en) | Process for the production of silicon carbide | |
| ATE16473T1 (de) | Verfahren und oefen zur herstellung von siliziumcarbid. | |
| PL94503B1 (pl) | Piec redukcyjny do wytwarzania pretow polikrystalicznego krzemu | |
| US3350166A (en) | Synthesis of aluminum borate whiskers | |
| Baddiel et al. | Molten thiocyanates: Raman spectra and structure | |
| US2571700A (en) | Method of coating thermocouples | |
| US2645060A (en) | Method of producing synthetic mica | |
| US3101257A (en) | Preparation of high purity silicon by decomposition of silicon nitride powder having a graphite target buried therein | |
| US3723603A (en) | Preparation of fluorophosphates | |
| US2589653A (en) | Production of silicon sulfide | |
| NO132659B (pl) | ||
| KR200455009Y1 (ko) | 폴리실리콘 제조장치 | |
| US1504685A (en) | Process for manufacturing oxide of white antimony | |
| SU152099A1 (ru) | Способ изготовлени наконечников из силицированного графита дл защиты термопар погружени | |
| US3431066A (en) | Method for producing yttrium aluminum oxide garnet crystals | |
| KR880008409A (ko) | 고순도 반도체 규소박판을 이용한 고순도 반도체 재료인 규소의 제조방법 및 장치 | |
| SU755756A1 (ru) | Устройство для непрерывного производства кварцевых полых профильных изделий1 | |
| SU564272A1 (ru) | Печь дл наплавлени блока кварцевого стекла | |
| US3149216A (en) | Apparatus for the preparation of high purity silicon | |
| PL88179B1 (pl) | ||
| US2955023A (en) | Process for the production of cyanogen and carbon disulfide | |
| PL63472B1 (pl) | ||
| US3169828A (en) | Process of producing boron nitride | |
| SU50797A1 (ru) | Нагревательное сопротивление дл электрических печей |