PL83733B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL83733B1
PL83733B1 PL16292773A PL16292773A PL83733B1 PL 83733 B1 PL83733 B1 PL 83733B1 PL 16292773 A PL16292773 A PL 16292773A PL 16292773 A PL16292773 A PL 16292773A PL 83733 B1 PL83733 B1 PL 83733B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
point
sub
resistor
range
diode
Prior art date
Application number
PL16292773A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to PL16292773A priority Critical patent/PL83733B1/pl
Publication of PL83733B1 publication Critical patent/PL83733B1/pl

Links

Landscapes

  • Superheterodyne Receivers (AREA)
  • Channel Selection Circuits, Automatic Tuning Circuits (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest uklad przelaczania heterodyny glowicy wielkiej i bardzo wielkiej czestotli¬ wosci przy zmianie odbieranych podzakresów.W znanych rozwiazaniach glowic bardzo wielkiej czestotliwosci (b.w.cz.) przelaczanych i przestrajanych elektronicznie zakres b.w.cz. odbiera sie w dwóch podzakresach przestrajanych w sposób ciagly. Powszechnie stosowanym sposobem przelaczania tych podzakresów jest doprowadzenie dwóch napiec zasilajacych: jednego przy odbiorze w pierwszym , a*drugiego przy odbiorze w drugim podzakresie.Najczesciej stosowanym rozwiazaniem ukladu heterodyny glowicy b.w.cz. jest uklad wspólnej bazy, w którym od kolektora tranzystora do masy dolaczony jest równolegly obwód rezonansowy. Galaz pojemnos¬ ciowa tego obwodu sklada sie z diody waraktorowej polaczonej szeregowo z kondensatorem. Punkt wspólny tej diody i kondensatora polaczony jest poprzez rezystor ze zródlem napiecia strojenia. Galaz indukcyjna obwodu rezonansowego sklada sie z dwóch polaczonych szeregowo cewek dolaczonych bezposrednio do masy. Od punktu wspólnego tych cewek do masy dolaczona jest dioda przelaczajaca polaczona szeregowo z kondensato¬ rem blokujacym. Wspólny punkt diody przelaczajacej i kondensatora blokujacego polaczony jest poprzez rezystor z punktem przylaczania napiecia zasilania na drugim podzakresie. Ponadto punkty przylaczenia napiec zasilajacych na pierwszym i drugim podzakresie polaczone sa poprzez dwie diody przelaczajace razem i dalej polaczone poprzez jeden rezystor z emiterem, a poprzez drugi rezystor z baza tranzystora. Baza tranzystora jest polaczona z masa zarówno poprzez rezystor jak i kondensator blokujacy. W przypadku przeciwnej polaryzacji napiec zasilajacych punkty przylaczania tych napiec na pierwszym i drugim podzakresie polaczone sa poprzez dwie diody przelaczajace razem i dalej polaczone przez rezystor z baza, zas z kolektorem tranzystora przez dlawik. W takim ukladzie kolektor tranzystora oddzielony jest od obwodu rezonansowego kondensatorem blokujacym.Tak wiec w opisanym znanym ukladzie rezystor jest zasilany przez wspomniane dwie polaczone diody przelaczajace — jedna na kazdym z podzakresów, a ponadto trzecia dioda przelaczajaca zawiera na drugim podzakresie czesc indukcyjnosci obwodu rezonansowego dla w.cz. do masy.2 83 733 Celem wynalazku jest uproszczenie ukladu przelaczania heterodyny glowicy b.w.cz. z zachowaniem jej dotychczasowych parametrów.Zadaniem wynalazku jest opracowanie ukladu przelaczania heterodyny, w którym przy zmniejszonej liczbie diod przelaczajacych, otrzymuje sie przy zmianie podzakresów zarówno zwieranie czesci indukcyjnosci w obwodzie rezonansowym jak i zmiane punktu pracy tranzystora heterodyny.Istota ukladu przelaczania heterodyny glowicy wielkiej i bardzo wielkiej czestotliwosci skladajacego sie z tranzystora, w którego obwodzie kolektora znajduje sie równolegly obwód rezonansowy, którego galaz pojemnosciowa sklada sie z diody waraktorowej polaczonej szeregowo z kondensatorem a galaz indukcyjna z dwóch polaczonych szeregowo cewek, których punkt wspólny polaczony jest przez diode przelaczajaca zarówno poprzez kondensator blokujacy z masa jak i. przez rezystor z punktem przylaczania napiecia zasilania dla drugiego podzakresu jest to, ze galaz mdukcyjna bedac polaczona z masa przez kondensator blokujacy, posiada punkt wspólny dla indukcyjnosci i kondensatora blokujacego, polaczony z jednej strony bezposrednio lub przez rezystor z punktem przylaczania napiecia zasilania dla pierwszego podzakresu, zas z drugiej strony punkt ten polaczony jest przez rezystor z baza tranzystora i wówczas dioda przelaczajaca jest polaczona bezposrednio z punktem przylaczania napiecia dla drugiego podzakresu.Wynalazek jest blizej wyjasniony w przykladzie wykonania uwidocznionym na rysunku, który przedstawia uklad wspólnej bazy z tranzystorem n-p-n.W kolektorze tranzystora znajduje sie równolegly obwód rezonansowy. Galaz pojemnosciowa tego obwodu sklada sie z szeregowo polaczonego konensatora C3 i diody waraktorowej D2. Punkt C wspólny dla diody D2 i kondensatora C3 polaczony jest poprzez rezystor R4 z punktem UStr dolaczenia napiecia strojenia.Galaz indukcyjna sklada sie z szeregowo polaczonych cewek L1 i L2, które polaczone sa z masa poprzez kondensator blokujacy Cl. Punkt B wspólny dla cewki L2 i kondensatora C1 polaczony jest zarówno bezposrednio lub przez rezystor R1 z punktem U1 przylaczenia napiecia zasilania na pierwszym podzakresie jak i poprzez rezystor R2 dzielnika napiecia z baza tranzystora TY Wspólny dla cewek L1 i L2 punkt A polaczony jest poprzez diode przelaczajaca D1 zarówno poprzez kondensator blokujacy C2 z masa jak i bezposrednio lub przez rezystor R3 z punktem U2 przyl aczania napiecia zasilania na drugim podzakresie.Dzialanie ukladu przelaczania heterodyny wedlug wynalazku jest nastepujace. W przypadku odbioru programu w pierwszym podzakresie napiecie zasilania przylaczone jest do punktu U1. Prad staly kolektora plynie przez rezystor R1 i cewki L2 i L1. Prad dzielnika bazy plynie przez rezystory R1, R2 i R5. Galaz indukcyjna obwodu rezonansowego sklada sie z cewek L1 i L2 i zamknieta jest dla w.cz. do masy przez kondensator blokujacy Cl. W przypadku odbioru programu w drugim podzakresie napiecie zasilania przylaczone jest do punktu U2 i prad staly kolektora plynie przez rezystor R3 diode D1 i cewke LI. Prad dzielnika bazy plynie przez rezystor R3, diode D1, cewke L2 i rezystory R2 i R5. Galaz indukcyjna obwodu rezonansowego sklada sie z cewki L1 i zamknieta jest dla w.cz. do masy poprzez diode D1 i kondensator blokujacy C2. Dioda D1 w przypadku odbioru drugiego podzakresu zwiera dla pradów w.cz. indukcyjnosc L2 a ponadto plynie przez nia prad zasilajacy tranzystor T. Zas przy odbiorze pierwszego podzakresu dioda D1 zapobiega przedostawaniu sie do punktu U2 napiecia zasilania dolaczonego do punktu Ul. Zasilanie tranzystora alternatywnie, albo przez rezystor R1, albo przez rezystor R3 umozliwia zmiane punktu pracy tranzystora T przy zmianie podzakresów.W obydwu podzakresach heterodyna przestrajana jest przez diode waraktorowa D2, do której doprowadzone jest poprzez rezystor R4 napiecia przestrajajace dolaczone do punktu UStr.Dzieki ukladowi wedlug wynalazku na drugim podzakresie zakresu b.w.cz. dioda przelaczajaca D1 zwiera zarówno dla w.cz. czesc indukcyjnosci obwodu rezonansowego jak i plynie przez nia prad staly kolektora i dzielnika bazy tranzystora heterodyny. Dzieki temu ukladowi wedlug wynalazku zawiera o jedna diode przelaczajaca mniej niz stosowane uklady, a jego prad zasilania jest mniejszy o wartosc potrzebna do zwierania diody przelaczajacej. ^ PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Uklad przelaczania heterodyny glowicy wielkiej i bardzo wielkiej czestotliwosci przy zmianie odbieranych podzakresów, skladajacy sie z tranzystora, w kolektorze którego znajduje sie równolegly obwód rezonansowy z galezia pojemnosciowa, skladajaca sie z diody waraktorowej polaczonej szeregowo z kondensatorem i z gale¬ zia indukcyjna skladajaca sie z dwóch polaczonych szeregowo cewek, których punkt wspólny polaczony jest przez diode przelaczajaca zarówno poprzez kondensator blokujacy z masa jak i poprzez rezystor z punktem przylaczania napiecia dla drugiego podzakresu, znamienny tym, ze galaz indukcyjna (L1, L2) bedac polaczona z masa przez kondensator blokujacy (C1) posiada punkt (B) wspólny dla indukcyjnosci (L2) i kondensatora blokujacego (C1) polaczony z jednej strony bezposrednio lub przez rezystor (R1) z punktem (UD przylaczania napiecia zasilania dla pierwszego podzakresu, zas z drugiej strony punkt ten polaczony jest przez83 733 3 rezystor (R2) z baza tranzystora (T) i wówczas dioda przelaczajaca (D1) jest polaczona bezposrednio z punktem (U2) przylaczania napiecia zasilania dla drugiego podzakresu. i CZYTELNIA Urz#k Potentat* PL
PL16292773A 1973-05-29 1973-05-29 PL83733B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL16292773A PL83733B1 (pl) 1973-05-29 1973-05-29

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL16292773A PL83733B1 (pl) 1973-05-29 1973-05-29

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL83733B1 true PL83733B1 (pl) 1976-01-31

Family

ID=19962815

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL16292773A PL83733B1 (pl) 1973-05-29 1973-05-29

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL83733B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4287489A (en) Amplitude limited varactor tuned L-C oscillator
JP3264811B2 (ja) 電圧制御可変同調回路
CA1239234A (en) Tuning circuit for a multiband tuner
JPH0550883B2 (pl)
JPS5967736A (ja) 電子同調チユーナ
CA1233576A (en) Multiband local oscillator
US3391347A (en) Resonant circuits with switchable capacitive tuning diodes
US5745013A (en) Variable-frequency oscillator configuration
JPS61205016A (ja) 数個の周波数範囲の切換を行うチユーナ用切換回路配置
US4010428A (en) Transistor oscillator utilizing clapp circuit configuration for operation in the microwave band
US6683507B2 (en) High-frequency oscillation circuit
PL83733B1 (pl)
US4313221A (en) Mixer/oscillator circuit
KR100286465B1 (ko) 발진회로
US3940714A (en) AFC circuit with improved sensitivity
US4845445A (en) Amplifier
US3745480A (en) Oscillator circuit for several frequency ranges having plural feedback paths
ATE460007T1 (de) Breitbandresonanzschaltung für einen spannungsgesteuerter oszillator mit hoher geräuschimmunität
EP0947045A1 (en) An oscillator
JPS6019329A (ja) 少くとも2つの周波数領域用のチユ−ナ
US7283009B2 (en) Dual band voltage-controlled oscillator
JPH0113466Y2 (pl)
EP1111768A3 (en) Oscillator having a tunable resonant circuit
JPS6016096Y2 (ja) Vhfチュ−ナの局部発振回路
JPS6224968Y2 (pl)