PL93088B2 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL93088B2
PL93088B2 PL170860A PL17086074A PL93088B2 PL 93088 B2 PL93088 B2 PL 93088B2 PL 170860 A PL170860 A PL 170860A PL 17086074 A PL17086074 A PL 17086074A PL 93088 B2 PL93088 B2 PL 93088B2
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
strain gauge
piezoresistors
square
sensitivity
contacts
Prior art date
Application number
PL170860A
Other languages
English (en)
Other versions
PL93088B1 (pl
Inventor
Polowczyk Michal
Skupny Lechoslaw
Original Assignee
Politechnika Gdanska
Filing date
Publication date
Application filed by Politechnika Gdanska filed Critical Politechnika Gdanska
Priority to PL170860A priority Critical patent/PL93088B2/pl
Publication of PL93088B1 publication Critical patent/PL93088B1/xx
Publication of PL93088B2 publication Critical patent/PL93088B2/pl

Links

Description

*** 1 Twórcywynalazku: Michal Polowczyk, Lechoslaw Skupny Uprawniony z patentu tymczasowego: Politechnika Gdanska, Gdansk (Polska) Pólprzewodnikowy tensometr cienkowarstwowy Przedmiotem wynalazku jest pólprzewodnikowy tensometr cienkowarstwowy. Tensometr moze sluzyc jako czujnik przetwarzajacy wielkosci mechaniczne na sygnal elektryczny w przetwornikach drgan, cisnienia, sily, przyspieszenia, itp.Znane sa piezorezystancyjne tensometry pólprzewodnikowe stanowiace cienka warstwe pólprzewodnika o strukturze polikrystalicznej. Warstwa ta stanowi pojedynczy piezorezystor, którego przyrost rezystancji zalezy od odksztalcenia. Zmiana rezystancji cienkowarstwowego piezorezystora pod wplywem mierzonego odksztalcenia zamieniana jest nastepnie na prad lub napiecie elektryczne wzmacniacza w dodatkowej aparaturze zewnetrznej.Wada opisywanego rozwiazania jest stosunkowo niska czulosc przetwornika zawierajacego pojedynczy piezorezystor przy jednoczesnie duzej wrazliwosci tensometru na zmiany temperatury. Wymaga to stosowania skomplikowanych elektronicznych ukladów kompensacji wplywu zmian temperatury.Celem wynalazku jest opracowanie pólprzewodnikowego tensometru, który charakteryzuje sie wieksza czuloscia przetwarzania oraz mniejsza wrazliwoscia na zmiany temperatury. Cel ten zostal osiagniety poprzez zastosowanie jednoczesnie wytworzonych czterech jednakowych germanowych piezorezystorów, które umieszczone sa na podlozu wzdluz boków kwadratu. Piezorezystory polaczone sa w mostek Wheatstone'a, którego wyprowadzenia elektryczne stanowia kontakty umieszczone w wierzcholkach kwadratu. Kontakty naprzeciwlegle stanowia parami wejscie i wyjscie tensometru.Zaleta rozwiazania wedlug wynalazku jest uzyskanie wiekszej czulosci przetwarzania przy jednoczesnym zminimalizowaniu wrazliwosci tensometru na zmiany temperatury. Piezorezystory tensometru posiadaja identyczne parametry termiczne, bowiem wytworzono je jednoczesnie w tym samym cyklu. Umozliwia to skuteczna kompensacje wplywu zmian temperatury droga polaczenia w mostek Wheastone'a. Czulosc przetwarzania ulega zwiekszeniu i jest równa sredniej arytmetycznej modulów poprzecznego i wzdluznego wspólczynnika czulosci tensometrycznej.2 93 088 Przedmiot wynalazku pokazany jest w przykladzie wykonania na rysunku przedstawiajacym schemat konstrukcyjny pólprzewodnikowego tensometru cienkowarstwowego. Na dielektrycznym podlozu D rozmieszczone sa wzdluz boków kwadratu cztery jednakowe germanowe piezorezystory R1, R2, R3, R4 wytworzone jednoczesnie droga naparowania w prózni. Wyprowadzenia elektryczne piezorezystorów R1f R2, R3, R4 stanowia kontakty K1, K2, K3, K4 umieszczone w wierzcholkach kwadratu. Piezorezystory R1, R2, R3, R4 tworza mostek Wheatston'a. Wejscie i wyjscie tensometru stanowia pary naprzeciwleglych kontaktów K1, K3 oraz K2, K4.Jezeli dodatnie odksztalcenie ma kierunek x wówczas piezorezystory R1, R3 doznaja dodatnich przyrostów rezystancji zas piezorezystory R2, R4 ujemnych przyrostów rezystancji. Wywoluje to na wyjsciu tensometru napiecie proporcjonalne do wzglednego odksztalcenia. Wspólczynnikiem proporcjonalnosci jest iloczyn napiecia wejsciowego przez wartosc modulów poprzecznego i wzdluznego wspólczynnika czulosci tensometrycznej piezorezystorów R1, R2, R3, R4.Zmiana temperatury powoduje jednakowe przyrosty rezystancji piezorezystorów R1, R2, R3, R4 i w efekcie kompensacje tych przyrostów w sygnale wyjsciowym. PL

Claims (1)

1. Zastrzezeniepatentowe Pólprzewodnikowy tensometr cienkowarstwowy wykorzystujacy efekt piezorezystancyjny, znamienny tym, ze jednoczesnie wytworzone cztery jednakowe piezorezystory (R1, R2, R3, R4) umieszczone sa na podlozu (Di wzdluz boków kwadratu oraz polaczone sa w mostek Wheatstone'a którego wyprowadzeniami elektrycznymi sa kontakty (K1, K2, K3, K4) umieszczone w wierzcholkach kwadratu i tworzace naprzeciwleglymi parami wejscie i wyjscie tensometru. K1 R1 K2 Prac. Poligraf. UP PRL naklad 120+18 Cena 10 zl PL
PL170860A 1974-05-06 PL93088B2 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL170860A PL93088B2 (pl) 1974-05-06

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL170860A PL93088B2 (pl) 1974-05-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL93088B1 PL93088B1 (pl) 1977-05-30
PL93088B2 true PL93088B2 (pl) 1977-05-31

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0311695B1 (en) Force and moment detector using resistor
US6185814B1 (en) Method of manufacturing a sensor detecting a physical action as an applied force
US3665756A (en) Strain gauge temperature compensation system
CN106500902B (zh) 一种具有自解耦功能的应变式多维力传感器
CN110132477A (zh) 一种六维力传感器的解耦方法及六维力传感器
CN1055060A (zh) 集成复合传感器以及使用该集成复合传感器的静压和差压传送器及设备系统
US3290928A (en) Temperature compensated strain gage and circuit
CN106768523A (zh) 一种压力机吨位测量方法及其装置
CN103196526B (zh) 具有偏载隔离功能的测力称重传感器及其隔离测量方法
US4414837A (en) Apparatus and methods for the shunt calibration of semiconductor strain gage bridges
CN106382977A (zh) 一种提高汽车衡准确度的温度补偿方法
CN103995151A (zh) 复合八梁高频响加速度传感器芯片
GB859630A (en) Weighing apparatus
CN120947866A (zh) 一种温度自补偿惠斯通电桥结构
PL93088B2 (pl)
CN103995149A (zh) 孔缝八梁式加速度传感器芯片
CN217211068U (zh) 一种采用星型电桥的称重测力传感器
US3460378A (en) Strain gauge measuring techniques
US20240328876A1 (en) Sputtering thin film six-dimensional force sensor elastomer structure based on improved cross beam
CN218973691U (zh) 用于电力行业双桥差分一维传感器
SU991315A1 (ru) Четырехплечий измерительный мост
SU682755A1 (ru) Тензорезисторное устройство
SU143584A1 (ru) Динамометр с применением призматического силовоспринимающего элемента
SU1087786A1 (ru) Тензометрическое устройство
SU1157346A1 (ru) Тензорезисторный датчик