PL94444B1 - Sposob sterowanego wprowadzania materialow domieszkowych do polprzewodnikow krystalicznych i urzadzenie do sterowanego wprowadzania materialow domieszkowych do polprzewodnikow krystalicznych - Google Patents
Sposob sterowanego wprowadzania materialow domieszkowych do polprzewodnikow krystalicznych i urzadzenie do sterowanego wprowadzania materialow domieszkowych do polprzewodnikow krystalicznych Download PDFInfo
- Publication number
- PL94444B1 PL94444B1 PL1974173065A PL17306574A PL94444B1 PL 94444 B1 PL94444 B1 PL 94444B1 PL 1974173065 A PL1974173065 A PL 1974173065A PL 17306574 A PL17306574 A PL 17306574A PL 94444 B1 PL94444 B1 PL 94444B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- coil
- impurity
- induction heating
- container
- heating coil
- Prior art date
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 239000004020 conductor Substances 0.000 title description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 title 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 title 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 title 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 title 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 30
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 23
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 17
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 16
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 16
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 13
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 claims description 12
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims description 3
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 2
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- -1 phosphorus compound Chemical class 0.000 description 1
- 150000003018 phosphorus compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 239000013638 trimer Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
- C30B13/08—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone
- C30B13/10—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the molten zone with addition of doping materials
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10S117/90—Apparatus characterized by composition or treatment thereof, e.g. surface finish, surface coating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1076—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state having means for producing a moving solid-liquid-solid zone
- Y10T117/1088—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state having means for producing a moving solid-liquid-solid zone including heating or cooling details
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób sterowanego wprowadzania materialów domieszkowych do pólprzewodników krystalicznych przy beztopnikowym topieniu strefowym preta pólprzewodnika krystalicznego, znajdujacego sie w pojemniku, utrzymywanego pionowo przy obu swoich koncach, przy czym strefa topnienia jest wytwarzana przez indukcyjna cewke grzejna otaczajaca pret pólprzewodnika, a material domieszkowy doprowadzany jest bezposrednio do strefy topnienia.Domieszkowanie pretów pólprzewodnika krystalicznego nastepuje na ogól przy wytracaniu materialu pólprzewodnikowego z fazy gazowej przy pomocy termicznego i/lub pirolitycznego rozkladu gazowego zwiazku materialu pólprzewodnikowego, na ogrzewanym, pretowym nosniku z tego samego materialu. Przy tym materialy domieszkowe sa dodawane do gazowych zwiazków materialu pólprzewodnikowego i ulegaja rozkladowi na nosniku. Tak otrzymane prety pólprzewodnika krystalicznego sa polikrystaliczne i musza byc wprjowadzane w stan monokrystaliczny w koncowym procesie topienia strefowego. Stezenie materialu domieszkowego zmienia sie czesto* w sposób niekontrolowany i dlatego nalezy ustawiac wyzsze stezenie materialu domieszkowego, aby koncowy produkt, po przejsciu ewentualnie kilku procesów topienia strefowego, zawieral jeszcze pozadane stezenie materialu domieszkowego.Sposoby te sa czasochlonne i przy tym niedokladne. Stosowane do nich urzadzenia wymagaja duzych nakladów a osiagane przy tym wyniki sa niezadawalajace.Z ogloszeniowego opisu patentowego RFN nr 1544276 znany jest sposób otrzymywania domieszkowych pretów pólprzewodników krystalicznych, w których material domieszkowy doprowadzany jest do stopionego materialu pólprzewodnikowego, wewnatrz prózniowego pojemnika w stanie gazowym, za pomoca przewodu2 94 444 rurowego, którego wylot skierowany jest na wytop, przy czym doprowadzenie gazowego materialu domieszkowego jest sterowane za pomoca zaworu pomiedzy zbiornikiem materialu domieszkowego a pojemnikiem za pomoce regulacji natezenia przeplywu i cisnienia w zbiorniku materialu domieszkowego, który utrzymywany jest w stalej temperaturze. Korzystnie jest stosowac jako material domieszkowy, latwe do manipulacji i do odparowania zwiazki boru i fosforu, zwlaszcza trimer chlorku fosforonitrylu. Wada tego sposobu jest jednak to, ze zawory przewidziane dla dozowania materialu domieszkowego — najczesciej uzywane sa powszechnie znane zawory iglicowe lub sterowane impulsowo zawory elektromagnetyczne - nie pracuja precyzyjnie. W zwiazku z tym trudno jest uzyskac odtwarzalnosc domieszkowania otrzymanych tym sposobem pretów pólprzewodnikowych.W opisie patentowym RFN nr 2020182 opisane jest urzadzenie dla domieszkowania materialu pólprzewodnikowego przy beztopnikowym topieniu strefowym z indukcyjna cewka grzejna otaczajaca koloscie pret pólprzewodnikowy, która laczona jest z dysza domieszkowa. Przez dysze te zwiazek materialu domieszkowego wdmuchiwany jest bezposrednio do strefy topnienia, za pomoca strumienia gazu nosnego. Dzie.ki temu urzadzeniu juz przy jednorazowym procesie topienia strefowego udaje sie wytworzyc material pólprzewodnikowy o stalym i dajacym sie regulowac stezeniu. Domieszkowanie preta pólprzewodnikowego uzaleznione jest od strumienia gazu nosnego a urzadzenie przy stosowaniu latwych do odparowania zwiazków boru i fosforu znajduje duze zastosowanie.Celem wynalazku jest opracowanie sposobu, który umozliwi latwe i racjonalne przeprowadzanie sterowanego domieszkowania preta pólprzewodnika krystalicznego, podczas beztopnikowego strefowego topienia w atmosferze gazu obojetnego, lub w prózni przy jednoczesnym procesie topienia strefowego, przy czym wyzsze wartosci oporu wlasciwego preta, zwlaszcza wieksze niz 100 om.cm, powinny byc dokladnie nastawia I ne na calej dlugosci i powierzchni przekroju preta.Dla osiagniecia tego celu, zgodnie z wynalazkiem jako zródlo materialu domieszkowego zastosowano pret pólprzewodnika krystalicznego, uksztaltowany jako precik i zawierajacy wspomniane materialy domieszkowe, przy czym precik ten odpowiednio do zadanego stopnia domieszkowania jest przyblizony z okreslona szybkoscia przesuwu do strefy topnienia i tam wtapiany jest w pret pólprzewodnikowy.Precik domieszkowy podczas wtapiania wprawiany jest w ruch obrotowy. Dzieki temu polepsza sie rozklad materialu domieszkowego w strefie topnienia. Dla wytworzenia strefy topnienia stosuje sie indukcyjna cewke grzejna, uksztaltowana jako cewka plaska, zaopatrzona we wkladke rurowa dla doprowadzenia precika domieszkowego, eo umozliwia utrzymanie bardzo waskiej strefy topnienia.Korzystnie wedlug wynalazku stosuje sie precik domieszkowy, którego srednica miesci sie w zakresie 2-10 mm, a elektryczny opór wlasciwy w zakresie od 10"3 do 10 om.cm. Korzystnie, szybkosc przesuwu wynosi 1—10 mm/minute.Przez zastosowanie jako zródla materialu domieszkowego precika domieszkowego, który umieszczony jest przesuwuwnie po osi, domieszkowanie danego preta, przy beztopnikowym topieniu strefowym, w atmosferze gazu obojetnego Kib w prózni, moze byc regulowane w sposób umozliwiajacy dokladne dozowanie.Domieszkowanie jest zalezne od domieszkowania precika, od grubosci wzglednie przekroju poprzecznego precika i od szybkosci przesuwu precika domieszkowego.Poniewaz te trzy parametry mozna dokladnie nastawic, to równiez daje sie w prosty sposób przeprowadzic sterowane domieszkowanie preta pólprzewodnika krystalicznego.Urzadzenie wedlug wynalazku stanowi pojemnik prózniowy, zaopatrzony w otwór wlotowy i otwór wylotowy gazu, a-na dnie i w pokrywie pojemnika umieszczone sa uchwyty dla pionowego mocowania preta pólprzewodnika krystalicznego, przy czym indukcyjna cewka grzejna, pierscieniowo otaczajaca pret pólprzewodnika krystalicznego, umocowana jest za pomoca przepustów w scianie pojemnika, w której umieszczony jest gazoszczelny przewód rurowy dla wprowadzania precika domieszkowego. Przewód rurowy na zewnatrz pojemnika jest na swoim górnym koncu zamkniety i zaopatrzony w rdzen ferromagnetyczny, który polaczony jest . ze znajdujacym sie w przewodzie rurowym precikiem domieszkowym i sprzezony z umieszczonym na zewnatrz przewodu rurowego i pojemnika zabierakiem elektromagnetycznym. Dzieki tym srodkom precik domieszkowy jest umieszczony obrotowo i poosiowo przesuwnie, w kierunku strefy topnienia preta pólprzewodnika krystalicznego w przewodzie rurowym, wykonanym korzystnie z mosiadzu.Urzadzenie posiada ponadto indukcyjna cewke grzejna uksztaltowana jako cewka plaska zawie¬ rajaca wkladke wewnetrzna wykonana z metalu o wykladzinie kwarcowej i sluzaca jako uchwyt dla zamocowania precika domieszkowego. Przy produkowaniu bardzo grubych pretów pólprzewodnika krystalicznego mozliwe jest równiez uzycie indukcyjnej cewki grzejnej z uzwojeniem jedno- lub wielozwojowym z pierscieniowa wkladka wewnetrzna skladajaca sie z dwóch polówek, przebiegajaca ku srodkowi cewki94444 3 i przewidziana dla chlodzenia oraz z wkladka rurowa umieszczona w jednej z tych polówek wkladki wewnetrznej, wykonana z metalu o wykladzinie kwarcowej i sluzaca do mocowania precika domieszkowego. Ta odmiana urzadzenia jest szczególnie wazna.Wedlug wynalazku mozna równiez stosowac indukcyjna cewke grzejna, skladajaca sie z co najmniej jednego zwoju o kolowym przekroju poprzecznym, która na skrajnym uzwojeniu wewnetrznym ma uchwyt dla precika domieszkowego.We wszystkich tych wariantach wykonania urzadzenia, uchwyt lub wkladki rurowe sa wykonane z miedzi lub srebra i polaczone sa z cewka za pomoca lutu twardego.Urzadzenie wedlug wynafazku jest przedstawione w przykladzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia precik domieszkowy, naprzeciw strefy topnienia w pojemniku-w przekroju, fig. 2 przedstawia indukcyjna cewke grzejna uksztaltowana jako cewka plaska z wkladka rurowa dla precika domieszkowego.Na fig. 1 przedstawiony jest poza tym nie domieszkowany pret krystalicznego krzemu 5, ustawiony pionowo i zamocowany przy koncach w uchwytach 3 i 4, znajdujacy sie w pojemniku 2, przewidzianym dla beztopnikowego topienia strefowego. Indukcyjna cewka 6 uksztaltowana jako cewka plaska wytwarza strefe topnienia 7, z której wyprowadzany jest domieszkowany pret krystalicznego krzemu 8. W pojemniku wprowadzony jest próznioszczelny przewód rurowy 9 wykonany z mosiadzu lub stali nierdzewnej, który sluzy do doprowadzania precika domieszkowego 10 do preta krystalicznego krzemu z domieszka boru, o grubosci okolo 3 mm i elektrycznym oporze wlasciwym 1 om.cm. Precik domieszkowy 10 jest wewnatrz przewodu rurowego 9 polaczony na swoim górnym koncu z rdzeniem ferromagnetycznym 11, który jest pokryty warstwa izolacyjna 20. Ferromagnetyczny rdzen 11 jest sprzezony z zabierakiem elektromagnetycznym 12, umieszczonym na zewnatrz przewodu rurowego 9 i pojemnika 2, tak ze krzemowy precik domieszkowy moze byc doprowadzany z okreslona szybkoscia przesuwu dp strefy topnienia 7, gdzie ulega topnieniu. Poza tym precik domieszkowy 10 moze byc dodatkowo wprawiany w ruch obrotowy (patrz strzalka 13). Przy swoim dolnym koncu precik domieszkowy 10 jest przeprowadzony przez wkladke rurowa 14 wykonana z miedzi lub srebra o wykladzinie kwarcowej 19, znajdujaca sie w cewce grzejnej 6. Przewód rurowy 9 jest zamkniety gazoszczelna pokrywa 15.Na pojemniku 2 jest ponadto umieszczony manometr 16, wykazujacy panujace w pojemniku cisnienie gazu, spowodowane przeplywem gazu z nie przedstawionej na rysunku butli z argonem — przez wlot gazu 17 i wylot gazu 18. Proces ten moze równiez odbywac sie w wysokiej prózni. Przy domieszkowaniu materialami domieszkowymi odparowujacymi w prózni (na przyklad fosforem) nalezy uwzglednic wskaznik odparowania.Jesli na przyklad chodzi o uzyskanie pretu krystalicznego krzemu z domieszkowaniem boru, odpowiadajacym elektrycznemu oporowi wlasciwemu okolo 140 om.cm, nalezy uzyc precika krzemowego o srednicy 3 mm, który wykazuje domieszkowanie boru o wartosci 1 om.cm. Precik ten jest wtapiany w strefe topnienia bezdomieszkowego wysokoomowego pretu krystalicznego krzemu o srednicy 50 mm i opornosci p2000 om.cm. z szybkoscia przesuwu 6 mm/minute, a szybkosc ciagnienia podczas beztopnikowego topnienia strefowego nastawia sie na 3 mm/minute. Z objetosci roztopionego zapasowego preta krzemowego (6 cm3) na minute i ciezaru roztopionego krzemowego precika domieszkowego (42 mm3) na minute, obliczony wskaznik rozcienczenia przedstawia sie nastepujaco: -6^140 Osiagniete domieszkowanie wynosi wiec okolo 140 om.cm. Dla beztopnikowego topienia strefowego obowiazuja dla atmosfery gazu obojetnego i predkosci katowej mocowan powszechnie stosowane parametry.Precik moze byc równiez domieszkowany fosforem i arsenem., Figura 2 przedstawia w powiekszeniu indukcyjna cewke grzejna 6 uksztaltowana jako cewka plaska z przytwierdzona za pomoca lutowania twardego wkladka rurowa 14 z miedzi lub srebra, zaopatrzona w wykladzine kwarcowa 19. PL
Claims (13)
- Zastrzezenia patentowe 1. Sposób sterowanego wprowadzania materialów domieszkowych do pólprzewodników krystalicznych przy beztopnikowym strefowym topieniu preta pólprzewodnika krystalicznego znajdujacego sie w pojemniku, zamocowanego na swoich obu koncach, w którym strefa topnienia jest wytwarzana przez indukcyjna cewke grzejna otaczajaca pret pólprzewodnikowy, a material domieszkowy zostaje doprowadzony bezposrednio do strefy topnienia, znamienny tym, ze jako zródlo materialu domieszkowego stosuje sie pret4 94 444 pólprzewodnika krystalicznego, uksztaltowanego jako precik, zawierajacy materialy domieszkowe, przy czym odpowiednio do zadanego stopnia domieszkowania precik ten jest przyblizany z okreslona szybkoscia przesuwu do strefy topnienia i wtapiany jest w pret pólprzewodnikowy przy czym precik domieszkowy przy wtapianiu wprawia sie w ruch obrotowy.
- 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze dla wytworzenia strefy topnienia uzywa sie indukcyjnej cewki grzejnej uksztaltowanej jako cewka plaska, a dla doprowadzenia precika domieszkowego, zaopatrzone we wkladke rurowa.
- 3. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze stosuje sie precik domieszkowy, którego srednica miesci sie w granicach 2—10 mm.
- 4. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze stosuje sie precik domieszkowy o elektrycznej opornosci wlasciwej w granicach od 10"3 do 10om.cm. \
- 5. Sposób wedlug zastrz. 1 lub 2, znamienny tym, ze szybkosc przesuwu precika domieszkowego wynosi 1—10 mm/minute.
- 6. Urzadzenie do sterowanego wprowadzania materialów domieszkowych do pólprzewodników krystalicznych przy beztopnikowym topieniu strefowym, znamienny tym, ze stanowi je zaopatrzony w otwór wlotowy (17) i otwór wylotowy (18) gazu, pojemnik prózniowy (2), w którego pokrywie i na dnie umieszczone sa uchwyty (3, 4) dte pionowo mocowanego preta pólprzewodnika krystalicznego (5), pierscieniowo otoczonego indukcyjna cewka grzejna (6), która jest przymocowana za pomoca przepustów w scianie pojemnika (2), w której umieszczony jest gazoszczelny przewód rurowy (9) dla doprowadzania precika - domieszkowego (10), przy czym przewód rurowy (9) jest poza pojemnikiem (2) na swoim górnym koncu zamkniety i zaopatrzony w rdzen ferromagnetyczny (11), który jest polaczony ze znajdujacym sie w przewodzie rurowym (9) precikiem (tO) i sprzezony z zabierakiem elektromagnetycznym (12) umieszczonym na zewnatrz pojemnika (2) przewodu rurowego*(9}.
- 7. Urzadzenie wedlug zastrz. 6, znamienne tym, ze przewód rurowy (9) dla doprowadzania precika domieszkowego (10) wykonany jest z metalu antymagnetycznego.
- 8. Urzadzenie wedlug zastrz. 7. znamienne tym, ze posiada elementy, dzieki którym precik domieszkowy (10) wewnatrz przewodu rurowego (9) jest obrotowo i osiowo przesuwny.
- 9. Urzadzenie wedlug zastrz, 7, znamienne tym, ze indukcyjna cewka grzejna (6) uksztaltowana jako cewka plaska zawiera wykonana z metalu wkladke rurowa z wykladzina kwarcowa (9) sluzaca jako mocowanie dla precika domieszkowego (10).
- 10. Urzadzenie wedlug zastrz. 7, znamienne tym, ze ma indukcyjna cewke grzejna (6) z uzwojeniem jedno- kib wietozwojowym z pierscieniowa wkladka wewnetrzna skladajaca sie z dwóch polówek, przebiegajaca ku srodkowi cewki (6) przewidziana do chlodzenia oraz z wkladka rurowa (14) umieszczona w jednej z tych polówek wkladki wewnetrznej, wykonana z metalu o wykladzinie kwarcowej, i sluzaca jako mocowanie dla precika domieszkowego (10).
- 11. Urzadzenie wedlug zastrz. 7, znamienne tym, ze ma indukcyjna cewke grzejna (6) skladajaca sie z co najmniej jednego zwoju o kolowym przekroju poprzecznym oraz z mocowaniem dla precika domieszkowego (10) na skrajnym uzwojeniu wewnetrznym.
- 12. Urzadzenie wedlug zastrz. .7, znamienne tym, ze uchwyty mocujace (3, 4) i wkladka rurowa (14) w cewce (6) wykonane sa z miedzi lub srebra.
- 13. Urzadzenie wedlug zastrz. 12, znamienne tym, ze uchwyty mocujace (3,4) lub wkladka rurowa (14) polaczona jest z cewka (6) za pomoca lutu twardego.94 444 Fig.2 2U PL
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2338338A DE2338338C3 (de) | 1973-07-27 | 1973-07-27 | Vorrichtung zum Dotieren beim tiegelfreien Zonenschmelzen eines Halbleiterkristallstabes |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL94444B1 true PL94444B1 (pl) | 1977-08-31 |
Family
ID=5888218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL1974173065A PL94444B1 (pl) | 1973-07-27 | 1974-07-27 | Sposob sterowanego wprowadzania materialow domieszkowych do polprzewodnikow krystalicznych i urzadzenie do sterowanego wprowadzania materialow domieszkowych do polprzewodnikow krystalicznych |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3954416A (pl) |
| JP (1) | JPS55357B2 (pl) |
| BE (1) | BE811117A (pl) |
| DD (1) | DD112357A5 (pl) |
| DE (1) | DE2338338C3 (pl) |
| DK (1) | DK399374A (pl) |
| GB (1) | GB1430883A (pl) |
| IT (1) | IT1017430B (pl) |
| PL (1) | PL94444B1 (pl) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2514824A1 (de) * | 1975-04-04 | 1976-10-14 | Siemens Ag | Verfahren zum gezielten einbringen von dotierungsstoffen in halbleiterkristallen beim tiegelfreien zonenschmelzen |
| DE2538812A1 (de) * | 1975-09-01 | 1977-03-03 | Wacker Chemitronic | Verfahren zum dotieren von halbleiterstaeben |
| GB1542868A (en) * | 1975-11-14 | 1979-03-28 | Siemens Ag | Production of phosphorus-doped monocrystalline silicon rods |
| US4094730A (en) * | 1977-03-11 | 1978-06-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Method for fabrication of high minority carrier lifetime, low to moderate resistivity, single crystal silicon |
| DE2953764C2 (de) * | 1979-07-12 | 1987-06-25 | Sankyo Dengyo Kk | Vorrichtung zur Lieferung einer konstanten Strömungsmenge |
| US4270972A (en) * | 1980-03-31 | 1981-06-02 | Rockwell International Corporation | Method for controlled doping semiconductor material with highly volatile dopant |
| JPS5752405U (pl) * | 1980-09-11 | 1982-03-26 | ||
| US4556448A (en) * | 1983-10-19 | 1985-12-03 | International Business Machines Corporation | Method for controlled doping of silicon crystals by improved float zone technique |
| JPS60137891A (ja) * | 1983-12-24 | 1985-07-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体単結晶引き上げ方法と装置 |
| DE3518073A1 (de) * | 1985-05-20 | 1986-11-20 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Anordnung zum dotieren von halbleiterstaeben mit festen dotierstoffen |
| DE3806918A1 (de) * | 1988-03-03 | 1989-09-14 | Leybold Ag | Vorrichtung zum ziehen von einkristallen |
| US20130000545A1 (en) * | 2011-06-28 | 2013-01-03 | Nitride Solutions Inc. | Device and method for producing bulk single crystals |
| TWI684680B (zh) | 2013-09-04 | 2020-02-11 | 奈瑞德解決方案公司 | 體擴散長晶法 |
| CN105177698A (zh) * | 2015-10-19 | 2015-12-23 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种区熔气掺单晶用吹气线圈 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2851341A (en) * | 1953-07-08 | 1958-09-09 | Shirley I Weiss | Method and equipment for growing crystals |
| NL98843C (pl) * | 1956-07-02 | |||
| US3607109A (en) * | 1968-01-09 | 1971-09-21 | Emil R Capita | Method and means of producing a large diameter single-crystal rod from a polycrystal bar |
| US3494742A (en) * | 1968-12-23 | 1970-02-10 | Western Electric Co | Apparatus for float zone melting fusible material |
-
1973
- 1973-07-27 DE DE2338338A patent/DE2338338C3/de not_active Expired
-
1974
- 1974-02-15 BE BE140988A patent/BE811117A/xx unknown
- 1974-04-22 GB GB1747574A patent/GB1430883A/en not_active Expired
- 1974-07-11 US US05/487,390 patent/US3954416A/en not_active Expired - Lifetime
- 1974-07-24 IT IT25551/74A patent/IT1017430B/it active
- 1974-07-24 DK DK399374A patent/DK399374A/da unknown
- 1974-07-25 DD DD180125A patent/DD112357A5/xx unknown
- 1974-07-26 JP JP8593274A patent/JPS55357B2/ja not_active Expired
- 1974-07-27 PL PL1974173065A patent/PL94444B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IT1017430B (it) | 1977-07-20 |
| BE811117A (fr) | 1974-05-29 |
| DD112357A5 (pl) | 1975-04-12 |
| DE2338338A1 (de) | 1975-02-13 |
| JPS5045569A (pl) | 1975-04-23 |
| DE2338338C3 (de) | 1979-04-12 |
| DE2338338B2 (de) | 1978-08-03 |
| DK399374A (pl) | 1975-04-07 |
| GB1430883A (en) | 1976-04-07 |
| JPS55357B2 (pl) | 1980-01-07 |
| US3954416A (en) | 1976-05-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| PL94444B1 (pl) | Sposob sterowanego wprowadzania materialow domieszkowych do polprzewodnikow krystalicznych i urzadzenie do sterowanego wprowadzania materialow domieszkowych do polprzewodnikow krystalicznych | |
| US10294583B2 (en) | Producing method and apparatus of silicon single crystal, and silicon single crystal ingot | |
| US2893847A (en) | Apparatus for preparing rod-shaped, crystalline bodies, particularly semiconductor bodies | |
| AU592922B2 (en) | Apparatus for growing shaped single crystals | |
| US5314667A (en) | Method and apparatus for single crystal silicon production | |
| CZ283337B6 (cs) | Přívodní trubice pro dodávku reagující složky do plazmového hořáku | |
| JP2004514634A (ja) | 石英融解炉及び石英製品の製造方法 | |
| CN112830492B (zh) | 一种制备碳化硅粉料的装置及方法 | |
| US20070056504A1 (en) | Method and apparatus to produce single crystal ingot of uniform axial resistivity | |
| US6402840B1 (en) | Crystal growth employing embedded purification chamber | |
| JP2013129551A (ja) | 単結晶製造装置及び単結晶製造方法 | |
| US5006317A (en) | Process for producing crystalline silicon ingot in a fluidized bed reactor | |
| US4565600A (en) | Processes for the continuous preparation of single crystals | |
| JPH11314996A (ja) | 結晶の製造方法及び製造装置 | |
| US3351433A (en) | Method of producing monocrystalline semiconductor rods | |
| US3582287A (en) | Seed pulling apparatus having diagonal feed and gas doping | |
| US3119778A (en) | Method and apparatus for crystal growth | |
| KR102769527B1 (ko) | ｎ형 도펀트로 도핑된 실리콘 단결정의 제조 방법 및 제조 장치 | |
| US3558376A (en) | Method for controlled doping by gas of foreign substance into semiconductor materials | |
| US2965456A (en) | Process for crystalline growth employing collimated electrical energy | |
| US3055741A (en) | Method for producing silicon | |
| US3296036A (en) | Apparatus and method of producing semiconductor rods by pulling the same from a melt | |
| EP0405360A1 (en) | Method for manufacturing alloy rod having giant magnetostriction | |
| US3908586A (en) | Apparatus for doping semiconductor rods during floating zone melt processing thereof | |
| US3293001A (en) | Process and apparatus for producing elongated, particularly tape-shaped semiconductor bodies from a semiconductor melt |