Uprawniony z patentu: Robert Bosch GMBH, Stuttgart (Republika Fede¬ ralna Niemiec) Regulator napiecia pradnic napedzanych ze zmienna w duzym zakresie predkoscia obrotowa, przeznaczony zwlaszcza dla pradnic samochodowych i 2 Przedmiotem wynalazku jest regulator napiecia pradnic napedzanych zmienna w duzym zakresie predkoscia obrotowa, przeznaczony zwlaszcza dla pradnic samochodowych, zawierajacy tranzystor mocy, którego zlacze emiter-kolektor polaczone jest szeregowo z bocznikowym uzwojeniem wzbu¬ dzenia pradnicy, wspólpracujacy z tranzystorem sterujacym którego baza polaczona jest — poprzez diode Zenera, okreslajaca wartosc zadana napiecia — z napieciem wyjsciowym pradnicy lub z napie¬ ciem do niego proporcjonalnym i którego zlacze emiter-baza zbocznikowane jest przez opornosc.W znanych regulatorach tego rodzaju tranzystor mocy pracuje w ukladzie dwustanowym i przewo¬ dzi prad dotad, dopóki napiecie regulowane nie osiagnie wartosci zadanej. Wówczas odpowiadajaca tej wartosci zadanej dioda Zenera staje sie silnie przewodzaca, doprowadza równiez tranzystor ste¬ rujacy do stanu silnego przewodzenia i zatyka przez to tranzystor mocy. Aby móc wykonac uza¬ leznione od napiecia przelaczenie tranzystora mocy kazdorazowo w mozliwie krótkim czasie i aby móc przy tym utrzymac znikome obciazenie ter¬ miczne tranzystora mocy, przewiduje sie czesto ob¬ wód sprzezenia zwrotnego miedzy kolektorem tran¬ zystora mocy polaczonym z uzwojeniem wzbudze¬ nia pradnicy a baza tranzystora sterujacego wzgled¬ nie dioda Zenera polaczona w kierunku zaporowym w stosunku do bazy tranzystora sterujacego. W zna¬ nych ukladach poszczególne elementy konstrukcyj- 10 15 20 25 80 ne regulatora polaczone sa miedzy soba w sposób wynikajacy z ukladu polaczen za pomoca ciagów przewodów, znajdujacych sie na pjycie wsporczej wykonanej z materialu izolacyjnego. Aczkolwiek przez taki uklad osiaga sie znaczna oszczednosc przestrzeni w stosunku do regulatorów napiecia pracujacych na zasadzie przekazników elektromag¬ netycznych, to jednak dazy sie aby dla regulatora napiecia odpowiadajacego podanemu na poczatku rodzajowi zmniejszyc jeszcze potrzebna przestrzen tak dalece, zeby mozna bylo wbudowac regulator napiecia bezposrednio w pradnice. Wyniknac ma z tego wydatne ulatwienie w zabudowaniu i w póz¬ niejszej konserwacji regulatora, poniewaz wówczas, na przyklad przy zastosowaniu go do pradnicy sa¬ mochodowej, bedzie mozna polaczyc pradnice tylko jednym jedynym przewodem z bateria konieczna do uruchomienia pojazdu, przez co uniknie sie ko¬ niecznosci prowadzenia pozostalych przewodów.Regulator napiecia wedlug wynalazku zajmujacy wyjatkowo malo przestrzeni i posiadajacy dobre odprowadzanie ciepla, uzyskuje sie w ten sposób, ze umieszcza sie tranzystor sterujacy, diode Zene¬ ra i opornosc polaczona równolegle ze zlaczem emiter-baza tranzystora sterujacego na wspólnej plytce pólprzewodnikowej, w szczególnosci na plyt¬ ce krzemowej, przewaznie wykonanej warstwowo, która umocuje sie wraz z korpusem pólprzewod¬ nikowym zawierajacym tranzystor mocy na wspól¬ nej plycie cokolowej, wykonanej przewaznie z me- 90 74980 749 l 4 talu. Dla uzyskania niezbednego polaczenia za po¬ moca przewodów, stosuje sie jedynie po jednym przylaczeniu, to jest jeden styk przylaczeniowy dla elektrody diody Zenera polaczonej w kierunku za¬ porowym w stosunku do bazy tranzystora steruja¬ cego, drugi styk przelaczeniowy dla kolektora tranzystora sterujacego, który laczy sie ze specjal¬ na opornoscia obciazenia, a trzeci styk przylacze¬ niowy wspólnie dla emitera tranzystora sterujace¬ go i tranzystora mocy, podczas gdy uzwojenie wzbudzenia pradnicy sa przylaczone przez wyko¬ nana z metalu plyte cokolowa, na która nalutowa- ny jest zawierajacy tranzystor mocy korpus pól¬ przewodnikowy, wraz z kolektorem. Uklad tego rodzaju uzyskuje sie dzieki wynalazkowi szczegól¬ nie latwo dzieki temu, ze poprzez plyte cokolowa przeprowadza sie, odizolowujace je, trzy przewody przylaczeniowe, umieszczone w pewnym odstepie od siebie i tworzace wierzcholki przynajmniej w przyblizeniu równoramiennego trójkata prostokat¬ nego, oraz wystajace na ksztalt slupków z obu sfcron plyty cokolowej.W korzystnym wykonaniu plytki pólprzewodni¬ kowej zawierajacej tranzystor sterujacy, diode Ze¬ nera i opornosc bocznikujaca zlacze emiter-baza tranzystora sterujacego, we wspólnej plytce pól¬ przewodnikowej z krzemu, przewaznie z krzemu typu n, majacej na tylnej stronie przylacze kolek¬ tora tranzystora sterujacego, jest wdyfundowany obszar bazy wspólny dla diody Zenera i tranzysto¬ ra sterujacego, a w obrebie tego obszaru bazy sa wdyfundowane dwa obszary emitera, polozone w pewnym odstepie jeden od drugiego, przy czym pomiedzy temi dwoma obszarami emitera jest umieszczona listwa ekwipotencjalna stykajaca sie z obszarem bazy, a natomiast w obrebie nalezacego do diody Zenera pierwszego obszaru emitera umie¬ szczona jest na nim pierwsza metalizacja styku, a nastepnie na drugim obszarze emitera, nalezacym do tranzystora sterujacego, jest umieszczona druga metalizacja styku, która swoim skrajnym pasmem oddalonym od listwy ekwipotencjalnej siega po za drugi obszar emitera i tam — celem utworzenia opornosci — styka sie bezposrednio z obszarem bazy.Polaczenie za pomoca przewodów, które jest bar¬ dzo proste i odporne na ciezkie warunki pracy w samochodach, odpowiadajace ukladowi polaczen re¬ gulatora, uzyskuje sie za pomoca odmiany wedlug Wynalazku w ten sposób, ze do metalizacji styków plytki pólprzewodnikowej przylutowane sa jednym koncem przewody przylaczeniowe, w których drugi koniec uksztaltowany jest w postaci skretki i które sa przesuniete przez jeden z dwóch przewodów przylaczeniowych, podczas gdy trzeci przewód przy¬ laczeniowy mana sobie przesuniete otworem przez przewód przylaczeniowy, blaszane skrzydelko ob- olowione, do którego przylutowana jest plytka pól¬ przewodnikowa, majaca na tylnej stronie metaliza¬ cje tworzaca przylacze kolektora tranzystora steru¬ jacego.Wyzej wspomniany uklad stosuje sie korzystnie "zwlaszcza wówczas, gdy ^- dla powiekszenia do¬ kladnosci regulacji i dla zmniejszenia strat ciepl¬ nych — w regulatorze przed tranzystorem mocy przewidziany jest stopien pobudzajacy i gdy ten stopien pobudzajacy sklada sie z tranzystora pobu¬ dzajacego polaczonego swoim zlaczem emiter-ko- lektor równolegle do zlacza baza-kolektor tranzy¬ stora mocy oraz gdy opornosc obciazenia polaczona z emiterem tranzystora pobudzajacego polaczona jest równolegle ze zlaczem emiter-baza tranzysto¬ ra mocy. W tym przypadku — zgodnie z wynalaz¬ kiem tranzystor pobudzajacy i przynalezna do niego opornosc obciazenia sa umieszczone na trzeciej plyt¬ ce pólprzewodnikowej, wykonanej przewaznie rów¬ niez warstwowo, plytka ta o tylnej stronie two¬ rzacej kolektor tranzystora pobudzajacego, jest tak jak tranzystor mocy — umocowana za pomoca lu¬ towania, bezposrednio na plycie cokolowej, tak ze niezbedne polaczenie miedzy kolektorem tranzysto¬ ra mocy a kolektorem tranzystora pobudzajacego osiaga sie tu bezposrednio przez plyte cokolowa.Wynalazek jest przykladowo wyjasniony na za¬ laczonym rysunku, na którym fig. 1 przedstawia schemat elektryczny regulatora napiecia w polacze¬ niu z trójfazowa pradnica samochodowa przezna¬ czona do pracy w pojezdzie mechanicznym, fig. 2 — widok z góry zespolu zawierajacego wszystkie czynne elementy regulatora na wspólnej plycie co¬ kolowej, fig. 3 — widok z góry pierwszej plytkie pólprzewodnikowej, zawierajacej tranzystor steru¬ jacy, diode Zenera oraz opornosc bocznikujaca zla¬ cze emiter-baza tranzystora sterujacego, a fig. 4 — widok z góry trzeciej plytki pólprzewodnikowej zawierajacej tranzystor pobudzajacy i jego opor¬ nosc obciazenia.Regulator napiecia przeznaczony jest do pracy z oswietleniowa trójfazowa pradnica 10, posiadaja¬ ca trzy trójfazowe stale uzwojenia 11, 12 i 13 oraz obracajace sie, umieszczone na tworniku prad¬ nicy uzwojenie wzbudzenia 14. Pradnica ta nape¬ dzana jest przez silnik nie pokazanego na rysunku pojazdu w znany sposób za pomoca równiez nie uwidocznionego na rysunku kola pasowego. Kazde z uzwojen trójfazowych polaczone jest poprzez dio¬ de 15, wiodaca prad obciazenia pradnicy oswietle¬ niowej, z dodatnim biegunem baterii 16, o napie¬ ciu 12,6 V, sluzacej zarówno do rozruchu jak i do pracy pojazdu mechanicznego, oraz do której po¬ przez lacznik 17 sa przylaczone — odbiorniki 18 pracujace w czasie eksploatacji pojazdu mecha¬ nicznego, takie jak urzadzenie zaplonowe lub oswietlenie jezdni itp. Kazde z trójfazowych uzwo¬ jen pradnicy oswietleniowej jest polaczone ze wspólnym przewodem ujemnym 20, przylaczonym do bieguna ujemnego baterii 16, poprzez jedna z trzech diod 21, obliczonych równiez na calkowity prad obciazenia pradnicy oswietleniowej. W obwo¬ dzie pradu wzbudzenia, doprowadzonego do cewki wzbudzenia 14 przez regulator napiecia R, oraz nastawionego przez regulator napiecia na czasowa wartosc srednia dostosowana do liczby obrotów napedu i obciazenia pradnicy oswietleniowej, znaj¬ duja sie trzy diody wzbudzenia 22, przylaczone równiez do uzwojen trójfazowych, zasilajace pro¬ wadzacy do regulatora R przewód dodatni 23 w ten sposób, ze miedzy tym przewodem dodatnim a przewodem ujemnym 20 powstaje napiecie, które jest proporcjonalne do napiecia ladowania baterii 10 IB 21 30 35 40 45 50 55 5 89 749 6 16 przez prostowniki pradu obciazenia 15 i 21, a które musi byc utrzymywane na wysokosci war¬ tosci zadanej okolo 14 V, niezaleznej praktycznie od liczby obrotów napedu i obciazenia pradnicy oswietleniowej.Regulator R zawiera, jako czynne elementy kon¬ strukcyjne, tranzystor mocy LT, którego zlacze emiter-kolektor polaczone jest szeregowo z uzwoje¬ niem wzbudzenia 14, tranzystor pobudzajacy TT i tranzystor sterujacy ST, jak równiez okreslajaca zadana wartosc napiecia diode Zenera Z, która przylaczona jest do bazy tranzystora sterujacego oraz polaczona jest w szereg z przeznaczona do kompensacji wahania temperatury diody. Zenera Z dioda krzemowa 25, która przylaczona jest do od¬ czepu P dzielnika napiecia utworzonego z trzech oporników 26, 27, 28. Miedzy punktem polaczenia oporników 26, 27 a przewodem ujemnym 20 znaj¬ duje sie kondensator wygladzajacy 30, o wielkosci okolo 0,3 |xF. Miedzy odczepem dzielnika napiecia P a uzwojeniem wzbudzenia 14 znajduje sie opor¬ nik sprzezenia zwrotnego 31, o wielkosci okolo 40 kiloomów. Miedzy kolektorem tranzystora steruja¬ cego ST a przewodem dodatnim 23 umieszczony jest opornik obciazenia 32, o wielkosci okolo 900 omów, który wraz z opornikami 26, 27 i 28 oraz opornikiem sprzezenia zwrotnego 31 moze byc wykonany w znany sposób w postaci obwodu dru¬ kowanego.Aby przy Tozruchu po zatrzymaniu pradnica oswietleniowa mogla sie sama wzbudzic, nalezy zabezpieczyc, zeby tranzystor mocy LT i tranzy¬ stor pobudzajacy TT przewodzily wówczas prad, podczas gdy tranzystor sterujacy jest praktycznie zablokowany. Dlatego tez równolegle do zlacza emiter-baza tranzystora sterujacego ST znajduje sie opornosc Rl, o wielkosci okolo 600 omów. Na¬ tomiast równolegle do zlacza emiter-baza tranzy¬ stora mocy LT znajduje sie opornosc R2, o wiel¬ kosci okolo 150 omów, która zapewnia, ze tranzy¬ stor mocy i jednoczesnie z nim tranzystor pobu¬ dzajacy moga byc calkowicie zablokowane, gdy napiecie miedzy przewodami 20 i 23 osiagnie war¬ tosc zadana i stosownie do tego tranzystor steru¬ jacy zostanie przez diode Zenera Z pobudzony do przewodzenia pradu.Fig. 1 przedstawia elementy, które wykonane sa w postaci obwodu drukowanego i sa polaczone z dioda 25 i kondensatorem 30 za pomoca tego ob¬ wodu, oraz elementy które posiadaja wspólna ply¬ te cokolowa 35 wykonana z metalu, pokazana w widoku z góry na fig. 2 w mniej wiecej siedmio¬ krotnym powiekszeniu i majaca w rzeczywistosci srednice ok. 11 mm. W szczególnosci elementy te umieszczone sa na trzech cienkich krzemowych pólprzewodnikowych plytkach 36* 37 i 38, z których kazda ma ksztalt.Pierwsza plytka pólprzewodnikowa 3(6 zawiera tranzytor sterujacy ST, diode Zenera Z oraz opor¬ nosc bazy Rl tranzystora sterujacego. Wewnetrzna budowa pierwszej plytki pólprzewodnikowej 36, przedstawiona jest w widoku z góry na fig. 3 w mniej wiecej 65-krotnym powiekszeniu; Druga plytka pólprzewodnikowa 37, jak to widac na fig. 2, ma ksztalt kwadratu, o boku dlugosci okolo 4 mm. Zawiera ona tylko tranzystor mocy LT wy¬ konany technika warstwowa z ta jednak róznica, ze tylna strona plytki stanowiaca przylacze kolek¬ tora tranzystora mocy zlutowana jest z plyta co- s kolowa 35, podczas gdy na pokazanej na fig. 2 przedniej stronie plytki wykonana jest metalizacja styku 40 dla przylaczenia emitera oraz metaliza¬ cja 41 dla przylaczenia bazy tranzystora mocy.Trzecia plytka pólprzewodnikowa 38 ma równiez ksztalt kwadratu, jednak o dlugosci boku tylko okolo 1,6 mm i zawiera tranzystor pobudzajacy TT, jak równiez opornosc dla zlacza emiter-baza R2 tranzystora mocy LT.Plytka pólprzewodnikowa 36, zawierajaca tran¬ zystor sterujacy ST, diode Zenera Z i opornosc zlacza emiter-baza Rl. wykonana jest z krzemu typu n w ten sposób, ze najpierw zgodnie z tech¬ nika warstwowa wykonuje sie wewnatrz pokrytej lakierem fotograficznym strefy obrzeznej prosto¬ katny obszar bazy BI przez wdyfundowanie do¬ mieszki, bedacej w stanie gazowym i powodujacej przewodzenie typu p. Wewnatrz tego obszaru bazy wdyfundowane sa w pewnym odstepie od siebie dwa prawie kwadratowe obszary emitera El i E2, posiadajace wlasnosci przewodzenia typu n. Emi¬ ter El nalezy do diody Zenera Z i polaczony jest poprzez diode 25 z odczepem dzielnika napiecia P w sposób pokazany na fig. 1. W tym celu na ob¬ szarze emitera El umieszczona jest metalizacja styku 43 ze stopu olowiu z cyna, mniej wiecej w takim samym odstepie od obrzeza tego obszaru emitera. Druga elektroda diody Zenera Z utworzo¬ na jest przez caly obszar bazy BI który jako prze¬ chodzaca warstwa typu p siega az pod obszar emi¬ tera E2 tworzacego emiter tranzystora sterujacego ST, jednak zgodnie ze schematem podanym na fig. 1 nie musi uzyskac zadnego przylaczenia wypro¬ wadzonego z plytki pólprzewodnikowej i wiazace¬ go go z pozostalym ukladem. Miedzy obydwoma obszarami emitera El i E2 znajduje sie nametali- zowana listwa ekwipotencjalna 44r umieszczona na obszarze bazy BI o przewodzeniu typu p. Ta listwa ekwipotencjalna ma za zadanie jedynie zapewniac jednolity potencjal bazy przed lezacym na prze¬ ciwko niej brzegiem drugiego obszaru emitera E2 nalezacego do tranzystora sterujacego ST.Warstwa bazy BI o przewodzeniu typu p wy¬ konana jest wg metody warstwowej przez dyfuzje boru znajdujacego sie w stanie gazowym. Koncen¬ tracja boru na pokazanej na fig. 3 górnej stronie plytki pólprzewodnikowej jest przeto najwieksza.Z tych wzgledów jest te'tam okreslona napiecie Zenera diody Z utworzonej z emiteru El i war¬ stwy bazy BI. Mozna udowodnic matematycznie, ze prad Zenera pochodzi prawie wylacznie od brzegu obszaru emitera El sasiadujacego .bezpo¬ srednio z listwa ekwipotencjalna 44. Dzieki dlugo¬ sci listwy ekwipotencjalnej 44 mozna dojsc do op¬ tymalnego kompromisu miedzy obciazeniem po¬ wierzchniowym obszarów nalezacych do diody Ze¬ nera a malejaca ze wzrostem obciazenia powierz¬ chniowego opornoscia Zenera.Do przylaczenia obszaru emitera E2 tranzystora sterujacego ST sluzy metalizacja styku 46 wpro¬ wadzona na ten obszar emitera, skladajaca sie tak 15 20 29 30 35 40 41 50 5580749 7 8 samo jak metalizacja styku 43 ze stopu olowiu z cyna. Metalizacja 46 siega swoja strefa obrzezna 47, przeciwlegla do listwy ekwipotencjalnej 44, az po za obszar emitera E2 do obszaru bazy BI wol¬ nej tam od materialu izolacyjnego i tworzy przez to opornosc zlacza emiter-baza El tranzystora ste¬ rujacego, przy czym wielkosc tej opornosci okre¬ slona jest przez dlugosc dróg pradu prowadzacych od tej strefy zawarcia 47 do aktywnego brzegu emitera 45, przebiegajacych przez warstwe bazy BI o przewodzeniu typu p wzdluz brzegu obszaru emitera E2 i pod tym obszarem emitera.Plytka pólprzewodnikowa 38, zawierajaca tran¬ zystor pobudzajacy TT i opornosc bazy R2 dla tranzystora mocy, pokazana na fig. 4 w mniej wie¬ cej 50-krotnym powiekszeniu, nalutowana jest swo¬ ja strona dolna, tworzaca przylaczenia kolektora, na plytke cokolowa, podobnie jak i druga plytka pólprzewodnikowa 37 zawierajaca tranzystor mocy.Zawiera ona obszar bazy B2 o przewodzeniu typu p siegajacy prawie do brzegu plytki pólprzewodni¬ kowej, wykonany przez wdyfundowanie boru w podloze z krzemu typu n, którego kontury ozna¬ czone linia przerywana. W ten obszar bazy wdy- fundowany jest tworzacy emiter tranzystora pobu¬ dzajacego TT obszar emitera ES o przewodzeniu n, który nieznacznie wystaje wszedzie z pod wpro¬ wadzonej na niego warstwy metalowej styku 50 tworzacej przylaczenie emitera, ta strefa obrzezny zostala zaznaczona wyraznie na fig. 4 jako zakrop¬ kowana. W przedstawionym tutaj rozwiazaniu istotne jest to, ze obszar emitera E3 lezy w glów¬ nych zarysach na przekatnej pola obszaru B2 i w ten sposób w znacznym stopniu oddziela od siebie pod wzgledem elektrycznym dwie metalizacje 51 i 52 stanowiace powierzchnie styku bazy wzgl. obszary bazy B2 pod tymi powierzchniami styku.To oddzielanie jest wzmocnione przez dwa waskie zagiecia 54 i 55, wypelnione materialem podloza kolektora i wygospodarowane przy dyfundowaniu obszaru bazy B2. Dzieki tym zagieciom szerokosc strefy laczacej obszar bazy lezacy pod powierzch¬ nia styku 51 z glówna czescia robszaru bazy zostaje zawezona do mniej wiecej 100 |xm. Przylegajaca do zawezenia 56 wolna czesc 57 obszaru bazy pro¬ wadzi do waskiego miejsca 58, na którym metali¬ zacja emitera 50 obejmuje obszar bazy B2 i stwa¬ rza tam zatem lokalne zwarcie emitera z baza, które jednak nie jest bynajmniej niskoomowe, lecz tworzy opornosc prowadzaca od metalizacji emi¬ tera 50 do metalizacji styku 51 a mianowicie opor¬ nosc bazy R2, która moze byc polaczona przez te metalizacje styku 51 w ponizej opisany sposób z emiterem tranzystora mocy LT i ponadto przez umieszczona na obszarze emitera E3 metalizacje emitera 50 z tranzystorem mocy. Przylaczenie ob¬ szaru bazy nastepuje przez metalizacje 52.Lokalne zwarcie emitera z baza w miejscu 58 powoduje naturalnie dodatkowe polaczenie miedzy emiterem a baza tranzystora pobudzajacego TT, przy czym polaczenie to przebiega przez waskie pasmo bazy polozone miedzy emiterem a kolekto¬ rem na górnej stronie plytki pólprzewodnikowej calkowicie dokola emitera E2 i ponadto pod emi¬ terem przez cienka, wlasciwa warstwe bazy. Dzieki odpowiedniemu doborowi i uksztaltowaniu lokal¬ nego zwarcia emitera z baza w rogu powierzchni styku emitera mozna jednak za pomoca wspomnia¬ nych wyzej zagiec obrzeza bazy 54 i 55 obie te drogi uczynic bardzo wysokoomowymi, przy czym jedna z tych dróg — jak w przedstawionym przy¬ kladzie wykonania — jest stosunkowo dluga, a druga zawiera opornosc przewezenia, tak ze lacz¬ nie wynika tylko nieznaczna strata wzmocnienia.Wskutek styku przechodzacego obszaru bazy z metalizacja styku 51 powstaja w plytce pólprze¬ wodnikowej dwie diody p-n, które przy pracy re¬ gulatora obciazane sa w ich kierunku zaporowym.Pierwsza dioda lezy miedzy ta metalizacja styku i obszarem bazy B2, druga dioda p-n — miedzy stykiem polaczenia 51 i kolektorem tranzystora mocy polaczonym na tylnej stronie plytki pólprze¬ wodnikowej. Obie te dodatkowo powstajace diody maja duze znaczenie dla tlumienia wahan, moga¬ cych wystapic w czasie pracy regulatora, oraz po¬ magaja w korzystny sposób pracy kondensatora 30, znajdujacego sie nad czescia dzielnika napie¬ cia 26, 27, 28. Ponadto chronia one drogi emitera tranzystora mocy i , tranzystora pobudzajacego przed szczytami napiecia odwrotnej biegunowosci.Aby móc w czasie jednego tylko przejazdu przez piec tunelowy zawierajacy bierna atmosfere gazu, umocowac wszystkie trzy plytki pólprzewodniko¬ we 36, 37 i 38 na plycie cokolowej 35 oraz wyko¬ nac przy tym konieczne polaczenia miedzy po¬ szczególnymi plytkami pólprzewodnikowymi, uzywa sie plyty cokolowej jako wspólne przylaczenie ko¬ lektorów tranzystora mocy LT i tranzystora pobu¬ dzajacego TT. Ponadto przewiduje sie na plycie cokolowej przewody przylaczeniowe KI, K2, K3, umocowane za pomoca izolacji szklanej, wystajace z obu stron plyty cokolowej na ksztalt slupków, które — celem ulatwienia montazu plytek pólprze¬ wodnikowych przeprowadzanego przy uzyciu szy- blonów — umieszczone sa kazdorazowo w4 wierz¬ cholkach równoramiennego trójkata prostokatnego; na przedluzeniu wysokosci tego trójkata przecina¬ jacej przeciwprostokatna umieszczone sa *$wa przeciwlegle wierzcholki plytki pólprzewodnikowej 37 zawierajacej tranzystor mocy. Poniewaz.pierw¬ sza plytka pólprzewodnikowa 36, zawierajaca tran¬ zystor sterujacy ST, diode Zenera 2 i opornosc emitera El, ma na tylnej stronie przylacze kolek¬ tora tranzystora sterujacego, nie mozna ustawiac jej bezposrednio na plycie cokolowej 35. Do jej zamocowania przewidziano raczej blaszane skrzy¬ delko 60 z otworem, obolowione z wierzchu i wsu¬ niete na przewód przylaczeniowy K2 tym nie oznaczonym blizej otworem mocujacym. Na tym skrzydelku blaszanym znajduje sie plytka pólprze¬ wodnikowa .36. Dla zabezpieczenia ulozenia z wla¬ sciwej strony, na plytce pólprzewodnikowej name- talizowuje sie listwe orientacyjna 61. Z posród dwóch metalizacji styku plytki pólprzewodnikowej 36 — metalizacja styku 43, nalezaca do diody Ze¬ nera, moze byc polaczona w prosty sposób z prze¬ wodem przylaczeniowym K3, majacym tworzyc polaczenie z dioda 25 a mianowicie za pomoca cienkiego drutu srebrnego 62, który naciska wol¬ nym koncem na metalizacje 43 dzieki wlasnej spre- 10 15 20 25 30 35 40 46 50 55 609 80 749 10 zystosci drutu, a na którego drugim koncu utwo¬ rzona jest skretka o wiekszej liczbie zwojów, za pomoca której drut ten jest najpierw — w czasie montazu — natkniety na przewód, a podczas prze¬ suwania sie w piecu moze byc przylutowany dzieki nalozonemu równiez pierscieniowi ze stopu lutow¬ niczego. Metalizacja styku 46, przylaczajaca emiter tranzystora sterujacego ST, moze byc polaczona W podobny sposób za pomoca jednego z trzech drutów laczeniowych 64, 65, 66 nasunietych kon¬ cami uksztaltowanymi w postaci skretek na prze¬ wód przylaczeniowy KI. Ten przewód przylacze¬ niowy KI, stanowiacy prócz tego wspólne polacze¬ nie z metalizacja emitera 50 tranzystora pobudza¬ jacego TT poprzez drugi drut laczeniowy 66, two¬ rzy równoczesnie wspólny styk przylaczeniowy regulatora napiecia ze wspólnym przewodem ujemnym 20. Przylaczenie bazy tranzystora pobu¬ dzajacego, mozliwe dzieki metalizacji bazy 52 na trzeciej plytce pólprzewodnikowej 38 tworzy sie za pomoca trzeciego drutu laczeniowego 65, któ¬ rego koniec uksztaltowany w postaci skretki jest równiez nasuniety na przewód^ przylaczeniowy KI.Polaczenie miedzy emiterem E3, tranzystora pobu¬ dzajacego i obszarem bazy 41 tranzystora mocy na plytce pólprzewodnikowej 37 wykonuje sie za po¬ moca drutu 68, który polozony jest jednym kon¬ cem na obszarze bazy 41 i drugim koncem na me¬ talizacji emitera 50, wykonanej jako duza plasz¬ czyzna w lewym dolnym rogu plytki pólprzewod¬ nikowej 38. W czasie przesuwania sie w piecu za pomoca nie uwidocznionego na rysunku szablonu.Szczególna zaleta wynikajaca z opisanego i przedstawionego na fig. 2 — 4 wyposazenia i ukla¬ du plytek pólprzewodnikowych 36, 37 i 38 polega na tym, ze uzyskuje sie duza pewnosc produkcji przy bardzo malych tylko ilosciach braków, a po¬ nadto dzieki uzyskanym w ten sposób polacze¬ niom lutowniczym osiaga sie duza odpornosc ca¬ lego ukladu na wstrzasy oraz na warunki mecha¬ niczne i cieplne, jakie wystepuja w czasie eksploa¬ tacji pojazdów,mechanicznycli, W przedstawionym przykladzie wykonania umieszczono tranzystor mocy LT na plytce pól¬ przewodnikowej 37, a tranzystor pobudzajacy TT na odrebnej plytce pólprzewodnikowej 38. Istnieje równiez jednak mozliwosc, nie wychodzac poza ramy wynalazku — aby dla tych obu tranzystorów zastosowac znany uklad Darlingtona o jednej je¬ dynej plytce pólprzewodnikowej, wspólne} dla obu tranzystorów. PL PL PL PL PL PL PL PL PL PL PL PL PL