PL89302B1 - - Google Patents

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób wykonywa¬ nia zlacza p-n w strukturach elektroluminescencyj¬ nych zwlaszcza diodach swiecacych w pasmie wi¬ dzialnym.

W dotychczas stosowanych technologiach zlacza p-n wykonane byly przez nakladanie warstw epi¬ taksjalnych na cala powierzchnie plytki podloza.

Nastepnie po wykonaniu kontaktów plytke dzieli sie na elementy dyskretne. Jako material wyjscio¬ wy dla wykonania struktur stosuje sie zwiazek ty¬ pu Am—Bv (np. GaP), w którym wytwarza sie zlacza p-n. W diodach elektroluminescencyjnych stosuje sie równiez zlacze p-n wykonane na zwiaz¬ kach potrójnych (np. Ga^A^As). Niedogodnoscia dotychczas stosowanego sposobu jest brak mozli¬ wosci dokonania integracji elementów dyskretnych w jedna strukture monolityczna.

W celu umozliwienia integracji struktur opraco¬ wano sposób wedlug wynalazku wykorzystujac se¬ lektywny wzrost epitaksjalny z fazy cieklej.

Zgodnie z wynalazkiem na podloza stosuje sie zwiazek typu Am—Bm, który pokrywa sie warstwa pasywujaca, w której wytrawia sie okna o okresr lonym ksztalcie. Przygotowana plytke poddaje sie procesowi epitaksji z fazy cieklej, podczas którego najpierw nastepuje rozpuszczenie czesci podloza nie zamaskowanego, po czym nastepuje wzrost warstw tworzacych zlacze p-n.

Nakladanie warstw odbywa sie w jednym pro¬ cesie selektywnego wzrostu epitaksjalnego. Obszar zajmowany przez warstwy epitaksjalne jest obsza¬ rem aktywnym diody elektroluminescencyjnej.

Zlacze p-n znajduje sie wewnatrz obszaru aktyw¬ nego.

Zaleta sposobu wykonywania zlacza p-n wedlug wynalazku jest to, ze diody wykonane na tej sa¬ mej plytce podloza sa odizolowane miedzy soba a zastosowanie kontaktów planarnych pozwala na zintegrowanie w jedna strukture monolityczna.

Strukture mozna wytworzyc badz na materiale przewodzacym albo w przypadku gdy zachodzi ko¬ niecznosc pelnego odizolowania poszczególnych struktur mozna stosowac jako podloze — material pólizolacyjny.

Przyklad wynalazku zostanie objasniony w opar¬ ciu o rysunek, na którym przedstawiono zlacze dio¬ dy elektroluminescencyjnej. Na podloze pólizolujace GaAs 1 naniesiona jest warstwa pasywujaca S102 2, w której za pomoca fotolitografii wykonane sa okna. W oknach tych przez zastosowanie procesu selektywnej epitaksji otrzymano strukture n Ga!-xAlxAs 3 oraz p Ga1-xAlxAs 4.

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób wykonywania zlacza p-n w strukturach elektroluminescencyjnych, zwlaszcza w diodach swiecacych w pasmie widzialnym, znamienny tym, ze stosuje sie wzrost warstw pólprzewodnikowych zwiazku zlozonego lub prostego na podlozu zwiazku 89 30289 302 prostego w procesie selektywnego wzrostu epitak¬ sjalnego z fazy cieklej, przy czym w obszarze se¬ lektywnie rozpuszczanego podloza wytwarza sie w tym samym procesie co najmniej dwie warstwy tworzace strukture zlaczowa, a zlacze p-n znajduje sie w obrebie tego samego obszaru. RSW Zakl. Graf. W-wa, Srebrna 16, z. 65-77/0 — 12U egz. Cena 10 zl