Przedmiotem wynalazku jest uklad clo kompensacji temperaturowej generatorów kwarcowych majacy szczególnie zastosowanie w aparaturze pomiarowej oraz radio i telekomunikacji.W znanym ukladzie kompensujacym zastosowano prosty jednotermistorowy dzielnik napiecia sterujacy wartoscia pojemnosci diody przestrajajacej generator. Zaleznosc napieciowo-temperaturowa wytwarzana przez ten uklad ma charakter monotoniczny, a jej przebieg w funkcji temperatury jest zblizony do linii prostej.W innym znanym ukladzie zastosowano dodatkowo diody poziomujace, które modyfikuja-przebieg napiecia na wyjsciu dzielnika rezystorowo-termistorowego. Tak zmodyfikowana funkcja kompensujaca zlozona jest z trzech odcinków linii prostych o róznych nachyleniach. Zaleznosc ta nalezy takze do klasy funkcji monotonicznych. Podstawowa wada opisanych ukladów jest stosunkowo mala dokladnosc kompensacji w przypadku kompensowania generatorów z rezonatorami o charakterystykach niemonotonicznych, które sa typowymi dla powszechnie stosowanych rezonatorów ciecia AT.Inny uklad kompensujacy zlozony z dwóch prostych jednotermistorowych dzielników napiecia, których wyjscia polaczone sa poprzez wtórniki emiterowe z bazami czterech tranzystorów wzmacniajacych, oraz kolektory tych tranzystorów polaczone sa do wspólnego rezystora obciazenia, realizuje funkcje kompensujaca o jednym ekstremum. Zasada dzialania ukladu polega na sumowaniu napiec na wspólnym rezystorze obciazenia o róznych kierunkach i wartosciach nachylen w funkcji temperatury. Napiecia te pochodza z wyjsc czterech wzmacniaczy tranzystorowych o regulowanym wzmocnieniu. Uklad ten zapewnia duza dokladnosc kompensacji charakterystyk rezonatorów o jednym ekstremum. Wadami opisanego ukladu sa zlozonosc budowy oraz duza liczba elementów dobieranych, co stanowi o pracochlonnosci procesu kompensacji.Celem wynalazku jest uproszczenie ukladu kompensujacego oraz procesu kompensacji temperaturowej generatorów kwarcowych o stalosci czestotliwosci rzedu 1 X 10"6 w szerokim zakresie temperatur.Zadaniem wynalazku jest opracowanie ukladu kompensujacego temperaturowe zmiany czestotliwosci generatorów kwarcowych z dokladnoscia rzedu 1 X 10"6 w szerokim zakresie temperatur, o malej liczbie elementów a w szczególnosci elementów dobieranych w procesie kompensacji.W ukladzie wedlug wynalazku anoda diody pojemnosciowej polaczona jest poprzez rezystor z kolektorem2 89714 tranzystora oraz kolektor tranzystora polaczony jest poprzez rezystor z wyjsciem dzielnika napiecia, który to dzielnik jest zasilany przez zródlo napiecia stalego. Emiter tranzystora polaczony jest poprzez rezystor z wyjsciem dzielnika napiecia, który to dzielnik jest zasilany przez zródlo napiecia. Saza tranzystora polaczone jest poprzez rezystor z wyjsciem dzielnika napiecia, który to dzielnik jest zasilany przez zródlo napiecia oraz baza tranzystora polaczona jest poprzez termistor z wyjsciem dzielnika napiecia, który to dzielnik jest zasilany przez zródlo napiecia, Przedmiot wynalazku jest uwidoczniony w przykladzie wykonania na rysunku, na którym % 1 przedstawia schemat elektryczny ukladu, zas fig. 2 przebieg zaleznosci kompensujacej w postaci napiecia polaryzujacego diode pojemnosciowa w funkcji temperatury.W ukladzie wedlug wynalazku zlozonym z ukladu kompensujacego i ukladu wzbudzajacego UW jednotermistorowy dzielnik napiecia zlozony z rezystora R3 i termistora RTY wytwarza na swym wyjsciu monotoniczna zaleznosc napiecia od temperatury, która steruje poprzez rezystor R4 wartoscia pojemnosci diody D. Drugi dzielnik rezystorowo-termistorowy zlozony z rezystora Ri2 i termistora Rf2 takze wytwarza monotoniczna zaleznosc napiecia od temperatury, która podawana jest na baze tranzystora T. Zmiany napiecia na bazie tranzystora T wzmacniane sa na kolektorze tego tranzystora w zakresie napiec wejsciowych, a wiec i temperatur, dla których zlacze baza-emiter tranzystora T spolaryzowane jest w kierunku przewodzenia. Zakres temperatur, dla których tranzystor T pracuje jako wzmacniacz mozna regulowac wartoscia napiecia polaryzuja¬ cego emiter tego tranzystora. Tak wiec w zakresie temperatur, w którym tranzystor T jest spolaryzowany zaporowo, generator jest przestrajany napieciem monotonicznym w funkcji temperatury.W zakresie temperatur, w którym tranzystor T pracuje jako wzmacniacz, na diode dziala suma napiec zmiennych w funkcji temperatury pochodzacych od wspomnianego dzielnika oraz z kolektora tranzystora T.Napiecia te sumujac sie na diodzie pojemnosciowej D tworza przebieg z jednym ekstremum przedstawiony na fig. 2.< Dzielnik rezystorowy Ri i R2 sluzy do regulacji nachylenia funkcji napieciowo-temperaturowej realizowa¬ nej przez dzielnik R3 Ryj. Dzielnik rezystorowy R10 i Rn sluzy do regulacji momentu przejscia tranzystora T od stanu zaporowego do stanu pracy jako wzmacniacza. Dzielnik rezystorowy R7 i R8 sluzy do okresowego dostrajania generatora poprzez regulacje napiecia polaryzujacego diode D. Dzielniki rezystorowe R13 i R14 oraz Ri 5 i Ri6 sluza do ustalenia odpowiedniego napiecia zasilajacego dzielnik Ri2 i Rj2 decydujacego o nachyleniu zaleznosci napieciowo-temperaturowej wytwarzanej przez ten dzielnik.Kompensacja generatora za pomoca ukladu wedlug wynalazku dzieli sie na dwa etapy.W pierwszym etapie mierzone sa jednoczesnie w trzech temperaturach, odpowiadajacych koncom i srodkowi odcinka monotonicznego funkcji kompensowanej, wartosci rezystancji termistora Rji, oraz wartosci napiec polaryzujacych diode D, dla których czestotliwosc generatora równa jest pozadanej. Dane te sluza do obliczen rezystorów Ri, R2 i R3.W drugim etapie calkowicie zmontowany generator za wyjatkiem rezystorów R9 i Ri 1 zostaje umiesz¬ czony w komorze temperaturowej. Nastepnie w temperaturach odpowiadajacych ekstremum i minimalnej tempe¬ raturze kompensacji, dobierane sa doswiadczalne wartosci rezystorów R9 i Rn. Wartosc rezystora R9 decyduje bowiem o wzmocnieniu tranzystora T, modyfikujac nachylenie opadajacej czesci wykresu na fig. 2, wartosc rezystora Rn reguluje natomiast polozenie ekstremum funkcji kompensujacej poprzez zmiane napiecia polaryzujacego zaporowo emiter tranzystora T. PL