PL85520B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL85520B1 PL85520B1 PL1973163447A PL16344773A PL85520B1 PL 85520 B1 PL85520 B1 PL 85520B1 PL 1973163447 A PL1973163447 A PL 1973163447A PL 16344773 A PL16344773 A PL 16344773A PL 85520 B1 PL85520 B1 PL 85520B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- glass
- silicon
- silicon carbide
- fused
- component
- Prior art date
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 88
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 62
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 61
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 61
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 44
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 44
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 claims description 3
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 abstract description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 230000004927 fusion Effects 0.000 abstract description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 abstract description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- -1 aluminum-boron-silicon Chemical compound 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTCGUJFWSLMVSH-UHFFFAOYSA-N chloroform;silicon Chemical compound [Si].ClC(Cl)Cl RTCGUJFWSLMVSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-VVKOMZTBSA-N Dideuterium Chemical compound [2H][2H] UFHFLCQGNIYNRP-VVKOMZTBSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000002144 chemical decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- KTQYJQFGNYHXMB-UHFFFAOYSA-N dichloro(methyl)silicon Chemical group C[Si](Cl)Cl KTQYJQFGNYHXMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 150000002611 lead compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 239000005055 methyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 239000005048 methyldichlorosilane Substances 0.000 description 1
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 150000004980 phosphorus peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
- C04B37/04—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with articles made from glass
- C04B37/042—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating with articles made from glass in a direct manner
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C27/00—Joining pieces of glass to pieces of other inorganic material; Joining glass to glass other than by fusing
- C03C27/02—Joining pieces of glass to pieces of other inorganic material; Joining glass to glass other than by fusing by fusing glass directly to metal
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/658—Atmosphere during thermal treatment
- C04B2235/6583—Oxygen containing atmosphere, e.g. with changing oxygen pressures
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/32—Ceramic
- C04B2237/36—Non-oxidic
- C04B2237/365—Silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/76—Forming laminates or joined articles comprising at least one member in the form other than a sheet or disc, e.g. two tubes or a tube and a sheet or disc
- C04B2237/765—Forming laminates or joined articles comprising at least one member in the form other than a sheet or disc, e.g. two tubes or a tube and a sheet or disc at least one member being a tube
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/78—Side-way connecting, e.g. connecting two plates through their sides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/80—Joining the largest surface of one substrate with a smaller surface of the other substrate, e.g. butt joining or forming a T-joint
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/84—Joining of a first substrate with a second substrate at least partially inside the first substrate, where the bonding area is at the inside of the first substrate, e.g. one tube inside another tube
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Joining Of Glass To Other Materials (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
- Details Of Heat-Exchange And Heat-Transfer (AREA)
- Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób gazoszczelnego la¬ czenia elementów wykonanych z krystalicznego krzemu lub weglika krzemowego.Znanejest wytwarzanie rur lub plyt z krzemu lubwegli¬ ka krzemowego. Krzem i weglik krzemowy wytrzymuja wysokie temperatury i sa w wysokim stopniu niewrazliwe na dzialanie materialów chemicznie agresywnych. Krzem wykazuje przy tym, jako jeszcze jedna wartosciowa zalete, wyrazna zdolnosc filtrowania optycznego.W przypadku gdy zachodzi potrzeba zastosowania rur lub plyt z krzemu lub weglika krzemowego, na przyklad w aparaturze chemicznej lub prózniowej albo tez w urza¬ dzeniach optyczno-elektronicznych, powslaje jednak pro¬ blem gazo- lub próznioszczelnego polaczenia tych elemen¬ tów z innymi czesciami wspomnianych urzadzen. Dotych¬ czas znane jest stosowanie w tym celu przede wszystkim polaczen silowych wzglednie ksztaltowych.Do polaczen silowych zaliczaja sie polaczenia wyposa¬ zone w material uszczelniajacy znajdujacy sie pod na- skiem, na przyklad w gume lub tworzywo sztuczne. Do polaczen silowo-ksztaltowych mozna natomiast zaliczyc szlifowane powierzchnie stozkowe, wymagajace w wie¬ kszosci przypadków dodatkowego uszczelnienia za pomo¬ ca srodków o charakterze tluszczowym.Wreszcie, polaczenia czysto ksztaltowe uzyskuje sie na przyklad przez oblanie polaczenia cieklym tworzywem sztucznym, które nastepnie ulega stwardnieniu. Zadne z wymienionych polaczen nie spelnia jednakze warunku jednoczesnej szczelnosci i odpornosci na wysokietempera¬ tury. Wiele z tych polaczen nie moze przy tym byc podda¬ lo wanych obciazeniom mechanicznym, zwlaszcza przy wy¬ sokich temperaturach, gdyz wplywa to ujemnie na. ieh szczelnosc. Oprócz wyzej wspomnianych, znane sa tez polaczenia uzyskiwane droga zatopienia, zaspawania, lub zalutowania, lecz nie znalazly one zastosowania w przy¬ padku krzemu lub weglika krzemowego.Celem wynalazku jest opracowanie sposobu wytwarza¬ nia polaczenia gazoszczelnego elementów, a zarazem daja¬ cego sie obciazac mechanicznie, które to polaczenie nie wykazywaloby wad znanych dotychczas polaczen.Zadanie powyzsze zgodnie z wynalazkiem zostalo roz¬ wiazane w ten sposób, ze do elementu wykonanego z krze¬ mu lub weglika krzemowego dotapia sie element szklany, którego wspólczynnik rozszerzalnosci cieplnej rózni sie w zakresie do 300°C od wspólczynnika rozszerzalnosci cieplnej krzemu lub weglika krzemowego o nie wiecej niz +20%.Jako elementy szklane stosuje sie korzystnie elementy ze szkla borowo-krzemowego. Do laczenia z elementami krzemowymi nadaja sierówniezelementy szklane ze szkla glinowo-borowo-krzemowego. W przypadku gdy zarówno dany element jak i elementszklany ma postac rury, mozna rure szklana dotopic czolowo do rury szklanej. Taostatnia moze jednak zostac równiez dotopiona od zewnatrzalbood wewnatrz rury krzemowej, wzglednie rury z weglika krze¬ mowego.Jezeli element krzemowy lub z weglika krzemowego ma postac plyty, a element szklany postac rury, to element szklany mozna dotopic zarówno do krawedzi, jak i do jednej z plaskich powierzchni tego elementu plytowego. 8552085520 3 Jest przy tym rzecza korzystna, gdy element krzemowy zostaje stopiony z elementem szklanym przy uzyciu plo¬ mienia utleniajacego. Dotopienie elementu szklanego mo¬ ze jednak odbywac sie takze za pomoca ciepla wytworzo¬ nego elektrycznie. Zaleca sie aby element krzemowy lub z weglika krzemu zostal przed dotopieniem elementu szklanego powleczony masa szklana o takim samym skla¬ dzie.Ze znanej techniki zatapiania szklem elementów meta¬ lowych wiadomo, ze musi byc w niej spelniony warunek, w mysl którego wspólczynniki rozszerzalnosci cieplnej metalu zjednej iszkla zdrugiej strony, moga siewzajemnie róznic, w najgorszym przypadku, najwyzej o ±10%.Wieksze odchylenie wspólczynnika rozszerzalnosci jest dopuszczalne jedynie wtedy, gdy szklo wskutek tego pod¬ dane jest naprezeniusciskajacemu, albo gdyelement meta¬ lowy jest" wykon$h$ jako element sprezysty i dzieki temu moze przenosicnaprezeniewystepujace w miejscu zatopie¬ nia przy jego rozgrzewaniu lub ochladzaniu. W przypadku polaczenia wedlug wynalazku okazalo sie natomiast, i to w sposób zaskakujacyi nie dajacy sie przewidziec nawet przez fachowców w tej dziedzinie, zewynalazek umozliwil uzyskanie gazoszczelnego polaczenia krzemu lub weglika krzemowego ze szklem nawet w tych przypadkach, gdy wspólczynniki rozszerzalnosci cieplnej tych dwóch róz¬ nych materialów róznia sie miedzy soba nawet o 20% w góre lub w dól, przy czym nie zachodzi niebezpieczens¬ two zniszczenia polaczenia lub uszkodzenia z którychkol- wiek polaczonych elementów. Jest to tym bardz;ej zaska¬ kujace, ze krzem nalezy, jak wiadomo, do materialów wyjatkowo kruchych, nie wytrzymujacych odksztalcen.Na zalaczonych rysunkach uwidoczniono kilka przykla¬ dów polaczen uzyskanych sposobem wedlug wynalazku, przy czym fig. 1 do 4 przedstawiaja polaczenie elementu rurowego wykonanego z krzemu lub weglika krzemowego z elementem rurowym ze szkla, fig. 5 i 6- polaczenie plyty wykonanej z krzemu lub weglikakrzemowego z rura szkla¬ na, fig. 7- przekrój urzadzenia, w którym znajduje zasto¬ sowanie wynalazek, fig. 8 - przekrój innego urzadzenia, w którym moze byc zastosowanywynalazek, wreszciefig. 9 - przekrój jeszcze jednego urzadzenia, w którym jest moz¬ liwe zastosowanie wynalazku.Na fig. 1 oznaczono cyfra 1 element rurowy, wykonany z krzemu lub weglika krzemu, cyfra 2 zas-element rurowy wykonany ze szkla. Oba te elementy maja w przyblizeniu jednakowa srednice. Szklany element 2 zostaje dotopiony do elementu 1 za pomoca palnika 18 przez rozgrzanie elementu szklanego do wlasciwej mu temperatury topnie¬ nia. Podczas tego zabiegu tworzy sie natopione zgrubienie 3. Jest przy tym rzecza celowa, by z palnika 18 wydobywal sie plomien utleniajacy, to jest, by palnik dzialal z nadmia¬ rem tlenu. Nadmiar ten sprzyja tworzeniu sie na elemencie 1 dwutlenku krzemu, który z kolei wplywa korzystnie na stworzenie dobrego polaczenia pomiedzy elementem 1 a elementemszklanym 2. Poniewaz na krzemiei na wegliku krzemu, znajdujacych sie na wolnym powietrzu zawsze , obecny jest dwutlenek krzemu, mozna dotopic element -szklany do elementu 1 równiez i za pomoca ciepla wytwo¬ rzonego elektrycznie. Nalezy tu tylko unikac redukcji warstewki dwutlenku krzemu, znajdujacej sie na elemen¬ cie 1. Dotapianie elementuszklanego mozebyc na przyklad dokonane przez rozgrzanie indukcyjne, oporowe, dielek¬ tryczne, lub tez rozgrzanie droga napromieniowania.Na fig. 2 rurowy element szklany ma wieksza srednice niz rurowy element 1. Element szklany 2 zostaje tu doto- 4 piony, na przyklad za pomoca plomienia utleniajacego, do zewnetrznej powierzchni elementu rurowego 1. Miejsce dotopienia jest i tutaj oznaczone cyfra 3.Na fig. 3 i 4 ma rurowy element szklany 2 znacznie wieksza, wzglednie znacznie mniejsza srednice niz rurowy element 1. Rurowy element szklany zostaje wtym przypad¬ ku dotopiony od zewnatrz, wzglednie od wewnatrz, do scianki elementu rurowego 1, bedac do niej doprowadzo¬ nym w kierunku promieniowym.Na fig. 5pokazanejest polaczenie elementu 4 wykonane¬ go z krzemu wzglednie z weglika krzemowego w postaci plyty z rurowym elementem szklanym 2. Wtymprzypadku rurowy element szklanyjestdotopiony dojednej zplaskich powierzchni plyty 4. Na fig. 6pokazano zas,ze mozliwejest równiez polaczenie rurowego elementu szklanego 2 z kra¬ wedzia elementu 4 w postaci plyty.Wymiary laczonych ze soba elementów z krzemu lub weglika krzemowego zelementem szklanym sa, jesli chodzi o technologie tworzenia polaczen, calkowicie bez znacze- nia. Zarówno srednice i grubosc scian elementów ruro¬ wych, jak i grubosc plytmozna dobierac calkowicie dowol¬ nie. Mozna przy tym wykorzystywac wszystkie mozliwosci znane z technologii wytwarzania szklanej aparatury.Spo¬ sród gatunkówszklawchodza wgreszklaborowo-krzemo- we dla elementów z krzemu, lub z weglika krzemowego, albo tez szkla glinowo-borowo-krzemowego dla elemen¬ tów z krzemu.Wspólczynniki rozszerzalnosci cieplnej tych szkiel nie powinny sie róznic od wspólczynnika rozszerzalnosci cie- plnej krzemu wiecej niz o wartosc ± 5,10"7 cm/°C, wzgled¬ nie nie wiecej niz o 12,10 7cm/°C od wspólczynnika rozsze¬ rzalnosci cieplnej weglika krzemowego. Szkla te dotapia sie, zaleznie od ich skladu, w temperaturze 900 do 1100°C.W razie potrzeby, temperatura topnienia szkiel moze byc w znany sposób obnizona przez dodanie zwiazków zawie¬ rajacych olów.Wsród gatunków szkla, znajdujacych siena rynku istnieje tez szereg innych odmian, spelniajacych powyzsze warunki.Dla uzyskania latwiejszego laczenia elementuszklanego 40 z elementamiwykonanymi zkrzemu lubz weglika krzemo¬ wego, celowym jest powlekanie tych elementów przed dotapianiem elementu szklanego, warstewka szkla o iden¬ tycznym skladzie. Mozna tego dokonac na przyklad przez owiniecie elementu rurowego wlóknem szklanym, albo 45 przez naniesienie, w miejscu dotapiania, zawierajacej szklo zawiesiny i nastepnie rozgrzanie takowej az do tem¬ peratury topnienia szkla.Opisane polaczenie miedzy krzemem lub weglikiem krzemowym z jednej, a szklem z drugiej strony moze byc so w róznoraki sposób zastosowane w takich urzadzeniach, w których przynajmniej czesc elementów wykonana jest z krzemu. Mozna na przyklad stosowac rurowe elementy scian, lub tez plytowe okna, a to w celu by w przypadku urzadzen optycznych, optyczno-elektrycznych, lub opty- 55 czno-elektronicznych umozliwic wpuszczanie do wnetrza urzadzenia, wzglednie wypuszczanie z niego, promieni nadczerwonych, których dlugosc fali jest wieksza niz gra¬ niczna wartosc absorpcyjna krzemu.Naleza tu takze urzadzenia jak na przyklad lampy zaro- 60 we, fotokomórki i fotoelementy, termoelementy, bolome- try, lampy do zdjec telewizyjnych i tym podobne. Mozna ponadto stosowac krzem jako material okienek do przepu¬ szczania promieni w aparatach Roentgena.Polaczenia miedzy szklem a krzemem wzglednie wegli- 65 kiem krzemowymmogabycz korzyscia stosowanerówniez85520 w tych przypadkach, w których zaleca sie wykorzystanie dobrej przewodnosci cieplnej i rezystancji krzemuwzgled¬ nie weglika krzemowego przeciwko dzialaniu agresyw¬ nych substancji chemicznych. Przykladem takiego zasto¬ sowania moga byc chlodnice i wymienniki ciepla dla wody królewskiej.Opisane polaczenia miedzyszklem a krzememwzglednie weglikiem krzemowym, moga byc z korzyscia zastosowane równiez wnaczyniach dyfuzyjnych, sluzacych dodomiesz¬ kowania plytek krzemowych, przeznaczonychnaelementy skladowe pólprzewodników. W przypadku takiej dyfuzji koniecznym jest, by materialy elementów stykajacych sie z domieszkowanymi plytkami krzemowymi, bylypodobnie czyste jak one.Do takiego celu swietnie nadaje sie wlasnie krzem lub weglik krzemowy. Ponadto, zarówno krzem jak i weglik krzemowy maja wysoka temperature topnienia, dzieki czemu poszczególne elementy urzadzenia nie ulegaja roz¬ miekczeniu w zawartych miedzy 1000 a 1300°C temperatu¬ rach, jakie wchodza w gre przy dyfuzji. Polaczenie szkla z krzemem lub weglikiem krzemowym jestprzy tym próz- nioszczelne, dzieki czemu podczas przebiegu dyfuzji do wnetrza naczynia dyfuzyjnego nie moga sie przedostawac zadne szkodliwe skladniki.Na fig. 7 pokazano w przekroju wymiennik ciepla dla substancji agresywnych, przy budowie którego wykorzys¬ tano mozliwosc polaczenia elementówszklanych z elemen¬ tami z krzemu lub z weglika krzemowego. Wymiennik ciepla posiada zewnetrzna rure 5 i wewnetrzna rure 6 z krzemu lub weglika krzemowego. Do rury 5 sa na kon¬ cach dotopione rury szklane 9 i 10 a dorury 6-ruryszklane 7 i 8. Miejsca dotopienia sai tutaj oznaczone cyfra 3. Do rur szklanych 9 i 10 dotopiona jest dalsza rura szklana 11, tworzaca zewnetrzna oslone wymiennika ciepla. Rura szklana 11 zaopatrzona jest w dwa krócce rurowe 12 i 13.Ze swej strony, rura szklana 9 zaopatrzona jest w króciec rurowy 16, a rura szklana 10- w króciec rurowy 17' Rura 7 ma otwór wylotowy 14, a rura 8 otwór wlotowy 15.Do otworu wlotowego 15 doprowadzany jest chlodzony agresywny czynnik, na przykladwoda królewska. Chlodzi¬ wo, na przyklad woda, zostaje doprowadzona do krócców rurowych 13 i 16 i wyplywa z chlodnicy poprzez króciec rurowy 12 wzglednie 14. Poniewaz krzem odznacza sie stosunkowo wysoka przewodnoscia cieplna, która jest okolo 130 razy wieksza od przewodnosci cieplnej szkla, nastepuje szybkie ochlodzenie, wzglednie ogrzanie chlo¬ dzonej, wzglednie ogrzewanej cieczy.Na fig. 8 pokazano w przekroju urzadzenie do dyfuzji plytek pólprzewodnikowych. W ukladzie tym cyfra 20 oznaczono rure z krzemu lub weglika krzemowego, która to rura wsunieta jest czesciowo w piec dyfuzyjny 21.W rurze 20 umieszczone sa przeznaczonedodomieszkowa¬ nia plytki pólprzewodnikowe 22, które saosadzone w obej¬ mie 23, która ze swej strony równiez jest-wykonana z krze¬ mu albo z weglika krzemowego. Material domieszkujacy, na przyklad gazowy pieciotlenek fosforu razem z gazem- nosnikiem doprowadza sie nastepna rura 24 z krzemu lub z weglika krzemowego. Do rury 20 dotopiona jest rura szklana 25, a do rury 24 rura szklana 26. Równiez i w tym przypadku miejsca dotopienia oznaczone sa cyfra 3. Gazo¬ wy material domieszkujacy wydobywa sie z powrotem poprzez dotopiony do szklanej rury 25 króciec rurowy 27.W celu latwego zasilania naczynia dyfuzyjnego plytkami pólprzewodnikowymi rura szklana 25 zaopatrzona jest w kolnierz 28, na który, za posrednictem uszczelki 34 * nalozona jest pokrywa 29, wykonana na przyklad równiez ze szkla. Pokrywa 29 docisnieta jest do kolnierza 28, na przyklad za pomoca srub 32, 33, za posrednictwem stalo¬ wych pierscieni 30 i 31. Rura 25 moze zreszta równiez byc zaslepiona przez dotopienie.Na fig. 9 pokazano w przekroju lampe na promienie podczerwone. Lampa ta wyposazona jest w obudowe 36, wykonana z krzemu. Do obudowy tej dotopiony jestcokól 37, wykonany ze szkla borowo-krzemowego, albo ze szkla glinowo-borowo-krzemowego, przy czym równiez i w tym przypadku miejsce dotopienia oznaczone jest cyfra 3. We¬ wnatrz lampy umieszczonajestspirala 38, której koncówki 39 i 40 przeprowadzone sa poprzez cokól lampy dwoma przepustami 41 i 42. Cokól lampy jest wyposazony w kró- ciec ewakuacyjny 43, poprzez który mozna opróznic wne¬ trze lampy. Dziekizdecydowanemudzialaniufiltrujacemu krzemu, lampa promieniuje tylko w zakresie promieni podczerwonych.Stosowane w opisanych urzadzeniach rury krzemowe moga byc wytwarzane w znany sposób droga cieplnego rozkladu na przyklad krzemo-chloroformu SiKCL.3 w obecnosci wodoru molekularnego H2 na elemencie grafi¬ towym, rozgrzanym do temperatury 1050 do 1250°C. Krze- mo-chloroform rozklada sie na rozgrzanej powierzchni na krzem i chlorowodór. Rozklad prowadzi sie tak dlugo, az zostanie osiagnieta zadana grubosc warstwy krzemu. Na¬ stepnie, po ochlodzeniu ukladu, element grafitowy zostaje usuniety.Rury z weglika krzemowegomozna sporzadzic w podob- ny sposób, na przyklad droga chemicznego rozkladu mety- lodwuchlorosilanu lub metylotrójchlorosilanu w obecnos¬ ci wodoru. Potrzebne tu temperatury wydzielania leza pomiedzy 1200 a 1600°C. Równiez i w tym przypadku mozna zastosowac element nosny w postaci grafitu. Wy- dzielanie musi odbywac siebez dosteputlenu, gdyz w prze¬ ciwnym razie nastapilo by spalenie sie grafitu.;/.. Cena zl 10,- PL
Claims (8)
- Zastrzezenie patentowe 40 1. Sposób gazoszczelnego laczenia elementów wykona¬ nych z krystalicznego krzemu lub weglika krzemowego, znamienny tym, ze do elementu wykonanego z weglika krzemowego dotapia sie element szklany, którego wspól- 45 czynnik rozszerzalnosci cieplnej rózni sie od wspólczynni¬ ka rozszerzalnosci cieplenej krzemu lub weglika krzemo¬ wego, w zakresie do 300°C, maksymalnie o ±20%.
- 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze dotapia sie element wykonany ze szkla borowo-krzemowego. 50
- 3. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze dotapia sie element wybrany ze szkla glinowo-borowo-krzemo¬ wego.
- 4. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze zarówno element krzemowy jak i element szklany maja postac rur, 55 przy czym element szklany dotopia sie do elementu krze¬ mowego stycznie.
- 5. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze zarówno element krzemowy jak i element szklany maja postac rur, przy czym element szklany dotapia sie do zewnetrznej 60 powierzchni elementu krzemu.,
- 6. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze zarówno element krzemowy jak i element szklany maja postac rur, przy czym element szklany dotapia sie do wewnetrznej powierzchni czesci. 65
- 7. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze element85520 szklany dotapia sie do elementów za pomoca plomienia utleniajacego. 10. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym,ze element 8. Sposób wedlug zasirz. i, znamic»»j v— — - - szklany dotapia sie do elementuprzy wykorzystaniu ciepla ma postac plyty, a element szklany ma postac rury, przy 5 wytworzonego elektrycznie, • czym element ten dotapia sie do jednej z plaskichpowierz- 11. Sposób wedlug zastrz. 11 znamienny tym, zeelement chnielementu. przed dotopieniem elementu szklanego powleka nia wars¬ twa masy szklanej o takim samyrn skladzie jak sklad 9. Sposób wedlug zastrz: 1, znamienny tym, ze element elementu szklanego. krzemowy ma postac plyty, a element szklany ma postac rury, przy czym element ten dotapia sie do krawedzi dna.
- 8. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze element Fig.3 Fig.2 1 3^2 Fig.4 Hm a Fig.5 Fig.9 Fig6 2 Fig.7 Sklad \wkonano w DSP, win. 5IM Druk w W PRL, naklad 125 + 20 »=* PL
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2230298A DE2230298A1 (de) | 1972-06-21 | 1972-06-21 | Verfahren zum herstellen einer gasdichten verbindung bei aus kristallinem silicium oder siliciumkarbid bestehenden teilen |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL85520B1 true PL85520B1 (pl) | 1976-04-30 |
Family
ID=5848358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL1973163447A PL85520B1 (pl) | 1972-06-21 | 1973-06-19 |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3876408A (pl) |
| JP (1) | JPS4962514A (pl) |
| AT (1) | AT325796B (pl) |
| BE (1) | BE792414A (pl) |
| CA (1) | CA1020354A (pl) |
| DE (1) | DE2230298A1 (pl) |
| FR (1) | FR2189338B1 (pl) |
| GB (1) | GB1396660A (pl) |
| IT (1) | IT989231B (pl) |
| NL (1) | NL7303120A (pl) |
| PL (1) | PL85520B1 (pl) |
| SE (1) | SE387930B (pl) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2737208C2 (de) * | 1977-08-18 | 1986-06-19 | MTU Motoren- und Turbinen-Union München GmbH, 8000 München | Verfahren zur Kapselung eines Formkörpers aus Keramik |
| US4687500A (en) * | 1984-09-05 | 1987-08-18 | Orion Research Inc. | Method for manufacturing an ion-sensitive electrode |
| DE3937529A1 (de) * | 1989-11-08 | 1991-05-16 | Siemens Ag | Verfahren zum verbinden eines siliziumteiles mit einem glasteil |
| RU2004132852A (ru) * | 2002-06-14 | 2005-07-10 | Дрезденский Технический Университет (De) | Способ производства газонепроницаемых и устойчивых к высоким температурам соединений фасонных деталей из неоксидной керамики посредством лазера |
| WO2012112819A2 (en) | 2011-02-16 | 2012-08-23 | Alfred E. Mann Foundation For Scientific Research | Implantable shunt system and associated pressure sensors |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1732287A (en) * | 1925-07-01 | 1929-10-22 | A A Simonds Dayton Company | Abrasive wheel and method of manufacture |
| US2977206A (en) * | 1958-07-30 | 1961-03-28 | Chicago Wheel & Mfg Company | Silicon carbide abrading wheels |
| US3244948A (en) * | 1959-09-30 | 1966-04-05 | Hughes Aircraft Co | Bonds for oxidized materials |
| US3266526A (en) * | 1962-11-26 | 1966-08-16 | Robert H Berg | Peripherally locked and sealed orifice disk and method |
| GB1138401A (en) * | 1965-05-06 | 1969-01-01 | Mallory & Co Inc P R | Bonding |
| US3408222A (en) * | 1965-08-23 | 1968-10-29 | Gen Electric | Glass-silicon assemblies |
| US3482149A (en) * | 1967-05-16 | 1969-12-02 | Sprague Electric Co | Sintered glass integrated circuit structure product and method of making the same |
| BE756235A (fr) * | 1969-09-16 | 1971-03-16 | Corning Glass Works | Ciments en ceramique de verre |
| US3672858A (en) * | 1970-04-17 | 1972-06-27 | Robert H Berg | Method of mounting disks in glass walls,heat working only once |
| GB1374817A (en) * | 1971-03-24 | 1974-11-20 | Lucas Ltd Joseph | Method of joining a pair of silicon nitride parts |
-
0
- BE BE792414D patent/BE792414A/xx unknown
-
1972
- 1972-06-21 DE DE2230298A patent/DE2230298A1/de active Pending
-
1973
- 1973-03-02 AT AT187673A patent/AT325796B/de not_active IP Right Cessation
- 1973-03-06 NL NL7303120A patent/NL7303120A/xx unknown
- 1973-03-07 GB GB1113973A patent/GB1396660A/en not_active Expired
- 1973-05-31 US US365484A patent/US3876408A/en not_active Expired - Lifetime
- 1973-06-18 IT IT7325473A patent/IT989231B/it active
- 1973-06-19 PL PL1973163447A patent/PL85520B1/pl unknown
- 1973-06-19 FR FR7322254A patent/FR2189338B1/fr not_active Expired
- 1973-06-20 CA CA174,570A patent/CA1020354A/en not_active Expired
- 1973-06-21 JP JP48069282A patent/JPS4962514A/ja active Pending
- 1973-06-21 SE SE7308838A patent/SE387930B/xx unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SE387930B (sv) | 1976-09-20 |
| GB1396660A (en) | 1975-06-04 |
| IT989231B (it) | 1975-05-20 |
| BE792414A (fr) | 1973-03-30 |
| FR2189338A1 (pl) | 1974-01-25 |
| JPS4962514A (pl) | 1974-06-18 |
| FR2189338B1 (pl) | 1977-09-23 |
| ATA187673A (de) | 1975-01-15 |
| CA1020354A (en) | 1977-11-08 |
| AT325796B (de) | 1975-11-10 |
| US3876408A (en) | 1975-04-08 |
| DE2230298A1 (de) | 1974-01-10 |
| NL7303120A (pl) | 1973-12-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7399408B2 (en) | Device for supercritical water oxidation of materials | |
| US7003220B2 (en) | Quartz heater | |
| EP0267338B1 (en) | Heat exchanger for fluid treatment apparatus | |
| JP3587249B2 (ja) | 流体加熱装置 | |
| KR0154979B1 (ko) | 발전장치의 열교환기용 튜브와 핀 어셈블리 및 그 제조방법 | |
| EP2518182B1 (en) | Annular metallic furnace component coated with anorganic material | |
| EP3361493A1 (en) | Lamp for rapid thermal processing chamber | |
| PL85520B1 (pl) | ||
| CA2262990A1 (en) | Apparatus for the controlled heating of process fluids | |
| KR20030010676A (ko) | 전기식 온수기·액체가열기·증기발생기 | |
| US4891335A (en) | Semiconductor substrate heater and reactor process and apparatus | |
| US20060068679A1 (en) | System and method for sealing high intensity discharge lamps | |
| US4039737A (en) | Electric immersion heating apparatus and methods of constructing and utilizing same | |
| TW201805246A (zh) | 玻璃處理設備及方法 | |
| WO1992010294A1 (en) | Electrically heated reaction vessel | |
| GB2061476A (en) | Flue Gas Water Heater | |
| JP2002003229A (ja) | 半導体製造装置に用いられる石英ガラス製品 | |
| WO1994010512A1 (en) | Gas heater for processing gases | |
| US20030196782A1 (en) | Black layer coated heat exchanger | |
| DE102017007992A1 (de) | Heizung für einen Laborofen für C 14-Katalysator | |
| US1096414A (en) | Electric furnace. | |
| RU2436741C9 (ru) | Способ изготовления стекловидной композиции и контейнер для ее термообработки | |
| RU2087816C1 (ru) | Печь для термической обработки деталей | |
| CA1114873A (en) | Electrical insulation device | |
| Pascual et al. | Solder glasses. Traditional application and new application areas |