PL84975B1 - - Google Patents

Description

Przedmiotem wynalazku jest uklad detektora wykonany na diodzie i tranzystorze.

W dotychczasowych rozwiazaniach tego typu de¬ tektorów stosowany jest uklad detektora podwaja- cza napiecia* w którym rówlnoldgle do wejscia po¬ przez kondensator wejsciowy dolaczona jest dio¬ da, której katoda polaczona jest do masy, a do anody dolaczona jest katoda drugiej 'diody, któ¬ rej anoida stanowi wyjscie ukladu, przy czym na wejsciu ukladu znajduje sie rezystor i 'kondensa- tor.

Wada wyzej opisanego ukladu jest niestalosc na¬ piecia wyprostowanego! w funkcji temperatury na skutek tego, ze napiecie zlacza -diody w kie¬ runku przewodzenia! zmienia sie ze zmiana tempe¬ ratury, a zmiany te w obu diodach sumuja sie.

Celem wynalazku jest opracowanie ukladu detek¬ tora o duzej stalosci napiecia wyprostowanego w funkcji temperatury i duzej liniowosci detekcji.

Cel ten zostal osiagniety w ukladzie, w którym na wejsciu znajduje siie rezystor, kondensator i dioda* której katoda dolaczona jest do masy ukla¬ du, a do anody dolaczony jest kolektor tranzysto¬ ra. Emiter tranzystora sitanoWi wyjcie ukladu, przy czym równolegle miedzy -emiterem tranzystora i masa wlaczone sa rezystor i kondensator, a mie¬ dzy kolektorem tranzystora i je@o baza wlaczony jest rezystor, a równolegle do baizy tranzystora i masy dolaczone sa rezystor i kondensator.

Zaleta tego ukladu jest to, ze charakterystyka napiecia wyjsciowego w funkcji napiecia wejscio¬ wego jest liniowa w duzym zakresie czestotliwos¬ ci przy odpowiednim doborze rezystorów miedzy kolektorem tranzystora, ibaza tranzystora i masa.

Wynalazek zostanie blizej lomówtiiony na przykla¬ dzie wykonania przedstawionym na rysunku, któ¬ ry przedstawiia schemat zasadniczy ukladu detek¬ tora.

Zasada dzialania ukladu jest nastepujaca. Dla dodatniej polówki sinusoidy napiecia wejscioiwego poprzez idiode i rezystor wejsciowy laduje sie kon¬ densator wejsciowy do wartosci szczytowej przy¬ lozonego napiecia wejsciowego' zmniejszonej o spa¬ dek napiecia na diodzie. Dla ujemnej polówki siniu- soddy napiecia wejsciowego kondensator 4 laduje sie poprzez zlacze baza — kolektor tranzystora 1 do wartosci bedacej suma napiecia kondensatora wejsciowego i napiecia wejsciowego zmniejszona o spadek napiecia ,na zlaczu baza — kolektor tran¬ zystora 1. Napiecie wejsciowe jest suma napiecia panujacego na kondensatorze 4 i napiecia zlacza emiter — baza tiramzystora 1.

Gdy nastepuje wzrost temperatury maleje napde^ cie zlacza diody równoleglej, rlosnie napiecie na " kondensatorze wejscioiwym, a tytm samyim na foo- lektorze tranzystora 1 i na bazie teigaz tranzysto¬ ra, czyli na kondensatorze 4. Ten sani wzrost tem- 84 97584 975 peratury powoduje zmniejszenie sie 'napiecia zla¬ cza emiter — baza tranzystora 1, co kompensuje wzrost napiecia na kondensatorze 4. Napiecie wyj¬ sciowe bedace suma napiecia kondensatora 4 i na¬ piecia zlacza emiter — baza tranzystora 1 jest stale w funkcji temperatury.

Wynalazek moze byc stosowany wszedzie tam, gdzie wymagana jest duza stalosc napiecia wypro¬ stowanego w^ funkcji temperatury i duza linio¬ wosc napiecia wyjsciowego w funkcji napiecia wej¬ sciowego w duzym zakresie czestotliwosci, a wiec w detektorach mierników, ukladach 'komparatorów i dyskiryminatorów oraz w ukladach sygnalizacji.

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Uklad -detektora, posiadajacy na wejsciu- rezy¬ stor, kondensator i diode, której katoda dolaczona jest do masy ukladu, znamienny tym, ze do ano¬ dy diody dolaczony jest kolektor tranzystora (1), a emiter tranzystora (1) stanowi wyjscie ukladu, przy czym równolegle miedzy emiterem tranzystora (1) i masa wlaczicine sa rezystor (5) i kondensator (6), miedzy kolektorem tranzystora (1) i jego baza wlaczony jest rezystor (2), a równolegle do bazy tranzystora (1) i masy ukladu dolaczone sa rezy¬ stor (3) i kondensator (4). Cena 10 zl LZG Z-d Nr 2 zam. 1589/77 130 egz. A4