PL83847B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL83847B1
PL83847B1 PL16460073A PL16460073A PL83847B1 PL 83847 B1 PL83847 B1 PL 83847B1 PL 16460073 A PL16460073 A PL 16460073A PL 16460073 A PL16460073 A PL 16460073A PL 83847 B1 PL83847 B1 PL 83847B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
transistor
collector
frequency
voltage
generation
Prior art date
Application number
PL16460073A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL16460073A priority Critical patent/PL83847B1/pl
Publication of PL83847B1 publication Critical patent/PL83847B1/pl

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób kompensacji wplywu napiec zasilania na czestotliwosc generacji tranzystorowych generatorów wielkiej czestotliwosci, zwlaszcza generatorów wobulowanych wykorzystujacych zjawisko modulacji kata fazowego transmitancji y2ib tranzystora, przy równoczesnej modulacji pojemnosci zlacza kolektorowego tego tranzystora.W znanych sposobach realizacji generatorów tranzystorowych wielkiej czestotliwosci, przy czestotliwos¬ ciach generacji rzedu 100 MHz i wyzszych, pojemnosc zlacza kolektorowego tranzystora generacyjnego stanowi istotna czesc — zazwyczaj 10% do 100% — pojemnosci obwodu rezonansowego. Pojemnosc zlacza kolektorowe¬ go tranzystora przy zmianach napiecia polaryzacji zachowuje sie jak typowy waraktor. Wartosc*tej pojemnosci silnie zalezy od wartosci napiecia polaryzacji zlacza kolektorowego. Stad w znanych rozwiazaniach tranzystoro¬ wych generatorów wielkiej czestotliwosci z reguly wymagana jest stabilizacja napiecia polaryzacji zlacza kolektorowego tranzystora generacyjnego.Podobnie zmiana pradu polaryzacji emitera (kolektora) tranzystora w znanych sposobach realizacji generatorów tranzystorowych wielkiej czestotliwosci pociaga za soba zmiane czestotliwosci generacji, przede wszystkim na skutek zmian czestotliwosci granicznej tranzystora fj oraz kata fazowego transmitancji y2ib tranzystora.O duzym wplywie napiecia polaryzacji zlacza kolektorowego i pra^u, polaryzacji emitera (kolektora) tranzystora na czestotliwosc generacji swiadczy znane rozwiazanie tranzystorowego generatora wobulowanego wielkiej czestotliwosci, w którym wykorzystano równoczesnie oba te zjawiska dla uzyskania liniowego przestraja- nia generatora wielkiej czestotliwosci w funkcji napiecia sterujacego, przy czym przy stalej wartosci napiecia zasilania uzyskiwano zmiane polaryzacji zlacza kolektorowego dzieki wlaczeniu w obwód kolektora rezystora, na którym powstawal spadek napiecia wywolany aktualna wartoscia pradu kolektora.Celem wynalazku jest opracowanie takiego sposobu polaryzacji tranzystora generacyjnego pracujacego w ukladzie generatora wielkiej czestotliwosci z mozliwoscia wobulacji, przy którym bez stosowania stabilizacji punktu pracy tranzystora, zmiana napiec zasilania bedzie powodowala mozliwie male zmiany czestotliwosci generacji, co najmniej o rzad mniejsze od zmian czestotliwosci znanych dotychczas ukladów generatorów tranzystorowych wielkiej czestotliwosci.2 83 847 Cel ten zostal osiagniety przez to, ze przy wlaczonym w obwód kolektora rezystorze, na którym powstaje spadek napiecia wywolany przeplywem pradu kolektora, emiter tranzystora polaryzuje sie pradem ze zródla, którego wydajnosc pradowa lE jest liniowa funkcja zarówno napiecia wobulujacego Uster jak i napiecia zasilania obwodu kolektorowego Ucc —wyrazajaca sie wzorem: lE = k0 +k! Uster + *2 UCC przy czym wartosci i znaki wspólczynników k0, kx i k2 dobrane sa tak, ze zmiana wartosci napiecia wobulujacego Uster powoduje wobulacje generatora, natomiast zmiana wartosci napiecia zasilania obwodu kolektorowego Ucc powoduje zmiane czestotliwosci generacji w kierunku przeciwnym niz zmiana wydajnosci pradowej lE, zachowujac praktycznie bez zmiany czestotliwosc generacji generatora wielkiej czestotliwosci.Sposób wedlug wynalazku jest blizej objasniony na przykladowym, uproszczonym schemacie ideowym generatora wielkiej czestotliwosci podanym na zalaczonym rysunku, na którym prad polaryzacji jest zaznaczony strzalka.Tranzystor generacyjny Ti, pracujacy w ukladzie OB ma zlacze kolektorowe spolaryzowane napieciem (Ucc— IciRk)- Dlawik DL2 i kondensator C4 umozliwiaja doprowadzenie tego napiecia polaryzacji do kolektora tranzystora T1. Zlacze emiterowe tranzystora T1 polaryzowane jest pradem kolektora tranzystora T2 za posrednictwem dlawika DL1.Wzmacniacz zbudowany na tranzystorach T2 i T3 i rezystorach R1, R2, R3 i R4 pelni funkcje zródla pradowego o wydajnosci lE = k0 +ki Uster + k2 UCC "» (Ri + R2)R3 R3 =k0 Uster+ Ucc R, ¦ Ra *R4 Ri ' R4 Wzrost pradu lE emitera, lub zmniejszenie napiecia polaryzacji kolektora tranzystora T1 powoduja obnizenie czestotliwosci generacji.Wspomniany tranzystor T1 pracuje w ukladzie generatora wielkiej czestotliwosci, przy czym dostrojcze kondensatory C1, C2 i C3 lacznie z indukcyjnoscia cewki L1 decyduja 9 sredniej czestotliwosci generacji oraz o dopasowaniu do obciazenia. Dlawik DL2 i kondensator C4 stanowia odsprzezenie w obwodzie kolektora tranzystora T1, który jest zasilany przez rezystor R^.Jak widac ze wzoru, zmniejszenie napiecia Ucc pociaga za soba zmniejszenie pradu lE emitera tranzystora, co przeciwdziala zmianie czestotliwosci generacji.Natomiast przy zmianie napiecia Uster nastepuje sumowanie sie wplywów pradu lE emitera jak i napiecia kolektora na czestotliwosc generacji. Zmniejszenie pradu emitera pociaga za soba wzrost napiecia polaryzacji kolektora i w sumie skuteczne zwiekszenie czestotliwosci generacji.W przyjetym rozwiazaniu ukladowym generatora wielkiej czestotliwosci zastosowano pomocnicze ujemne zasilanie o napieciu UEE dla zasilania wzmacniacza sterujacego na tranzystorach T2 i T3. PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób kompensacji wplywu napiec zasilania na czestotliwosc generacji tranzystorowych generatorów wielkiej czestotliwosci, zwlaszcza wobulowanych, w których w obwód kolektora tranzystora generacyjnego jest wlaczony rezystor, znamienny tym, ze polaryzacji emitera tranzystora dokonuje sie pradem bedacym liniowa funkcja tak napiecia wobulujacego (Uster) jak i napiecia zasilania obwodu kolektorowego (Ucc).83 847 ""i U @-tJp PL
PL16460073A 1973-08-10 1973-08-10 PL83847B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL16460073A PL83847B1 (pl) 1973-08-10 1973-08-10

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL16460073A PL83847B1 (pl) 1973-08-10 1973-08-10

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL83847B1 true PL83847B1 (pl) 1976-02-28

Family

ID=19963759

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL16460073A PL83847B1 (pl) 1973-08-10 1973-08-10

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL83847B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4287489A (en) Amplitude limited varactor tuned L-C oscillator
CN100502227C (zh) 用于振荡器的波幅电平控制电路
US5245298A (en) Voltage controlled oscillator having cascoded output
PL83847B1 (pl)
CN101615886B (zh) 一种石英晶振主电路
US4001724A (en) Variable high frequency crystal oscillator
Riddle et al. A new method of reducing phase noise in GaAs FET oscillators
KR100399585B1 (ko) 상보성 트랜지스터를 이용한 전압 제어 발진기
US3855552A (en) Oscillator utilizing complementary transistors in a push-pull circuit
CN111162736B (zh) 压控振荡器
CN100481709C (zh) 振荡电路
SU1660126A1 (ru) Делитель частоты
US2162520A (en) Constant frequency oscillation generator
JPS6077504A (ja) 発振器
JPS6314487Y2 (pl)
CN103107772A (zh) 具有良好相位噪声性能的压控振荡器及电路
US4172237A (en) Low distortion amplifier
US3422365A (en) Stabilized transistor amplifier
KR100219446B1 (ko) 저전원 진폭변조 송신기
SU420080A1 (ru) Кварцевый автогенератор
KR19990064038A (ko) 개시 회로를 구비한 발진기
KR0168527B1 (ko) 안정된 사인파 링 발생 회로
US2751498A (en) Crystal controlled oscillator circuit
JPS6117611Y2 (pl)
CN118100805A (zh) 一种片内集成的高频振荡器